JPH0367245B2 - - Google Patents
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- JPH0367245B2 JPH0367245B2 JP58055031A JP5503183A JPH0367245B2 JP H0367245 B2 JPH0367245 B2 JP H0367245B2 JP 58055031 A JP58055031 A JP 58055031A JP 5503183 A JP5503183 A JP 5503183A JP H0367245 B2 JPH0367245 B2 JP H0367245B2
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- liquid crystal
- optical shutter
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は印写装置に係り、特にライトバルブを
用いた印写装置に関する。
用いた印写装置に関する。
従来のライトバルブを用いた印写装置を第1図
aに示す。感光部となる感光ドラム1は帯電器2
のコロナ放電により、一様に静電荷を帯びる。こ
れに光源3、複数の光シヤツター部を有する液晶
素子4、必要に応じて設けられる結像素子5から
なる液晶ライトバルブにより選択的に光が照射さ
れると感光体の性質により光の照射された画素の
静電荷のみが消失し、静電潜像が形成される。次
に現像器7により電気的に極性を持つたトナーが
感光体表面に付着されると静電潜像は可視化され
る。次にカセツト100から送られた用紙8が転
写器9に送られると電界の力によりトナー像が用
紙上に転写され、さらに定着器10により圧力や
熱によりトナー像は用紙に定着され永久像とな
る。感光ドラム1に残留するトナーや表面電荷は
清掃器11や消去ランプ12により除去され、感
光体は初期状態にもどる。第1図bはa図の液晶
素子4の光シヤツター部を示したものである。共
通電極13が表面に形成された基板14と複数個
の信号電極15が表面に形成された基板16が
TN型、ゲストホスト型等の公知の液晶をはさん
で上下に組み立てられており、信号電極15と共
通電極13間に電圧が印加されると、その両電極
の対向部分(第1図bにおいて斜線をほどこした
領域)が光シヤツター部となる。印写装置では複
数の信号電極15群のうち、印写のための情報信
号に応じて特定の信号電極15が選択され、電圧が
印加される。これにより選択された信号電極15
部では液晶分子配列が変化するため光源3から出
た光は光シヤツタ部で透過され、感光部に入射さ
れ、対応する画素に光を照射する。また選択され
ない信号電極15部では液晶分子配向が変化しな
いため光源3からの光は光シヤツタ部で遮断さ
れ、対応する画素に光を照射しない。尚、以下光
源3からの光を透過させたり、遮断させたりする
ことを単に制御と呼ぶ。
aに示す。感光部となる感光ドラム1は帯電器2
のコロナ放電により、一様に静電荷を帯びる。こ
れに光源3、複数の光シヤツター部を有する液晶
素子4、必要に応じて設けられる結像素子5から
なる液晶ライトバルブにより選択的に光が照射さ
れると感光体の性質により光の照射された画素の
静電荷のみが消失し、静電潜像が形成される。次
に現像器7により電気的に極性を持つたトナーが
感光体表面に付着されると静電潜像は可視化され
る。次にカセツト100から送られた用紙8が転
写器9に送られると電界の力によりトナー像が用
紙上に転写され、さらに定着器10により圧力や
熱によりトナー像は用紙に定着され永久像とな
る。感光ドラム1に残留するトナーや表面電荷は
清掃器11や消去ランプ12により除去され、感
光体は初期状態にもどる。第1図bはa図の液晶
素子4の光シヤツター部を示したものである。共
通電極13が表面に形成された基板14と複数個
の信号電極15が表面に形成された基板16が
TN型、ゲストホスト型等の公知の液晶をはさん
で上下に組み立てられており、信号電極15と共
通電極13間に電圧が印加されると、その両電極
の対向部分(第1図bにおいて斜線をほどこした
領域)が光シヤツター部となる。印写装置では複
数の信号電極15群のうち、印写のための情報信
