JPH0415263A - フタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents

フタロシアニン化合物の製造方法

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JPH0415263A
JPH0415263A JP11857390A JP11857390A JPH0415263A JP H0415263 A JPH0415263 A JP H0415263A JP 11857390 A JP11857390 A JP 11857390A JP 11857390 A JP11857390 A JP 11857390A JP H0415263 A JPH0415263 A JP H0415263A
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phthalocyanine compound
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貴久 小口
Shin Aihara
伸 相原
Naoto Ito
伊藤 尚登
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Yamamoto Chemicals Inc
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、近赤外線吸収剤として有用なハロゲン化アル
コキシフタロシアニンの製造方法に関する。
〔従来の技術] ハロゲン化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン
化アリールオキシフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭61−197280号公報やJournalof
 Chemical 5ociety Perkin 
Transition  I。
2453〜2458頁(1988年)に既に開示されて
おり、前者はハロゲン化フタロシアニンを脂肪族アルコ
ールのアルカリ金属塩あるいは芳香族アルコールのアル
カリ金属塩等で置換して目的とするハロゲン化アルコキ
シフタロシアニンあるいはハロゲン化アリールオキシフ
タロシアニンを製造する方法であり、後者+1  ジア
ルコキシジハロゲノフタロニトリルを閉環して目的とす
るハロゲン化アルコキシフタロシアニンを製造する方法
である。
r発明が解決しようとする課題] 近赤外線吸収剤、特に、追記型CD (CD−WO)の
780nm用の記録材料として有用なハロゲン化アルコ
キシフタロシアニンとしては、そのハロゲン化率が1〜
4の範囲のものが好ましい、ハロゲン化率が5以上にな
ると屈折率、反射率の規格を満たすことができなくなる
。上述の方法でCLハロゲン原子の導入量を制御するこ
とができず、CD−WO用の近赤外線吸収剤としては未
だ十分であるとは言えなかった。
(課題を解決するための手段) 本発明者らIL  前項の課題を解決すべく鋭意検討の
結策 酢酸中で、反応温度、溶媒量をコントロールする
ことにより、アルコキシフタロシアニンよりハロゲン化
率の制御されたハロゲン化アルコキシフタロシアニンが
得られることを見いだし。
本発明に到達した 即ち本発明顛 下記一般式(I) R 〔式(I)中、Rは、置換または未置換のアルキル基を
あられし、Matは2個の水素原子、2価の金属原子、
置換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす、)で
示されるフタロシアニン化合物を酢酸中、 20〜90
℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする。下式
(II) 〔式(II)中、R及びNetは式(I)と同一の意味
を表し、Xi&  塩素、臭素、 またはヨウ素を表し
、nは1≦n≦4である。Jで示されるフタロシアニン
化合物の製造方法である。
一般式(I)及び式(II)中、Rで示される置換また
は未置換のアルキル基のとしては、メチル基 エチル基
 n−プロピル基 1so−プロピル基n−ブチル基、
1so−ブチル基、5ec−ブチル基、tert−ブチ
ルLn−ペンチルJE、  1so−ペンチル基neo
−ペンチル基 1,2−ジメチルプロピル&、n−へキ
シルfb  1.3−ジメチルブチル幕 シクロヘキシ
ル基、n−ヘプチル&  1.4−ジメチルペンチル幕
2−メチル−1−iso−プロピルプロピルLI−エチ
ル−3−メチルブチルfbn−オクチル基 2−エチル
ヘキシル基、3−メチル−1−iso−プロピルブチル
基、n−ノニル基 3.5.5− )リメチルヘキシル
幕 3−メチル−1−iso−ブチルブチル基、n−デ
