JPH0414761B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は反射防止コーテイングに関し、特に
導電性の反射防止コーテイングに関する。

反射防止コーテイングは、例えば空気とガラス
の光学的境界面における反射率を減少させる方が
好ましかつたり、その必要がある光学や電気光学
の分野で広く使われている。これらの応用分野に
は、カメラのレンズ、コピー機械のプラテン（原
稿台）、機器用のカバーガラス、陰極線管用パネ
ルのぎらつき減少コーテイング、その他の表示装
置等がある。各種の応用分野で使われている光学
的な薄膜コーテイングには、マグネシウムフツ化
物から成るコーテイング等の単一層コーテイン
グ、Ｖコートと呼ばれ一つの波長領域における反
射率を最小にする２層のコーテイング、さらにア
メリカ特許第3185020号に開示されているような、
比較的広い波長領域例えば可視スペクトルの範囲
にわたつて低い反射率を生じる多層の広帯域コー
テイングがある。さらに最近は、電気的導電性や
高い光学的透過性が必要なところで、透明な導電
性コーテイングも広く使われている。こうした目
的のため、インジウム錫酸化物やカドミウム錫酸
塩、アンチモン酸化物等の膜が各種のデイスプレ
イ、例えば液晶デイスプレイ、航空機の窓に使う
可視域透過窓の加熱要素、静電気気防コーテイン
グ、電球の外囲ガラスに使われる熱保持用の可視
光透過コーテイング等で用いられている。しか
し、現在使われている周知の透明な導電膜材料
は、一般に1.8〜2.2の範囲の高い屈折率を有す
る。ところでこうした高い屈折率を持つ材料の使
用は、しばしば次のような好ましくない効果をも
たらす。つまり、ガラス基材の上に施されたこれ
ら材料の膜が可視域での反射率を増加させ、装置
やシステムの光学的性能を低下させることが多
い。又、透明な導電材料が高い屈折率を有するた
め、導電性を備えた反射防止コーテイングの設計
が著しく制約されていた。目下使われている導電
性を持つた広帯域の反射防止コーテイングでは、
従来の1/4波長−1/2波長−1/4波長設計の基材に
最も近接させて、半波長層又は変形の４分の１波
長層の一部が使われている。このような設計によ
ると、コンダクタンスはそれぞれ比較的高いか低
い値となる。この種コーテイングの光学的性能
は、基礎として非導性設計の性能と匹敵している
が、一般に効率の点で劣る。さらに、この種の導
電性反射防止コーテイングを実際に使うために
は、非導電層をひつかいて穴を開けたり、マスク
を使つて導電層が被覆されるのを防いだり、バマ
バーを設けて導電層と必要な物理的接触を図つた
り等各種の方法を用い導電層に対する電気的接触
を得なければならなかつた。こうした接触構造
は、最終的に得られる製品の複雑さとコストを増
加させる。従つて、新規な改良された導電性反射
防止コーテイングの必要が望まれている。

本発明の主な目的は、導電性の反射防止コーテ
イングをその表面に有する光学物品を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、入射媒体（空気）に隣接
した層が容易にアクセス可能な高屈折率の導電性
材料の層からなるようなコーテイングを提供する
ことにある。

本発明の更に別の目的は、コーテイングの各層
が非導電性コーテイングにおける光学的性能と非
常に近似した性能を与えるコーテイングを提供す
ることにある。

本発明の更に別の目的は、上記したような特徴
を持ち、光学的な反射防止特性と電気的な導電特
性を有するコーテイングを備えた光学物品を提供
することにある。

本発明の更に別の目的は、上記のような特徴を
持ち、高い透過性と低い吸収性を有するコーテイ
ングをその表面に備えた光学物品を提供すること
にある。

本発明の更に別の目的は、上記したような特徴
を持ち、導電層への直接的な電気接触を可能とす
るコーテイングをその表面に備えた光学物品を提
供することにある。

この発明の更に他の目的及び特徴は、添付の図
面を参照して好適実施例を詳述した以下の説明か
ら明らかになるであろう。

第１図に、本発明を実施化した導電性反射防止
コーテイングをその表面に有する光学物品を示
す。図示のように、光学物品１０は屈折率が1.5
〜2.0の範囲、一般的には1.52の屈折率を有する
ガラス等適当な透明基材１１から成る。透明基材
１１は、第１と第２の光学表面１２，１３を有す
る。基材１１の両表面１２，１３のいずれか一方
によつて反射防止コーテイング１４が担持され、
第１図では一例として表面１３によつて担持され
ている。