号に応じて特定の信号電極15が選択され、電圧が
印加される。これにより選択された信号電極15
部では液晶分子配列が変化するため光源3から出
た光は光シヤツタ部で透過され、感光部に入射さ
れ、対応する画素に光を照射する。また選択され
ない信号電極15部では液晶分子配向が変化しな
いため光源3からの光は光シヤツタ部で遮断さ
れ、対応する画素に光を照射しない。尚、以下光
源3からの光を透過させたり、遮断させたりする
ことを単に制御と呼ぶ。
第2図aは第1図bに示した液晶素子4の断面
図を示したものである。隣接する信号電極15a
および15bは一定距離le、(通常、6〜10μm)
離れて所定の電位に保持される共通電極13と対
向している。信号電極15aと15bのエツジ間
距離をlgとする。今、信号電極15aと15bに
同等に電圧が印加された時、光シヤツター部は第
2図bの平面図に示すように信号電極15a,1
5bの幅leだけでなく、その両側ls0,ls1まで拡が
る。本発明者等は、ls0は約10μm程度であるが、
ls1はls0に比べて数倍となることを確認している。
これは液晶層17内の電界分布と密接な関係があ
る。信号電極15aのエツジ部Aでは等電位線1
8は大きく基板16側にわん曲するのに対し、隣
接する信号電極15bと対向する側のエツジ部B
では等電位線18は液晶層17側におし下げられ
る。この現象は距離lgの値が液晶層17の厚みle
に近づく程、顕著になる。液晶分子19は電気力
線、すなわち等電位線18の法線に沿つて配向す
るため、液晶分子19が電圧により立上る領域は
信号電極15a,15bの周辺にまで拡がること
になる。
図を示したものである。隣接する信号電極15a
および15bは一定距離le、(通常、6〜10μm)
離れて所定の電位に保持される共通電極13と対
向している。信号電極15aと15bのエツジ間
距離をlgとする。今、信号電極15aと15bに
同等に電圧が印加された時、光シヤツター部は第
2図bの平面図に示すように信号電極15a,1
5bの幅leだけでなく、その両側ls0,ls1まで拡が
る。本発明者等は、ls0は約10μm程度であるが、
ls1はls0に比べて数倍となることを確認している。
これは液晶層17内の電界分布と密接な関係があ
る。信号電極15aのエツジ部Aでは等電位線1
8は大きく基板16側にわん曲するのに対し、隣
接する信号電極15bと対向する側のエツジ部B
では等電位線18は液晶層17側におし下げられ
る。この現象は距離lgの値が液晶層17の厚みle
に近づく程、顕著になる。液晶分子19は電気力
線、すなわち等電位線18の法線に沿つて配向す
るため、液晶分子19が電圧により立上る領域は
信号電極15a,15bの周辺にまで拡がること
になる。
特にカイラルスメクチツク相を示す液晶に於い
ては、ネマチツク液晶等に比べて、高い電界を印
加する必要が有りこの問題点が顕著になる。
ては、ネマチツク液晶等に比べて、高い電界を印
加する必要が有りこの問題点が顕著になる。
印写装置に於いては、光シヤツタ部を透過した
光は各信号電極15ごとに分離されていなければ
ならない。
光は各信号電極15ごとに分離されていなければ
ならない。
第3図は一例として液晶層17の厚みleが10μ
mの場合における隣接間距離lgを変化させた時の
信号電極周辺への光透過領域の拡がり幅ls1の変
化を示したものである。ls1/lgが1/2の時は、完
全に光透過領域が重なる状態を示す。第3図から
わかるようにlgがほぼ40μm以下になると隣接す
る信号電極に対応する感光体表面での画素が互い
に重なり合うという現象が生ずる。ただし、この
値は使用する液晶材料、素子構造(leなど)によ
つて異る。したがつて、隣接する信号電極間距離
を所定距離(液晶層厚みが10μmの場合約40μm)
以上、確保する必要がある。一方印字装置の性能
を示すパラメータに解像度があり、上記した様に
隣接信号電極間距離を広げることは逆に所定寸法
間にとれる画素面積が少なくなり解像度が低下し
てしまう。
mの場合における隣接間距離lgを変化させた時の
信号電極周辺への光透過領域の拡がり幅ls1の変
化を示したものである。ls1/lgが1/2の時は、完
全に光透過領域が重なる状態を示す。第3図から
わかるようにlgがほぼ40μm以下になると隣接す
