JPS6184346A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents

ボンデイングワイヤ−

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Publication number
JPS6184346A
JPS6184346A JP59204345A JP20434584A JPS6184346A JP S6184346 A JPS6184346 A JP S6184346A JP 59204345 A JP59204345 A JP 59204345A JP 20434584 A JP20434584 A JP 20434584A JP S6184346 A JPS6184346 A JP S6184346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
weight
bonding
ball
strength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59204345A
Other languages
English (en)
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JPH0425337B2 (ja
Inventor
Hideto Yoshida
秀人 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP59204345A priority Critical patent/JPS6184346A/ja
Publication of JPS6184346A publication Critical patent/JPS6184346A/ja
Publication of JPH0425337B2 publication Critical patent/JPH0425337B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子のチップ電極と外部リードを接続す
るために用いるボンディングワイヤーに関する。
〔従来の技術〕
従来、トランジスター、工0.LSIなどの半導体素子
のチップ電極と外部リードとの結線の多くにはボンディ
ングワイヤーとして金細線が用いられている。
一4最近のボンディング技術の向上に伴なう高速度化及
び半導体デバイスの高集積度化などからこれに使用され
るワイヤーの機械的特性やボンディング特性に関する要
求が年々厳しくなってきている。
ボンディングワイヤーに要求される特性を要約すると、 】)良好なボール形状が安定して得られること。
2)チップ電極と金ボールとの接合性が良く且つ安定し
た接合強度が得られること。
3)良好なワイヤーのループ形状が得られ、且つ必要な
ループ高さが安定して得られること。
4゛)ボンダーの高速化に対応でき得る機械的及び耐熱
強度を有していること。
5)樹脂モールド時の樹脂の流れ及び膨張、収縮にも充
分耐えうろこと。
などが挙げられ、従来よりこれら要求を満たすために高
純度金(99,99%以上)中に他金属元素を添加して
ワイヤーの機械的及び耐熱強度を向上させる方法がとら
れている。
しかしながら現在実用されている添加元素及びその組合
せにおいては前記要求項目のすべてを満たすワイヤーは
得られていない。例えば高純度金にOaを添加したワイ
ヤー(例えば特開昭53−105968号公報)におい
ては、ワイヤーの機械的及び耐熱強度を向上させ、ボン
ダーの高速化には充分対応でき得るが、金の再結晶温度
が高くなるためにボンディング工程で水素炎あるいはア
ーク放電によってワイヤー先端を溶断し、ボールを形成
するときに受ける加熱温度においても結晶成長は阻止さ
れ、その結果ワイヤーのループ高さが低くなりショート
不良発生の原因になるという欠点をもっている。又、B
eを高純度金に添加したワイヤー(例えば特開昭53−
112059号公報)においてはワイヤーの機械的強度
を向上させる効果はあるが、耐熱強度向上の効果は小さ
くその結果ボール形成時に受ける加熱温度において結晶
成長が進み、必要なループ高さは充分得ることができる
が、ボール直上の結晶粒の粗大化及びポールネック部の
ワイヤー強度の低下につながりポールネック部破断を起
こし易くなるというOa添加ワイヤーと相反する欠点を
有している。更にOaとBeを複合添加することにより
両者の特徴を生かしたワイヤーの開発(例えば特開昭5
8−112060号公報)もなされているが、これら複
合添加においてもボール形成時の加熱温度による結晶粒
の粗大化及びボールネック部ワイヤー強度の低下は阻止
できない現状にある。
このような問題から従来の金合金線では充分なボンディ
ング性能が得られず、これら欠点を改良したワイヤーの
開発を強く要求されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は従来の欠点を解消して、ボンダーの高速化に充
分対応し得る機械的及び耐熱強度を有し、更にボール形
成時に受ける加熱温度においてもボール直上の結晶粒粗
大化及びボールネック部のワイヤー強度の低下を防ぎ安
定したループ高さを維持したボンディングワイヤーを提
供せんとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本発明のボンディングワイヤーは、純度99.9
9重量%以上の金に、カルシウムを0.0001〜0、
001重量%と、ベリリウムを0.0001〜0.00
1重量%と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム及ヒニ
オブからなる元素群から選ばれた少なくとも一種を0.
0005〜0.005重量%とを含有せしめた金合金線
としたものである。
〔作用〕
カルシウムの含有率が高い程ワイヤーの機械的及び耐熱
強度を向上させるが、0.001重量%を超えるとワイ
ヤーの再結晶温度が高くなりすぎて必要なワイヤーのル
ニプ高さが得られなくなるので0.001重量%以下と
する必要がある。又、カルシウムの含有率が0.000