導電性の反射防止コーテイング１４は、1.35〜
1.46の範囲の低い屈折率を有する材料、例えば屈
折率が1.38のマグネシウムフツ化物から成る層１
６で構成されている。一般にこの低屈折率材料の
層は、可視領域で使われる場合ほゞ550nm（ナノ
メータ）の設計波長に対し約４分の１波長の光学
的厚さを有する。薄い透明な導電層１７もコーテ
イング１４の一部を形成し、低屈折率材料層の上
に施されている。この透明な導電薄層１７の厚さ
に応じ、以下に延べる理由から、層１６の厚さは
従来の４分の１波長光学厚よりもわずかに小さく
される。透明は導電薄層１７の適当な厚さは1.0
〜10.0nmの範囲であるが、中でも1.0〜6.0nmの
範囲の厚さが好ましい。又透明な導電薄層１７と
して適当な材料は、インジウム錫酸化物、カドミ
ウム錫酸塩、アンチモン酸化物等である。マグネ
シウムフツ化物の層は、当業者にとつて周知な従
来の方法で付着できる。透明な導電薄層を形成す
る材料も、従来周知の方法で施すことができる。
例えば、インジウムと錫の金属を舟形容器中に入
れ、従来のコーテイングチヤンバ内において酸素
雰囲気下で蒸発し、基板の上に凝縮させる。これ
らの物質を施すのには、その他スパツタリングや
化学蒸着法等も使える。

導電性の反射防止コーテイング１４の設計に際
して用いる設計概念は、光学的な厚さが波長に対
して極めて小さい非吸収性材料の薄層を設計に加
えると、反射防止コーテイングの光学的性能に相
対的に小さな変化が生ずるという前提に基いてい
る。さらに、反射防止コーテイングの初期設計に
よる最外層の光学的厚さを、追加した導電層の光
学的厚さ分だけ減少させると、光学的性能に生じ
る変化は最小になることも見い出された。

第１図に示した光学的コーテイングは、一般に
上記したごとく、４分の１波長の光学的厚さで、
以下の値にできるだけ近い屈折率を持つ膜を用い
て成る単一層の反射防止コーテイングとして特徴
付けられる： Nf−√・ こゝで、Nf、No及びNsはそれぞれ膜、入射
媒体及び基材の屈折率である。この種反射防止膜
の最も一般的な例は、第１図に示したようにガラ
ス基材上に施したマグネシウムフツ化物の４分の
１波長層である。そして第１図に関連して前述し
たような透明の導電薄層１７を加えることで、単
一層のコーテイングを変形し、導電性の反射防止
コーテイングを形成している。

第１図に示した導電性の反射防止コーテイング
１４を用いて得られるスペクトル性能を第２図に
示す。第２図の各曲線を与えるコーテイングは、
それぞれ550nm（曲線２１）、440nm（曲線２２）、
330nm（曲線２３）の４分の１波長層に4.5nmの
導電材料を加えたものである。第２図から明らか
なように、導電材料の薄層を追加すると、スペク
トル曲線はわずかに長波長側へシフトするが、マ
グネシウムフツ化物の単一層と匹敵する低反射率
を保つ。マグネシウムフツ化物の各層はほゞ同じ
ように、厚さをわずかに減らし、初期の厚さで反
射率を最小に維持することができる。いずれの場
合にも薄い導電層を追加することが、単一の反射
防止コーテイングの持つ基本的な特性を保持する
上で重要なポイントである。従来の厚さを持つマ
グネシウムフツ化物のコーテイング上に透明な導
電薄層を施すと、コーテイングの性能が増大する
ため、可視領域の中心に合わなくなり適切な反射
防止特性が得られなくなるので、これは許容でき
ないことが認められている。つまりコーテイング
の性能を減少させ、良好な視覚像を与えるために
は、マグネシウムフツ化物の光学的厚さを減少
し、透明な導電薄層の光学的厚さ追加分を補償す
る必要がある。又、最小の反射防止曲線は、マグ
ネシウムフツ化物層と透明な導電薄層両方を組合
せた光学的厚さによつて決まる傾向を持つことも
見い出されている。従つて、組合せた光学的厚さ
を実質上一定に保つためには、マグネシウムフツ
化物層の厚さを減らし、透明な導電薄層の光学的
厚さを補う必要がある。