る信号電極に対応する感光体表面での画素が互い
に重なり合うという現象が生ずる。ただし、この
値は使用する液晶材料、素子構造(leなど)によ
つて異る。したがつて、隣接する信号電極間距離
を所定距離(液晶層厚みが10μmの場合約40μm)
以上、確保する必要がある。一方印字装置の性能
を示すパラメータに解像度があり、上記した様に
隣接信号電極間距離を広げることは逆に所定寸法
間にとれる画素面積が少なくなり解像度が低下し
てしまう。
また、高品質の印写を行なうために、光シヤツ
タ部を高密度に配置する必要があり、電極のパタ
ーンが高密度になるため、歩留りが悪くなる。
タ部を高密度に配置する必要があり、電極のパタ
ーンが高密度になるため、歩留りが悪くなる。
特開昭57−120466号公報には、光シヤツタ部を
時分割駆動することにより、電極数を大幅に低減
し、電極のパターンをきつくしないことが開示さ
れているが、N時分割駆動をすることにより、印
字速度がN倍に遅くなるという問題点がある。
時分割駆動することにより、電極数を大幅に低減
し、電極のパターンをきつくしないことが開示さ
れているが、N時分割駆動をすることにより、印
字速度がN倍に遅くなるという問題点がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、光シヤツ
タ部を構成する電極のパターンが高密度ではな
く、かつ印字速度が速い高品質の印写装置を提供
することにある。
タ部を構成する電極のパターンが高密度ではな
く、かつ印字速度が速い高品質の印写装置を提供
することにある。
上記目的を達成する本発明の特徴とするところ
は、対向する透明電極の対向部分及び該対向部分
に保持される表示体によつて形成される光シヤツ
タ部、複数の上記光シヤツタ部によつて構成され
る光シヤツタ群、複数の上記光シヤツタ群によつ
て構成されるライトバルブと、光源と、感光部
と、上記光源からの光が上記複数の光シヤツタ部
によつて制御され、上記感光部に入射されて形成
される複数の画素とを具備し、上記光源からの光
が上記光シヤツタ部によつて制御されて上記感光
部に入射される方向が上記複数の光シヤツタ群に
よつてそれぞれ異なり、かつ隣接する上記画素
は、異なる上記光シヤツタ群の光シヤツタ部によ
つて制御されることにある。
は、対向する透明電極の対向部分及び該対向部分
に保持される表示体によつて形成される光シヤツ
タ部、複数の上記光シヤツタ部によつて構成され
る光シヤツタ群、複数の上記光シヤツタ群によつ
て構成されるライトバルブと、光源と、感光部
と、上記光源からの光が上記複数の光シヤツタ部
によつて制御され、上記感光部に入射されて形成
される複数の画素とを具備し、上記光源からの光
が上記光シヤツタ部によつて制御されて上記感光
部に入射される方向が上記複数の光シヤツタ群に
よつてそれぞれ異なり、かつ隣接する上記画素
は、異なる上記光シヤツタ群の光シヤツタ部によ
つて制御されることにある。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。第1図、第2図と同一符号は同一物及び相当
物を示す。
る。第1図、第2図と同一符号は同一物及び相当
物を示す。
第4図は本発明の原理を説明するための図であ
る。
る。
第4図aは本発明に使用される液晶ライトバル
ブの一例の概略平面図であり、ライトバルブ6は
2つの光シヤツタ群SG1,SG2によつて構成さ
れる。光シヤツタ群SG1は光シヤツタ部S1,S3,
S5,…S2o-1によつて構成され、光シヤツタ群SG
2は光シヤツタ部S2,S4,S6,…S2oによつて構
成され、光シヤツタ群SG1の光シヤツタ部S1,
S3…の間に、光シヤツタ群SG2の光シヤツタ部
S2,S4が入る様に配置される。光シヤツタ部S1,
S2…S2oは対向する透明電極(図示せず)の対向
部分及びその対向部分に保持される支持体(図示
せず)によつて形成される。
ブの一例の概略平面図であり、ライトバルブ6は
2つの光シヤツタ群SG1,SG2によつて構成さ
れる。光シヤツタ群SG1は光シヤツタ部S1,S3,
S5,…S2o-1によつて構成され、光シヤツタ群SG
2は光シヤツタ部S2,S4,S6,…S2oによつて構
成され、光シヤツタ群SG1の光シヤツタ部S1,
