JPH04150506A - 電圧制御型水晶発振器 - Google Patents

電圧制御型水晶発振器

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JPH04150506A
JPH04150506A JP27463990A JP27463990A JPH04150506A JP H04150506 A JPH04150506 A JP H04150506A JP 27463990 A JP27463990 A JP 27463990A JP 27463990 A JP27463990 A JP 27463990A JP H04150506 A JPH04150506 A JP H04150506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
change
oscillator
capacitance
control voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP27463990A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Watanabe
宏 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04150506A publication Critical patent/JPH04150506A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は9例えば人工衛星等に搭載する電圧制御型水
晶発振器(以下発振器と言う)の改良に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
第9図および第10図は例えば、電気工学/1ンドブツ
クに示された従来の発振器の例であり1図中(1)はト
ランジスタ、(2)はトランジスタは)のコレクタに接
続された電源端子、(3)はトランジスタ(1)のエミ
ッタに接続された信号出力端子(4)、 (5)、 (
6)はバイアス用の抵抗、 (7) 、 (8)は帰還
用のコンデンサ、(9)は水晶振動子、 (10)は信
号阻止用の抵抗、 (11)は制御電圧端子、 (12
)はバラクタダイオード、 (13)はバラクタダイオ
ード(12)の等価接合容量を示すキャノくシタである
なお第10図は第9図のバラクタダイオードの等価接合
容量をキャバシスタ(13)として置き換えたものであ
る。
従来の発振器は、前記の様に構成され、制御電圧端子(
11)に印加される制御電圧によって、バラクタダイオ
ード(12)の接合容量を変化させるものである。この
接合容量は、水晶振動子(9)と直列に接続されている
ため、接合容量の変化は直接発振器の発振周波数の変化
となる。すなわち、制御電圧を変化させることで2発振
周波数を変化させるものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の発振器は1以上のように構成されているので1通
常の制御電圧範囲(+1〜+4V)においては、使用す
るバラクタダイオードの接合容量/電圧変化率によって
発振周波数の変化分が決定されてしまい、さらに大幅な
変化が必要、又は微少な変化が必要という場合に対応で
きないという課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
ものであり1通常の制御電圧範囲(+1〜+4V)にお
いても発振周波数を大幅に変化できる。又は微少な変化
が可能となる発振器を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る発振器は、複数個の/くラクタダイオー
ドを効果的に組合せることで9通常の制御電圧範囲(+
1〜+4V)においても9発振周波数/制御電圧の大幅
、又は微少な変化を従来装置以上に容易に行なえるよう
にしたものである。
〔作用〕
この発明における発振器は、複数個のバラクタダイオー
ドを効果的に組合せることによって、7<ラクタダイオ
ードの合成接合容量/制御電圧をほぼ任意に決定するこ
とができ、そのため1発振周波数/制御電圧の大幅又は
微小な変化を容易に行なうことができる。
〔実施例〕
第1図、第2図はこの発明の一実施例を示す。
図において(1)〜(12)は前記従来装置と全く同一
のもの、 (13)はバラクタダイオードの等価接合容
量を示すキャパシタである。第1図の発振器は従来装置
のバラクタダイオード数をn個(nは自然数)に増加す
ることで、同一の制御電圧範囲においても、大きく容量
を変化させ、結果として。
発振器の周波数変化率を増大させるものである。
バラクタダイオードの等価接合容量をキャパシタ(13
)としておきかえた発振器が第2図である。ここでたと
えば、バラクタダイオードの容量/電圧変化率を10 
p F/Vとすると、全体の容量変化は並列接続された
ダイオードn個分で示されるため、10・npF/Vの
容量/電圧変化率となり制御電圧の変化に対してn倍の
容量変化が可能となる。ゆえに発振周波数も大幅な制御
を行なうことができる。
第3.4図は、この発明の第1,2図と異なった実施例
を示し、(1)〜(13)は第1,2図と全く同一のも
のである。第3図の発振器は、奇数個のバラクタダイオ
ードを用いて微小な容量変化を実現したものである。発
振周波数領域で見たバラクタダイオードによる等価接合
容量の発振器は第4図に示すように、キャパシタ(13
)が縦続接続された形となる。ここでバラクタダイオー
ドの容量/電圧変化率を 10 pF/V とすると、
第3図では、2n+1個のキャパシタが縦続に接続され
た場合と同様になり、全体の容量/電圧変化率は2n+
1 pF/v となる。このため、nの増加により9発
振器の容量/電圧変化率は微小化し同じ制御電圧範囲に
おいても、ごくわずかな周波数変化の制御が可能となる
。第5.6図は、この発明の第3.4図とは異なった実
施例であり、(1)〜(13)は第1.2図と全く同一
のものである。第5図の発振器の特徴は偶数個のバラク
タダイオードにより微小な容量変化を実現したことにあ
る。
バラクタダイオードによる等価接合容量の発振器は、第
6図に示される様になり、ここでバラクタダイオードの
容量/電圧変化率を10 p F/Vとすると、全体の
容量/電圧変化率は” p F / Vn となる。
その結果、nの増加に供なって、同じ制御電圧範囲にお
いても、微小な周波数変化の制御が可能となる。第7.
8図は、第1〜6図の発明とは異なった実施例であり、
(1)〜(13)は第1.2図と全く同一のものである
。第7図の発振器の特徴はm個とn個(m、 nは自然
数)のバラクタダイオードを用いることで、はぼ任意の