第２図において、曲線２１を与える導電性コー
テイング１４の場合、透明な導電薄層１７は
4500nmの物理的厚さ、36.00nmの４分の１波長
光学層を持ち、マグネシウムフツ化物層１６は
99.6377nmの物理的厚さ、550.000nmの４分の１
波長光学厚であつた。すなわち、コーテイング１
４の合計の物理的厚さは、104.138nm
（0.00410mils）であつた。曲線２２を与える光学
的コーテイング１４の透明な導電薄層１７は
4.5000nmの物理的厚さ、36.00nmの４分の１波長
光学厚を持ち、そのマグネシウムフツ化物層１６
は79.7101nmの物理的厚さ、440.000nmの４分の
１波長光学厚で、合計の物理的厚さは84.210nm
（0.00332mils）であつた。又曲線２３を与える光
学的コーテイング１４の透明な導電薄層１７は
4.5000nmの物理的厚さ、36.00nmの４分の１波長
光学厚を持ち、そのマグネシウムフツ化物層１６
は59.7826nmの物理的厚さ、330.000nmの４分の
１波長光学厚で、光学的コーテイング１４の合計
の物理的厚さは64.283nm（0.00253mils）であつ
た。

以上から、第２図に示した３種の設計例のそれ
ぞれについて透明な導電薄層１７は同じ厚さであ
る一方、マグネシウムフツ化物層の厚さは変化し
ていることが明らかである。良くバランスされた
設計としては、反射防止コーテイングの光学的性
能が可視領域の中心に合つているため、曲線２２
に対応したマグネシウムフツ化物の厚さにするの
が望ましいことを、上記３つの曲線は示してい
る。

設計に際しては、まず透明な導電薄層の厚さを
決め、その後マグネシウムフツ化物層を再設計
し、透明な導電薄層の厚さ分を補償するのが妥当
である。透明な導電薄層１７の厚さは一般に、所
望のシート抵抗率に基いて決められる。例えば、
静電荷を全て排除したいプラテンに用いる場合に
は、10¹⁰オーム／スクエア以下のシート抵抗率が
望ましい。又、透明な導電薄層１７の厚さを決め
る際には、コーテイングの耐久性、電気的安定
性、全般的な性能及び作成の反復性も考慮するこ
とが必要である。従つて、この発明の最終的な目
的は、反射防止コーテイングとして所望の光学的
特性を実質上損うことなく、透明な導電薄層の厚
さを充分な量にまで増大させることにある。但
し、容易に推測されるように、シート抵抗率を増
大させていくと、最終的に全体の光学的性能が許
容できないものとなるため、それには限界があ
る。こうした制約から、300オーム／スクエアと
いう低いシート抵抗率を持つ透明な導電薄層が提
供される。

第３図は本発明の別の実施例による反射防止コ
ーテイングを備えた光学物品を示しており、この
例では単一又は非常に狭い波長域における反射率
を０へ近づけることができる。第３図に示した光
学物品２４は、第１図の実施例で用いた基材１１
と同じ特性を持つガラス等適当な材料から成る基
材２６で構成されている。基材２６は、２つの光
学的表面２７，２８を有する。一方の表面２８上
に反射防止コーテイング２９が施され、このコー
テイング２９は層３１，３２，３３を含む複数の
層から成る。まず、導電性か非導電性いずれかで
ある層３１が、表面２８の上に施される。この層
は例えば、2.00の高い屈折率と約20nmの光学的
厚さを有するインジウム錫酸化物等の透明な導電
材料で構成できる。次に層３２が層３１の上に施
され、この層３２はは1.38の屈折率を持つマグネ
シウムフツ化物等の低屈折材料から成る。層３２
の上に透明な導電薄層３３が施され、これは
2.000の高い屈折率を持つインジウム錫酸化物等
適当な材料から成る。所望の特性によつて異る
が、一般にマグネシウムフツ化物層は約110nmの
厚さを持つ一方、導電薄層は1.0〜10.0nmの範囲
の厚さを持つ。

