JPH04146630A - ボンデイングワイヤー - Google Patents

ボンデイングワイヤー

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Publication number
JPH04146630A
JPH04146630A JP2270884A JP27088490A JPH04146630A JP H04146630 A JPH04146630 A JP H04146630A JP 2270884 A JP2270884 A JP 2270884A JP 27088490 A JP27088490 A JP 27088490A JP H04146630 A JPH04146630 A JP H04146630A
Authority
JP
Japan
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ball
gold
lanthanum
cerium
bonding wire
Prior art date
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Pending
Application number
JP2270884A
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English (en)
Inventor
Akio Miyoshi
三好　明男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04146630A publication Critical patent/JPH04146630A/ja
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    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子上のチップ電極と外部リードを接続
するために用いるボンディングワイヤーに関する。
〔従来の技術〕
トランジスタ、工Ｃ５ＬＳＩなどの半導体素子のチップ
電極と外部リードとの結線用として多く用いられている
金線は、その機械的及び耐熱強度を向上させる為に純度
９９．９９９重量％以上の高純度金にＬａ、　Ｃｅ、　
Ｎ４及びＳｍからなる土類元素とＧｅ。
Ｂｅ及びＣ＆とを微量添加する方法が採られている。
（特開昭５８−１５４２４２号公報）最近、半導体デバ
イスの高密度実装に伴なうパッケージの小型化のために
薄形の樹脂モールドパッケージが必要となっている。特
に厚さがｌＷＬｍ程度の薄形パッケージではワイヤーボ
ンディング工程においてループ高さを１５０μｍ以下に
するよう要望されている。
前記のボンディングワイヤーを使用して超音波併用熱圧
着ワイヤーボンディング方法（ネールへラドボンディン
グ方法）でチップ極とリードフレームとをボンディング
すると、ループ高さは２００μｍ前後であり、１５０μ
ｍ以下にすることは困難であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、ルー
プ高さを１５０μｍ以下を可能とするボンディングワイ
ヤーを提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明のボンディングワイヤ
ーはランタン及びセリウムの片方又は両方で０．０１１
〜０．０３重量％、カルシウムを０．０００１〜０．０
０３重量％含有し、残部０．００１重量％以下の不可避
的不純物と金からなる点に特徴がある。
〔作用〕
本発明はランタン及びセリウムが、金ボールを形成する
に際し、アーク放電又は水素炎でボンディングワイヤー
を溶断するときの熱影響によりボール直上部（ネック部
）に発生する再結晶領域の距離を短くする効果があり、
その結果ループ高さを低くすることを見出したことにあ
る。
片方又は両方の含有率が０．０１１重量％未満ではルー
プ高さを低くする効果が小さく、０．０３重量％を超え
ると金ボール作成時にボールが真球とならず変形を生じ
チップ電極との接合性が悪くなる。
カルシウムはランタン及びセリウムと共存することで、
金ボールを形成する際の熱影響によるボール直上部に発
生する結晶粒の粗大化を防ぎ、ボールネック部の強度を
高くする効果があるが、含有率が０．０００１重量％未
満では効果がなく、０．００３重量％を超えると機械的
強度がもはや向上せず、金ボールを形成する際にボール
表面にカルシウムが析出して、チップ電極との接合性を
阻害する。
〔実施例〕
不可避的不純物０．００１重量％以下の高純度金を原料
とし、これにＬａ、　Ｃｅ、　Ｃ！ａを種々の割合で添
加溶解して第１表に示す組成の金合金を溶解鋳造し、次
に溝ロール加工を施した後、ダイスを用いて線引き加工
で直径０．０３１１１１まで伸線した。次に、このワイ
ヤーを室温における破断伸び率が６％になるように熱処
理した後に常温での機械的強度を測定した。その結果を
第１表に示す。
次に第１表に示す組成のワイヤーを用いてアーク放電に
よりボールを形成しボール形状を顕微鏡で観察した。又
、ボールを穴あきブロックに通して引っ掛は他端を挟持
し、ボールネック部から挟持部に入る部分までの長さを
１０１００ｔとし、穴あきブロックを引っ張りボールネ
ック部の強度を測定した。又、図に示すようにチップ電
極表面とリードフレームとの段差Ｈを３７０μｍ１ボン
デイング距１１ｉＬを２簡の条件でワイヤーボンディン
グを行ない、ボンディング後のチップ電極表面よりルー
プ最高部までのループ高さｈを測定した。
これらの結果を第１表に示す。尚、カルシウム元素を０
．００３重量％を超して含有せしめた合金線はボンディ
ングにおいてボール部がチップ電極に接合されなかった
ものが認められた。
第　　　　１　　　表 〔発明の効果〕 第１表から本発明のボンディングワイヤーは、いずれも
１５０μｍ以下の低ループを可能にしたボンディングワ
イヤーであることが判る。
【図面の簡単な説明】
図面は実施例のヤイヤーボンディング試験の試験条件説
明図である。 １・・半導体チップ ２・・ボンディングワイヤー ３・・リードフレーム Ｈ・・チップ段差 ｈ・・ループ高さ Ｌ・・ポンディング距離

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ランタン、セリウムの片方又は両方で０．０１１
    〜０．０３重量％、カルシウムを０．０００１〜０．０
    ０３重量％含有し、残部０．００１重量％以下の不可避
    的不純物と金からなるボンディングワイヤー。
JP2270884A 1990-10-09 1990-10-09 ボンデイングワイヤー Pending JPH04146630A (ja)

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JP2270884A JPH04146630A (ja) 1990-10-09 1990-10-09 ボンデイングワイヤー

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JPH04146630A true JPH04146630A (ja) 1992-05-20

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JP2270884A Pending JPH04146630A (ja) 1990-10-09 1990-10-09 ボンデイングワイヤー

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