JPH07291979A - フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法 - Google Patents
フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法Info
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- JPH07291979A JPH07291979A JP6107752A JP10775294A JPH07291979A JP H07291979 A JPH07291979 A JP H07291979A JP 6107752 A JP6107752 A JP 6107752A JP 10775294 A JP10775294 A JP 10775294A JP H07291979 A JPH07291979 A JP H07291979A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 フタロシアニン骨格のベンゼン環に−ＯＲ1
ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4置換基を導入してなるフタロシアニン近
赤外線吸収剤、その中間体である同置換基を有するフタ
ロニトリル化合物とジイミノイソインドリン化合物並び
にそれらの製造方法。 【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外線吸収剤は、
良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶な
ものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大される。また、本近赤外線吸収剤
は、本発明の中間体から、温和な条件で容易に製造する
ことができる。
ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4置換基を導入してなるフタロシアニン近
赤外線吸収剤、その中間体である同置換基を有するフタ
ロニトリル化合物とジイミノイソインドリン化合物並び
にそれらの製造方法。 【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外線吸収剤は、
良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶な
ものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大される。また、本近赤外線吸収剤
は、本発明の中間体から、温和な条件で容易に製造する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録材料、光電変換
材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフ
タロシアニン近赤外線吸収剤、その中間体である新規な
フタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合
物、並びにそれらの製造方法に関する。
材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフ
タロシアニン近赤外線吸収剤、その中間体である新規な
フタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合
物、並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近赤外線を吸収する物質は各種の用途に
用いられている。このような用途例としては、例えば次
のようなものが挙げられる。 赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター 植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター 太陽光の熱線の遮断材料 人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター 半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。 更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材
料としての用途を挙げることができる。
用いられている。このような用途例としては、例えば次
のようなものが挙げられる。 赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター 植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター 太陽光の熱線の遮断材料 人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター 半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。 更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材
料としての用途を挙げることができる。
【０００３】これまで赤外線吸収性物質としては、シア
ニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色
素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知ら
れており、これらの色素を記録材料として用いた情報記
録媒体も知られている（例えば、特開昭５５−９７０３
３号、特開昭５８−８３３４４号、特開昭５８−２２４
７９３号、特開昭５８−２１４１６２号、特開昭５９−
２４６９２号各公報等）。
ニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色
素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知ら
れており、これらの色素を記録材料として用いた情報記
録媒体も知られている（例えば、特開昭５５−９７０３
３号、特開昭５８−８３３４４号、特開昭５８−２２４
７９３号、特開昭５８−２１４１６２号、特開昭５９−
２４６９２号各公報等）。
【０００４】ただ、上記のような色素は、記録材料とし
た場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナ
ンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウ
ム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反
射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
と、レーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情
報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシア
ニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利
点を有する反面、耐光性に劣り、再生光（自然光）によ
り劣化しやすいという問題がある。これらに対しフタロ
シアニン系色素は、安定性（熱、光に対し）が極めて高
いという特徴を有している一方、有機溶剤への溶解性が
乏しく、ごく一部のフタロシアニン系色素が蒸着法で薄
膜化できるのみで、製品応用への用途としては乏しいも
のであった。
た場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナ
ンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウ
ム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反
射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
と、レーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情
報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシア
ニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利
点を有する反面、耐光性に劣り、再生光（自然光）によ
り劣化しやすいという問題がある。これらに対しフタロ
シアニン系色素は、安定性（熱、光に対し）が極めて高
いという特徴を有している一方、有機溶剤への溶解性が
乏しく、ごく一部のフタロシアニン系色素が蒸着法で薄
膜化できるのみで、製品応用への用途としては乏しいも
のであった。
【０００５】上記の問題を解決するために、最近フタロ
シアニンに置換基を導入して有機溶媒に溶解し得るフタ
ロシアニン化合物となした後、これを塗布することが行
なわれている。特開平１−１８０８６５号、特開平２−