シル基などの炭化水素基 メトキシメチル基 エトキシ
メチル基 メトキシエチル基 エトキシエチル基 ブト
キシエチル基 メトキシエトキシエチル基 エトキシエ
トキシエチル基 2−メトキシプロピル基2−エトキシ
プロピル基2,3−ジメトキシプロピル幕2,2−ジメ
トキシエチル′&、2−メトキシブチル基I−メチルー
2−メトキシエチル&1−エチル−2−エトキシエチル
基 エトキシブチル基などのアルコキシアルキル1&、
2−ヒドロキシエチル基 2−ヒドロキシプロピル基、
4−ヒドロキシブチル基、6−ヒドロキシヘキシル基な
どのヒドロキシアルキル基 トリフルオロメチルi  
2,2.2−トリクロロエチル基、ヘキサフルオロ=i
so−プロピル基、ペンタフルオロエチル基などのハロ
ゲン化アルキル基などが挙げられる。
又 Metで表わされる2価金属の例としては2Cu+
III  Z(11111pe+Ill  Co11目
 N1CII〉Ru’■I  Rh+111  pd+
Ill  pHl11. Ml(l目Mg 1目1.3
CII口 Cat 1口、Bal目+、 cdi+ll
Hg(I I l 、 Sn’ I l 1など、 1
置換3価金属の例としては、Al−Cl、 Al−Br
、  AI−F、  Al−1,Ga−Cl、 Ga−
F。
Ga−1,Ga−Br、  In−Cl、  In−B
r、  In−1,、In−F。
TI−(:l、  Tl−8r、  Tl−1,TI−
F、  Al−C6HsrAI−C@H4CH1,In
−CJ6.  In−CJaCB3. In−C11H
t。
Mn(OH)などが挙げられる。
2置換の4価金属の例としては、CrC1t。
5iCI2.5iBr2. SiF2. Si+2. 
ZrCI=、 GaCI=。
GeBr2. Ge12. GeFt、 5nCI2.
 SnBr2. Sn+2. SnF2゜TiCl2.
  TiBr2.  TiF2. 5i(OH)t、 
 Ge(OH)t。
Zr(OR)x、   Nn(OH)2.  5o(O
H)*、   TiR1,CrR2,5iR2゜5nR
2、GeR2[Rはアルキル基、フェニル基2ナフチル
基及びその誘導体を表わす]、 5i(OR’)a。
5n(OR’)2. Ge(OR’)2. Ti(OR
’)*、 Cr(OR’)t [R’はアルキル基 フ
ェニル基 ナフチル基 トリアルキルシリル基 ジアル
キルアルコキシシリル基の誘導体を表わすコ、5n(S
R”)2. Ge<SR”)2E R’はアルキル基 
フェニル基 ナフチル基及びその誘導体を表わす]など
が挙げられる。
オキシ金属の例としては、VO,MnO,TiOなどが
挙げられる。
式(r)で示されるアルコキシフタロシアニン化合物の
合成法として速 下式(m)又は(rV)H tl (m)          (IV) で示される化合物の1〜4種を混合して、例えば1.8
−ジアザビシクロ[5,4,0]〜7−ウンデセン(D
BU)の存在下にブタノール中で加熱上反応することに
より得ることができる。
本発明に使用できるハロゲン化剤として(L 塩素、臭
素、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、−塩化ヨ
ウ素、4級アンモニウムクロリド、4級アンモニウムプ
ロミド、 4級アンモニウムヨウダイト、次亜塩素酸し
一ブチル、 3ヨウ化カリウムなどが好ましい、また、
必要に応じて酸化剤、鉄粉などの触媒を用いても良い、
ハロゲン化剤の量としては 原料である式(I)のフタ
ロシアニンに対して、 1〜6モル比が好ましい。
酢酸溶媒の量として41  原料のフタロシアニンに対
して5〜500重量倍、好ましくは10〜200重量倍
であり、その量は必要とするハロゲン化率(式(If)
中のnが1〜4)により適宜調整される。
反応温度としては、20〜90℃2 好ましくは40〜
70℃である9反応温度が20℃よりも低いと反応がう
まく進行せず、また90℃を越えるとハロゲン化率を制
御することが困難となる。
本発明において+1  反応温度、溶媒量を調節し、生
成するハロゲン化アルコキシフタロシアニンを反応系よ
り反応・析出せしめるものである。
[実施例) 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
実施例1 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニンI5gを酢酸3751に装入し、4
5℃に昇温して溶解させた 次に臭素19gを滴下し、
50℃で1時間撹拌した 反応液を40℃に降温し、析
出した結晶をろ別した 得られた結晶をメタノール20
0m1で311スラツジし、減圧乾燥した。
収量は17.7gであった 元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した 元素分析: Cs*H*+N5OJr)Pd実施例2 パラジウムテトラα−(1,3−ジメチルブチルオキシ
