JPH04151287A - ポリカーボネート架橋体を記録保持層とする二層型有機光記録媒体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主１」二＠土」Ｌ１野 本発明は熱時の形状変化を利用した消去可能な光記録媒
体およびその製造法に関する。さらに詳しくは、有機ポ
リマー／色素からなる記録層の一部に架橋性ポリマーを
用いることを特徴とする光記録媒体およびその製造法に
関するものである。

背景　術とその間超克 従来、有機色素を用いた光記録媒体は多数提案されてい
る（例えば、特開昭６１−１６３８９１６１−２６８４
８７　６２−５６１９１　６２−１２２７８７　、６２
−３９２８６．６３−７２５９４号各公報＃照〉、、ｔ
た、有機色素と有機ポリマーとを組み合わせて用いた光
記録媒体も多数提案されている（例えば、特開昭６２−
９０２９１６３−６２７９４．６３−１９１６９１号各
公報参照）、シかしながら、これらの記録媒体における
記録原理は、色素が光（多くはレーザー光）を吸収して
生じる熱による記録媒体の非可逆的な形状変化（多くの
場合、ピット形成）に基づいているため、記録の消去が
きわめて困難であるか不可能であった。すなわち、色素
単独媒体の場合は、色素の気化、離散を伴うビット形成
により記録を行なうため、いったん形成したピントを消
去することは不可能であった。また、ポリマーと色素の
混合系の場合は、ポリマーの流動変形を伴うビット形成
によって記録を行なうため、いったん形成した記録ピッ
トを効率的に消去することは困難であった。また、別の
従来技術（特開昭６０−６９８４６．６３−１３６３３
７６３−１３６３３８　、６３−１６４０４２号各公報
参照）によれば、レーザー光照射により加熱・膨張しド
ーム状突起部（ハンダ）を形成する膨張層、およびこの
形状を保持する保持層とから成る記録・消去の可能な媒
体が提案されている。この媒体に記録を行なう場合は、
あらかじめ膨張層に混合された色素の吸収波長（λ１）
でレーザー光照射を行い、該膨張層がバンブを形成し、
保持層がこの形状を維持できるようにする。また、記録
されたバングの消去を行なう場合は、予め保持層に混合
された色素の吸収波長（λ２）でレーザー光照射を行い
、保持層をそのＴｇ以上に加熱してバンブ形状の維持が
困難となるようにする。

色素／′ポリマーからなるこの二層媒体の場合、記録を
効率よく行なう、言い替えればバンブを出来るだけ高く
するには保持層のポリマーの■ｑを出来るだけ高くすれ
ばよい、そうすれば、熱膨張の程度が高い状態で保持層
がガラス状態になるからである。その反面、消去を効率
よく行なうためには逆に保持層の１０が低い方がよい、
しかも、消去可能な媒体を得るためには、保持層にレー
ザー光照射による非可逆的な変形、すなわちポリマーの
流動変形が起こることは好ましくない、このような、観
点から保持層用樹脂としては、三次元架橋ポリマーが好
ましい、しかしながら、架橋ポリマーを積層するために
は一般に塗工後硬化過程が必要となり、工業的にはこの
硬化を、短時間で行なう必要が生じる。これは、フィル
ム基板上に連続コーティングする場合には、必須の要件
になる。

ｉ匪立旦躬 本発明は上述の課題を解決し、すぐれた保持層用樹脂を
有する光記録媒体及びその製造法を提供することを目的
とする。

良朋！ソ１威 本発明者らは上述の相矛盾する要件を満足する保持層用
樹脂を得るべく鋭意検討の結果、特定の構造を有するポ
リカーボネート架橋体が所望の熱的特性を有し、かつ紫
外線照射または熱処理により短時間で硬化することを見
いだし本発明に刺違した。

