JPH0414770B2 - - Google Patents

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JPH0414770B2
JPH0414770B2 JP59037988A JP3798884A JPH0414770B2 JP H0414770 B2 JPH0414770 B2 JP H0414770B2 JP 59037988 A JP59037988 A JP 59037988A JP 3798884 A JP3798884 A JP 3798884A JP H0414770 B2 JPH0414770 B2 JP H0414770B2
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JP
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liquid crystal
shutter
light
voltage
optical
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Juichi Masaki
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶−光学シヤツタ等の光学変調素
子の駆動法に関し、詳しくは電子写真方式を利用
したプリンタの光シヤツタアレイに適用しうる新
規な液晶−光学シヤツタ等の光学変調素子の駆動
法に関する。
従来より、任意に光を透過あるいは遮断する光
学変調装置、すなわち光シヤツタは銀塩写真カメ
ラをはじめとして多くの用途に適用されている。
更に近年電子写真式プリンタの普及とともにその
小型化、高信頼性化のために上記光シヤツタをア
レイ状に構成して、電子写真感光体に光像を記録
することが考えられている。
この様な光学変調装置に適用しうるものとし
て、電気光学変調素子としての液晶、PLZTな
ど、あるいは光磁気フアラデー効果を利用するも
のなどが提案されている。
このうち液晶を用いる方式のものはその製造の
容易性、低価格性、あるいは光学的変調を低電
圧、低電力で達成し得る点から早い時期から注目
されてきた。しかし液晶はその応答速度が遅い点
が欠点として挙げられ、例えば前記光シヤツタア
レイとして用いる場合においては高速度、高密度
で前記電子写真感光体に光像を書き込むには満足
しきれないものであるという先入観があつた。し
かしながら液晶を高速に動作させようとする努力
は長年重ねられ、近来になりようやくその応答速
度については改善がなされてきた。
従来この種の装置を実現するための高速応答の
液晶装置の技術としては、(1)二周波法によるも
の、(2)三極ゲート方式によるものがある。
二周波法によるものは特開昭56−94377号公報
他に記述されているので、詳しい説明は省くが、
印加電圧の異る周波数に応じて、正の誘電異方性
と負の誘電異方性を示す液晶組成物を用い、選択
的に印加周波数を切換え、液晶を電界方向に配向
させる時と電界に対し垂直な方向に配向させる時
とで光学的に区別し得る原理に基いている。又、
三極ゲート方式は、第29回応用物理学関係連合講
演会講演予稿集P.126に記載されている様に液晶
に横電界を強制的に作用させることにより、液晶
の立下がり応答速度を速める工夫がなされてい
る。
前述の5周波法はオンとオフを数百Hz(低周
波)と数百kHz(高周波)の2周波を用いて切換
える駆動法であるが、これには、(1)複雑な波形を
形成する回路が必要である、(2)高周波を用いてい
るためにICと液晶を駆動させた時の消費電力が
大きい、(3)安定に動作することが難かしく、特
に、温度に対して不安定で温度補償回路が必要で
ある、という欠点がある。
また、3極ゲート方式は、片側の電極をくし歯
状にして対向電極とくし歯電極間の電界制御とく
し歯電極間の電界制御により駆動するものである
が、これには、(1)電極パターンの設計が難かし
い、(2)ダイナミツク駆動に適していない、という
欠点がある。
本発明の目的は前述の欠点を解消した液晶−光
学シヤツタ等の光学変調素子の駆動法を提供する
ことにあり、特に電子写真方式を用いたプリンタ
に適した液晶−光学シヤツタの光学変調法を提供
することにある。
本発明の別の目的はシヤツタの誤動作を防止し
うる液晶−光学シヤツタ等の光学変調素子の駆動
法を提供することにある。
本発明による方法の第1の特徴は、偏光軸が
90゜又は略90゜の角度で交差する一対の偏光板間
に、前記偏光板の偏光軸に対して45゜あるいは略
45゜の角度の方向にホモジニアス配向した液晶を
挾持した一対の電極板からなる光学変調手段
(DAPモード光学変調手段)を有する液晶−光学
シヤツタを使用し、前記液晶に閾値電圧より大き
い電圧を印加させて遮光(オフ)状態を保持し、
液晶に印加されている電圧を消去することによつ
て透光(オン)状態を得ることにある。
本発明で用いる液晶−光学シヤツタは、透光状
態を得るために、液晶がホモジニアス配向に復帰
できるのに十分に低い電圧印加状態、好ましくは
無電界状態とすることが必要であるが、この無電