)フタロシアニンlOgを酢酸1501に装入し、40
℃に昇温して溶解させた 次に臭素6gを滴下し、40
℃で30分間撹拌した。そのままの温度で析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール10011で3
回スラッジし、減圧乾燥した。収量はl1gであった。
元素分析により、臭素の置換数は211であることが判
明した。
元素分析: Cs5H*tN*0aBrl!Pd実施例
3 パラジウムテトラα−(1−iso−プロピル−2−メ
チルブチルオキシ)フタロシアニンlOgを酢酸400
1に装入し、40℃に昇温しで溶解させた 次に臭素1
6gを滴下し、70℃で5時間撹拌した 反応液を40
℃に降温し析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメ
タノール100s+Iで3@スラツジし、減圧乾燥した
。収量は12.3gであった。
元素分析により、臭素の置換数は4個であることが判明
した。
元素分析二CaeHa*Na0aBraPd実施例4 パラジウム テトラα−(2−エチルへキシルオキシ)
フタロシアニン2gを酢酸4001に装入し、40℃に
昇温しで溶解させた0次に臭素5gを滴下し、50℃で
1時間撹拌した 反応液を40℃に降温し析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール30m1で3I
ilスラツジし、減圧乾燥した。収量は2゜2gであっ
た。
元素分析の語気 得られたものは臭素置換数2個と3個
の中間の値を示し、臭素2個置換と3個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した 元素分析: 実施例5 ジクロロシリコン テトラα−(2−エチルへキシルオ
キシ)フタロシアニン5gを酢酸100m1に装入し、
40℃に昇温して溶解させた9次に臭素5gを滴下し、
50℃で1時間撹拌した1反応液を40℃に降温し析出
した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール100
1で3回スラッジし、減圧乾燥した。
収量は5.2gであった。
元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した。
元素分析: C5JyyN*0Jr3CI2Si実施例
6 パラジウム テトラα−(l、3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン2gを酢酸401に装入し、35℃
に昇温しで溶解させた9次に塩化スルフリル2gを滴下
し、50℃で1.5時間撹拌した1反応液を35℃に降
温し、析出した結晶をろ別した。得られた結晶を水50
m1で2回洗浄し、メタノール50m1で3回スラッジ
し、減圧乾燥した。収量は2.1gであった。
元素分析により、塩素の置換数は4Mであることが判明
した。
元素分析: Cs5HssNiOaC14Pd 〔発明の効果) 本発明により、 アルコキシフタロシアニンにハ ロゲン原子の導入量を制御して置換することが可能とな
った

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式( I )中、Rは、置換または未置換のアルキル基
    をあらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子
    、置換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕
    で示されるフタロシアニン化合物を酢酸中、20〜90
    ℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式
    (II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) と同一の意味 [式(II)中、R及びMetは式( I )と同一の意味
    を表し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは
    1≦n≦4である。]で示されるフタロシアニン化合物
    の製造方法。 2、酢酸の使用量が式( I )のフタロシアニン化合物
    に対して10〜200重量倍である請求項1記載の製造
    方法。 3、ハロゲン化剤の使用量が式( I )のフタロシアニ
    ン化合物に対して1〜6モル比である請求項2記載の製
    造方法。
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