JPH04150084A - 半導体レーザ用パッケージ - Google Patents

半導体レーザ用パッケージ

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Publication number
JPH04150084A
JPH04150084A JP2274581A JP27458190A JPH04150084A JP H04150084 A JPH04150084 A JP H04150084A JP 2274581 A JP2274581 A JP 2274581A JP 27458190 A JP27458190 A JP 27458190A JP H04150084 A JPH04150084 A JP H04150084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
lead post
laser chip
bonding
post part
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2274581A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Kawaratani
瓦谷 正彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04150084A publication Critical patent/JPH04150084A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ用パッケージに関し、特にキャ
ンタイプのパッケージのステム構造に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体レーザ用パッケージは、第3図(a)、(
b)に示すように半導体レーザチップ14と結線するた
めのリードポスト部11の先端を半導体レーザチップ1
4の電極面と平行になるよう平らに加工し、半導体レー
ザチップ取付ブロック部17と電気的及び構造的にも分
離していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体レーザ用パッケージは、リードポ
スト部が半導体レーザチップ取付ブロック部と分離され
て浮いているという不安定な構造であるため、超音波を
使用するボンディング装置ではリードポスト部が振動す
るためボンディングできない、また、荷重を大きくする
とリードポスト部が折れ曲り、荷重を小さくするとボン
ディングワイヤが接着できなくボンディング装置の荷重
のトレランスが取りにくい。ゆえに、特定のボンディン
グ装置しか使用できないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体レーザ用パッケージは、リードポスト部
と半導体レーザチップ取付ブロック部を絶縁体により電
気的に分離し、構造上一体化した構造を有している。こ
れにより超音波等によるリードポスト部の振動が抑えら
れ、超音波を使用するボンディング装置でボンディング
ができる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a>は本発明の第1の実施例の半導体レーザ用
パッケージのステム構造図であり、第1図(b)は第1
図(a)のA−B線断面図である。
半導体レーザチップ取付ブロック部7とリードポスト部
1を絶縁体2、例えばセラミックで電気的に分離し構造
上一体止した。また、リードポスト部1とリード8はロ
ー材を用いて接着しである。
これにより、超音波によるリードポスト部1の振動が抑
えられ、超音波を使用しているボンディング装置でもボ
ンディングできる。また、荷重を大きくしても半導体レ
ーザチップ取付ブロック部7とリードポスト部1が一体
化しており、さらに、この半導体レーザチップ取付ブロ
ック部7の強度は10kgあるので折れ曲るということ
もなくボンディングできる。したがって、種々のボンダ
ーが使用できるという利点がある。
第2図(a>は本発明の第2の実施例の半導体レーザ用
パッケージのステム構造図であり、第2図(b)は第2
図(a)のA−B線断面図である。この実施例では半導
体レーザチップ取付ブロック部7とリードポスト部1を
絶縁体2で電気的に分離し構造上一体止している。これ
により、調音波使用、荷重のトレランスを大きくとれ、
種々のボンディング装置が使用可能となるという利点が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体レーザチップ取付
ブロック部とリードポスト部を絶縁体によって電気的に
分離し構造上一体止することにより、超音波を使用する
ボンディング装置を用いることができる。また、半導体
レーザチップ取付ブロック部とリードポスト部を一体化
することで荷重を大きくすることができ、ボンディング
装置の荷重のトレランスを取りやすくすることができ、
種々のボンディング装置が用いることができるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図<a)は本発明による第1の実施例の半導体レー
サ用パッケージのステム構造図、第1図<b)は第1図
(a)のA−B線断面図、第2図(a)は本発明による
第2の実施例の半導体レーザ用パッケージのステム構造
図、第2図(b)は第2図(a>のA−B線断面図、第
3図(a)は従来の半導体レーザ用パッケージのステム
構造図、第3図(b)は第3図(a)のA−B線断面図
である。 1.11・・・リードポスト部、2・・・絶縁体、3゜
13・リードポスト、4,14・・半導体レーザチップ
、5.15・・ヒートシンク、6.16・・・ステム、
7,17・・・半導体レーザチップ取付ブロック部、8
,18・ リード、9,19・・・絶縁体くガラス材)
、10.20  ・ボンディングワイヤ。 代理人 弁理士  内 原  晋 eリード メ /H 〃 (12,9 劇 /f3ツノー1゛ 躬 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザチップ取付ブロック部とリードポスト部を
    絶縁体により電気的に分離し、構造上一体化したことを
    特徴とする半導体レーザ用パッケージ。
JP2274581A 1990-10-12 1990-10-12 半導体レーザ用パッケージ Withdrawn JPH04150084A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2274581A JPH04150084A (ja) 1990-10-12 1990-10-12 半導体レーザ用パッケージ

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JPH04150084A true JPH04150084A (ja) 1992-05-22

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ID=17543741

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JP2274581A Withdrawn JPH04150084A (ja) 1990-10-12 1990-10-12 半導体レーザ用パッケージ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220181842A1 (en) * 2019-04-12 2022-06-09 Fujikura Ltd. Laser module and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220181842A1 (en) * 2019-04-12 2022-06-09 Fujikura Ltd. Laser module and method of manufacturing the same
US12191629B2 (en) * 2019-04-12 2025-01-07 Fujikura Ltd. Laser module and method of manufacturing the same

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