JPH04150512A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPH04150512A JPH04150512A JP27492890A JP27492890A JPH04150512A JP H04150512 A JPH04150512 A JP H04150512A JP 27492890 A JP27492890 A JP 27492890A JP 27492890 A JP27492890 A JP 27492890A JP H04150512 A JPH04150512 A JP H04150512A
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- Japan
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- comb
- thin film
- acoustic wave
- surface acoustic
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えば通信機器用のフィルタ回路や共振器回
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。
路として使用するのに適した表面弾性波素子に関するも
のである。
圧電体に電圧を印加して生ずる表面弾性波を利用する素
子として表面弾性波素子が知られている。 第４図には、従来の表面弾性波素子本体の外観図が示し
である。この図に示すように、表面弾性波素子ｌＯは、
圧電基板１上に櫛型電極２ａと２ｂ及び櫛型電極３ａと
３ｂが形成されている。 各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつながっており、各櫛
型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電極３ａはパッド
部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５ｂに夫々つなが
っている。パッド部４ａは外部電極６ａに接続され、パ
ッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部５ａは外部電極
７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに接続している。 第５図は櫛型電極２ａと２ｂ及びパッド部４ａと４ｂの
拡大正面図であり、櫛型電極３ａと３ｂ及びパッド部５
ａと５ｂも同じような形状をしている。第６図には櫛型
電極２ａと２ｂの断面図が示しである。櫛型電極３ａと
３ｂの断面も同じような形状をしている。櫛型電極２ａ
の各ピッチと櫛型電極２ｂの各ピッチは夫々対向し、櫛
型電極３ａの各ピッチと櫛型電極３ｂの各ピッチも夫々
対向している。横型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３ａ
と３ｂは通常アルミニニウム金属薄膜で、厚みが１００
０人〜５０００人程度、電極ピッチは１μｍ〜１０μｍ
程度に形成する。 この表面弾性波素子１０で櫛型電極の一対、例えば櫛型
電極２ａと２ｂ間に外部電極６ａと６ｂを通じて高周波
信号が入力すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基
板１の表面に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波
として圧電基板１の表面を伝わり、もう一方の対の櫛型
電極３ａと３ｂまで到達する。櫛型電極３ａと３ｂでは
この機械的な歪から起電力が生じ、電気信号として検出
できる。このとき櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３
ａと３ｂのピッチに一致しない人力周波数の信号は多数
の電極ピッチで互いに打消されて伝達されず、電極ピッ
チに一致した周波数信号のみが伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）の作業や、表面弾性波素子
にキャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった
作業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。 このとき櫛型電極の電極ピッチが非常に狭いため、電極
間で放電し、表面弾性波素子が放電破壊してしまうこと
があった。また、圧電基板表面の帯電により空気中のご
みを吸着しやすいので、製品に欠陥を生ずることがあっ
た。
子として表面弾性波素子が知られている。 第４図には、従来の表面弾性波素子本体の外観図が示し
である。この図に示すように、表面弾性波素子ｌＯは、
圧電基板１上に櫛型電極２ａと２ｂ及び櫛型電極３ａと
