JPH04150511A - 表面弾性波素子とその製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子とその製造方法Info
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- JPH04150511A JPH04150511A JP27492790A JP27492790A JPH04150511A JP H04150511 A JPH04150511 A JP H04150511A JP 27492790 A JP27492790 A JP 27492790A JP 27492790 A JP27492790 A JP 27492790A JP H04150511 A JPH04150511 A JP H04150511A
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- Japan
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- acoustic wave
- comb
- surface acoustic
- thin film
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野１
本発明は、例えば通信機器用のフィルタ回路や共振器回
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。 【従来の技術】 圧電体に電圧を印加して生ずる表面弾性波を利用する素
子として表面弾性波素子が知られている。 第１図には、表面弾性波素子本体の外観図が示しである
。この図に示すように、表面弾性波素子１０は、圧電基
板ｌ上に櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３ａと３ｂ
が形成されている。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつ
ながっており、各櫛型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛
型電極３ａはパッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド
部５ｂに夫々つながっている。パッド部４ａは外部電極
６８に接続され、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッ
ド部５ａは外部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７
ｂに接続している。第４図は櫛型電極２ａと２ｂおよび
パッド部４ａと４ｂの拡大正面図であり、櫛型電極３ａ
と３ｂおよびパッド部５ａと５ｂも同じような形状をし
ている。第５図には横型電極２ａと２ｂの断面図が示し
である。櫛型電極３ａと３ｂの断面も同じような形状を
している。櫛型電極２ａの各ピッチと櫛型電極２ｂの各
ピッチは夫々対向し、櫛型電極３ａの各ピッチと櫛型電
極３ｂの各ピッチも夫々対向している。櫛型電極２８と
２ｂおよび横型電極３ａと３ｂは通常アルミニュウム金
属薄膜で、厚みが１０００Ａ〜５０００人程度、電極ピ
ッチは１ ｍｒｓ＝ １０μ−程度に形成する。 この表面弾性波素子１０で櫛型電極の一対、例えば櫛型
電極２ａと２ｂ間に外部電極６ａと６ｂを通じて高周波
信号が入力すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基
板１の表面に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波
として圧電基板ｌの表面を伝わり２もう一方の対の櫛型
電極３ａと３ｂまで到達する。櫛型電極３ａと３ｂでは
この機械的な歪から起電力が生じ、電気信号として検出
できる。このとき櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３
８と３ｂのピッチに一致しない入力周波数の信号は多数
の電極ピッチで互いに打消されて伝達されず、電極ピッ
チに一致した周波数信号のみが伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）作業や、表面弾性波素子に
キャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった作
業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。 このとき櫛型電極の電極ピッチが非常に狭いため、電極
間で放電し、表面弾性波素子が放電破壊してしまうこと
があった。また、圧電基板が帯電しやすく空気中のごみ
を吸着するので製造上の困難があった。
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。 【従来の技術】 圧電体に電圧を印加して生ずる表面弾性波を利用する素
子として表面弾性波素子が知られている。 第１図には、表面弾性波素子本体の外観図が示しである
。この図に示すように、表面弾性波素子１０は、圧電基
板ｌ上に櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３ａと３ｂ
が形成されている。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつ
ながっており、各櫛型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛
型電極３ａはパッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド
部５ｂに夫々つながっている。パッド部４ａは外部電極
６８に接続され、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッ
ド部５ａは外部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７
ｂに接続している。第４図は櫛型電極２ａと２ｂおよび
パッド部４ａと４ｂの拡大正面図であり、櫛型電極３ａ
と３ｂおよびパッド部５ａと５ｂも同じような形状をし
ている。第５図には横型電極２ａと２ｂの断面図が示し
である。櫛型電極３ａと３ｂの断面も同じような形状を
している。櫛型電極２ａの各ピッチと櫛型電極２ｂの各
ピッチは夫々対向し、櫛型電極３ａの各ピッチと櫛型電
極３ｂの各ピッチも夫々対向している。櫛型電極２８と
２ｂおよび横型電極３ａと３ｂは通常アルミニュウム金
属薄膜で、厚みが１０００Ａ〜５０００人程度、電極ピ
ッチは１ ｍｒｓ＝ １０μ−程度に形成する。 この表面弾性波素子１０で櫛型電極の一対、例えば櫛型
電極２ａと２ｂ間に外部電極６ａと６ｂを通じて高周波
信号が入力すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基
板１の表面に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波
として圧電基板ｌの表面を伝わり２もう一方の対の櫛型
電極３ａと３ｂまで到達する。櫛型電極３ａと３ｂでは
この機械的な歪から起電力が生じ、電気信号として検出
できる。このとき櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３
８と３ｂのピッチに一致しない入力周波数の信号は多数
の電極ピッチで互いに打消されて伝達されず、電極ピッ
チに一致した周波数信号のみが伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）作業や、表面弾性波素子に
キャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった作
業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。 このとき櫛型電極の電極ピッチが非常に狭いため、電極
間で放電し、表面弾性波素子が放電破壊してしまうこと
があった。また、圧電基板が帯電しやすく空気中のごみ
を吸着するので製造上の困難があった。
本発明は、従来の表面弾性波素子がもつ上記のような不
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子とその
製造方法を提供するものである。
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子とその
製造方法を提供するものである。
上記課題を解決するための本発明を適用した表面弾性波
素子は、実施消こ対応する第１図および第２図に示すよ
うに、表面を光導電性薄膜１１により被覆した圧電基板
１上に、横型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂを形成し
ている。 同じく図に示すように、本発明を適用した表面弾性波素
子は、圧電基板１の表面を光導電性薄膜１１により被覆
した後、被覆した圧電基板１上に櫛型電極２ａと２ｂお
よび３ａと３ｂを形成し、その光導電性薄膜１１に光を
照射しなからワイア９の接続およびキャップ１４（第３
図参照）の溶接封止をする。
素子は、実施消こ対応する第１図および第２図に示すよ
うに、表面を光導電性薄膜１１により被覆した圧電基板
１上に、横型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂを形成し
ている。 同じく図に示すように、本発明を適用した表面弾性波素
子は、圧電基板１の表面を光導電性薄膜１１により被覆
した後、被覆した圧電基板１上に櫛型電極２ａと２ｂお
よび３ａと３ｂを形成し、その光導電性薄膜１１に光を
照射しなからワイア９の接続およびキャップ１４（第３
図参照）の溶接封止をする。
本発明の表面弾性波素子は、圧電基板１の表面が光導電
性薄膜１１で覆っであるため、光が照射されていれば、
ワイア９の接続およびキャップ１４の溶接封止などの作
業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化があっても
静電気が圧電基板ｌ上にたまることがない。したがって
電極間で放電して表面弾性波素子が放電破壊することを
防止できる。さらに、作業中に空気中のごみが静電気に
より吸着されないので、製造が容易である。
性薄膜１１で覆っであるため、光が照射されていれば、
ワイア９の接続およびキャップ１４の溶接封止などの作
業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化があっても
静電気が圧電基板ｌ上にたまることがない。したがって
電極間で放電して表面弾性波素子が放電破壊することを
防止できる。さらに、作業中に空気中のごみが静電気に
より吸着されないので、製造が容易である。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明を適用する表面弾性波素子ｌＯの斜視図
、第２辺は表面弾性波素子ｌＯの拡大断面図である。 第１図および第２図に示すように、表面弾性波素子１０
は、アモルファスシリコン１１により被覆した圧電基板
ｌ上に櫛型電極２８と２ｂおよび３ａと３ｂを形成して
いる。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつながっており
、各櫛型型１２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電極３ａは
パッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５ｂに夫々
つながっている。パッド部４ａは外部電極６ａに接続さ
れ、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部５ａは外
部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに接続して
いる。櫛型電極２ａと２ｂおよびパッド部４ａと４ｂ、
櫛型電極３ａと３ｂおよびパッド部５ａと５ｂの拡大形
状は第４図のとおりである。 圧電基板ｌの表面を光導電性薄膜のアモルファスシリコ
ン１１により覆う方法は、以下の通りである。プラズマ
ＣＶＤ （化学気相成長）法により、圧電基板１の温度
を２００”Ｃ以下に保ったままでその表面にアモルファ
スシリコンを約１０００人の厚さに形成する。 櫛型電極２ａと２ｂ、３ａと３ｂおよびパッド部４ａと
４ｂ、５ａと５ｂは、以下のようなリングラフのパター
ン形成法により作成される。先ず圧電基板ｌにアルミニ
ュウム薄膜を真空蒸着法で約３０００人形成する。この
上にフォトレジストを約ＩＸＬｍの厚さに均一にコーテ
ィングする。そこに櫛型電極とパッドのパターンを有す
るフォトマスクを介して、紫外線光で照射する０次いで
フォトレジストを現像すれば、櫛型電極とパッドのパタ
ーンを残した光照射部分が除去されアルミニュウム薄膜
の表面が罵出される。これをリン酸／酢酸／硝酸の混合
液に浸してアルミニュウム薄膜の表面が露出している部
分を溶解するとフォトレジストに覆われている部分のア
ルミニュウム薄膜は残る。これを水洗い後、フォトレジ
ストを除去するとアルミニュウム薄膜からなる櫛型電極
２ａと２ｂ、３ａと３ｂおよびパッド部４ａと４ｂ、５
ａと５ｂのパターンが形成される。 上記によりできた表面弾性波素子１０は、さらに以下の
工程により回路部品として完成する。ここで注意するこ
とは、以下の工程は光を照射しながら、すなわち光導電
性薄膜であるアモルファスシリコン１１が導通した状態
で進める。 第３図に示すように、表面弾性波素子１０は金属性ペー
ス８に貼りつけられる。櫛型電極２ａのパッド部４ａは
ワイヤ９が接続され、さらにワイヤ９は外部接続端子６
ａに接続される。同様に櫛型電極２ｂのパッド部４ｂは
外部接続端子６ｂに、横型電極３ａのパッド部５ａは外
部接続端子７ａに櫛型電極３ｂのパッド部５ｂは外部接
続端子７ｂに夫々ワイヤで接続される。これらのワイヤ
ボンディングが終了したら金属性ベース８の上にガラス
の透明なキャップ１４を被せ、その周辺部を気密にろう
付けする。 さらに透明なキャップ１４に黒色の塗料を塗布して遮光
し、光導電性薄膜に光が届かないようにし、回路部品と
して完成する。 光導電性薄膜として用いたアモルファスシリコンは、光
照射時の導電率が１０−’〜１０−’／Ω・ｃｍ、暗時
の導電率がｔｏ−’〜ＩＱ−１０／Ω・ｃｍと大きく変
化する。そのため、上記の光を照射しながらの工程では
、圧電基板上に帯電する電荷は、光導電性薄膜を通して
常に中和される。 一方、完成した表面弾性波素子の回路部品は、遮光され
ているため光導電性薄膜が前記のごとく十分に高抵抗で
あり、表面弾性波素子としての入力インピーダンスが維
持される。 上記実施例では、キャップ１４を透明なガラスにしであ
るが、透明なプラスチックでも構成できる。遮光は塗装
によるだけでなく、覆いを貼りつけるなど他の遮光手段
でもよい。また完成した回路部品がセットの中に組み込
まれたときに暗所に配置されるのであれば、前記の遮光
は不要である。 なお光導電性薄膜１１は多結晶シリコンであってもアモ
ルファスシリコンと同様な効果が得られる。
、第２辺は表面弾性波素子ｌＯの拡大断面図である。 第１図および第２図に示すように、表面弾性波素子１０
は、アモルファスシリコン１１により被覆した圧電基板
ｌ上に櫛型電極２８と２ｂおよび３ａと３ｂを形成して
いる。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつながっており
、各櫛型型１２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電極３ａは
パッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５ｂに夫々
つながっている。パッド部４ａは外部電極６ａに接続さ
れ、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部５ａは外
部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに接続して
いる。櫛型電極２ａと２ｂおよびパッド部４ａと４ｂ、
櫛型電極３ａと３ｂおよびパッド部５ａと５ｂの拡大形
状は第４図のとおりである。 圧電基板ｌの表面を光導電性薄膜のアモルファスシリコ
ン１１により覆う方法は、以下の通りである。プラズマ
ＣＶＤ （化学気相成長）法により、圧電基板１の温度
を２００”Ｃ以下に保ったままでその表面にアモルファ
スシリコンを約１０００人の厚さに形成する。 櫛型電極２ａと２ｂ、３ａと３ｂおよびパッド部４ａと
４ｂ、５ａと５ｂは、以下のようなリングラフのパター
ン形成法により作成される。先ず圧電基板ｌにアルミニ
ュウム薄膜を真空蒸着法で約３０００人形成する。この
上にフォトレジストを約ＩＸＬｍの厚さに均一にコーテ
ィングする。そこに櫛型電極とパッドのパターンを有す
るフォトマスクを介して、紫外線光で照射する０次いで
フォトレジストを現像すれば、櫛型電極とパッドのパタ
ーンを残した光照射部分が除去されアルミニュウム薄膜
の表面が罵出される。これをリン酸／酢酸／硝酸の混合
液に浸してアルミニュウム薄膜の表面が露出している部
