JPH04148529A

JPH04148529A - 半導体ウエハとフォトマスクとの位置合せ方法

Info

Publication number: JPH04148529A
Application number: JP2273802A
Authority: JP
Inventors: Koji Ueno; 浩司上野
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-10-11
Filing date: 1990-10-11
Publication date: 1992-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、半導体装置の製造工程における半導体ウェハ
とフォトマスクとの間の位置合せ方法に関する。

（従来の技術）第３図は、反射型１：１投影露光力式を適用する場合の
半導体ウェハとフォトマスクとの従来の位置合せ方法を
説明するための半導体ウェハ２を示す平面図である。

この第３図において、半導体ウェハ２の上下方向中央部
には、フォトマスクとの位置合せのための２つのウェハ
側マーク１７．１８が左右対称に配置されている。一方
、図示しないが、これらのウェハ側マーク１７．１８に
対応して、フォトマスク上にも２つのマークが予め付さ
れている。

そこで、上記フォトマスクを通して半導体ウェハ２を露
光するに際しては、まず、ウェハ側マーク１７．１８と
これに対応するマスク側マークとを用いて半導体ウェハ
２とフォトマスクとの間の位置決めを行った後、半導体
ウェハ２とフォトマスクとの各対応マーク間のオフセッ
ト値を決定する。その後、これら２つのオフセット値に
基づいて半導体ウェハ２とフォトマスクとの間の位置補
正を行った上で露光を実行していた。

（発明が解決ようとする課題）しかしながら、上述した半導体ウェハとフォトマスクと
の間の位置合せ方法においては、半導体ウェハ２におけ
る上下方向中央部の２点のウェハ側マーク１７．１８に
よって位置合せを行っていたために、半導体ウェハ２の
上下方向周辺部で半導体ウェハ２とフォトマスクとの間
にずれが生じ、露光精度が低いという問題があった。

本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので、半導体ウ
ェハの中央部たけでなく周辺部でも高精度の位置合せが
できる半導体ウェハとフォトマスクとの位置合せ方法を
提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段）上記の目的を達成するために本発明が講じた手段は、半
導体ウェハの周辺部にもウェハ側マークを付してオフセ
ット値を決定する−ようにしたものである。

具体的に、本発明が講じた手段は、第１図に示すように
、先ず、半導体ウェハ上の中央部と周辺部とに複数のウ
ェハ側マークを互いに離れた位置に付し、該ウェハ側マ
ークに対応して予め付されたフォトマスク上の複数のマ
スク側マークと上記ウェハ側マークとを用いて該半導体
ウェハとフォトマスクとの間の位置決めを行う。その後
、上記該半導体ウェハとフォトマスクとの各対応マーク
間のオフセット値を決定する。続いて、この複数のオフ
セット値に基づいて上記半導体ウェハとフォトマスクと
の間の位置補正を行う構成としている。

（作用）上記の構成により、本発明では、半導体ウェハ上の中央
部だけでなく周辺部にもウェハ側マークを付し、これを
用いてフォトマスクとの間の位置合せを行っているので
、半導体ウェハの全域において高精度の位置合せが行わ
れることになる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第１図は、反射型１：１投影露光力式を適用する場合の
半導体ウェハとフォトマスクとの間の位置合せ方法を説
明するための半導体ウェハ１を示す平面図である。

この第１図において、半導体ウェハ１の上部には２つの
上部マーク１１．１２が、中央部には２つの中央マーク
１３．１４が、下部には２つの下部マーク１５．１６が
それぞれ左右対称に配置されている。つまり、この半導
体ウェハ１上には、上下方向中央部と周辺部とに互いに
離れた６箇所の位置にウェハ側マーク１１〜１６が付さ
れている。この各ウェハ側マーク１１〜１６は、フォト
マスクとの位置合せを行うためのものであり、例えば、
第２図に示すように、ウェハ側上部マーク１１は逆ハの
字形の２本の線分１１ａ、ｌｌｂで構成されており、他
のマーク１２〜１６も同様に構成されている。