S3…の間に、光シヤツタ群SG2の光シヤツタ部
S2,S4が入る様に配置される。光シヤツタ部S1,
S2…S2oは対向する透明電極(図示せず)の対向
部分及びその対向部分に保持される支持体(図示
せず)によつて形成される。
第4図bは印写装置の全体の概略図であり、第
4図cは感光部となる感光ドラム1の感光体21
上の画素e1,e2,…eoの配列を示す図である。
4図cは感光部となる感光ドラム1の感光体21
上の画素e1,e2,…eoの配列を示す図である。
光源3からの光L1が光シヤツタ群SG1の光
シヤツタ部S1,S3…S2o-1によつて制御され、感
光部に入射されて画素e1,e3,…e2o-1を形成し、
また、光源3からの光L2が光シヤツタ群SG2
の光シヤツタ部S2,S4…S2oによつて制御され、
感光部に入射されて画素e2,e4,…e2oを形成す
る。感光部に入射される光源3からの光L1,L
2の方向が、光シヤツタ群SG1と光シヤツタ群
SG2とでは異なる。駆動回路20は、画素e1…
e2oに光を照射するか否かを決定する情報信号に
よつて、各画素e1…e2oに対応する各光シヤツタ
部S1…S2oの開閉を制御する電圧信号V1〜V2oを
発生する。
シヤツタ部S1,S3…S2o-1によつて制御され、感
光部に入射されて画素e1,e3,…e2o-1を形成し、
また、光源3からの光L2が光シヤツタ群SG2
の光シヤツタ部S2,S4…S2oによつて制御され、
感光部に入射されて画素e2,e4,…e2oを形成す
る。感光部に入射される光源3からの光L1,L
2の方向が、光シヤツタ群SG1と光シヤツタ群
SG2とでは異なる。駆動回路20は、画素e1…
e2oに光を照射するか否かを決定する情報信号に
よつて、各画素e1…e2oに対応する各光シヤツタ
部S1…S2oの開閉を制御する電圧信号V1〜V2oを
発生する。
第4図に於いて、隣接する画素(例えば、e1と
e2)は、それぞれ異なる光シヤツタ群(SG1と
SG2)の光シヤツタ部(S1とS2)によつて制御
されるので、光シヤツタ部(例えばS1とS3)の間
隔が大きくなり、光シヤツタ部を構成する電極パ
ターンが高密度ではなくなる。
e2)は、それぞれ異なる光シヤツタ群(SG1と
SG2)の光シヤツタ部(S1とS2)によつて制御
されるので、光シヤツタ部(例えばS1とS3)の間
隔が大きくなり、光シヤツタ部を構成する電極パ
ターンが高密度ではなくなる。
さらに、感光部に入射される光源からの光L
1,L2の方向が、光シヤツタ群SG1と光シヤ
ツタ群SG2とでは異なるので、光シヤツタ群SG
1と光シヤツタ群SG2とを同時に駆動すること
ができ、印字速度が時分割駆動に比べて速くな
る。(例えば、SG1とSG2とを2時分割駆動す
る場合の2倍)。
1,L2の方向が、光シヤツタ群SG1と光シヤ
ツタ群SG2とでは異なるので、光シヤツタ群SG
1と光シヤツタ群SG2とを同時に駆動すること
ができ、印字速度が時分割駆動に比べて速くな
る。(例えば、SG1とSG2とを2時分割駆動す
る場合の2倍)。
第5図を用いて本発明の第1の実施例を説明す
る。
る。
第4図aはライトバルブを一方の基板を共通に
した液晶素子4a,4bによつて構成した例を示
す。
した液晶素子4a,4bによつて構成した例を示
す。
液晶素子4aは光シヤツタ群SG1を形成し、
液晶素子4bは光シヤツタ群SG2を形成する。
一方の共通基板14は厚さ0.1mmの一軸延伸ポリ
エステルフイルム等のプラスチツクフイルムであ
り、他方の基板16a,16bは厚さ0.5mmのガ
ラス板であり、透明電極材料は酸化インジウムで
あり、信号電極15が互い違いになる様に形成す
る。ただし、信号電極15のリード線部は低抵抗
化をはかるため酸化インジウムニクロム、金の三
層構造である。信号電極15は8本/mm、電極幅
leは40μm、隣接電極間距離lgは84μmである。ま
た、点灯領域寸法lsを2mmとした。用いた表示体
はカイラルスメクチツクC相を示す液晶(例えば
DOBAMBC)であり、封止材30によつて封入
される。基板14,16a,16bの両面に二枚
の偏光板を互いの偏光軸が直交するようにはりつ
ける。(第5図では省略)この様な液晶素子4a,
4bを中心線A−A′を中心にして折り曲げ第5
図bに示す様に液晶素子4a,4bの後側に光源