分を溶解するとフォトレジストに覆われている部分のア
ルミニュウム薄膜は残る。これを水洗い後、フォトレジ
ストを除去するとアルミニュウム薄膜からなる櫛型電極
２ａと２ｂ、３ａと３ｂおよびパッド部４ａと４ｂ、５
ａと５ｂのパターンが形成される。 上記によりできた表面弾性波素子１０は、さらに以下の
工程により回路部品として完成する。ここで注意するこ
とは、以下の工程は光を照射しながら、すなわち光導電
性薄膜であるアモルファスシリコン１１が導通した状態
で進める。 第３図に示すように、表面弾性波素子１０は金属性ペー
ス８に貼りつけられる。櫛型電極２ａのパッド部４ａは
ワイヤ９が接続され、さらにワイヤ９は外部接続端子６
ａに接続される。同様に櫛型電極２ｂのパッド部４ｂは
外部接続端子６ｂに、横型電極３ａのパッド部５ａは外
部接続端子７ａに櫛型電極３ｂのパッド部５ｂは外部接
続端子７ｂに夫々ワイヤで接続される。これらのワイヤ
ボンディングが終了したら金属性ベース８の上にガラス
の透明なキャップ１４を被せ、その周辺部を気密にろう
付けする。 さらに透明なキャップ１４に黒色の塗料を塗布して遮光
し、光導電性薄膜に光が届かないようにし、回路部品と
して完成する。 光導電性薄膜として用いたアモルファスシリコンは、光
照射時の導電率が１０−’〜１０−’／Ω・ｃｍ、暗時
の導電率がｔｏ−’〜ＩＱ−１０／Ω・ｃｍと大きく変
化する。そのため、上記の光を照射しながらの工程では
、圧電基板上に帯電する電荷は、光導電性薄膜を通して
常に中和される。 一方、完成した表面弾性波素子の回路部品は、遮光され
ているため光導電性薄膜が前記のごとく十分に高抵抗で
あり、表面弾性波素子としての入力インピーダンスが維
持される。 上記実施例では、キャップ１４を透明なガラスにしであ
るが、透明なプラスチックでも構成できる。遮光は塗装
によるだけでなく、覆いを貼りつけるなど他の遮光手段
でもよい。また完成した回路部品がセットの中に組み込
まれたときに暗所に配置されるのであれば、前記の遮光
は不要である。 なお光導電性薄膜１１は多結晶シリコンであってもアモ
ルファスシリコンと同様な効果が得られる。
以上、説明したように本発明を適用する表面弾性波素子
、本発明を適用する方法で製造した表面弾性波素子は、
製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、また、
ごみの静電吸着がないため、製造歩留が飛蹟的に増大す
るとともに品質が均一になるという利点がある。
、本発明を適用する方法で製造した表面弾性波素子は、
製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、また、
ごみの静電吸着がないため、製造歩留が飛蹟的に増大す
るとともに品質が均一になるという利点がある。
第１図は本発明を適用する表面弾性波素子の斜視図、第
２図は表面弾性波素子の断面図、第３図は表面弾性波素
子を組み込んだ回路部品の斜視図、第４図は櫛型電極の
拡大図、第５図は従来の表面弾性波素子の要部断面図で
ある。 １・・・圧電基板 ２ａ、２ ｂ、 ３ ａ、 ３ ｂ−・・櫛型電極４ａ
、４ｂ、５ａ、５ ｂ−・・パッド部６ａ、６ｂ、７ａ
、７ｂ−外部電極 ８・・・金属性ベース ９・・・ワイヤ１０・・・表
面弾性波素子 １１・・・光導電性薄膜 １４・・・キャップ第 図 第２図 第３図 第４図 第５図
２図は表面弾性波素子の断面図、第３図は表面弾性波素
子を組み込んだ回路部品の斜視図、第４図は櫛型電極の
拡大図、第５図は従来の表面弾性波素子の要部断面図で
ある。 １・・・圧電基板 ２ａ、２ ｂ、 ３ ａ、 ３ ｂ−・・櫛型電極４ａ
、４ｂ、５ａ、５ ｂ−・・パッド部６ａ、６ｂ、７ａ
、７ｂ−外部電極 ８・・・金属性ベース ９・・・ワイヤ１０・・・表
面弾性波素子 １１・・・光導電性薄膜 １４・・・キャップ第 図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (3)
- １．圧電基板の表面を光導電性薄膜により被覆した上に
櫛型電極を形成していることを特徴とする表面弾性波素
子。 - ２．前記光導電性薄膜がアモルファスシリコンまたは多
結晶シリコンであることを特徴とする請求項第１項記載
の表面弾性波素子。 - ３．圧電基板の表面を光導電性薄膜により被覆し、該光
導電性薄膜の上に櫛型電極を形成した後、該光導電性薄
膜に光を照射しながらワイアの接続およびキャップの溶
接封止をすることを特徴とする表面弾性波素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27492790A JPH04150511A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27492790A JPH04150511A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150511A true JPH04150511A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17548486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27492790A Pending JPH04150511A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04150511A (ja) |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27492790A patent/JPH04150511A/ja active Pending
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