そして、上記各ウェハ側マーク１１〜１６は縦７０μｍ
、横４００μｍの範囲に収められる大きさであり、線分
１１ａ、ｌｌｂの幅は２μｍであり、該各ウェハ側マー
ク１１〜１６は、半導体ウェハ１上の素子間に配置可能
に構成されている。

更に、これらのウェハ側マーク１１〜１６は、半導体ウ
ェハ１に対する熱酸化で形成されている。

ただし、配線形成用フォトマスクに対しては層間絶縁膜
により形成されている。

次に、第１図及び第２図に基づいて半導体ウェハ１にフ
ォトマスクを位置合せする場合の動作について説明する
。

先ず、２本の線分１１ａ、ｌｌｂからなる左側のウェハ
側上部マーク１１に対し、フォトマスクには同図に示す
４本の線分２１ａ〜２１ｂからなるマスク側マーク２１
が予め付されている゛。そして、他のウェハ側マーク１
２〜１６についても同様に対応するマスク側マークが準
備されている。

このフォトマスクを通して半導体ウェハ１を露光するに
際しては、まず、ウェハ側中央マーク１３．１４とこれ
らに対応するマスク側マークとを用いて位置決めを行っ
た後、両者の対応マーク間のオフセット値を決定する。

続いて、ウェハ側上部マーク１１．１２及びウェハ側下
部マーク１５゜１６についても同様に対応マーク間のオ
フセット値を決定する。

その後、以上６点のオフセット値に基づいて半導体ウェ
ハ１とフォトマスクとの間の位置補正を行ったうえで露
光を実行する。

上記６点での位置合せの結果、半導体ウェハ１の中央部
だけでなく周辺部でも高精度の位置合せが行われること
になる。

尚、本実施例は、６つのウェハ側マーク１１〜１６を付
するようにしたが、本発明は６つのマーク１１〜１６に
限られるものではない。

（発明の効果）以上のように、本発明によれば、半導体ウェハ上の中央
部だけでなく周辺部にもウェハ側マークを付し、これを
用いてフォトマスクとの間の位置合せを行うようにした
ために、半導体ウェハをフォトマスクに対して中央部の
みならず周辺部においても位置合せを高精度に行うこと
ができることから、精度の高い露光を行うことができ、
マスク合せ精度を格段に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の半導体ウェハとフォトマスクとの間
の位置合せ方法を説明するための半導体ウェハの平面図
、第２図は、本発明の半導体ウェハとフォトマスクとを
位置合せする場合のウェハ側マークとマスク側マークと
の位置関係を示す部分拡大平面図である。第３図は、従
来の半導体ウェハとフォトマスクとの間の位置合せ方法
を説明するための半導体ウェハの平面図である。１・・・半導体ウェハ１１．１２・・・ウェハ側上部マーク１３．１４・・・ウェハ側中央マーク１５．１６・・・ウェハ側下部マーク１７．１８・・・ウェハ側マーク２１・・・マスク側上部マークト・・半導体ウェハ１１．１２・・・ウェハ鋼上部マークユ３．１４・・・ウェハ側中央マーク１５．１５・・・ウェハ側下部マーク１７．１８・・・ウェハ側マーク２１・・・マスク側上部マーク第１図ン１第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体ウェハ上の中央部と周辺部とに複数のウェ
ハ側マークを互いに離れた位置に付し、該ウェハ側マー
クに対応して予め付されたフォトマスク上の複数のマス
ク側マークと上記ウェハ側マークとを用いて半導体ウェ
ハとフォトマスクとの間の位置決めを行った後、上記半導体ウェハとフォトマスクとの各対応マーク間の
オフセット値を決定し、その後、この複数のオフセット値に基づいて上記半導体
ウェハとフォトマスクとの間の位置補正を行うことを特
徴とする半導体ウェハとフォトマスクとの位置合せ方法
。