すなわち、本発明は、 （１）基板上に、少なくとも室温でゴム弾性を示す樹脂
（Ｐ２）と色素（Ｄ２）とからなる膨張層（Ａ＞と、室
温でガラス状態、それより高い温度でゴム状態に可逆的
に変化し得る樹脂（Ｐ２）と色素（Ｄ２）とからなる保
持層（Ｂ）とを支持してなる光記録媒体において、該保
持層樹脂Ｐ２が （ａ）室温での弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
（ｂ）ガラス転移温度か６０〜１５０℃であって、ｆｃ
）架橋構造を有するポリカーボネート樹脂であることを
特徴とする消去可能な二層型有機光記録媒体である。

また本発明は、ポリカーボネートをラジカル開始剤およ
び必要に応じて架橋剤の共存下、膨張層（Ａ）上に塗工
した後、紫外光照射または熱処理することを特徴とする
上記の光記ｉａ体の製造法を包含する。

本発明における光記録媒体は、少なくとも室温でゴム弾
性を示す樹脂（Ｐ２）と色素（ＤＩ）とからなる膨張層
（Ａ）と、室温でガラス状態、それより高い温度でゴム
状態に可逆的に変化し得るｉ脂（Ｐ２）と色素（Ｄ２）
とからなる保持層（Ｂ）を基板で支持してなる。なお、
基板に対するｍ膜層（Ａ）と保持層（Ｂ）との関係は、
レーザー入射方向に対応して適宜変更できる。

膨張層（Ａ）はレーザー照射により加熱した際に効果的
に膨張することが記録特性を高める上で必要である。そ
して、記録により生成したバングを効率的に消去して元
の状態に戻すためには高いゴム弾性が消去時には要求さ
れる。したがって、樹脂（Ｐ２）は高いゴム弾性を示し
、且っレーザー光照射により流Ｉ！Ｉｌｆ形を起こさな
いことが必要である。好適に用いられる樹脂としては、
天然ゴム：スチレン−ブタジェンゴム、ブタジェンゴム
、イングレンゴム、ニトリルゴム、クロロズレンゴム、
ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、ウレタンゴム
、シリコーンゴムなどの合成ゴム：スチレン系、オレフ
ィン系、ウレタン系の熱可塑性エラストマー：アミン架
橋型、イソシアネート架橋型、紫外線架橋型のエラスト
マーが挙げられる。

色素Ｄ１およびＤ２は、それぞれ記録過程および消去過
程においてレーザー光を効率よく吸収して熱に変換する
役割をする。従って、記録用レーザーおよび消去用レー
ザーの発振波長域に合致している色素が選ばれる。そし
て、両レーザー光を選択的に吸収出来るように、それぞ
れの発振波長域での吸収強度が過度に重ならないことが
好ましい、また、現状の光記録分野で使用されるレーザ
ーが半導体レーザーであることがら近赤外に吸収ピーク
を有する色素が好ましい、また、読み取りは媒体表面の
光反射を利用するために、保持層での光反射率が高いこ
とが要求される。この観点から、色素Ｄ２は高反射率を
有することが好ましい。

もちろん吸収特性を効率的に行なうために、色素はそれ
ぞれの樹脂に均一分散するように選択すべきである。好
適な色素Ｄ１およびＤ２としては、ポリメチン系色素、
ビリリウム系色素、チアピリリウム系色素、スクワリリ
ウム系色素、クロコニウム系色素、アズレニウム系色素
などのシアニン系色素：フタロシアニンやナフタロシア
ニンなどのフタロシアニン系色素ニジチオール金属錯体
；ナフトキノン、アントラキノン系色素；トリフェニル
メタン系色素：アミニウム、ジインモニウム系色素か挙
げられる。