1重量%未満では強度向上の効果が殆んど無いので、カ
ルシウムの含有率は0.0001〜0.001重量%と
する必要がある。
ベリリウムの含有率が高い程ボンデイング工程でのワイ
ヤーループ高さを向上させるが、0.0001重量%未
満では効果がなく、0.001重量%を超えると結晶粒
の粗大化及びボ〒ルネック部のワイヤー強度が低下する
ので、ベリリウムの含有率は0.0001〜0.001
重量%とする必要がある。
更にチタン、ジルコニウム、ハフニウム、及ヒニオブか
らなる元素群は一種ないし二種以上添加するのが良いが
、これらの元素の含有率が高い程ボール形成時に受ける
加熱の影響で起こる結晶粒粗大化及びポールネック部の
ワイヤー強度の低下を制御できる。
しかしこれらの元素の合計で0.0005重量%未満で
は効果がなく 、0.005重量%を超えるとボール変
形及びチップ電極との接合性が悪くなるので・、0.0
005〜0.005重量%とする必要がある。
〔実施例〕
純度99.999重量%の高純度金を原料とし、これに
カルシウム、ベリリウム、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウム、ニオブを種々の割合で添加して第1表に示す組
成の金合金を溶解鋳造し、次にスウエイジング加工を施
した後に線引き加工で直径o、osmmまで伸線を行な
った。次に、このワイヤーを室温における破断伸び率が
6%になるように熱処理した後に、常温での引張り試験
及び温度=2500.保持時間=30秒での高温引張り
試験を行なった。また、半導体素子表面とリードフレー
ムの表面とを同高とした状態でワイヤーボンダーにてボ
ンディングを行ないボンディング後のリードフレーム表
面からのワイヤーループの最高部までの高さと、金ボー
ル直上の結晶粒径の測定を行なった。またアーク放電に
より金ボールを形成し、ボール首下を孔あきブロックに
通して引掛け、他端を挾持し、ボール首下から挟持部に
入る部分までの長さを100龍とし孔あきブロックを引
張り、ボールネック部のワイヤー強度を測定し、ボール
形状を観察した。ボール径は80〜90μmであった。
更にチップ電極とワイヤーとの接合強度を測定した。こ
れらの結果を第1表、第2表に示した。
第   1    表 第     2     表 〔発明の効果〕 第1.2表から本発明のボンディングワイヤーは、いず
れもワイヤーボンディングの高速化に充分耐えうる機械
的及び耐熱強度を有し、更に本発明の特徴である金ボー
ル直上の結晶粒の粗大化及びボールネック部のワイヤー
強度も低下することなく、安定したループ高さが得られ
ることが判る。
以上の結果より本発明によるボンディングワイヤーは従
来のボンディングワイヤーの欠点を解消し、ボンディン
グ工程での歩留向上及び信頼性の向上を可能とするもの
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カルシウムを0.0001〜0.001重量%と
    、ベリリウムを0.0001〜0.001重量%と、チ
    タン、ジルコニウム、ハフニウム及びニオブからなる元
    素群から選ばれた少なくとも一種を0.0005〜0.
    005重量%とを含有することを特徴とする残部純度9
    9.99重量%以上の高純度金からなるボンディングワ
    イヤー。
JP59204345A 1984-09-28 1984-09-28 ボンデイングワイヤ− Granted JPS6184346A (ja)

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JP59204345A JPS6184346A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 ボンデイングワイヤ−

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JP59204345A JPS6184346A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 ボンデイングワイヤ−

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Publication Number Publication Date
JPS6184346A true JPS6184346A (ja) 1986-04-28
JPH0425337B2 JPH0425337B2 (ja) 1992-04-30

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ID=16488964

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JP59204345A Granted JPS6184346A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 ボンデイングワイヤ−

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007284787A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体素子接続用金線

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007284787A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体素子接続用金線
US8415797B2 (en) 2006-03-24 2013-04-09 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Gold wire for semiconductor element connection

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0425337B2 (ja) 1992-04-30

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