第１図に示した実施例が基本的に単一層の反射
防止コーテイングであるのに対し、第２図に示し
た実施例は基本的に２層の反射防止コーテイング
である。第４図のグラフは、第３図に示したよう
な２層型コーテイングの性能特性を表わしてい
る。第４図には４つの特性曲線３６，３７，３８
及び３９を示す。曲線３６は、屈折率が2.000で、
28.4375nmの物理的厚さ、227.5nmの４分の１波
長光学厚を持つインジウム錫酸化物で層３１を形
成し、111.8659nmの物理的厚さ、617.5nmの４分
の１波長光学厚を持つマグネシウムフツ化物で低
屈折率材料層３２を形成し、さらに屈折率が
2.000で、1.2187nmの物理的厚さ、9.75nmの４分
の１波長光学厚を持つインジウム錫酸化物で層３
３を形成し、合計の物理的厚さを141.522nm
（0.00557mils）とした導電性の反射防止コーテイ
ング２９によつて得られたものである。この設計
は一般にＶコートと呼ばれ、導電性の外側層を含
むように変形されている。

曲線３７は、層３１が385.00nmの物理的厚さ
を持つインジウム錫酸化物で形成され、層３２が
62.2735nmの物理的厚さ、343.75nmの４分の１波
長光学層を持つマグネシウムフツ化物で形成さ
れ、最外層３３が22.343nmの物理的厚さを持つ
インジウム錫酸化物で形成され、合計の物理的厚
さが132.742nm（0.00523mils）の導電性反射防止
コーテイング２９によつて得られたものである。
このコーテイング２９は、厚みの大きい透明な最
外導電層を持つた２層のＶコート反射防止コーテ
イングとして特徴付けられる。

又曲線３８は、20.6250nmの物理的厚さ、
165.00nmの４分の１波長光学厚を持つインジウ
ム錫酸化物の層３１と、129.5290nmの物理的厚
さ、715.00nmの４分の１波長光学厚を持つマグ
ネシウムフツ化物の層３２とから成り、層３３は
省略され、合計の物理的厚さが150.15nm
（0.00591mils）のコーテイング２９によつて得ら
れたものである。曲線３８で示したコーテイング
２９は、曲線３６を生ずるＶコートに匹敵する
が、上塗りを成す外側のインジウム錫酸化物層を
含まないＶコートとして特徴付けられる。

曲線３６と３８との比較は、外側表面上に導電
薄層を設けるか設けないかによるＶコートの性能
層を示している。又曲線３６と３７は、外側表面
に導電コーテイングを加えても、反射率が最小と
なる領域に生じる劣化は無視し得るものであるこ
とを示している。

曲線３６は、第１図に示した本発明の実施例で
用いた設計原理によるものだが、マグネシウムフ
ツ化物層と基材の間に追加の層を加えた例の光学
的性能を表わしており、外側表面の上に設けた非
常に薄い導電層は反射防止コーテイングの性能を
それほど低下させず、可視領域の一部で０に近い
反射率を与えることを示している。又曲線３７
は、厚みの大きい導電材料の外側層を設けた場合
でも、実質上０の反射率が得られることを示して
いるが、反射率は短い波長域の方で減少してい
る。但し、導電層が入射媒体に隣接しているの
で、直接的な電気接触が可能である。さらに、そ
の光学的厚さが比較的大きいため、電気抵抗値は
かなり低い値、つまり1000オーム／スクエア以下
となる。

第４図に示した曲線３９は、約250nmの厚さを
持つインジウム錫酸化物のコーテイングによつて
得られた特性曲線である。同曲線３９は、この種
のコーテイングが非常に高い反射率を持ち、低反
射率が必要な応用分野においては有用でないこと
を実証している。

本発明による導電性反射防止コーテイングを有
する光学物品の更に別の実施例を第５図に示す。
この実施例は第３図に示した設計例と似ている
が、透明な外側導電層の厚みを大きくできる点で
変形されている。第５図に示すごとく、光学物品
４０は上記の各実施例について説明したのと同種
の基材４１から成り、２つの光学的表面４２と４
３を持ち、表面４３の上に導電性の反射防止コー
テイング４４が施されている。このコーテイング
４４は、一般に透明な導電層である層４６と、そ
の上のマグネシウムフツ化物等の低屈折材料から
成る層４７と、その上の15.0〜30.0nmの厚さ好ま
しくは20.0〜25.0nmの厚さを持つインジウム錫酸
化物等の高屈折率材料から成る厚みの大きい透明
な導電層４８とで構成されている。透明な導電層
４６は一般に25〜60nmの範囲の物理的厚さを持
ち、特に40〜500nmの物理的厚さが好ましい。マ
グネシウムフツ化物層４７は40〜80nmの物理的
厚さを持ち、特に55〜70nmの範囲が好ましい。
厚みの大きい外側の透明導電層により、1000オー
ム／スクエアより充分低いシート抵抗率を得るこ
とができる。このような導電性の高いコーテイン
グは、ラジオ周波数干渉（KFI）を適量遮蔽する
ことが必要な陰極線管デイスプレイで使うのに適
している。

