JPH04152556A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH04152556A JPH04152556A JP2275443A JP27544390A JPH04152556A JP H04152556 A JPH04152556 A JP H04152556A JP 2275443 A JP2275443 A JP 2275443A JP 27544390 A JP27544390 A JP 27544390A JP H04152556 A JPH04152556 A JP H04152556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- resin
- semiconductor device
- transparent resin
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、樹脂封止型の光半導体装置に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
この種の半導体装置では、アイランドに光半導体素子と
しての光半導体チップを装着し、これを透明樹脂でモー
ルドしている、所謂、クリアモールドパッケージの構成
が採用されている。即ち、第３図に示すように、平坦な
アイランド３ａ上に導電性ペーストなどを介して光半導
体チップ２を装着するのである。そして、上記光半導体
チップ２とリード３ｂとの間をボンディングワイヤ４で
結び、上記リード３ｂの外端を残して、これらを非導電
性の樹脂１でモールドするのである。
しての光半導体チップを装着し、これを透明樹脂でモー
ルドしている、所謂、クリアモールドパッケージの構成
が採用されている。即ち、第３図に示すように、平坦な
アイランド３ａ上に導電性ペーストなどを介して光半導
体チップ２を装着するのである。そして、上記光半導体
チップ２とリード３ｂとの間をボンディングワイヤ４で
結び、上記リード３ｂの外端を残して、これらを非導電
性の樹脂１でモールドするのである。
［発明が解決しようとする課題］
上記光半導体装置では、−度に多数の光半導体素子を樹
脂モールドできるので、量産性に優れ、コスト低減がで
き、小型化ができるが、次のような欠点も備えている。
脂モールドできるので、量産性に優れ、コスト低減がで
き、小型化ができるが、次のような欠点も備えている。
即ち、モールドのための透明樹脂にはエボシキ樹脂など
が用いられるが、樹脂表面が外部に露出しているために
、樹脂封止のあとの工程、及び光半導体装置としての取
り扱いにおいて、樹脂表面に傷が付き易く、この傷が原
因して、入射してくる光を遮断したり、乱反射したりす
るので、光半導体装置としての特性を劣化させるおそれ
がある。また、上記エボシキ樹脂などでは、透明樹脂と
外部との界面での光の反射が光半導体素子の特性に悪影
響を及ぼす。即ち、入射光は反射により減少され、また
、光半導体チップ表面で反射した光は透明樹脂と外部と
の界面で再び反射されるので、光半導体素子の出力特性
を変動し、不安定にする。また、上記透明樹脂とリード
との界面で、光半導体チップへの水分の侵入を生じ、光
半導体素子の信頼性を低下させる。
が用いられるが、樹脂表面が外部に露出しているために
、樹脂封止のあとの工程、及び光半導体装置としての取
り扱いにおいて、樹脂表面に傷が付き易く、この傷が原
因して、入射してくる光を遮断したり、乱反射したりす
るので、光半導体装置としての特性を劣化させるおそれ
がある。また、上記エボシキ樹脂などでは、透明樹脂と
外部との界面での光の反射が光半導体素子の特性に悪影
響を及ぼす。即ち、入射光は反射により減少され、また
、光半導体チップ表面で反射した光は透明樹脂と外部と
の界面で再び反射されるので、光半導体素子の出力特性
を変動し、不安定にする。また、上記透明樹脂とリード
との界面で、光半導体チップへの水分の侵入を生じ、光
半導体素子の信頼性を低下させる。
このような問題を抱えている光半導体装置は自動焦点機
構のような高感度、高精度を要求される機構の光半導体
装置として使用するには適していない。
構のような高感度、高精度を要求される機構の光半導体
装置として使用するには適していない。
［発明の目的］
本発明は上記事情に基いてなされたもので、上述のよう
に、光半導体素子としての性能を低下させ、あるいは不
安定にして信頼性を低下させるような要因を除いた光半
導体装置を提供しようとするものである。
に、光半導体素子としての性能を低下させ、あるいは不
安定にして信頼性を低下させるような要因を除いた光半
導体装置を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段ｊ
このため、本発明ではアイランドに光半導体素子として
の光半導体チップを装着し、これを透明樹脂でモールド
した樹脂封止型の光半導体装置において５上記透明樹脂
の表面には上記樹脂より硬度の大きな樹脂被膜を設け、
また、上記光半導体チップの入射光路に対応している上
記透明樹脂あるいは上記樹脂被膜の上に反射防止膜を設
けている。
の光半導体チップを装着し、これを透明樹脂でモールド
した樹脂封止型の光半導体装置において５上記透明樹脂
の表面には上記樹脂より硬度の大きな樹脂被膜を設け、
また、上記光半導体チップの入射光路に対応している上
記透明樹脂あるいは上記樹脂被膜の上に反射防止膜を設
けている。
［作 用］
従って、上記樹脂被膜で、透明樹脂の表面を保護するの
で、傷を生じることがなく、それによってもたらされる
