JPH0414941Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0414941Y2 JPH0414941Y2 JP1984065769U JP6576984U JPH0414941Y2 JP H0414941 Y2 JPH0414941 Y2 JP H0414941Y2 JP 1984065769 U JP1984065769 U JP 1984065769U JP 6576984 U JP6576984 U JP 6576984U JP H0414941 Y2 JPH0414941 Y2 JP H0414941Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resistor
- conductive pattern
- resistance value
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、抵抗値が修正可能な抵抗内蔵型のチ
ツプ型の発光ダイオード（以下LEDと略称する）
に関するものである。
ツプ型の発光ダイオード（以下LEDと略称する）
に関するものである。
（従来の技術）
従来のLEDを第１図に示す。図に示すように、
２本のリードのうち一方のリード６の端部に
LEDチツプ７を取り付け、このLEDチツプ７と
他方のリード６の端部とを金属細線８により接続
し、さらに透光性樹脂９により被覆したものであ
る。
２本のリードのうち一方のリード６の端部に
LEDチツプ７を取り付け、このLEDチツプ７と
他方のリード６の端部とを金属細線８により接続
し、さらに透光性樹脂９により被覆したものであ
る。
このようなLEDは、高さ寸法が大きい為、薄
形化を指向した機器類への使用には不向きであ
り、又リード付きである為、自動マウント機を使
用する場合には、リード６の形状を整えるリード
フオーミング工程が必要であつた。
形化を指向した機器類への使用には不向きであ
り、又リード付きである為、自動マウント機を使
用する場合には、リード６の形状を整えるリード
フオーミング工程が必要であつた。
そこで、特開昭55−107283号公報に示されてい
るようなリードが無く、自動マウントが可能なチ
ツプ型のLEDが提案され、実用化されている。
るようなリードが無く、自動マウントが可能なチ
ツプ型のLEDが提案され、実用化されている。
しかしながら、この様なチツプ型のLEDを使
用した場合でも、電流制限用の抵抗を取り付ける
には、回路基板上のパターンに抵抗を取り付け、
このパターンを介してLEDに接続することが必
要であつた。
用した場合でも、電流制限用の抵抗を取り付ける
には、回路基板上のパターンに抵抗を取り付け、
このパターンを介してLEDに接続することが必
要であつた。
この為、実開昭54−29653号公報及び実開昭59
−18454号公報に示されているように、LEDの基
板の表面側にLEDチツプと共に抵抗体を印刷し
たものが提案されていた。
−18454号公報に示されているように、LEDの基
板の表面側にLEDチツプと共に抵抗体を印刷し
たものが提案されていた。
（考案が解決しようとする課題）
上記従来のチツプ型のLEDのように、LEDチ
ツプが載置されている面と同一の面上に抵抗体を
配置すると、基板等の寸法が規格化されている
為、抵抗体とLEDチツプとが極めて接近するこ
とになり、LEDチツプを発光され、輝度を測定
しながら抵抗体の抵抗値を調整することが出来な
かつた。
ツプが載置されている面と同一の面上に抵抗体を
配置すると、基板等の寸法が規格化されている
為、抵抗体とLEDチツプとが極めて接近するこ
とになり、LEDチツプを発光され、輝度を測定
しながら抵抗体の抵抗値を調整することが出来な
かつた。
又、一般に抵抗体はその形状寸法により定格電
力が定められているが、基板等の寸法が規格化さ
れている為、LEDチツプが載置されている面と
同一面上に定格電力を満足する抵抗体を配置する
だけの面積がなかつた。
力が定められているが、基板等の寸法が規格化さ
れている為、LEDチツプが載置されている面と
同一面上に定格電力を満足する抵抗体を配置する
だけの面積がなかつた。
本考案の目的は、薄型・安価かつ自動マウント
による量産化可能な抵抗内蔵型のチツプ型LED
において輝度の調整を抵抗値の調整にて行ない、
輝度のバラツキを小さくし、さらに抵抗体の配置
をLEDチツプが載置されている面と異なる面に
行ない、余裕のある定格電力を持つた抵抗体と
し、優れた品質のLEDを提供することにある。
による量産化可能な抵抗内蔵型のチツプ型LED
において輝度の調整を抵抗値の調整にて行ない、
輝度のバラツキを小さくし、さらに抵抗体の配置
をLEDチツプが載置されている面と異なる面に
行ない、余裕のある定格電力を持つた抵抗体と
し、優れた品質のLEDを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本考案のLEDは、絶縁及び耐熱性を有し、か