となるGreen色のカラー蛍光燈(10W)3a,3
b、液晶素子4a,4bの前面に光結合素子であ
るシリンドリカルレンズ5を設ける。液晶素子4
a,4bの信号電極15と共通電極13間の
DOBAMBCの負の電圧から印加された光シヤツ
タ部では光源からの光は遮断されるが、光シヤツ
タ部に正の電圧が印加されると、この光シヤツタ
部では光が透過し、シリンドリカルレンズ5によ
り集光された第5図cに示す様にle×le(例えば4μ
m×40μm)の画素を形成する。尚、 DOBAMBC等のカイラルスメクチツク相を示
す液晶の印加電圧に対する状態は、〓
Submicrosecond bistable electro−optic
switching in liquid crystals”Appl.Phys.1
June 1980等で公知であり、シリンドリカルレン
ズ5は光シヤツタ部の領域le×leのうち長手方向
lsをleに絞り、画素leleにするために設けられる。
カイラルスメクチツク液晶は応答速度が速く、光
シヤツタ部のオン・オフ時間を2msec以下にす
ることができ、1000行/分の高速印字が可能とな
る。また、感光体表面での画素群は16ドツト/mm
となり、各画素での照度は15W/m2となり、Se
感光体を充分感光できる照度が得られ、解像度16
本/m、印字速度1000行/分の印写装置を得るこ
とができる。本実施例ではカイラルスメクチツク
C相を示す液晶を用いた例を示したが、本発明は
ネマチツク液晶やスメクチツクA相を示す液晶を
用いた熱書き込み方式や、PLZT等の表示体にも
採用できる。高速性の点からは、カイラルスメク
チツクC相を示す液晶を用いるのが好ましい。
液晶素子4bは光シヤツタ群SG2を形成する。
一方の共通基板14は厚さ0.1mmの一軸延伸ポリ
エステルフイルム等のプラスチツクフイルムであ
り、他方の基板16a,16bは厚さ0.5mmのガ
ラス板であり、透明電極材料は酸化インジウムで
あり、信号電極15が互い違いになる様に形成す
る。ただし、信号電極15のリード線部は低抵抗
化をはかるため酸化インジウムニクロム、金の三
層構造である。信号電極15は8本/mm、電極幅
leは40μm、隣接電極間距離lgは84μmである。ま
た、点灯領域寸法lsを2mmとした。用いた表示体
はカイラルスメクチツクC相を示す液晶(例えば
DOBAMBC)であり、封止材30によつて封入
される。基板14,16a,16bの両面に二枚
の偏光板を互いの偏光軸が直交するようにはりつ
ける。(第5図では省略)この様な液晶素子4a,
4bを中心線A−A′を中心にして折り曲げ第5
図bに示す様に液晶素子4a,4bの後側に光源
となるGreen色のカラー蛍光燈(10W)3a,3
b、液晶素子4a,4bの前面に光結合素子であ
るシリンドリカルレンズ5を設ける。液晶素子4
a,4bの信号電極15と共通電極13間の
DOBAMBCの負の電圧から印加された光シヤツ
タ部では光源からの光は遮断されるが、光シヤツ
タ部に正の電圧が印加されると、この光シヤツタ
部では光が透過し、シリンドリカルレンズ5によ
り集光された第5図cに示す様にle×le(例えば4μ
m×40μm)の画素を形成する。尚、 DOBAMBC等のカイラルスメクチツク相を示
す液晶の印加電圧に対する状態は、〓
Submicrosecond bistable electro−optic
switching in liquid crystals”Appl.Phys.1
June 1980等で公知であり、シリンドリカルレン
ズ5は光シヤツタ部の領域le×leのうち長手方向
lsをleに絞り、画素leleにするために設けられる。
カイラルスメクチツク液晶は応答速度が速く、光
シヤツタ部のオン・オフ時間を2msec以下にす
ることができ、1000行/分の高速印字が可能とな
る。また、感光体表面での画素群は16ドツト/mm
となり、各画素での照度は15W/m2となり、Se
感光体を充分感光できる照度が得られ、解像度16
本/m、印字速度1000行/分の印写装置を得るこ
とができる。本実施例ではカイラルスメクチツク
C相を示す液晶を用いた例を示したが、本発明は
ネマチツク液晶やスメクチツクA相を示す液晶を
用いた熱書き込み方式や、PLZT等の表示体にも