３ｂが形成されている。 各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつながっており、各櫛
型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電極３ａはパッド
部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５ｂに夫々つなが
っている。パッド部４ａは外部電極６ａに接続され、パ
ッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部５ａは外部電極
７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに接続している。 第５図は櫛型電極２ａと２ｂ及びパッド部４ａと４ｂの
拡大正面図であり、櫛型電極３ａと３ｂ及びパッド部５
ａと５ｂも同じような形状をしている。第６図には櫛型
電極２ａと２ｂの断面図が示しである。櫛型電極３ａと
３ｂの断面も同じような形状をしている。櫛型電極２ａ
の各ピッチと櫛型電極２ｂの各ピッチは夫々対向し、櫛
型電極３ａの各ピッチと櫛型電極３ｂの各ピッチも夫々
対向している。横型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３ａ
と３ｂは通常アルミニニウム金属薄膜で、厚みが１００
０人〜５０００人程度、電極ピッチは１μｍ〜１０μｍ
程度に形成する。 この表面弾性波素子１０で櫛型電極の一対、例えば櫛型
電極２ａと２ｂ間に外部電極６ａと６ｂを通じて高周波
信号が入力すると、電極ピッチに対応した周期で圧電基
板１の表面に機械的歪が生ずる。この機械的歪は表面波
として圧電基板１の表面を伝わり、もう一方の対の櫛型
電極３ａと３ｂまで到達する。櫛型電極３ａと３ｂでは
この機械的な歪から起電力が生じ、電気信号として検出
できる。このとき櫛型電極２ａと２ｂおよび櫛型電極３
ａと３ｂのピッチに一致しない人力周波数の信号は多数
の電極ピッチで互いに打消されて伝達されず、電極ピッ
チに一致した周波数信号のみが伝達される。 上記した表面弾性波素子はフィルタ回路や共振器回路と
して使用される。表面弾性波素子を回路部品として完成
させるには、表面弾性波素子を金属性ベースに貼りつけ
たり、櫛型電極のパッドを外部接続端子にワイヤで接続
する（ワイヤボンディング）の作業や、表面弾性波素子
にキャップを被せてその周辺部を溶接封止するといった
作業が必要である。 表面弾性波素子は圧電基板を使用しているため、このよ
うな作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変化によ
り静電気を生ずることがある。 このとき櫛型電極の電極ピッチが非常に狭いため、電極
間で放電し、表面弾性波素子が放電破壊してしまうこと
があった。また、圧電基板表面の帯電により空気中のご
みを吸着しやすいので、製品に欠陥を生ずることがあっ
た。
本発明は、従来の表面弾性波素子がもつ上記のような不
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子を提供
するものである。
都合を解消するためになされたもので、製作作業工程中
に放電破壊してしまうことがない表面弾性波素子を提供
するものである。
上記課題を解決するための本発明を適用した表面弾性波
素子は、実施例に対応する第１図および第２図に示すよ
うに、圧電基板１上に形成された櫛型電極２ａと２ｂお
よび３ａと３ｂの対向する各欄が、直流抵抗１０’Ω〜
ｔｏ”Ωの半絶縁性薄膜１１により接続被覆されている
。 また、半絶縁性薄膜１１の比抵抗は１０’Ωｃ１１〜１
０１ΩＣ−程度であることが好ましい。
素子は、実施例に対応する第１図および第２図に示すよ
うに、圧電基板１上に形成された櫛型電極２ａと２ｂお
よび３ａと３ｂの対向する各欄が、直流抵抗１０’Ω〜
ｔｏ”Ωの半絶縁性薄膜１１により接続被覆されている
。 また、半絶縁性薄膜１１の比抵抗は１０’Ωｃ１１〜１
０１ΩＣ−程度であることが好ましい。
本発明の表面弾性波素子は、櫛型電極２ａと２ｂおよび
３ａと３ｂが半絶縁性薄膜１１と接続することにより、
電極間の直流抵抗が小さくなる。半絶縁性薄膜１１の比
抵抗値は、薄膜に加わる電界に依存するが５例えば圧電
基板ｌの帯電により放電する電界強度２ Ｖ ／ Ｃ＠
では、約１０”０ｃｍとなる。第１図に示すように、一
対の電極２ａ−２ｂの電極間隔なｄ、電極長さをβ、電
極本数をｎとし、電極の上部に半絶縁性薄ｌ１１１をｔ
の厚さに形成したとき、対向する各欄の直流抵抗Ｒは、
次式（１）により近似的に求められる。 ｉ Ｒ：８８ ρ ・□・ □ ・−・・−（１）ｔｊ
ｎ 前記の電界強度２Ｖ／ａｍの場合、 ｐ ＝＝１０’
Ｑｃｗ＋、ｄ ＝ １ ｕ＋、ｔ ＝ １００＋１人、
Ａ ＝ ｌ ａｓ、 ｎ ＝ １１１００とする
とＲ＝ １０’Ωとなり、半絶縁性薄膜を使用しないと