本発明において、保持層（Ｂ）に用いられる樹脂（Ｐ２
）は、記録時に熱膨張により生成したバンプを固定し、
消去時にはバンプの固定の解除を許容する機能を担って
いる。従って、内作用を効率的に行なうために、高温で
はゴム状態になり膨張層（Ａ）の熱膨張に伴うバンプを
形成しやすくするために、弾性率か低いことが必要であ
る。高温での弾性率は室温での値の１／１０以下、好ま
しくは！’２０以下であることかよい。常温では膨張層
（Ａ）の収縮力に抗してバンプを固定するために高い引
っ張り弾性率が必要であり、５０嘘／ｍｍ２以上、好ま
しくは８０ｋｇ　／ｍｍ２以上であることが必要である
が８００ｋｇ　／−を越えると高温での弾性率が高い値
となり消去しにくくなる。引っ張り弾性率が低いとバン
プの形状を十分に保持できなくなり、記録特性および記
録安定性が低下する。また、効率的な記録および消去の
ためには、ガラス状態からゴム状態に変化する温度（ガ
ラス転移温度Ｔｇ）も重要になる。その意味から、転移
温度は６０〜１５０°Ｃ１好ましくは７０〜１２０℃が
挙げられる。これ以下であれば形成したバンプの窩さか
低く記録特性において好ましくなく、また記録安定性に
おいても好ましくない、またこれ以上では、消去時に消
去残が残り好ましくない。

本発明において用いられる樹脂Ｐ２としては、脂肪族不
飽和炭化水素基を分子内に含むポリカーボネートを光ま
たは熱反応により架橋してなるポリカーボネート架Ｗ＃
木である。かかるポリカーボネートはそれ自体該記録媒
体保持層に適する■９を有するばかりでなく、丈夫で均
一な塗膜を形成することができる。そればかりでなく、
架橋して不溶化することも可能である。不溶化の程度は
、ジクロルメタンなどの良溶剤に対する溶解部分が１０
ｗｔ％以下であることが好ましく、更に好ましくは５１
％以下である０本発明に使用されるポリカーボネート樹
脂としては、下記式［Ｉ］〜［ＩＶ］から選ばれる少な
くとも１種の単位を少なくとも１０モル％以上含むポリ
カーボネートを架橋したものが挙げられる。

または下記−数式［■］： または下記−数式［■］： ポリカーボネート［Ｉ］、［ｎ］、［１１１］および［
ＩＶ］中のそれぞれＲｔ、　Ｒ２，Ｒ３，ＲＡ、　　Ｒ
う、ＲＢおよびＲ７に用いられる脂肪族不飽和炭化水素
基の好適例としてはビニル基、アリル基、プロペニル基
、インプロペニル基、１．４−ブタジェニル基、１．３
−ペンタジェニル基などが挙げられる。また、Ｒａ、　
Ｒｂに用いられる飽和炭化水素基の好適例としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、イソブチ
ル基などが挙げられる。また、ポリカーボネート［ＩＩ
］中のＲｃの好適例を、結合している炭素数を含めた環
状二価基として示すと、シクロペンチリデン基、シクロ
へキシリデン基、ビシクロ［２，２，１１へブチリデン
基などが挙げられる。ｔた、ポリカーボネート［ＩＶｒ
中のＸの好適例としては、フェニレン基、シクロアルキ
レン基、アラルキレン基、−０−１−Ｓ−１−ＳＯ２Ｃ
Ｈ３ＣＨ。

Ｃ−Ａｒ−Ｃ−、−３Ｏ２−Ａｒ−３Ｏ２ＣＨ３ＣＨ３ ０（ｃＨ２）２　　０−５　　Ｏ（ｃＨ２）−〇−基な
どが挙げられる。これらの不飽和基を含む単位［Ｉ］、
［Ｉ［］、［ＩＩＩ］および［ＩＶ］から選ばれる少な
くとも１種の繰返し単位はポリカーボネート中に少なく
とも１０モル％、好ましくは２０モル％以上含まれる。

不飽和基を含む単位の占める割合が１０モル％未満であ
ると架橋度が十分でなくなるために好ましくない。これ
らの、構造の選択ならびに割合は、Ｔ（ｌを含む熱的性
質、力学的性質、色素との相溶性、架橋剤との相溶性、
溶媒に対する溶解性、光架橋性などを勘案して選択すべ
きである０本発明においてはこれらの単位を単独で用い
ても良いし、複数種を混合として用いてもよい。