不良要因、性能劣化を避けることができ、また、水分の
内部侵入を防止できる。
で、傷を生じることがなく、それによってもたらされる
不良要因、性能劣化を避けることができ、また、水分の
内部侵入を防止できる。
また、反射防止膜を備えることで、樹脂と外部との界面
の反射を抑えることで、光半導体の精度を高くかつ、安
定に維持できる。
の反射を抑えることで、光半導体の精度を高くかつ、安
定に維持できる。
［実施例］
以下、本発明を図示の実施例にもとずいて具体的に説明
する。なお、従来と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。第１図において、符号５は透明樹脂１を囲
む様に被覆した樹脂被膜であり、これは透明樹脂１のそ
れよりも硬度が大きい樹脂を選択して用いる。例えば、
上記樹脂被膜５には酸化物セラミック系のＴ、０５、Ｓ
、Ｏ，、Ｚ、０２．Ｔ、０！、Ａｊ２ｔ Ｏ，、Ｙ２Ｏ
，、Ｉ□０８、窒化物系セラミック系のＳ、、Ｎ、、Ａ
ＩＮ、その他のセラミック系のＳ、Ｃ，ＴＩＣ，ＷＣな
との蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどによる薄膜、また、熱
硬化型アクリル樹脂、エボシキ樹脂、ポリウレタン樹脂
、チタン樹脂、弗素樹脂、シリコン樹脂などの塗膜、ま
たはセラミックコーティング材、シリコーン系コーティ
ング材、アクリルシリコン材などがある。
する。なお、従来と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。第１図において、符号５は透明樹脂１を囲
む様に被覆した樹脂被膜であり、これは透明樹脂１のそ
れよりも硬度が大きい樹脂を選択して用いる。例えば、
上記樹脂被膜５には酸化物セラミック系のＴ、０５、Ｓ
、Ｏ，、Ｚ、０２．Ｔ、０！、Ａｊ２ｔ Ｏ，、Ｙ２Ｏ
，、Ｉ□０８、窒化物系セラミック系のＳ、、Ｎ、、Ａ
ＩＮ、その他のセラミック系のＳ、Ｃ，ＴＩＣ，ＷＣな
との蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどによる薄膜、また、熱
硬化型アクリル樹脂、エボシキ樹脂、ポリウレタン樹脂
、チタン樹脂、弗素樹脂、シリコン樹脂などの塗膜、ま
たはセラミックコーティング材、シリコーン系コーティ
ング材、アクリルシリコン材などがある。
なお、上記実施例において、透明樹脂にはエボシキ樹脂
、シリコン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂など
が用いられる。
、シリコン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂など
が用いられる。
このように、透明樹脂ｌをそれより硬度の大きい樹脂被
膜５で被覆することで、製造過程、及び取扱いの過程で
、樹脂表面に傷を発生しにくくし、また、内部への水分
の侵入を防止できる。
膜５で被覆することで、製造過程、及び取扱いの過程で
、樹脂表面に傷を発生しにくくし、また、内部への水分
の侵入を防止できる。
また、上記光半導体チップ２の入射光路に対応して、上
記樹脂被膜５の上には反射防止膜６が設けられている。
記樹脂被膜５の上には反射防止膜６が設けられている。
この反射防止膜６には反射損失を減少させ、透明樹脂の
透過率を増加させる膜及びその膜の構成が適宜選択され
るとよい。例えば、Ｃｌ１Ｆ、、Ｎ、Ｆ、、Ｎ、、ＡＡ
Ｆ、、Ｌ、Ｆ、Ｍｇ Ｆｍ 、Ｓ＋ Ｏｓ 、Ｌ−Ｆ−
、Ｎ−Ｆ−１Ａβ、Ｏ，、Ｃ，Ｆ、、ＰｂＦ、、Ｍ、Ｏ
。
透過率を増加させる膜及びその膜の構成が適宜選択され
るとよい。例えば、Ｃｌ１Ｆ、、Ｎ、Ｆ、、Ｎ、、ＡＡ
Ｆ、、Ｌ、Ｆ、Ｍｇ Ｆｍ 、Ｓ＋ Ｏｓ 、Ｌ−Ｆ−
、Ｎ−Ｆ−１Ａβ、Ｏ，、Ｃ，Ｆ、、ＰｂＦ、、Ｍ、Ｏ
。
Ｔ、０１．５ＩＩＯ，、Ｌａｇ’ｓ 、Ｓ、ＯｌＩ 、
、Ｏ，、Ｎａ５ｏｓ 、Ｓ、、Ｏ，、Ｚ、Ｏ，。
、Ｏ，、Ｎａ５ｏｓ 、Ｓ、、Ｏ，、Ｚ、Ｏ，。
Ｃ，Ｏ，、Ｔ、Ｏ，、Ｚ、Ｓ、Ｂ、、Ｏ，、ＺｌｌＳ−
、Ｃ−Ｓ、５Ｉｌａｓｓ 、Ｃ−Ｔ−、ＳＧ、、Ｔ、、
ＰゎＴ、などを単層で、あるいは、２層以上の多層膜で
用いることができる。
、Ｃ−Ｓ、５Ｉｌａｓｓ 、Ｃ−Ｔ−、ＳＧ、、Ｔ、、
ＰゎＴ、などを単層で、あるいは、２層以上の多層膜で
用いることができる。
第２図に示す実施例では、上記反射防止膜６は透明樹脂
１の表面に直に設けられている。そして、この部分を除
いて、他の部分を樹脂被膜５で被覆するのである。この
場合、上記反射防止膜６には反射防止機能と傷防止の保
護機能とを兼ね備える樹脂の種類が選択される。
１の表面に直に設けられている。そして、この部分を除
いて、他の部分を樹脂被膜５で被覆するのである。この
場合、上記反射防止膜６には反射防止機能と傷防止の保
護機能とを兼ね備える樹脂の種類が選択される。
［発明の効果］
本発明は、以上詳述したようになり、透明樹脂で光半導
体素子を被覆する場合、その透明樹脂・の表面に保護膜
を設け、また、上記光半導体の入射光路に対応して反射
防止膜を設けたことにより、製造工程あるいは取扱いの
過程での傷発生、水分の侵入による不良製品の発生をで
きるだけ回避し、製品の歩留まりを良くし、また性能の
安定性を図り、高い精度での使用ができるような信頼性
を確保することができるなどの効果がある。
体素子を被覆する場合、その透明樹脂・の表面に保護膜
を設け、また、上記光半導体の入射光路に対応して反射
防止膜を設けたことにより、製造工程あるいは取扱いの
過程での傷発生、水分の侵入による不良製品の発生をで
きるだけ回避し、製品の歩留まりを良くし、また性能の