採用できる。高速性の点からは、カイラルスメク
チツクC相を示す液晶を用いるのが好ましい。
また、第5図aでは共通電極13側の基板14
を2つの液晶素子4a,4bの共通基板とした
が、信号電極15側の基板16を2つの液晶素子
の共通基板としても良い。
を2つの液晶素子4a,4bの共通基板とした
が、信号電極15側の基板16を2つの液晶素子
の共通基板としても良い。
また、複数個の液晶素子をフレキシブルな板に
はりつけても良い。
はりつけても良い。
第4図及び第5図はライトバルブを2つの光シ
ヤツタ群によつて構成した例であるが、これに限
らず、本発明なライトバルブを3つ以上の光シヤ
ツタ群によつて構成しても適用できる。第6図は
ライトバルブを4つの光シヤツタ群によつて構成
した場合の概略図である。
ヤツタ群によつて構成した例であるが、これに限
らず、本発明なライトバルブを3つ以上の光シヤ
ツタ群によつて構成しても適用できる。第6図は
ライトバルブを4つの光シヤツタ群によつて構成
した場合の概略図である。
第6図aに示す様に、ライトバルブ6は4つの
光シヤツタ群SG1,SG2,SG3,SG4によつ
て構成される。光シヤツタ群SG1は光シヤツタ
部S1,S5,S9,……S4o-3によつて、光シヤツタ
群SG2は光シヤツタ部S2,S6,S10…S4o-2によ
つて、光シヤツタ群SG3は光シヤツタ部S3,S7,
S11,…S4o-1によつて、光シヤツタ群SG4は光
シヤツタ部S4,S8,S12,…S4oによつて、それぞ
れ構成される。感光部に入射される光源3からの
光L1,L2,L4の方向は、第6図bに示す様に光
シヤツタ群SG1,SG2,SG3,SG4によつて
それぞれ異なるが、入射角が大きくなると、画素
に照射される光量のばらつきが生じ易くなるの
で、入射角の差異は小さい方が好ましい。
光シヤツタ群SG1,SG2,SG3,SG4によつ
て構成される。光シヤツタ群SG1は光シヤツタ
部S1,S5,S9,……S4o-3によつて、光シヤツタ
群SG2は光シヤツタ部S2,S6,S10…S4o-2によ
つて、光シヤツタ群SG3は光シヤツタ部S3,S7,
S11,…S4o-1によつて、光シヤツタ群SG4は光
シヤツタ部S4,S8,S12,…S4oによつて、それぞ
れ構成される。感光部に入射される光源3からの
光L1,L2,L4の方向は、第6図bに示す様に光
シヤツタ群SG1,SG2,SG3,SG4によつて
それぞれ異なるが、入射角が大きくなると、画素
に照射される光量のばらつきが生じ易くなるの
で、入射角の差異は小さい方が好ましい。
本実施例に於いても、光シヤツタの間隔が大き
くなり、電極パターンを高密度にする必要はなく
なり、かつ印字速度が速くなる。
くなり、電極パターンを高密度にする必要はなく
なり、かつ印字速度が速くなる。
光シヤツタ群SG1,SG2,SG3,SG4は駆
動回路(図示せず)によつて同時に駆動される。
動回路(図示せず)によつて同時に駆動される。
尚、第6図aに於いて、光シヤツタ部S1,S2,
S5,S6,S9,S10,…S4o-3,S4o-2を一つの光シヤ
ツタ群と見なし、光シヤツタ部S3,S4,S7,S8,
S11,S12,…S4o-1,S4oを他方の光シヤツタ群と
みなし、各光シヤツタ群に於いて、従来知られて
いる特開昭57−120466号公報に示される様な時分
割駆動を行つても良い。この場合、従来例では4
時分割駆動を行なう必要があるが、本実施例に於
いては、2時分割駆動で良く、印字速度が速くな
る。
S5,S6,S9,S10,…S4o-3,S4o-2を一つの光シヤ
ツタ群と見なし、光シヤツタ部S3,S4,S7,S8,
S11,S12,…S4o-1,S4oを他方の光シヤツタ群と
みなし、各光シヤツタ群に於いて、従来知られて
いる特開昭57−120466号公報に示される様な時分
割駆動を行つても良い。この場合、従来例では4
時分割駆動を行なう必要があるが、本実施例に於
いては、2時分割駆動で良く、印字速度が速くな
る。
以上述べた様に、本発明によれば、光シヤツタ
部を構成する電極のパターンが高密度ではなく、
かつ印字速度が速い高品質の印写装置を得ること
ができる。
部を構成する電極のパターンが高密度ではなく、
かつ印字速度が速い高品質の印写装置を得ること
ができる。
第1図は液晶ライトバルブを用いた印写装置を