本発明を実施化した導電性の反射防止コーテイ
ングを持つ光学物品５０を第６図に示す。光学物
品５０は上記の各実施例について説明したのと同
種の基材５１から成り、２つの光学的表面５２と
５３を持ち、表面５３の上に導電性の反射防止コ
ーテイング５４が施されている。このコーテイン
グ５４は、アメリカ特許第3185020号及び第
3432225号に開示されているような従来のHEAコ
ーテイングとして特徴付けられるが、透明な導電
薄層を加えた点が変形されている。つまりコーテ
イング５４は、約2.0〜2.1の屈折率と115〜130nm
の４分の１波長光学厚を持つ高屈折率材料の層５
６を含む。コーテイング５４はさらに、160〜
170nmの４分の１波長光学厚を持つマグネシウム
フツ化物等の低屈折材料から成る層５７と、2.0
〜2.1の屈折率と約1070nmの４分の１波長光学厚
を持つ高屈折率材料から成る別の層５８と、その
上の低い屈折率を持ち、可視領域で約425nmの４
分の１波長光学厚を持つマグネシウムフツ化物等
の材料から成る更に別の層５９とで構成されてい
る。各層５６〜５９は、アメリカ特許第3185020
号及び第3432225号の開示内容に従つて設計され
る。

コーテイング５４は更に、1.0〜10.0nmの範囲
の厚さ好ましくは4.5nmの厚さを持ち、インジウ
ム錫酸化物等の薄い透明な導電材料から成る層６
１を含む。本発明のこの実施例では、従来の
HEAコーテイングと比べ、最外層として約
5.0nm厚のインジウム錫酸化物層を加え、このイ
ンジウム錫酸化物層の分を補償するためマグネシ
ウムフツ化物層の厚さを調整して、可視スペクト
ル範囲での色消し反射率を低く保つようにした点
が変形されている。この補償を行うため、マグネ
シウムフツ化物の厚さが500nmの４分の１波長光
学厚から425nmへと減少されている。

第７図中の曲線６２，６３及び６４は、第６図
に示したような種類のコーテイングが持つ光学的
性能を表わしたものである。曲線６３は、従来の
HEA広域反射防止コーテイングについて計算し
た反射率を示している。曲線６２は同じコーテイ
ングだが、外側のマグネシウムフツ化物層５９が
約15％薄い場合を示している。これに約4.5nmの
物理的厚さを有する最外層６１として、インジウ
ム錫酸化物の薄層を加えると、曲線６４で示した
ような光学的性能が得られる。両曲線６３，６４
から明らかなごとく、この追加により非導電性の
HEAコーテイングの光学的性能と実質上等しい
性能を持つ導電性のHEAコーテイングが得られ、
外側導電層への直接的な接触を可能とする。マグ
ネシウムフツ化物層５９の厚さの減少に対応して
導電層６１の厚さを増加させていくと、コーテイ
ングの光学的性能は次第に低下し、やがて許容不
能な性能となる。

第６図に関連して上述した設計方法は、半波長
層５８に導電層を用いた設計とすることもでき
る。又、追加の導電薄層を担持する外側のマグネ
シウムフツ化物層を変形したことで、広帯域の反
射防止コーテイングが得られ、全体的に高い反射
率を与えながら導電層の一つへの直接的な接触を
可能とする。このようなコーテイングは、RFI遮
蔽の分野で特に有用である。

以上の説明から明らかなように、各実施例で設
けた比較的薄い導電層は、ほゞ無限大の値から数
千オーム／スクエエアの値まで調整可能なシート
抵抗レベルを与えるものである。又上記した狭帯
巾の変形２層コーテイングで厚い半波長層を持つ
設計例は、厚さの大きい導電層を持ち、100オー
ム／スクエア以下のシート抵抗値を持ち得る。し
かしいずれの場合にも、コンダクタンスが増加す
るとそれだけ光学的性能が低下する。

本発明における基本的な発見は、最外マグネシ
ウムフツ化物層の一部を次の点を条件として、反
射性能を顕著に失うことなく導電性の高屈折率層
で置き換えられるという点にある：１）高屈折率
層の厚さが適当な小さい範囲の値に限定されてい
る、２）外側のマグネシウムフツ化物層の厚さが
これに対応して適切に減少されている。