［Ｔコ、［Ｕ］、［Ｉｆ［コ及び「■コ以外の繰返し単
位は、不飽和基を含んでいない繰返し単位、例えば式［
Ｉ］、［■コ、［Ｉ［［］、［■］の繰返代表例として
下記式、 ＣＨ３ あるいは、 で表わされる単位を有するポリカーボネートが挙げられ
る。王叡−β７Ｌ二し一幕１２ａ和ｔ、Ｉ＼Ｏ〒Ｊｒ−
ｊ、２ｆｉ桑二６ヱい２もＪＬゝ。

本発明に用いられるポリカーボネート系樹脂は、従来よ
く知られている反応（日刊工業新聞社、プラスチック材
料講座［５１、ポリカーボネート樹脂、９頁〜１４頁参
照）によって得られる。その−例を下記に示す。

（１）ホスゲンを用いる次式で示される反応、（Ｒ１）
ｍ　　　Ｒａ　　Ｒｂ　　（Ｒ２）ｎジオキシ化合物の
ビスクロロホルメートを用いる反応 炭酸ジエステルを用いる次式で表わされる反応 などが用いられる（上記式中、Ｒ１，Ｒ２、Ｒａ、　Ｒ
ｂ、Ｉおよびｎは前記式［Ｉ］と同じ定義のものである
。Ｒ８はアリーレン基を表す、Ｒ３はアルキル、シクロ
アルキル及びアリール基のいずれかを表わす、）ポリカ
ーボネートが透明性に優れ、かつ安価に製造できる点で
ホスゲンを用いる反応が最も好適に用いられる。

ポリカーボネートの架橋反応は、熱的に行うこともでき
るし、光化学反応的に行うこともできる。

熱による架橋反応は、ラジカル開始剤の共存下で必要に
応じて架橋剤を加えて該ポリマーを加熱することにより
容易に達成される。ラジカル開始剤としては、５０〜１
００°Ｃでの半減期が１〜１０時間のものがアロセス上
から好ましい。具体例としてはベンゾイルパーオキサイ
ド、ジイソプロピルパーオキサイド、ｔ〜プチルパーオ
キシピパレート、オクタノイルパーオキサイド、ラウロ
イルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、シクロ
ヘキサンパーオキサイドなどのパーオキサイド類、アゾ
ビスイソブチロニトリルおよびアゾビスイソバレロニト
リルなどのアゾ化合物が挙げられる。また、架橋剤も用
いることができる。架橋剤としては、シアツルフタし一
ト、ジアリルアミン塩酸塩、ジアリルエーテルＥなどの
ジアリル化合物、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、エチレンジメタクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレートなどの多官能アクリレートが好適
に用いられる。

ポリカーボネートを熱的に架橋反応する場合は、ｆｉ工
ｒ＆５０〜１５０℃、好４　Ｌ　＜　ハフ０〜１５０　
℃”’Ｃ−行う。

５０℃以下では熱硬化反応が十分に進行せず好ましくは
ない。また、１５０℃以上では基板や色素の劣化を来す
ために好ましくない、硬化時間は、一般に５分〜１０時
間、好ましくは１０分〜５時間の範囲で行なわれる。

ポリカーボネートの架橋反応を紫外光線の照射により行
なう場合には、光ラジカル開始剤のほかに好ましくは架
橋剤の共存下で塗工ｆ＆紫外線照射することにより行な
われる。この場合に好適に用いられる架橋剤としては、
（１）ポリアリル化合物、（２１多官能アクリレート、
（３１ポリメルカアタンおよび（４）多官能アジド化合
物などが挙げられる。ポリアリル化合物としては、ジア
リルフタレート、ジアリルアミン塩酸塩、ジアリルエー
テルなどのジアリル化合物が好適例として挙げられる。

