JPH04295646A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04295646A JPH04295646A JP8461591A JP8461591A JPH04295646A JP H04295646 A JPH04295646 A JP H04295646A JP 8461591 A JP8461591 A JP 8461591A JP 8461591 A JP8461591 A JP 8461591A JP H04295646 A JPH04295646 A JP H04295646A
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- optical recording
- reflective
- film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関し、より詳しくは、レーザー光を用いて
磁気記録を行い、磁気カー効果を利用して記録情報の読
み出しを行う、キュリー点書き込みタイプの光磁気記録
媒体及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、より詳しくは、レーザー光を用いて
磁気記録を行い、磁気カー効果を利用して記録情報の読
み出しを行う、キュリー点書き込みタイプの光磁気記録
媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、大容量高密度記録、
非接触記録再生が可能であるため、近年広く使用される
ようになっている。このような光磁気記録媒体のうち、
透明基板上に一層以上の透明層と、光磁気記録層と反射
層を有するタイプのものが知られている。
非接触記録再生が可能であるため、近年広く使用される
ようになっている。このような光磁気記録媒体のうち、
透明基板上に一層以上の透明層と、光磁気記録層と反射
層を有するタイプのものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の層構
成の光磁気記録媒体の各層の形成条件が諸特性にどのよ
うな影響を与えるのかについては、未知、未検討の部分
が多く、再生Ｃ／Ｎを向上させ、信頼性を確保するため
の方策が種々検討されているのが現状である。
成の光磁気記録媒体の各層の形成条件が諸特性にどのよ
うな影響を与えるのかについては、未知、未検討の部分
が多く、再生Ｃ／Ｎを向上させ、信頼性を確保するため
の方策が種々検討されているのが現状である。
【０００４】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的は、情報の高密度記録、処理の高速化の見
地から光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎを向上させ、かつ信
頼性を確保することにある。
で、その目的は、情報の高密度記録、処理の高速化の見
地から光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎを向上させ、かつ信
頼性を確保することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、透明基板上に一層以上の透明層と、光磁気記録層と
反射層を有する光磁気記録媒体において、その反射層が
蒸着で形成され、しかも反射膜が連続的に成膜されてな
ることを特徴とする光磁気記録媒体を特徴とする。
は、透明基板上に一層以上の透明層と、光磁気記録層と
反射層を有する光磁気記録媒体において、その反射層が
蒸着で形成され、しかも反射膜が連続的に成膜されてな
ることを特徴とする光磁気記録媒体を特徴とする。
【０００６】以下、本発明を図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す
断面図で、基板１上に干渉層２、光磁気記録層３、保護
層４、反射層５およびカバー層６を設けると共に、反射
側の基板上にバックコート層７を設けた構造を有してい
る。もちろん、本発明はこの構成例に限定されるもので
はなく、種々の変形、変更が可能である。
る。図１は本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す
断面図で、基板１上に干渉層２、光磁気記録層３、保護
層４、反射層５およびカバー層６を設けると共に、反射
側の基板上にバックコート層７を設けた構造を有してい
る。もちろん、本発明はこの構成例に限定されるもので
はなく、種々の変形、変更が可能である。
【０００７】基板１には、光透過性に優れ、耐熱性や耐
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、プラスチックはト
ラッキング用の案内溝やピットが２Ｐ法または射出成形
で簡単にしかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法の