きの電極の直流抵抗Ｒ＞ １０”Ωよりも６桁小さくな
る。従って、ワイア９の接続およびキャップ１４の溶接
封止などの作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変
化によって静電気が圧電基板１上にたまることがないの
で、電極間で放電して表面弾性波素子が放電破壊するこ
とを防止できる。 また、圧電基板表面の帯電は半絶縁性薄膜によって中和
されるため、空気中のごみも吸着しないので製造しやす
い。
３ａと３ｂが半絶縁性薄膜１１と接続することにより、
電極間の直流抵抗が小さくなる。半絶縁性薄膜１１の比
抵抗値は、薄膜に加わる電界に依存するが５例えば圧電
基板ｌの帯電により放電する電界強度２ Ｖ ／ Ｃ＠
では、約１０”０ｃｍとなる。第１図に示すように、一
対の電極２ａ−２ｂの電極間隔なｄ、電極長さをβ、電
極本数をｎとし、電極の上部に半絶縁性薄ｌ１１１をｔ
の厚さに形成したとき、対向する各欄の直流抵抗Ｒは、
次式（１）により近似的に求められる。 ｉ Ｒ：８８ ρ ・□・ □ ・−・・−（１）ｔｊ
ｎ 前記の電界強度２Ｖ／ａｍの場合、 ｐ ＝＝１０’
Ｑｃｗ＋、ｄ ＝ １ ｕ＋、ｔ ＝ １００＋１人、
Ａ ＝ ｌ ａｓ、 ｎ ＝ １１１００とする
とＲ＝ １０’Ωとなり、半絶縁性薄膜を使用しないと
きの電極の直流抵抗Ｒ＞ １０”Ωよりも６桁小さくな
る。従って、ワイア９の接続およびキャップ１４の溶接
封止などの作業工程中に遭遇する機械的な摩擦や温度変
化によって静電気が圧電基板１上にたまることがないの
で、電極間で放電して表面弾性波素子が放電破壊するこ
とを防止できる。 また、圧電基板表面の帯電は半絶縁性薄膜によって中和
されるため、空気中のごみも吸着しないので製造しやす
い。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
！１図に示すように、表面弾性波素子１０は。
圧電基板ｌ上に横型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂを
形成しである。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつなが
っており、各櫛型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電
極３ａはパッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５
ｂに夫々つながっている。パッド部４ａは外部電極６ａ
に接続され、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部
５ａは外部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに
接続している。櫛型電極２ａと２ｂおよびパッド部４ａ
と４ｂ、櫛型電極３ａと３ｂおよびパッド部５ａと５ｂ
の拡大形状は第５図のとおりである。第２図に示しであ
るように、櫛型電極２ａと２ｂの表面を半絶縁性薄膜１
１であるシリコン窒化膜で被覆してあり、その比抵抗は
１０’Ωｃｍ〜１０９ΩＣ園程度である。櫛型電極３ａ
と３ｂの表面も同様に、比抵抗が１０４Ωｃｃｍ−１０
”Ωｃｍであるシリコン窒化膜で被覆しである。 櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂは、以下のような
リングラフのパターン形成法により作成される。先ず圧
電基板１にアルミニュウム薄膜を真空蒸着法又はスパッ
タ法で約３０００人形成する。 この上にフォトレジストを約１μｍの厚さに均一にコー
ティングする。そこに横型電極のパターンを有するフォ
トマスクを介して、紫外線光で照射する０次いでフォト
レジストを現像すれば、櫛型電極のパターンを残した光
照射部分が除去されアルミニュウム薄膜の表面が露出さ
れる。これをリン酸／酢酸／硝酸の混合液に浸してアル
ミニュウム薄膜の表面が露出している部分を溶解すると
フォトレジストに覆われている部分のアルミニュウム薄
膜は残る。これを水洗い後、フォトレジストを除去する
とアルミニニウム薄膜からなる櫛型電極２ａと２ｂおよ
び３ａと３ｂのパターンが形成される。 櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂの表面をシリコン
窒化膜１１により覆う工程は、以下のとおりである。上
記により櫛型電極のパターンが形成されている圧電基板
１上の櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂ以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストで被覆
する。そこにプラズマＣＶＤ （化学気相成長）法によ
り、圧電基板ｌの温度を２００・℃以下に保ったままで