つそれぞれ異なる側面に形成された第１、第２及
び第３のスルーホールを有する基板と、その表面
及び第１のスルーホール内に形成された第１の導
電パターンと、この導電パターンから独立すると
共に互いに独立して基板表面に形成され、第２及
び第３のスルーホールを介して基板の裏面にまで
まわり込んで形成されている第２及び第３の導電
パターンと、第２の導電パターンの基板表面側の
端部上にボンデイングされ、かつ第１の導電パタ
ーンにワイヤボンデイングされた発光ダイオード
チツプと、第２及び第３の導電パターンの基板裏
面側の端部間に形成され、かつ発光ダイオードチ
ツプの輝度特性に応じて抵抗値が調整された抵抗
体と、発光ダイオードチツプを被覆する透明樹脂
と、から構成されている。
つそれぞれ異なる側面に形成された第１、第２及
び第３のスルーホールを有する基板と、その表面
及び第１のスルーホール内に形成された第１の導
電パターンと、この導電パターンから独立すると
共に互いに独立して基板表面に形成され、第２及
び第３のスルーホールを介して基板の裏面にまで
まわり込んで形成されている第２及び第３の導電
パターンと、第２の導電パターンの基板表面側の
端部上にボンデイングされ、かつ第１の導電パタ
ーンにワイヤボンデイングされた発光ダイオード
チツプと、第２及び第３の導電パターンの基板裏
面側の端部間に形成され、かつ発光ダイオードチ
ツプの輝度特性に応じて抵抗値が調整された抵抗
体と、発光ダイオードチツプを被覆する透明樹脂
と、から構成されている。
（作用）
本考案のLEDにおいて、LEDチツプは基板の
表面側に取り付けられ、また抵抗体は基板の裏面
側に設けられている。この様にLEDチツプと抵
抗体をそれぞれ異なる面に設けることにより、抵
抗体を基板の裏面上に広く設けることができ、規
定された定格電力を満足する抵抗体を設けること
が可能になる。又、抵抗体の抵抗値を修正する際
にも、LEDチツプの輝度を測定しながら作業す
ることが可能になる。
表面側に取り付けられ、また抵抗体は基板の裏面
側に設けられている。この様にLEDチツプと抵
抗体をそれぞれ異なる面に設けることにより、抵
抗体を基板の裏面上に広く設けることができ、規
定された定格電力を満足する抵抗体を設けること
が可能になる。又、抵抗体の抵抗値を修正する際
にも、LEDチツプの輝度を測定しながら作業す
ることが可能になる。
（実施例）
以下、第２図乃至第５図に基づいて本考案の実
施例を説明する。
施例を説明する。
第２図Ａ及びＢは、本考案の一実施例に係る
LEDの表裏を示す斜視図である。
LEDの表裏を示す斜視図である。
１は絶縁性・耐熱性を有するアルミナからなる
基板であり、そのそれぞれ異なる側面には第１、
第２及び第３のスルーホール１ａ，１ｂ，１ｃが
設けられている。
基板であり、そのそれぞれ異なる側面には第１、
第２及び第３のスルーホール１ａ，１ｂ，１ｃが
設けられている。
２ａ，２ｂ，２ｃは基板１の表裏面に導電性ペ
ーストを印刷することにより形成された第１、第
２及び第３の導電パターンである。この第１、第
２及び第３の導電パターン２ａ，２ｂ，２ｃは、
それぞれ独立しており、第１及び第３の導電パタ
ーン２ａ，２ｃは基板１の第１及び第３のスルー
ホール１ａ，１ｃ内にまで形成されて電極として
使用され、さらに少なくとも第２及び第３の導電
パターン２ｂ，２ｃは第２及び第３のスルーホー
ル１ｂ，１ｃを介して基板１の裏面側までまわり
込むように形成されている。
ーストを印刷することにより形成された第１、第
２及び第３の導電パターンである。この第１、第
２及び第３の導電パターン２ａ，２ｂ，２ｃは、
それぞれ独立しており、第１及び第３の導電パタ
ーン２ａ，２ｃは基板１の第１及び第３のスルー
ホール１ａ，１ｃ内にまで形成されて電極として
使用され、さらに少なくとも第２及び第３の導電
パターン２ｂ，２ｃは第２及び第３のスルーホー
ル１ｂ，１ｃを介して基板１の裏面側までまわり
込むように形成されている。
３は第２の導電パターン２ｂの基板１の表面側
の端部上にダイボンデイング方式によりマウン
ト・接着され、第１の導電パターン２ａにAu又
はAlの細線によりワイヤボンドされているLED
チツプである。
の端部上にダイボンデイング方式によりマウン
ト・接着され、第１の導電パターン２ａにAu又
はAlの細線によりワイヤボンドされているLED
チツプである。
４は第２の導電パターン２ｂ，２ｃの基板１の
裏面側の端部間に酸化ルテニウム等の抵抗ペース
トを印刷することにより形成された電流制限用の
抵抗体である。
裏面側の端部間に酸化ルテニウム等の抵抗ペース
トを印刷することにより形成された電流制限用の
抵抗体である。
５はLEDチツプ３及び細線の保護と光学レン
ズの役割を果たすエポキシ・シリコン等の透明樹
脂であり、ポツテイング又は印刷方式により成形
される。
ズの役割を果たすエポキシ・シリコン等の透明樹
脂であり、ポツテイング又は印刷方式により成形
される。
第３図は本実施例におけるLEDの等価回路を
示す図である。
示す図である。