ドライエッチング等でトラッキング用の溝やピットを形
成できる。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボ
ネートやアモルファスのポリオレフィン等の材質が好ま
しく使用される。
候性、耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチック
やガラスはこの要求を満たしており、プラスチックはト
ラッキング用の案内溝やピットが２Ｐ法または射出成形
で簡単にしかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法の
ドライエッチング等でトラッキング用の溝やピットを形
成できる。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボ
ネートやアモルファスのポリオレフィン等の材質が好ま
しく使用される。
【０００８】基材１上に設ける干渉層（透明層）２は、
光磁気記録層（磁性層）３を外界の湿気などによる腐食
から防止するパッシベーション効果と、光磁気記録層３
の反射カー回転角を光の多重反射により増大させエンハ
ンスメント効果を有する。このため、本発明では、干渉
層２としては、屈折率ｎを大きくでき、しかもパッシベ
ーション効果が十分で、透過率も高いＳｉＮ，ＳｉＺｒ
Ｎ等が用いられ、干渉層２の膜厚は７００〜１５００Å
程度である。
光磁気記録層（磁性層）３を外界の湿気などによる腐食
から防止するパッシベーション効果と、光磁気記録層３
の反射カー回転角を光の多重反射により増大させエンハ
ンスメント効果を有する。このため、本発明では、干渉
層２としては、屈折率ｎを大きくでき、しかもパッシベ
ーション効果が十分で、透過率も高いＳｉＮ，ＳｉＺｒ
Ｎ等が用いられ、干渉層２の膜厚は７００〜１５００Å
程度である。
【０００９】本発明の光磁気記録層３の構成材料として
は、好ましくはＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏを
用いるが、他の光磁気記録材料であっても何ら問題はな
い。保護層４は、光磁気記録層３の腐食劣化を防止する
ために設けられるもので、パッシベーション効果の十分
大きい、干渉層２と同じＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ等が用いら
れ、膜厚は、２００〜８００Å程度が適当である。
は、好ましくはＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏを
用いるが、他の光磁気記録材料であっても何ら問題はな
い。保護層４は、光磁気記録層３の腐食劣化を防止する
ために設けられるもので、パッシベーション効果の十分
大きい、干渉層２と同じＳｉＮ，ＳｉＺｒＮ等が用いら
れ、膜厚は、２００〜８００Å程度が適当である。
【００１０】反射層５は磁気光学効果のエンハンスメン
トのために設けられるもので、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の反
射率の高い材料が用いられる。反射率は蒸着膜の方がス
パッタ膜よりも約５〜１０％高いため、本発明において
は蒸着によって反射層が形成される。また、この反射膜
は連続的に成膜が行なわれる。蒸着により、しかも連続
的に成膜されることにより、光の反射率が上がり、再生
Ｃ／Ｎが向上する。反射膜５の膜厚は３００〜８００Å
程度が適当である。
トのために設けられるもので、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の反
射率の高い材料が用いられる。反射率は蒸着膜の方がス
パッタ膜よりも約５〜１０％高いため、本発明において
は蒸着によって反射層が形成される。また、この反射膜
は連続的に成膜が行なわれる。蒸着により、しかも連続
的に成膜されることにより、光の反射率が上がり、再生
Ｃ／Ｎが向上する。反射膜５の膜厚は３００〜８００Å
程度が適当である。
【００１１】カバー層６は、反射層５以下の層の腐食防
止、損傷防止のために設けられるもので、紫外線硬化型
樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用いられ
、膜厚は１〜１００μｍ程度が適当である。
止、損傷防止のために設けられるもので、紫外線硬化型
樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用いられ
、膜厚は１〜１００μｍ程度が適当である。
【００１２】バックコート層７は、帯電防止、表面保護
のために設けられるもので、アクリル系紫外線硬化樹脂
、エポキシ系紫外線硬化樹脂、ＩＴＯ等が用いられ、膜
厚は数μｍ程度が適当であるが、本発明のように、反射
帯電防止コートをさらに施す、あるいは置き換えること
によって防塵効果が上り、さらに性能を向上させること