界状態又は閾値電圧より小さい電圧状態によつて
生じた透光状態における光強度が振動する現象
(バウンジング現象)が現れることが、本発明の
研究により判明した。
これを第1図に示す。
第1図は液晶に印加する電圧と透過率の変化を
時間軸に沿つて表わしたもので、通常V0の印加
電圧が付与されている時は、液晶分子の配列が電
界方向に向き、そのため遮光(オフ)状態が維持
されているが、印加電圧を閾値電圧以下(例えば
0ボルト)に切換えると、液晶分子の配列がホモ
ジニアス配向され透過(オン)状態が維持される
はずであるが、実際にはその透過状態の現出の仕
方は第1の透過率ピークP1、第2の透過率ピー
クP2をもつている。一般にこの現象をバウンシ
ング現象と呼んでいる。従つて、本発明方法の今
一つの特徴は、電圧印加による遮光状態から液晶
がホモジニアス配向に復帰できるのに十分に低い
電圧印加状態又は無電界状態へ変化後、光のバウ
ンシング現象の最初の透光状態のピークP1まで
の間に再び十分に高い電圧を印加する点にある。
又、本発明で使用する液晶−光学シヤツタは、
液晶に閾値電圧より大きい電圧で、例えば20V以
上の電圧、好ましくは30V〜50Vの電圧を印加す
ることによつて遮光状態を形成することができ
る。この際、液晶に印加される電圧は交流を用い
ることが適しているが、直流であつても差しつか
えない。
以上の説明から理解されるように、本発明によ
る液晶−光学シヤツタ等の光学変調素子の駆動法
は、偏光軸が90゜又は略90゜の角度で交差する一対
の偏光手段の間に、前記偏光手段の偏光軸に対し
て45゜又は略45゜の角度の方向にホモジニアス配向
した液晶を一対の電極板間に挾持した光学変調素
子の前記液晶に閾値電圧より大きい電圧を印加す
ることによつて遮光状態とし、そのうち選択され
た区域の液晶のみ閾値以下の低い電圧へ変化さ
せ、入射光の液晶分子による複屈折で光強度振動
が発生する最初の振幅のピークまでの間に再び閾
値電圧以上の大きい電圧を印加し前記選択された
区域を特定時間のみ透光状態とすることを特徴と
するものである。
以下、本発明を図面に従つて説明する。
第2図は本発明方法に使用される液晶−光学シ
ヤツタを示すもので、第2図aは、液晶−光学シ
ヤツタの平面図を示し、第2図bは液晶の配向方
向と偏光軸の関係を示す説明図で、第2図cは第
2図aのA−A′断面図である。
図中、1は共通電極、2は信号電極、3はシヤ
ツタ開口部、4,5は偏光板、7,8はガラスま
たはプラスチツクフイルム等の基板、9は液晶物
質を示す。液晶物質9は共通電極1と信号電極2
の間に挾持されていて、この液晶物質9は偏光板
4と5のそれぞれの偏光軸4′と5′に対して角度
45゜の方向6にホモジニアス配向されている。又、
この液晶−光学シヤツタはシヤツタ開口部3以外
の個所に遮光マスク10が形成されている。
本発明において用いられる液晶−光学シヤツタ
は、液晶物質9として正の誘電異方性をもつネマ
チツク液晶(Np液晶)を用いているので、共通
電極1と信号電極2には20V以上の電圧が印加さ
れて、常に遮光(オフ)状態が維持されている。
この様な液晶−光学シヤツタは、第3図に示す様
に光源と感光体の間に配置されて、光源からの光
線を遮断することができる。
第3図は上記の液晶−光学シヤツタを電子写真
方式のプリンタに利用した態様を説明する図で、
上記の型式のシヤツタより成るシヤツタアレー2
0を光源21と感光体ドラム22の間に配置した
ものを示す。第3図において、光源21は常に点
灯しており、液晶−光学シヤツタアレー20を常
に照らしている。このシヤツタアレー20は、液
晶駆動回路(図示せず)によつて光源21よりの
光線が遮断されて、選択された区域を透光状態と
することによつて光信号を発生し、感光ドラム2
2に照射する光線を制御することができる。ま
た、光源21からの光線とシヤツタアレー20か
らの光信号の集光性を得るために、光路中にレン
ズ23と24を配置しておくことが望ましい。感
光ドラム22は、光信号の照射に先立つて予めコ
ロナ放電装置などを備えた帯電ステーシヨン25
でプラス又はマイナスに帯電され、感光ドラム2
2における光照射された所では、帯電電荷が消滅
して静電潜像が形成される。この様にして形成さ
れた静電潜像は、現像部26で帯電時の極性と反
対極性又は反転現像による時には同一極性のトナ
ーとキヤリアからなる現像剤の存在下に現像バイ
アスを印加しながら磁気ブラシ現像法などによつ
て現像した後、転写部27で像保持部材28(例
えば、紙など)に転写し、次いで定着部29で熱
や圧力などによつて定着され、完全に固定化され
たプリント物が得られる。
シヤツタアレー20から発生した光信号を受け
る感光体は、前述の如き電子写真方式のものに限
らず、例えば銀塩写真方式の感光体(例えば、モ
ノクロペーパー、カラーペーパー、米国スリーエ
ム社「ドライシルバー」など)であつてもよい。
本発明は上記の液晶−光学シヤツタを使用し、
前記液晶に閾値電圧より大きい電圧を印加するこ
とによつて遮光状態とし、そのうち選択された区
域の液晶のみ閾値以下の低い電圧へ変化させ、入
射光の液晶分子による複屈折で光強度振動が発生