一般に、静電気防止の分野で使われる薄い透明
な導電性コーテイングを使うと、最大反射率が約
0.1％増加するのに対し、総合的な反射率の増加
はこの値より実質上低い。又、有効なパンド巾は
事実上、透明な導電薄層を含まない従来のコーテ
イングによつて得られるものよりわずかに増大す
る。一方前にも触れたように、外側のマグネシウ
ムフツ化物層の厚さを不適正に調整し減少させる
と、スペクトル曲線が短波長側で一定なだけ傾斜
が増し、それに伴つて色消し機能も使われる。

薄い導電層の厚さにおける低限値は、その妥当
な導電度と安定性によつて決まる。又その上限の
厚さは、反射率の増加の点で許容できる範囲によ
つて定まる。透明な導電薄層を形成するのに用い
る材料の層と、時間反射率のレベルが顕著に上昇
し始める一定の点まで厚くすることにより、適切
な色消しコーテイングの性能が維持される。幾つ
かの適用分野で共通な設計を完全に最適化するた
めには、最上又は最外のマグネシウムフツ化物層
に限らず、設計に含まれる全ての層を同時に調整
することが必要でである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施化した導電性の反射防止
コーテイングを有する光学物品の断面図；第２図
は第１図に示したコーテイングの性能を示すグラ
フ；第３図は本発明の別の実施例を具体化したコ
ーテイングを有する別の光学物品の断面図；第４
図は第２図に示したコーテイングの性能を示すグ
ラフ；第５図は本発明の更に別の実施例を具体化
したコーテイングを有する更に別の光学物品の断
面図；第６図は本発明の更に別の実施例を具体化
したコーテイングを有する更に別の光学物品の断
面図；及び第７図は第６図に示したコーテイング
の性能を示すグラフである。 １０，２４，４０，５０……光学物品、１１，
２６，４１，５１……基材、１２，１３，２７，
２８，４２，４３，５２，５３……光学表面、１
４，２９，４４，５４……反射防止コーテイン
グ、１６，３２，４７，５７，５９……低屈折率
材料層、１７，３３，６１……導電薄層、３１，
４６……透明な導電層、４８……厚い導電層、５
６，５８……高屈折率材料層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基材が第１と第２の表面及び該第１の表面上
   に施された導電性の反射防止コーテイングを有
   し、該導電性の反射防止コーテイングが該第１の
   表面上に担持された低屈折材料から成る少くとも
   １つの層と、該低屈折材料層に担持され、直接の
   電気的接触が可能な露出表面を与える高い屈折率
   を持つた材料から成る透明な導電性層とを含み、
   該透明な導電薄層が1.0〜30.0nm（ナノメータ）の
   範囲の光学的厚さを有し、該低屈折材料層が透明
   な導電薄層の厚さ分を補償するように減少された
   設計厚さを有し、導電薄層の存在がコーテイング
   全体の光学的性能を、その透明な導電薄層を使用
   しないときに得られる光学的性能と比べ著しく劣
   化させないような光学物品。 ２ 上記の導電薄層が1.0〜10.0nmの範囲の厚さ
   を有する特許請求の範囲第１項に記載の光学物
   品。 ３ 上記の導電薄層が4.0〜6.0nmの範囲の厚さを
   有する特許請求の範囲第１項に記載の光学物品。 ４ 上記の導電薄層が20.0〜25.0nmの範囲の厚さ
   を有する特許請求の範囲第１項に記載の光学物
   品。 ５ 上記コーテイングが、基材の第１表面と低い
   屈折率を持つ材料から成る層との間に、高い屈折
   率を持つ材料から成る追加の層を含む特許請求の
   範囲第１項に記載の光学物品。 ６ 上記の追加層が透明の導電層から成る特許請
   求の範囲第５項に記載の光学物品。 ７ 上記の透明な導電薄層を形成する材料が、イ
   ンジウム錫酸化物、カドミウム錫酸塩、アンチモ
   ン酸化物の中から選ばれた特許請求の範囲第１項
   に記載の光学物品。 ８ 低い屈折率を持つ材料から成る上記の層がマ
   グネシウムフツ化物から成り、上記の透明な導電
   薄層がインジウム錫酸化物から成る特許請求の範
   囲第７項に記載の光学物品。 ９ 上記コーテイングが低屈折率の材料から成る
   少くとも２つの層と、高屈折率の材料から成る少
   くとも２つの層を含む特許請求の範囲第１項に記
   載の光学物品。