ができる。
のために設けられるもので、アクリル系紫外線硬化樹脂
、エポキシ系紫外線硬化樹脂、ＩＴＯ等が用いられ、膜
厚は数μｍ程度が適当であるが、本発明のように、反射
帯電防止コートをさらに施す、あるいは置き換えること
によって防塵効果が上り、さらに性能を向上させること
ができる。
【００１３】反射帯電防止膜の構成は、記録層の保護層
、あるいは基材の屈折率をもとに、従来光学部品等で広
く行なわれている反射防止膜の膜設計理論により、それ
ぞれ独自の屈折率を持つ、フッ化マグネシウム、一酸化
珪素、二酸化珪素、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ア
ルミニウムなど従来の光学部品の反射防止膜として用い
られている透明絶縁性材料と、ｎ＝２前後の屈折率を持
つＩｎ２ Ｏ３ 、ＩＴＯ、ＳｎＯ２ などの透明導電
膜と組み合わせて構成する。この構成においては、透明
導電膜は空気と接する反射帯電防止膜の最表面に位置し
なくても、膜構成が薄膜であるため、十分な帯電防止効
果を持つことができる。実際、１０２ Ω／□程度の導
電層を中間層とした３層反射帯電防止膜では、表面での
抵抗値は、１０６ Ω／□程度であり、帯電防止に実質
上有効となる１０８ 〜１０９ Ω／□以下であった。 また、ＳｉＯ２ を基板最表面に用いた構成では、その
表面硬度は鉛筆テストにおいて５Ｈ以上を示し、表面保
護効果も高い。
、あるいは基材の屈折率をもとに、従来光学部品等で広
く行なわれている反射防止膜の膜設計理論により、それ
ぞれ独自の屈折率を持つ、フッ化マグネシウム、一酸化
珪素、二酸化珪素、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ア
ルミニウムなど従来の光学部品の反射防止膜として用い
られている透明絶縁性材料と、ｎ＝２前後の屈折率を持
つＩｎ２ Ｏ３ 、ＩＴＯ、ＳｎＯ２ などの透明導電
膜と組み合わせて構成する。この構成においては、透明
導電膜は空気と接する反射帯電防止膜の最表面に位置し
なくても、膜構成が薄膜であるため、十分な帯電防止効
果を持つことができる。実際、１０２ Ω／□程度の導
電層を中間層とした３層反射帯電防止膜では、表面での
抵抗値は、１０６ Ω／□程度であり、帯電防止に実質
上有効となる１０８ 〜１０９ Ω／□以下であった。 また、ＳｉＯ２ を基板最表面に用いた構成では、その
表面硬度は鉛筆テストにおいて５Ｈ以上を示し、表面保
護効果も高い。
【００１４】本発明による基材、干渉層、光磁気記録層
、保護層、反射層、カバー層、反射帯電防止層からなる
光磁気記録媒体においては、反射帯電防止層を形成する
にあたり、必要に応じて従来から薄膜コーティングの分
野で行なわれている密着性向上のための中間層や、保護
層を設けることもなんら差し支えない。
、保護層、反射層、カバー層、反射帯電防止層からなる
光磁気記録媒体においては、反射帯電防止層を形成する
にあたり、必要に応じて従来から薄膜コーティングの分
野で行なわれている密着性向上のための中間層や、保護
層を設けることもなんら差し支えない。
【００１５】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明
する。ポリカーボネート基板又はガラス基板上にスパッ
タリングにて干渉層ＳｉＮｘ （ｎ＝２．０５、膜厚９
００〜１０００Å）、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる光磁気
記録層（膜厚２００〜３００Å）、ＳｉＮｘからなる保
護層（膜厚（１００〜４００Å）を形成した。次いで、
蒸着にてＡｌ，Ａｕからなる反射層（膜厚３００〜６０
０Å）を連続的に形成した。スピンコートにて紫外線硬
化樹脂からなるカバー層（膜厚４μｍ）を形成するとと
もに基板反対側に反射帯電防止コートを蒸着にて形成し
、本発明の光磁気ディスクとした、その中の数例を比較
例と共に表１に示す。
する。ポリカーボネート基板又はガラス基板上にスパッ
タリングにて干渉層ＳｉＮｘ （ｎ＝２．０５、膜厚９
００〜１０００Å）、ＴｂＤｙＦｅＣｏからなる光磁気
記録層（膜厚２００〜３００Å）、ＳｉＮｘからなる保
護層（膜厚（１００〜４００Å）を形成した。次いで、
蒸着にてＡｌ，Ａｕからなる反射層（膜厚３００〜６０
０Å）を連続的に形成した。スピンコートにて紫外線硬
化樹脂からなるカバー層（膜厚４μｍ）を形成するとと
もに基板反対側に反射帯電防止コートを蒸着にて形成し
、本発明の光磁気ディスクとした、その中の数例を比較
例と共に表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】図２、図３には反射帯電防止膜の構成を一
例として示すが、二層構成の場合には第一層として高屈
折透明導電膜（λ／２）、二層目には低屈折膜（λ／４
）を用い、三層構成の場合には第一層目にさらに低屈折
膜（λ／４）をいれた構成が反射防止条件として用いら