する最初の振幅のピークまでに再び閾値電圧以上
の大きい電圧を印加し前記選択された区域を特定
時間のみ透光状態とする。
以下、第4図を参照して説明する。
前述の液晶−光学シヤツタの共通電極1には、
第4図に示す波形Aが印加され、期間T1,T3
…では全ての信号電極2には第4図に示す波形B
が印加されることにより液晶物質9には波形A−
Bが付与される。これにより期間T1,T3,…で
は液晶物質9の分子は共通電極1と信号電極2の
方向に垂直配向して、光源からの光線は偏光板4
と5で遮断される。
この液晶−光学シヤツタは、期間T2,T4,…
で選択された信号電極2には波形Bが付与され、
この区域の液晶には電圧無印加状態となつて、配
向方向6のホモジニアス配向に復帰することがで
きる。この際、直線偏光光に対して液晶分子が
45゜の角度を有しているため、直線偏光光が前述
の配向方向を有する液晶層で脱偏光
(depolarization)され、偏光板5を透過し、シ
ヤツタが開口される。この際、期間T2,T4,…
は100msec以下、好ましくは50msec以下の時間
とすることが必要でT2,T4,…を100msec以上
の時間で維持すると前述した様にバウンシング現
象が現われる。第4図Cは、期間T1,T2,T3
T4,…における光学変化(T1遮光−T2透光−T3
遮光−T4透光…)を示しており、期間T2,T4
例えば光源からの光線が選択されたシヤツタ開口
部3を通して感光体に到達することができる。
本発明によれば、周波数10kPH、実効電圧30V
の交流電圧を1msecの時間で共通電極と全ての信
号電極に印加したところ、透過率は1.5%であつ
たが、選択された信号電極に共通電極に印加した
波形と同相の波形を付与して、かかる区域の液晶
に印加される電圧を0としたところ、透過率が20
%にまでなることが判明した。
又、第4図A−Bに示した様に期間T1とT3
液晶に印加される電圧が、それぞれ逆相の関係を
有することによつて、液晶に付与される直流成分
を0とすることが好ましい。
第1図に示すバウンシング現象が現れるDAP
モード光学変調手段を用いた本発明の駆動法によ
れば、電子写真方式に適用した際には、従来の二
周波法や三極ゲート法を用いた電子写真方式と比
較して、(1)高速のプロセス・スピードが達成さ
れ、(2)高いコントラストが得られ、(3)回路設計が
容易となり、(4)温度依存性を考慮する必要がなく
なる、という効果をもつ。
【図面の簡単な説明】
第1図はバウンシング現象を説明する説明図で
ある。第2図aは、本発明に用いられる液晶−光
学シヤツタの平面図、第2図bは偏光板の偏光軸
と液晶の配向方向の関係を示す説明図、第2図c
は第2図aのA−A′断面図である。第3図は、
本発明を電子写真方式プリンタに適用した態様を
示す説明図である。第4図Aは共通電極に印加す
る波形の説明図、第4図Bは信号電極に印加する
波形の説明図、第4図A−Bは液晶に印加される
波形の説明図、第4図cは液晶−光学シヤツタの
時間における光学変化の態様を示す説明図であ
る。 1……共通電極、2……信号電極、3……シヤ
ツタ開口部、4,5……偏光板、4′,5′……偏
光軸、6……液晶配向方向、7,8……基板、9
……液晶、10……遮光マスク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 共通電極と複数の信号電極との交差部で、複
    数のシヤツタ開口部を形成し、該共通電極と複数
    の信号電極との間に配置したホモジニアス配向の
    液晶を有する液晶セル及び偏光軸が90゜又は略90゜
    の角度で交差し、前記液晶セルを挟持した一対の
    偏光手段であつて、該偏光軸が前記ホモジニアス
    配向の方向に対して45゜又は略45゜の角度の方向と
    なる一対の偏光手段を備えた光シヤツタアレイの
    駆動法において、 前記複数のシヤツタ開口部に、前記液晶の閾値
    電圧より大きい電圧を印加することによつて、該
    複数のシヤツタ開口部を遮光状態とし、 そのうち選択されたシヤツタ開口部にのみ、前
    記液晶の閾値電圧より小さい電圧を印加すること
    によつて、該選択されたシヤツタ開口部を透光状
    態とし、 前記透光状態の光強度振動における最初の振幅
    のピークに達する前に、前記選択されたシヤツタ
    開口部に、前記液晶の閾値電圧より大きい電圧を
    印加することによつて、該選択されたシヤツタを
    遮光状態とする、 ことを特徴とする光シヤツタアレイの駆動法。
JP59037988A 1984-02-29 1984-02-29 光シャッタアレイの駆動法 Granted JPS60182421A (ja)

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JPH061312B2 (ja) * 1986-02-20 1994-01-05 富士写真フイルム株式会社 液晶駆動制御装置
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