抵抗体４は、予め定められた抵抗値になるよう
に印刷されているが、量産プロセスの中では±10
％位のバラツキが生じる。又、LEDチツプ３も
量産プロセスの中では輝度にバラツキが生じる。
に印刷されているが、量産プロセスの中では±10
％位のバラツキが生じる。又、LEDチツプ３も
量産プロセスの中では輝度にバラツキが生じる。
この為、同一工程を経て製造したLEDであつ
ても、これを複数並べて使用するような場合、輝
度のバラツキにより明暗が生じることがあつた。
ても、これを複数並べて使用するような場合、輝
度のバラツキにより明暗が生じることがあつた。
この様なLED間の輝度のバラツキを小さくす
る方法としては、電流制限用の抵抗値を修正する
ことがあげられる。
る方法としては、電流制限用の抵抗値を修正する
ことがあげられる。
抵抗値ＲはＲ＝ρ・Ｌ／Ｗという式で表わされ
る様に抵抗が一定の固有抵抗係数ρを持つ場合、
長さＬに比例し、幅Ｗに反比例する。そこで抵抗
値を高い方向に調整する手段として、幅Ｗを何等
かの方法により狭くすることが応用されている。
る様に抵抗が一定の固有抵抗係数ρを持つ場合、
長さＬに比例し、幅Ｗに反比例する。そこで抵抗
値を高い方向に調整する手段として、幅Ｗを何等
かの方法により狭くすることが応用されている。
このように厚膜抵抗体の抵抗値を調整する具体
的な方法としては、サンドブラスト法とレーザー
トリミング法が一般に利用されている。
的な方法としては、サンドブラスト法とレーザー
トリミング法が一般に利用されている。
第４図Ａは、サンドブラスト法により抵抗値調
整を行なつた例を示す図であるが具体的に説明す
ると、極細のノズル孔より微細な研磨材（アルミ
ナ粉末等）をエアーにて抵抗体４に吹き付け、抵
抗体の一部を削り取ることにより、抵抗体幅Ｗを
狭くし、抵抗値を高くする。
整を行なつた例を示す図であるが具体的に説明す
ると、極細のノズル孔より微細な研磨材（アルミ
ナ粉末等）をエアーにて抵抗体４に吹き付け、抵
抗体の一部を削り取ることにより、抵抗体幅Ｗを
狭くし、抵抗値を高くする。
又、第４図Ｂに示すレーザートリミング法は、
レーザー光を抵抗体４に照射し、抵抗体の一部を
スリツト状に焼き取ることにより、抵抗体幅Ｗを
狭くし抵抗値を高くする方法である。
レーザー光を抵抗体４に照射し、抵抗体の一部を
スリツト状に焼き取ることにより、抵抗体幅Ｗを
狭くし抵抗値を高くする方法である。
尚、このような方法により抵抗値を修正する場
合には、導電パターン２ｂ，２ｃ間に抵抗測定器
を接続することにより、抵抗値を希望する値に対
して±２％という高精度で修正することができ
る。
合には、導電パターン２ｂ，２ｃ間に抵抗測定器
を接続することにより、抵抗値を希望する値に対
して±２％という高精度で修正することができ
る。
第５図に抵抗値修正の作業工程の一例を示す。
はじめに、治具２１に載置されたLED１０の
電極部分にプロープ針１１を当接し、このプロー
プ針１１を介して電流を印加し、発光させる。
電極部分にプロープ針１１を当接し、このプロー
プ針１１を介して電流を印加し、発光させる。
この時の輝度は治具２１の中に組み込まれた輝
度センサー１３によつて検出され、予め設定され
た値よりも輝度が高い場合、抵抗体４を修正する
ことにより抵抗値を大きくし、輝度を低下させ
る。
度センサー１３によつて検出され、予め設定され
た値よりも輝度が高い場合、抵抗体４を修正する
ことにより抵抗値を大きくし、輝度を低下させ
る。
尚、本実施例における説明では、カソード側に
抵抗体４が接続されているが、アノード側へ接続
することも当然可能なことである。
抵抗体４が接続されているが、アノード側へ接続
することも当然可能なことである。
（考案の効果）
本考案によれば、LEDチツプと抵抗体をそれ
ぞれ基板の表裏面に設けている為、抵抗体を基板
裏面上に大きく形成することができる。この為、
抵抗体の定格電力をより大きくすることができ、
又抵抗値の調節・修正範囲も広げることができ
る。
ぞれ基板の表裏面に設けている為、抵抗体を基板
裏面上に大きく形成することができる。この為、
抵抗体の定格電力をより大きくすることができ、
又抵抗値の調節・修正範囲も広げることができ
る。
又、抵抗体は裏面側に配置されている為、
LEDチツプの輝度の測定を自由に行なうことが
できるので、抵抗値の修正作業が容易にでき、品
質や性能の向上とともに製造コストの低減もでき
る。
LEDチツプの輝度の測定を自由に行なうことが
できるので、抵抗値の修正作業が容易にでき、品
質や性能の向上とともに製造コストの低減もでき
る。
第１図は従来の発光ダイオードを示す図、第２
図Ａ，Ｂは本考案の一実施例に係る発光ダイオー
ドの表裏を示す斜視図、第３図は本考案の発光ダ
イオードの等価回路を示す図、第４図Ａ，Ｂは抵
抗値修正後の抵抗体を示す図、第５図は抵抗値修
正の作業工程の一例を示す図である。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……第１、第２
及び第３の導電パターン、３……発光ダイオード