示す図、第2図は液晶素子断面を示す図、第3図
は信号電極間距離と光スポツトの拡がりの関係を
示す図、第4図から第6図は本発明の要点および
実施例を説明する図である。 1……感光ドラム、3……光源、4……液晶素
子、5……結像素子、6……ライトバルブ、13
……共通電極、14……共通電極を有する基板、
15……信号電極、16……信号電極を有する基
板、17……液晶層。
示す図、第2図は液晶素子断面を示す図、第3図
は信号電極間距離と光スポツトの拡がりの関係を
示す図、第4図から第6図は本発明の要点および
実施例を説明する図である。 1……感光ドラム、3……光源、4……液晶素
子、5……結像素子、6……ライトバルブ、13
……共通電極、14……共通電極を有する基板、
15……信号電極、16……信号電極を有する基
板、17……液晶層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 対抗する透明電極の対向部分及び該対向部分
間に保持される表示体によつて形成される光シヤ
ツタ部、複数の上記光シヤツタ部によつて構成さ
れる光シヤツタ群、複数の上記光シヤツタ群によ
つて構成されるライトバルブと、ライトバルブの
一方側に配置された光源と、ライトバルブの他方
側に配置された感光部と、上記光源からの光が上
記複数の光シヤツタ部によつて制御され、上記感
光部に入射されて形成される複数の画素とを具備
し、上記光源からの光が上記光シヤツタ部によつ
て制御されて上記感光部に入射される方向が上記
複数の光シヤツタ群によつてそれぞれ異なり、か
つ隣接する上記画素は、同時に駆動される異なる
上記光シヤツタ群の光シヤツタ部によつて制御さ
れることを特徴とする印写装置。 2 特許請求の範囲第1項に於いて、表示体はカ
イラルスメクチツクC相を示す液晶であることを
特徴とする印写装置。 3 特許請求の範囲第1項に於いて、対向する透
明電極の一方は所定の電位に保持される電極であ
ることを特徴とする印写装置。 4 特許請求の範囲第3項に於いて、所定の電位
に保持される電極は共通電極であることを特徴と
する印写装置。 5 特許請求の範囲第4項に於いて、共通電極は
プラスチツクフイルム基板に形成されることを特
徴とする印写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055031A JPS59182420A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 印写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055031A JPS59182420A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 印写装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182420A JPS59182420A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0367245B2 true JPH0367245B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12987289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055031A Granted JPS59182420A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 印写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182420A (ja) |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP58055031A patent/JPS59182420A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182420A (ja) | 1984-10-17 |
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