JPH04151842A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04151842A
JPH04151842A JP2277490A JP27749090A JPH04151842A JP H04151842 A JPH04151842 A JP H04151842A JP 2277490 A JP2277490 A JP 2277490A JP 27749090 A JP27749090 A JP 27749090A JP H04151842 A JPH04151842 A JP H04151842A
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JP
Japan
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bonding
semiconductor chip
wire
wires
package
Prior art date
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Pending
Application number
JP2277490A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Fukuda
浩之 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04151842A publication Critical patent/JPH04151842A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の内部のワイヤボンディングに
関するものである。
［従来の技術］ 第３図はＺＩＰ（Ｚｉｇ−Ｚａｇ　Ｉｎ１ｉｎｅ　Ｐａ
ｃｋ　ａｇｅ）にワイヤボンディングされた従来の半導
体装置内部の平面図、第４図は第３図に示すＡ−Ａにお
ける拡大断面図である。
図において、（１）はインナーリード、（２）はホンデ
ィングワイヤ、（３）はボンディングパット、（４）は
半導体チップである。
次に動作について説明する。
半導体チップ（４）はパッケージにダイボンディングさ
れた後、パッケージのインナーリート（１）と、半導体
チップ（４）上に形成されたポンディングパッド（３）
との間を、金線超音波併用熱圧着ポールボンディング方
式、アルミ線超音波ウェッジボンディング方式又は銅線
超音波併用熱圧着ポールボンディング方式などにより、
金属性のポールボンディングワイヤ（２）を用いて結線
される。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
ボンディングワイヤか封止樹脂の応力などによって流れ
てショートしたり、ボンデングワイヤが交差しないよう
に結線しなければならす、ピン数の多いＺＩＰなとは、
ボンデングパッドの方向性が決められ、半導体チップの
面積がさらに大きくなるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ボンデングワイヤが交差してもショートの原
因とならす、又、半導体チップの小型化が可能である半
導体装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、絶縁被覆されたボンデン
グワイヤで結線したものである。
［作　用］ この発明における半導体装置は、絶縁被覆されたボンデ
ングワイヤで交差するようにワイヤホンデングしても、
電気的にショートの原因とならない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はＺＩＰにワイヤホンデングされた半導体装置の内部
の平面図、第２図は第１図に示すＢ・Ｂにおける拡大断
面図である。図において（１）、（３）、（４）は第３
図の従来例に示したものと同等でおるので説明を省略す
る。（５）は絶縁被覆されたボンデングワイヤ（６）は
ボンデングワイヤ（５）の絶縁被覆である。
に動作について説明する。半導体チップ（４）は、パッ
ケージにグイホンティングされた後、パッテ−ジのイン
ナーリート（１）と、半導体チップ（４）上に形成され
たホンデングバット（３）との間を、金線超音波併用熱
圧着ホールホンディング方式、アルミ線超音波ウェッジ
ホンディング方式又は、銅線超音波併用熱圧着ホールホ
ンディング方式なとにより、ホンディングワイヤ（５）
を用いて結線される。第１図に示すようにホンディング
ワイヤ（５）か交差しても、絶縁被覆（６）で覆われて
いるので、電気的にショートにはならない。
なお、上記実施例ではＺＴＰの場合について説明したが
、どのような形状のパッケージであってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、絶縁被覆されたボン
ディングワイヤでワイヤボンディングしたので、ボンデ
ィングワイヤか樹脂の応力により流れてショーＩ・する
を防くことかてき、ボンディングワイヤを交差させて使
用できるので、例えばＺＴＰなとの様に、従来半導体チ
ップの片側にホンディングパットか集中するのに対し、
比較的任意にホンディングパットの位置を選択すること
かてきるのて、信頼性のみならす、半導体チ・ノブ面積
の縮小化がおこなえる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるＺＩＰにワイヤボン
ディングされた半導体装置の内部の平面図第２図は第１
図に示すＢ−Ｂにおける拡大断面図、第３図はＺＩＰに
ワイヤボンディングされた従来の半導体装置の内部の平
面図、第４図は第３図に示すＡ−Ａにおける拡大断面図
である。 図において、（１）はインナーリート、（３）はボンデ
ィングバット、（４）は半導体チップ、（５）はボンテ
ィングワイヤ、（６）は絶縁被覆である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置をアセンブリするに際して、絶縁被覆された
    ボンディングワイヤでワイヤボンディングしたことを特
    徴とする半導体装置。
JP2277490A 1990-10-15 1990-10-15 半導体装置 Pending JPH04151842A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2277490A JPH04151842A (ja) 1990-10-15 1990-10-15 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP2277490A JPH04151842A (ja) 1990-10-15 1990-10-15 半導体装置

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JPH04151842A true JPH04151842A (ja) 1992-05-25

Family

ID=17584326

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JP2277490A Pending JPH04151842A (ja) 1990-10-15 1990-10-15 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10129006A1 (de) * 2001-06-15 2003-01-02 Conti Temic Microelectronic Elektronische Baugruppe
JP2007088453A (ja) * 2005-09-23 2007-04-05 Freescale Semiconductor Inc スタックダイパッケージを製造する方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10129006A1 (de) * 2001-06-15 2003-01-02 Conti Temic Microelectronic Elektronische Baugruppe
DE10129006B4 (de) * 2001-06-15 2009-07-30 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronische Baugruppe
JP2007088453A (ja) * 2005-09-23 2007-04-05 Freescale Semiconductor Inc スタックダイパッケージを製造する方法

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