多官能アクリレートとしては、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどが代
表的な例として挙げられる。ポリメルカプタンとしては
、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプトグロビ
オネート）や１，４−ジメルカプトヘキサンなどが挙げ
られる。多官能のアジド化合物としては、熱安定性が比
較的良好な芳香族系アジドが好ましく用いられる。好適
に用いられる多官能アジドとしては、４．４“−ジアジ
ドベンザルアセトン、２．６−ジ（４°−アジドベンザ
ル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４゛−アジドベン
ザル）−４−メチルシクロヘキサンノン、ジ［４−（４
°−アジドフェニル）ブタジェニル１ケトン、４．４°
−ジアジドカルコン、４．４°−ジアジドスチルベン−
２，２°−ジスルホン酸などが挙げられる。上記架橋剤
の内、ポリアリル化合物、多官能アクリレート、および
ポリメルカプタンを使用する光架橋反応においては光ラ
ジカル開始剤の共存が好ましい、好適な光ラジカル開始
剤としては、ベンゾフェノン、ミヒラーズゲトンなどの
ベンゾフェノン系化合物、ベンジル、フェニルメトキシ
ジケトンなどのジケトン系化合物、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンジルジメチルケタールなどのベンゾイン系
化合物、２，４−ジエチルチオキサントンなどのチオキ
サントン系化合物、２−メチルアントラキノン、カンフ
ァーキノンなどのキノン系化合物などが好ましく用いら
れる。また、必要に応じて上記開始剤以外の光架橋反応
促進剤（例えば、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミンベンゼン誘導
体）を併用することも可能である。照射源としては水銀
灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、メチルハライドランプな
どが好適に用いられる。光源のパワーは、Ｉ　ｌｌ１４
／−〜１ｋ１４／′−か用いられる。照射時間は光源の
パワーおよび光反応速度に依存するが、１秒〜１時間、
好ましくは１秒〜１０分間の間で行なわれる。

本発明において用いられるこれらのポリカーボネート、
架橋剤および開始剤は、色素と混合した上で基板上に塗
工・硬化される。使用する基板は特に限定はないが、一
般にはポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、
ポリ−４−メチルペンテン−１、カラスなどのディスク
状基板やポリエステルなどのフィルム状基板が用いられ
る。色素／樹脂の比率（重量比）は、色素の吸光度、膜
厚にも依存するが一般には０．０５〜０．４、好ましく
は０．１〜０．３である。膨脹層の膜厚は一般には、０
．５〜１０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍか用い
られ、保持層の膜厚は０．１〜３．０μｍ、好ましくは
０．３〜２０μｍが用いられる。塗工法は特に限定はな
いが、スピンコード法、流延法、バーコード法、ドクタ
ーナイフ法、グラビヤコート法などが用いられる。その
際使用される好適な溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン
、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素：メタノール、
エタノール、ブタノールなどのアルコール類；クロロホ
ルム、塩化メチレンなどのハロアルカン類；酢酸エチル
、酢酸ブチルなどのエステル類；アセトン、メチルエチ
ルゲトン、メチルイソブチルゲトン、シクロヘキサノン
などのゲトン類：エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどのグラ
イム類：テトラヒドロフラン、ジオキンなどのエーテル
類、ニトロメタン、アセトニトリルおよびそれらの混合
物が挙げられる。

かくして得られた二層媒体の記録・再生・消去は二種類
のレーザー光を照射することにより行なう、その際使用
するレーザーとしては、ヘリウムネオンレーザ−、アル
ゴンレーザー、半導体レーザーなどが用いられるが、小
型で安価な半導体レーザーがより好ましい、以下、膨脹
層色素Ｄ１が８４０　ｒ＋ｎ近傍に吸収を示し、保持層
色素Ｄ２が７８０ｎｉ１近傍に吸収を示す媒体を例にと
って説明する。