チツプ、４……抵抗体、５……透明樹脂、１０…
…発光ダイオード、１１……プロープ針、１３…
…センサー。
図Ａ，Ｂは本考案の一実施例に係る発光ダイオー
ドの表裏を示す斜視図、第３図は本考案の発光ダ
イオードの等価回路を示す図、第４図Ａ，Ｂは抵
抗値修正後の抵抗体を示す図、第５図は抵抗値修
正の作業工程の一例を示す図である。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ……第１、第２
及び第３の導電パターン、３……発光ダイオード
チツプ、４……抵抗体、５……透明樹脂、１０…
…発光ダイオード、１１……プロープ針、１３…
…センサー。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁及び耐熱性を有し、かつそれぞれ異なる側
面に形成された第１、第２及び第３のスルーホー
ルを有する基板と、 該基板の表面及び前記第１のスルーホール内に
形成された第１の導電パターンと、 該第１の導電パターンから独立すると共に互い
に独立して前記基板表面に形成され、前記第２及
び第３のスルーホールを介して前記基板の裏面に
までまわり込んで形成されている第２及び第３の
導電パターンと、 前記第２の導電パターンの前記基板表面側の端
部上にボンデイングされ、かつ前記第１の導電パ
ターンにワイヤボンデイングされた発光ダイオー
ドチツプと、 前記第２及び第３の導電パターンの前記基板裏
面側の端部間に形成され、かつ前記発光ダイオー
ドチツプの輝度特性に応じて抵抗値が調整された
抵抗体と、 前記発光ダイオードチツプを被覆する透明樹脂
と、 からなることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984065769U JPS60179057U (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984065769U JPS60179057U (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60179057U JPS60179057U (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0414941Y2 true JPH0414941Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=30598059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984065769U Granted JPS60179057U (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60179057U (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007080877A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ光源の色調補正方法 |
| JP2009277705A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Koa Corp | パッケージ発光部品およびその製造法 |
| JP5726409B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2015-06-03 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP5623062B2 (ja) | 2009-11-13 | 2014-11-12 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2011151268A (ja) | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
| JP2013048163A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429653U (ja) * | 1977-07-29 | 1979-02-27 | ||
| JPS5918454U (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-04 | 株式会社シチズン電子 | リ−ドレス発光ダイオ−ド |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP1984065769U patent/JPS60179057U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60179057U (ja) | 1985-11-28 |
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