容量/電圧変化率を実現したことである。第8図はバラ
クタダイオードを等価容量化した発振器であり、バラク
タダイオードの容量/電圧変化率を10 p F/Vと
すると、全体の容量/電圧変化率は 10″0°bpF
/Vとなる。これは、n、mを選択することでほぼ任意
の容量/電圧変化率が可能となり、同じ制御電圧範囲に
おいて広範囲な周波数変化の制御を実現できることを示
している。
〔発明の効果〕
以上の様に、この発明によれば、従来の発振器に対して
複数個のバラクタダイオードを効果的に接続する構成と
したために、従来困難であった発振周波数/制御電圧の
変化を容易に行なえるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第3図、第5図、第7図はこの発明の第1〜第
4の実施例を示す構成図、第2図は第1図の等価回路を
示す説明図、第4図は第3図の等価回路を示す説明図、
第6図は第5図の等価回路を示す説明図、第8図は第7
図の等価回路を示す説明図、第9図は従来の発振器を示
す図、第10図は第9図の等価回路を示す図である。図
中(1)はトランジスタ、(2)は電源端子、(3)は
出力端子、 (4) (5) (6)はバイアス用抵抗
、 (7) (8)は帰還用コンデンサ、(9)は水晶
振動子、 (10)は信号阻止用抵抗+’ (11)は
制御端子、 (12)はバラクタダイオードを示す。 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)トランジスタと、前記トランジスタのベースとコ
    レクタとエミッタ間に接続して発振器のバイアス回路を
    形成する抵抗と、前記トランジスタのベースとエミッタ
    と回路のグランド間に接続して発振器の帰還回路を形成
    するキャパシタと、前記トランジスタのコレクタに電源
    を供給する電源端子と、前記トランジスタのエミッタに
    接続された信号出力端子と、前記トランジスタのベース
    に接続された水晶振動子と、外部からの制御電圧を印加
    する制御電圧端子と、前記水晶振動子と回路のグランド
    間に並列接続されたN(Nは自然数)個のバラクタダイ
    オードと、前記バラクタダイオードに制御電圧を印加し
    かつ発振信号を阻止する抵抗とを具備した電圧制御型水
    晶発振器。
  2. (2)トランジスタと、前記トランジスタのベースとコ
    レクタとエミッタ間に接続して発振器のバイアス回路を
    形成する抵抗と、前記トランジスタのベースとエミッタ
    と回路のグランド間に接続して発振器の帰還回路を形成
    するキャパシタと、前記トランジスタのコレクタに電源
    を供給する電源端子と、前記トランジスタのエミッタに
    接続された信号出力端子と、前記トランジスタのベース
    に接続された水晶振動子と、外部からの制御電圧を印加
    する制御電圧端子と、前記水晶振動子と回路のグランド
    間に直列接続された2N(Nは自然数)+1個のバラク
    タダイオードと、前記バラクタダイオードに制御電圧を
    印加し発振信号を阻止する複数の抵抗とを具備した電圧
    制御型水晶発振器。
  3. (3)トランジスタと、前記トランジスタのベースのコ
    レクタとエミッタ間に接続して発振器のバイアス回路を
    形成する抵抗と、前記トランジスタのベースとエミッタ
    と回路のグランド間に接続して発振器の帰還回路を形成
    するキャパシタと、前記トランジスタのコレクタに電源
    を供給する電源端子と、前記トランジスタのエミッタに
    接続された信号出力端子と、前記トランジスタのベース
    に接続された水晶振動子と、外部からの制御電圧を印加
    する制御電圧端子と、前記水晶振動子と回路のグランド
    間に直列接続された2N(Nは自然数)個のバラクタダ
    イオードと、前記バラクタダイオードに制御電圧を印加
    し発振信号を阻止する複数の抵抗とを具備した電圧制御
    型水晶発振器。
  4. (4)トランジスタと、前記トランジスタのベースとコ
    レクタとエミッタ間に接続して発振器のバイアス回路を
    形成する抵抗と、前記トランジスタのベースとエミッタ
    と回路のグランド間に接続して発振器の帰還回路を形成
    するキャパシタと、前記トランジスタのコレクタに電源
    を供給する電源端子と、前記トランジスタのエミッタに
    接続された信号出力端子と、前記トランジスタのベース
    に接続された水晶振動子と、外部からの制御電圧を印加
    する制御電圧端子と、前記水晶振動子と制御電圧端子間
    に並列接続されたM(Mは自然数)個のバラクタダイオ
    ードと、前記制御電圧端子とグランド間に並列接続され
    たN個(Nは自然数)のバラクタダイオードと、前記バ
    ラクタダイオードに制御電圧を印加し発振信号を阻止す
    る複数の抵抗とを具備した電圧制御型水晶発振器。
JP27463990A 1990-10-12 1990-10-12 電圧制御型水晶発振器 Pending JPH04150506A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006041107A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Epson Toyocom Corporation 直線的周波数制御が可能な電圧制御型圧電発振器
JP2008312000A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Epson Toyocom Corp 圧電発振器

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006041107A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Epson Toyocom Corporation 直線的周波数制御が可能な電圧制御型圧電発振器
US7719372B2 (en) 2004-10-12 2010-05-18 Epson Toyocom Corporation Voltage controlled piezoelectric oscillator that can be linear frequency controlled
JP2008312000A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Epson Toyocom Corp 圧電発振器

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