記録は、８４０ｎｎのレーサー光を照射することにより
行なう、この際、主として膨脹層が光を吸収してバング
を形成する。再生は、８４０ｎｎの弱いレーサー光を照
射し、記録部と未記録部との反射率の差を読みとること
により行なわれる。消去は、７８０ｎｎのレーザー光を
照射することにより行なわれる。一般的に、記録は、５
〜３０１１４、好ましくは７〜２０ｎ１４のパワーで２
０〜００１μ秒照射する。再生は０．５〜３ｎＷ、好ま
しくは０．７〜２．０＋ａ簀のパワーで行なわれる。消
去は、１〜２０ｎ１４．好ましくは３〜１２１のパワー
で０．１〜２０μ秒照射する。

発明の効果 本発明の架橋ポリカーボネート樹脂を保持層とする二層
媒体は優れたバング形成性、言い替えれば記録特性を示
すだけでなく、優れた消去特性を示す、そして、媒体の
流動を伴う非可逆的な変形を生じないために記録、消去
の繰り返しに耐える。

また、本発明によると、製膜が低温・高速で行なえるな
めに、基板や使用色素の劣化を来たすことなく塗工・硬
化が行なえ、かつａ＃コストが安価になると言う工業上
の利点も有している。

Ｋ１週 以下に、本発明を実論例に従ってさらに詳しく説明する
。

参考例１ （３，３“−ジアリルビスフェノールＡ〜ビスフェノー
ルＺコポリカーボネートの製造法） 撹拌機、温度計、ガス導入管および還流冷却器を備え付
けた１リツトルの三つ口丸底フラスコに乾燥した窒素ガ
スを流しながら、４８．５％のカ性ソーダ水溶液５３．
７重量部、水２３０．８重量部、　３．３’−ジアリル
ビスフェノールＡ３１．４重量部、ビスフェノール２２
７．３重量部を仕込んで溶解した。この溶液を水浴で２
０℃に冷却し撹拌しながらホスゲンガス２６．２重量部
を１時間かけて徐々に導入した。その後、４８．５％の
力性ソーダ水溶液８，４重量部を加え、さらに反応停止
剤としてρ−ｔ−ブチルフェノール０．６１重量部を加
えた後、３０℃で１時間重合反応を続けた０反応終了後
、塩化メチレン層を分離して塩酸酸性にしたのち、水洗
を繰り返し溶存塩類を除去した。その後、塩化メチレン
を蒸発して固体を得な（収＄９９％、）。かくして得ら
れた重合体の塩化メチレン中、２０℃で測定した比粘度
は０．２１であった。このものは、塩化メチレン、クロ
ロホルム、トルエン、テトラヒドロフラン、シクロヘキ
サノンなどに１０重量％可溶であった。また、水素核磁
気共鳴スペクトルによる測定の結果、このものは下記式
の２，２゛−ジアリルビスフェノールＡルビスフエノー
ルＺの１：１共重合ポリカーボネートであることが確認
された。

実施例１ 膨脹層樹脂Ｐ】として、ウレタンアクリレートＵ−１２
２＾（新中村化学）１００重１部を用い、この樹脂に光
重合開始刑としてイルガキュアー９０７（ｃｈｉｂａ　
Ｇｅｉｇｙ社）を３重量部、８３０ｎｉ半導体レーザ用
色素としてポリメチン色素ＩＲ−８２０（日本化薬）を
１０重量部添加し、溶媒としてメチルエチルゲトンを用
い、塗工溶液を作成した。得らた溶液をガラス基板に膜
厚３〜４μｍになるように塗工し乾燥した後、窒素雰囲
気下で８０　ｗ　ｙ’　ｃｉの高圧水銀灯光を３０分間
照射することにより紫外光硬化を行なった。次に、参考
例１で得たアリル置換ポリカーボネート共重合体１００
重量部、シアニン色素（ＮＫ−１２５，日本感光色素）
１０重量部、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカ
プトプロピオネート）１０重量部およびイルガキュア９
０７．１重量部をクロロホルムに溶解して１０重量％の
均一溶液を得た。この溶液を厚み１μｍになるように上
記膨張層上に塗布したのち８０℃にて１０分間乾燥した
。しかる後、この皮膜を静置下、８０ｗ／ｉの照射エネ
ルギーを持つ高圧水銀灯により１０分間照射することに
より皮膜を硬化した。得られた二層構成媒体に、８３０
ｎＩｌの発振波長と先頭出力１０１１４の半導体レーザ
光を０２μ秒照射したところ、媒体表面に直径１．４μ
ｍの明瞭な隆起部（バンプ）の形成が認められた。引続
き、この記録スポット上に、ビーム径５μｍ、発振波長
７８０ｎｍの７１−半導体レーザ光を５μ秒間照射した
ところ、上記のバンプは８Ｎ鏡観察では確認できない程
度に消滅していた。この結果から、上記の記録媒体は記
録・消去の可能な光字情報記録媒体となりうろことが分
かった。