シリコン窒化膜を約５００Å以上の厚さに形成する。次
にフォトレジストを除去すると電極部以外のシリコン窒
化膜も除去される。 最後にパッド部４ａと４ｂおよびパッド部５ａと５ｂの
電極を以下により形成する。上記により櫛型電極のパタ
ーンおよびシリコン窒化膜が形成されている圧電基板１
上のパッド部４ａと４ｂおよびパッド部５ａと５ｂに該
当する以外の部分に、同様のパターン形成法によりフォ
トレジストを被覆する。この上に真空蒸着法またはスパ
ッタ法でアルミニニウム薄膜を約５０００人形成する。 この後フォトレジストを除去するとパッド部４ａと４ｂ
およびパッド部５ａと５ｂの電極が形成できる。 上記によりできた表面弾性波素子ｌＯは、さらに以下の
工程により回路部品として完成する。第３図に示すよう
に、表面弾性波素子ｌＯは金属性ベース８に貼りつけら
れる。尚、この図に示す表面弾性波素子ｌＯは櫛型電極
２ａと２ｂが半絶縁性薄膜１２、櫛型電極３ａと３ｂが
半絶縁性薄膜１３に夫々覆われている例である。櫛型電
極２ａのパッド部４ａはワイヤ９が接続され、さらにワ
イヤ９は外部接続端子６ａに接続される。同様に櫛型電
極２ｂのパッド部４ｂは外部接続端子６ｂに、櫛型電極
３ａのパッド部５ａは外部接続端子７ａに、櫛型電極３
ｂのパッド部５ｂは外部接続端子７ｂに夫々ワイヤで接
続される。これらのワイヤボンディングが終了したら金
属性ベース８の上にキャップ１４を被せ、その周辺部を
気密にろう付けし、回路部品として完成する。 半絶縁
性薄膜として用いる材質は、表面弾性波・素子の特性が
薄膜の質量に依存するので比重が小さいものがよい、シ
リコン窒化ＩＩ （ＳＬＬ 、 ｘ ＜ ４ ）は、比
重が３．４ｇ／ｃｍ”と軽いので表面弾性波素子の特性
が劣化しない。また、半絶縁性薄膜は圧電基板表面の帯
電を効率よく中和するために比抵抗の小さいものがよい
、しかしながら、電極間の直流抵抗が約１０１Ω以下に
なると、通常用いられる電気的整合インピーダンスであ
る５０Ωもしくは７０Ωに対し、表面弾性波素子本来の
インピーダンス整合回路特性が劣化する。半絶縁性薄膜
の比抵抗は電橋構成により変化するが、通常の構成では
１０４ΩＣ−〜ｌＯ″ΩＣ−の範囲で、厚さ５００人程
度であれば電気的特性も劣化せず、櫛型電極に溜る静電
気は半絶縁性薄膜を通して潤沢に放電され、圧電基板表
面は帯電しない。 本発明で使用したシリコン窒化膜（５ｉｓＮワ）は、本
来の組成比、例えばＳｉＪ＜では絶縁抵抗が高く、比抵
抗がｔｏ”０ｃｍ以上であるが、ＳＬ組成を大きくする
ことにより導電性を上げることができる。このような特
性をもつ半絶縁性薄膜の形成方法は、以下にその方法に
ついて記す。 ５ＩＩＮ１１薄膜の形成は、マイクロ波を使用したプラ
ズマＣＶＤ法により、成膜時の圧力１３ｍ＋＊ｔｏｒｒ
、ＳｉＨ，カス流量５３ＣＣＭ、 Ｎ２ガス流量２５Ｓ
ＣＣＭ、マイクロ波電力３００ｗ、圧電基板温度は基準
の条件下で行なう。これらの条件は、 ５ｉｓＮｘ薄膜
のシリコン組成比が化学量論比より多くなる条件である
。また、スパッタ法でも形成可能である。 なお、半絶縁性薄膜１１は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｍ
、 ｘ ＜ ２ 、比重２．２ｇ／ｃｍり、シリコン酸
化窒化膜（ＳｉＯＮ、比重２．２ｇ／ａｍ”〜３．４ｇ
／ｃｍ”Ｊ 、およびシリコンカーバイト（ＳＬＣＩｌ
、 Ｘ ＜ １ 、比重３．２ｇ／ｃｎ＋３）も成膜時
の条件を変えることにより。 同様に形成できる。 τ発明の効果】 以上、説明したように本発明を適用する表面弾性波素子
は、製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、さ
らにまたごみなどによる電極の短絡がないため、製造歩
留が飛躍的に増大するとともに品質が均一になるという
利点がある。
形成しである。各櫛型電極２ａはパッド部４ａにつなが
っており、各櫛型電極２ｂはパッド部４ｂに、各櫛型電
極３ａはパッド部５ａに、各櫛型電極３ｂはパッド部５
ｂに夫々つながっている。パッド部４ａは外部電極６ａ
に接続され、パッド部４ｂは外部電極６ｂに、パッド部
５ａは外部電極７ａに、パッド部５ｂは外部電極７ｂに
接続している。櫛型電極２ａと２ｂおよびパッド部４ａ
と４ｂ、櫛型電極３ａと３ｂおよびパッド部５ａと５ｂ
の拡大形状は第５図のとおりである。第２図に示しであ
るように、櫛型電極２ａと２ｂの表面を半絶縁性薄膜１
１であるシリコン窒化膜で被覆してあり、その比抵抗は
１０’Ωｃｍ〜１０９ΩＣ園程度である。櫛型電極３ａ
と３ｂの表面も同様に、比抵抗が１０４Ωｃｃｍ−１０
”Ωｃｍであるシリコン窒化膜で被覆しである。 櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂは、以下のような
リングラフのパターン形成法により作成される。先ず圧
電基板１にアルミニュウム薄膜を真空蒸着法又はスパッ
タ法で約３０００人形成する。 この上にフォトレジストを約１μｍの厚さに均一にコー