安定性を図り、高い精度での使用ができるような信頼性
を確保することができるなどの効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための縦断側面図
、第２図は他の実施例の縦断側面図、第３図は従来例の
縦断側面図である。 １・・・透明樹脂 ２・・・光半導体チップ ３・・・リード ４・・・ボンディングワイヤ ５・・・樹脂被膜 ６・・・反射防止膜 第１ 図 第２図 第３図
、第２図は他の実施例の縦断側面図、第３図は従来例の
縦断側面図である。 １・・・透明樹脂 ２・・・光半導体チップ ３・・・リード ４・・・ボンディングワイヤ ５・・・樹脂被膜 ６・・・反射防止膜 第１ 図 第２図 第３図
Claims (1)
- アイランドに光半導体素子としての光半導体チップを装
着し、これを透明樹脂でモールドした樹脂封止型の光半
導体装置において、上記透明樹脂の表面には上記樹脂よ
り硬度の大きな樹脂被膜を設け、また、上記光半導体チ
ップの入射光路に対応している上記透明樹脂あるいは上
記樹脂被膜の上に反射防止膜を設けたことを特徴とする
光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275443A JPH04152556A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275443A JPH04152556A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152556A true JPH04152556A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17555601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275443A Pending JPH04152556A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152556A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003192A1 (en) * | 1998-08-05 | 2001-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image sensing device and production method thereof |
| JP2003017714A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sony Corp | 光検出半導体装置 |
| WO2003098702A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical detector, optical head device, optical information processing device, and optical information processing method |
| US10475949B2 (en) | 2017-06-29 | 2019-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2275443A patent/JPH04152556A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003192A1 (en) * | 1998-08-05 | 2001-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image sensing device and production method thereof |
| JP2003017714A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sony Corp | 光検出半導体装置 |
| WO2003098702A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical detector, optical head device, optical information processing device, and optical information processing method |
| US7154838B2 (en) | 2002-05-15 | 2006-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical detector, optical head device, optical information processing device, and optical information processing method |
| CN100448032C (zh) * | 2002-05-15 | 2008-12-31 | 松下电器产业株式会社 | 光电探测器、光头器件、光信息处理装置及光信息处理方法 |
| US10475949B2 (en) | 2017-06-29 | 2019-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device |
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