実論例２ 実株例１において保持層としてアリル置換ポリカーボネ
ート共重合体を用いる代わりに、下記のアリル置換ポリ
カーボネート単独重合体を用いて同様に二層媒体を得た
。

かくして得られた二層構成ａ体に、８３０ｎ１１の発振
波長と先頭出力１０ｎ−の半導体レーザ光を０．１μ秒
照射したところ、媒体表面に直径１．４μｍの明譚な隆
起部（バンプ）の形成が認められた。引続き、この記録
スポット上に、ビーム径５μｍ、発振波長７８０ｎｌｌ
の７１半導体レーザ光を４．０μ秒間照射したところ、
上記のバンプは顕微鏡観察では確認できない程度に消滅
していた。

この結果から、上記の記録媒体は記録・消去の可能な光
学情報記録媒体となりうろことが分かった。

ＣＨ２ＣＨ２ 実施例３ 実施例１において膨張層として単独のウレタンアクリレ
ートＵ−１２２Ａを用いる代わりに、多官能架橋成分で
あるウレタンアクリレートオリゴマー（Ｕ−１２２６＾
、新中村化学）との４：６重量比混合物を用い、同様に
二層媒体を作成した。かくして得られた二層構成媒体に
８３Ｏｎ１Ｍの発振波長と先頭出力１０ｎ１４の半導体
レーザ光を０．２μ秒照射したところ、媒体表面に直径
１．６μｍの明瞭な隆起部（バンプ）の形成か認められ
た。引続き、この記録スポット上に、ビーム径５μｍ、
発振波長７８０ｎｉｍの７１−半導体レーザ光を５．０
μ秒間照射したところ、上記のバンプは蓼微鏡観察では
確認できない程度に消滅していた。この結果から、上記
の記録媒体は記録・消去の可能な光学情報記録媒体とな
りうろことが分かった。

実施例４ 実施例１において、ペンタエリスリトールテトラ（３−
メルカグトプロピオネート）を用いる代わりに、トリメ
チロールプロパントリアクリレートを用いて同様に二層
媒体を作成した。この媒体に実施例１と同様に発振波長
８３０ｎｎ　、強度１０ｎＷの記録用レーザ光を０．２
μ秒照射したところ、明瞭なバンプ形成が認められた。

引続き、こ記録スポット上に、ビーム径５μｍ、発振波
長７８０ｒ＋ｎの７１半導体レーザ光を６μ秒間照射し
たところ、上記のバンプは謬微鏡観察では確認できない
程度に消滅していた。この結果から、上記の記録媒体は
記録・消去の可能な光学情報記録媒体となりうろことが
分かった。