ティングする。そこに横型電極のパターンを有するフォ
トマスクを介して、紫外線光で照射する０次いでフォト
レジストを現像すれば、櫛型電極のパターンを残した光
照射部分が除去されアルミニュウム薄膜の表面が露出さ
れる。これをリン酸／酢酸／硝酸の混合液に浸してアル
ミニュウム薄膜の表面が露出している部分を溶解すると
フォトレジストに覆われている部分のアルミニュウム薄
膜は残る。これを水洗い後、フォトレジストを除去する
とアルミニニウム薄膜からなる櫛型電極２ａと２ｂおよ
び３ａと３ｂのパターンが形成される。 櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂの表面をシリコン
窒化膜１１により覆う工程は、以下のとおりである。上
記により櫛型電極のパターンが形成されている圧電基板
１上の櫛型電極２ａと２ｂおよび３ａと３ｂ以外の部分
に、同様のパターン形成法によりフォトレジストで被覆
する。そこにプラズマＣＶＤ （化学気相成長）法によ
り、圧電基板ｌの温度を２００・℃以下に保ったままで
シリコン窒化膜を約５００Å以上の厚さに形成する。次
にフォトレジストを除去すると電極部以外のシリコン窒
化膜も除去される。 最後にパッド部４ａと４ｂおよびパッド部５ａと５ｂの
電極を以下により形成する。上記により櫛型電極のパタ
ーンおよびシリコン窒化膜が形成されている圧電基板１
上のパッド部４ａと４ｂおよびパッド部５ａと５ｂに該
当する以外の部分に、同様のパターン形成法によりフォ
トレジストを被覆する。この上に真空蒸着法またはスパ
ッタ法でアルミニニウム薄膜を約５０００人形成する。 この後フォトレジストを除去するとパッド部４ａと４ｂ
およびパッド部５ａと５ｂの電極が形成できる。 上記によりできた表面弾性波素子ｌＯは、さらに以下の
工程により回路部品として完成する。第３図に示すよう
に、表面弾性波素子ｌＯは金属性ベース８に貼りつけら
れる。尚、この図に示す表面弾性波素子ｌＯは櫛型電極
２ａと２ｂが半絶縁性薄膜１２、櫛型電極３ａと３ｂが
半絶縁性薄膜１３に夫々覆われている例である。櫛型電
極２ａのパッド部４ａはワイヤ９が接続され、さらにワ
イヤ９は外部接続端子６ａに接続される。同様に櫛型電
極２ｂのパッド部４ｂは外部接続端子６ｂに、櫛型電極
３ａのパッド部５ａは外部接続端子７ａに、櫛型電極３
ｂのパッド部５ｂは外部接続端子７ｂに夫々ワイヤで接
続される。これらのワイヤボンディングが終了したら金
属性ベース８の上にキャップ１４を被せ、その周辺部を
気密にろう付けし、回路部品として完成する。 半絶縁
性薄膜として用いる材質は、表面弾性波・素子の特性が
薄膜の質量に依存するので比重が小さいものがよい、シ
リコン窒化ＩＩ （ＳＬＬ 、 ｘ ＜ ４ ）は、比
重が３．４ｇ／ｃｍ”と軽いので表面弾性波素子の特性
が劣化しない。また、半絶縁性薄膜は圧電基板表面の帯
電を効率よく中和するために比抵抗の小さいものがよい
、しかしながら、電極間の直流抵抗が約１０１Ω以下に
なると、通常用いられる電気的整合インピーダンスであ
る５０Ωもしくは７０Ωに対し、表面弾性波素子本来の
インピーダンス整合回路特性が劣化する。半絶縁性薄膜
の比抵抗は電橋構成により変化するが、通常の構成では
１０４ΩＣ−〜ｌＯ″ΩＣ−の範囲で、厚さ５００人程
度であれば電気的特性も劣化せず、櫛型電極に溜る静電
気は半絶縁性薄膜を通して潤沢に放電され、圧電基板表
面は帯電しない。 本発明で使用したシリコン窒化膜（５ｉｓＮワ）は、本
来の組成比、例えばＳｉＪ＜では絶縁抵抗が高く、比抵
抗がｔｏ”０ｃｍ以上であるが、ＳＬ組成を大きくする
ことにより導電性を上げることができる。このような特
性をもつ半絶縁性薄膜の形成方法は、以下にその方法に
ついて記す。 ５ＩＩＮ１１薄膜の形成は、マイクロ波を使用したプラ
ズマＣＶＤ法により、成膜時の圧力１３ｍ＋＊ｔｏｒｒ
、ＳｉＨ，カス流量５３ＣＣＭ、 Ｎ２ガス流量２５Ｓ
ＣＣＭ、マイクロ波電力３００ｗ、圧電基板温度は基準
の条件下で行なう。これらの条件は、 ５ｉｓＮｘ薄膜
のシリコン組成比が化学量論比より多くなる条件である
。また、スパッタ法でも形成可能である。 なお、半絶縁性薄膜１１は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｍ
、 ｘ ＜ ２ 、比重２．２ｇ／ｃｍり、シリコン酸
化窒化膜（ＳｉＯＮ、比重２．２ｇ／ａｍ”〜３．４ｇ
／ｃｍ”Ｊ 、およびシリコンカーバイト（ＳＬＣＩｌ
、 Ｘ ＜ １ 、比重３．２ｇ／ｃｎ＋３）も成膜時
の条件を変えることにより。 同様に形成できる。 τ発明の効果】 以上、説明したように本発明を適用する表面弾性波素子
は、製造作業工程中で放電破壊することを防止でき、さ
らにまたごみなどによる電極の短絡がないため、製造歩
留が飛躍的に増大するとともに品質が均一になるという
利点がある。
第１図は本発明を適用する表面弾性波素子の斜視図、第