れることが多いが、本発明においては特に使用レーザの
波長域が狭いため、フィルタ等に用いられるＶコート等
、レーザの波長域に対して反射防止となる、材料、膜厚
を選択するなど、基本的には反射防止膜の中に透明導電
膜を含み、帯電を防止している構成であれば良い。塵埃
テストを行った結果を表２に示す。
例として示すが、二層構成の場合には第一層として高屈
折透明導電膜（λ／２）、二層目には低屈折膜（λ／４
）を用い、三層構成の場合には第一層目にさらに低屈折
膜（λ／４）をいれた構成が反射防止条件として用いら
れることが多いが、本発明においては特に使用レーザの
波長域が狭いため、フィルタ等に用いられるＶコート等
、レーザの波長域に対して反射防止となる、材料、膜厚
を選択するなど、基本的には反射防止膜の中に透明導電
膜を含み、帯電を防止している構成であれば良い。塵埃
テストを行った結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】○ Ｃ／Ｎの記録、再生条件で評価した
。 記録レーザーパワー：１０ｍＷ以下（λ＝７７０〜８５
０ｍｍ） ディスク回転数 ：３６００ｒｐｍ線速
：２２．６ｍ／ｓｅｃ記録周波数
のデューティ：２０〜５０％
。 記録レーザーパワー：１０ｍＷ以下（λ＝７７０〜８５
０ｍｍ） ディスク回転数 ：３６００ｒｐｍ線速
：２２．６ｍ／ｓｅｃ記録周波数
のデューティ：２０〜５０％
【００２０】○ 塵埃テ
スト条件 塵埃暴露量 ６０００（ｍｇ・ｍｉｎ／ｍ３ ・１０
ｙｅａｒｓ）でメディアカセットのシャッターはあけた
ままテストした。ＢＥＲの評価が、メディア１面を測定
した。
スト条件 塵埃暴露量 ６０００（ｍｇ・ｍｉｎ／ｍ３ ・１０
ｙｅａｒｓ）でメディアカセットのシャッターはあけた
ままテストした。ＢＥＲの評価が、メディア１面を測定
した。
【００２１】
【発明の効果】反射膜を蒸着により、しかも連続的に成
膜したために反射層での光の反射率が上がり再生Ｃ／Ｎ
が向上した。また基板の光磁気記録層形成面と反対側の
面に反射・帯電防止コート層を形成すれば、防塵性が付
与され、信頼性が向上する。
膜したために反射層での光の反射率が上がり再生Ｃ／Ｎ
が向上した。また基板の光磁気記録層形成面と反対側の
面に反射・帯電防止コート層を形成すれば、防塵性が付
与され、信頼性が向上する。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】反射帯電防止膜の構成の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】反射帯電防止膜の構成の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 基板
２ 干渉層
３ 光磁気記録層
４ 保護層
５ 反射層
６ カバー層
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に一層以上の透明層と、光
磁気記録層と反射層を有する光磁気記録媒体において、
その反射層が蒸着で形成され、しかも反射膜が連続的に
成膜されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、基板の光磁気記録
層形成面と反対側の面に、反射・帯電防止コート層が形
成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 透明基板上に一層以上の透明層と、光
磁気記録層と反射層を有する光磁気記録媒体において、
その反射層を蒸着で形成し、しかも反射膜を連続的に形
成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461591A JPH04295646A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461591A JPH04295646A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295646A true JPH04295646A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=13835602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8461591A Pending JPH04295646A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04295646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP8461591A patent/JPH04295646A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
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