実施例５ 実施例３で得た二層媒体を、線速度２ｍ／秒で移動しな
がら発振波長８４０ｎｌ、強度１０ｎ−のレーザを５　
ＭＨｚ　　（ｄｕｔｙ比５０）のサイクルで照射したと
ころ媒体上に直径１．２μｍの明瞭なバンプ列が形成し
、そのＣ／’　Ｎ比は５２ｄＢであった。引続き、この
記録バング列上に、発振波長７８０ｎｌの７１−半導体
レーザ光を連続照射したところ、上記のバンプは消滅し
た。この記録・消去テストを１０００回繰り返しな後Ｃ
／Ｎ比は５２ｄＢと全く変化しなかった。この結果から
、上記の記録媒体は高い繰り返し記録・消去特性を有す
る光学情報記録媒体となりうろことが分かった。

特許出願人　帝　人　株　式　会　社 帝人化成株式会社 代　理　人　弁理士　前　１）純　博

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、少なくとも室温でゴム弾性を示す樹脂
   （Ｐ＿１）と色素（Ｄ＿１）とからなる膨脹層（Ａ）と
   、室温でガラス状態、それより高い温度でゴム状態に可
   逆的に変化し得る樹脂（Ｐ＿２）と色素（Ｄ＿２）とか
   らなる保持層（Ｂ）とを支持してなる光記録媒体におい
   て、該保持層樹脂Ｐ＿２が （ａ）室温での弾性率が５０ｋｇ／ｍｍ＾２以上であり
   、 （ｂ）ガラス転移温度が６０〜１５０℃であって、 （ｃ）架橋構造を有するポリカーボネート樹脂であるこ
   とを特徴とする消去可能な二層型有機光記録媒体。
2. （２）ポリカーボネート樹脂が下記一般式［ I ］：▲
   数式、化学式、表等があります▼［ I ］ または下記一般式［II］： ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ 式［ I ］中、Ｒ＿１およびＲ＿２は同一または異なり
   炭素数２〜８の一価の脂肪族不飽和炭化水素基であり、
   Ｒ＿ａおよびＲ＿ｂは同一または異なり水素原子、ハロ
   ゲン原子を有していてもよい炭素数１〜８の飽和炭化水
   素基または芳香族炭化水素基である。 式［II］中、Ｒ＿３およびＲ＿４は同一または異なり炭
   素数２〜８の一価の脂肪族不飽和炭化水素基であり、Ｒ
   ＿ｃは炭素数４〜１０の二価の飽和炭化水素基である、
   式［ I ］、［II］中、ｍおよびｎはそれぞれ０．１又
   は２であり、かつｍ＋ｎは１以上である。 または下記一般式［III］： ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ 式［III］中、Ｒ＿５は炭素数２〜８の一価の脂肪族不
   飽和炭化水素基である、また、１は１または２である。 からなる単位を少なくとも１０モル％以上含むポリカー
   ボネートを架橋したものであることを特徴とする請求項
   １記載の消去可能な二層型有機光記録媒体。
3. （３）ポリカーボネート樹脂が下記一般式［IV］：▲数
   式、化学式、表等があります▼［IV］ 式［IV］中、Ｘは炭素数２以上のアルキレ ン基、フェニレン基、シクロアルキレン基、アラルキレ
   ン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ＿２▲数式、化学式、表
   等があります▼、−ＳＯ＿２−Ａｒ− ＳＯ＿２−、−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基のいずれかを表わす、た
   だし、Ａｒは核置換されていてもよい炭素数６〜１２の
   アリーレン基である、またＺは炭素数２〜４のアルキレ
   ン基、Ｒ＿６およびＲ＿７は同一または異なり炭素数２
   〜８の一価の脂肪族不飽和炭化水素基である、また、１
   およびｎはそれぞれ０、１または２でありかつｍ＋ｎは
   １以上である。 で表わされる単位を少なくとも１０モル％以上含むポリ
   カーボネートを架橋したものであることを特徴とすると
   する請求項１記載の消去可能な二層型有機光記録媒体。
4. （４）ポリカーボネートをラジカル開始剤および必要に
   応じて架橋剤の共存下、膨脹層（Ａ）上に塗工した後、
   紫外光照射または熱処理することを特徴とする請求項１
   〜３記載の消去可能な光記録媒体の製造法。