２図はその要部断面図、第３図は表面弾性波素子を組み
込んだ回路部品の斜視図、第４図は従来の表面弾性波素
子の斜視図、第５図は櫛型電極の拡大図、第６図は従来
の表面弾性波素子の要部断面図である。 １−・・圧電基板 ２ａ、２ｂ、３ａ、３ ｂ−・・櫛型電極４ａ、４ｂ、
５ａ、５ ｂ−・・パッド部６ａ、６ｂ、７ａ、７ ｂ
−・・外部ｔＳ８・・・金属性ベース ９・・・ワイヤ １０・・・表面弾性波素子 １１．１２．１３・・・半絶縁性薄膜 １４・・・キャップ 第３図 第４図 第５図 第６図
２図はその要部断面図、第３図は表面弾性波素子を組み
込んだ回路部品の斜視図、第４図は従来の表面弾性波素
子の斜視図、第５図は櫛型電極の拡大図、第６図は従来
の表面弾性波素子の要部断面図である。 １−・・圧電基板 ２ａ、２ｂ、３ａ、３ ｂ−・・櫛型電極４ａ、４ｂ、
５ａ、５ ｂ−・・パッド部６ａ、６ｂ、７ａ、７ ｂ
−・・外部ｔＳ８・・・金属性ベース ９・・・ワイヤ １０・・・表面弾性波素子 １１．１２．１３・・・半絶縁性薄膜 １４・・・キャップ 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (2)
- １．圧電基板上に形成された櫛型電極の対向する各櫛が
、直流抵抗１０＾３Ω〜１０＾９Ωの半絶縁性薄膜によ
り接続被覆されていることを特徴とする表面弾性波素子
。 - ２．前記半絶縁性薄膜がシリコン酸化膜、シリコン酸化
窒化膜、シリコン窒化膜およびシリコンカーバイトから
選ばれる薄膜であり、その比抵抗が１０＾４Ωｃｍ〜１
０＾９Ωｃｍであることを特徴とする請求項第１項記載
の表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274928A JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274928A JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150512A true JPH04150512A (ja) | 1992-05-25 |
| JPH0758876B2 JPH0758876B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17548500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2274928A Expired - Lifetime JPH0758876B2 (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758876B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021040A1 (de) * | 1993-03-11 | 1994-09-15 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement |
| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
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| US6580198B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-06-17 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device having a thin metal oxide film fully covering at least the electrodes and method of fabricating same |
| KR20130094918A (ko) * | 2012-02-17 | 2013-08-27 | 삼성전자주식회사 | 나노 스케일 공진기, 나노 스케일 센서 및 이의 제조방법 |
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-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274928A patent/JPH0758876B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH08167826A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Nec Corp | 弾性表面波素子 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758876B2 (ja) | 1995-06-21 |
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