２６５７８８号、特開平３−２１５４６６号各公報等に
開示されているフタロシアニン化合物は、フタロシアニ
ンのベンゼン環に長鎖のアルキル基又はアルコキシ基を
導入して炭化水素系有機溶剤に対する溶解性を得たもの
である。これら以外にも、エステル基、ポリエーテル
基、チオエーテル基等の官能基を介して長鎖のアルキル
基を導入することが数多く行なわれている。
シアニンに置換基を導入して有機溶媒に溶解し得るフタ
ロシアニン化合物となした後、これを塗布することが行
なわれている。特開平１−１８０８６５号、特開平２−
２６５７８８号、特開平３−２１５４６６号各公報等に
開示されているフタロシアニン化合物は、フタロシアニ
ンのベンゼン環に長鎖のアルキル基又はアルコキシ基を
導入して炭化水素系有機溶剤に対する溶解性を得たもの
である。これら以外にも、エステル基、ポリエーテル
基、チオエーテル基等の官能基を介して長鎖のアルキル
基を導入することが数多く行なわれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのフ
タロシアニン化合物は、無極性の溶剤には溶けるが、充
分満足される溶解度を有するまでには至っておらず、ま
たシアニン色素に比べて反射率が不充分であるなどとい
う難点があった。
タロシアニン化合物は、無極性の溶剤には溶けるが、充
分満足される溶解度を有するまでには至っておらず、ま
たシアニン色素に比べて反射率が不充分であるなどとい
う難点があった。
【０００７】従って、本発明の目的は、フタロシアニン
化合物が本来もっている安定性を損なうことなく、溶解
性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高い吸収を
もつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤とその中間
体及びそれらの製造方法を提供することにある。
化合物が本来もっている安定性を損なうことなく、溶解
性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高い吸収を
もつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤とその中間
体及びそれらの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物が提供され
る。
般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物が提供され
る。
【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。）
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。）
【０００９】また、本発明によれば、下記の一般式（I
I）で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供さ
れる。
I）で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供さ
れる。
【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。）
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。）
【００１０】さらに、本発明によれば、下記の一般式
（III)で示されるフタロシアニン近赤外線吸収剤が提供
される。
（III)で示されるフタロシアニン近赤外線吸収剤が提供
される。
【化３】 （式中、Ｍ及びＸはそれぞれ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、一置換の３価金
属原子、二置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基で、
Ｘ1〜Ｘ4は同じであっても異なっていてもよい、 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
属原子、二置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基で、
Ｘ1〜Ｘ4は同じであっても異なっていてもよい、 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
【００１１】更に、本発明によれば、２，３−ジシアノ
ハイドロキノンと下記一般式（IV） ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4 （IV） （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)で示される少なくと
も一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることを特
徴とする前記一般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化
合物の製造方法が提供され、また前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点
７０〜１４０℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、
ガス状アンモニアと反応させることを特徴とする前記一
般式（II）で示されるジイミノイソインドリン化合物の
製造方法が提供される。
ハイドロキノンと下記一般式（IV） ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4 （IV） （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)で示される少なくと
も一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることを特
徴とする前記一般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化
合物の製造方法が提供され、また前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点
７０〜１４０℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、
ガス状アンモニアと反応させることを特徴とする前記一
般式（II）で示されるジイミノイソインドリン化合物の
製造方法が提供される。
【００１２】更に、本発明によれば、前記一般式（Ｉ）
で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は
前記一般式（II）で示される少なくとも一種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、一置換の３価金
属、二置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特
徴とする前記一般式（III）で示されるフタロシアニン
化合物の製造方法が提供され、また前記一般式（Ｉ）で
示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前
記一般式（II）で示される少なくとも一種のジイミノイ
ソインドリン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用
させることを特徴とする前記一般式（III）においてＭ
が２個の水素原子であるフタロシアニン化合物の製造方
法が提供される。
で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は
前記一般式（II）で示される少なくとも一種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、一置換の３価金
属、二置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特
徴とする前記一般式（III）で示されるフタロシアニン
化合物の製造方法が提供され、また前記一般式（Ｉ）で
示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前
記一般式（II）で示される少なくとも一種のジイミノイ
ソインドリン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用
させることを特徴とする前記一般式（III）においてＭ
が２個の水素原子であるフタロシアニン化合物の製造方
法が提供される。
【００１３】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の
新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン
近赤外線吸収剤の中間体として有用なものであり、下記
の一般式（Ｉ）で示される。
新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン
近赤外線吸収剤の中間体として有用なものであり、下記
の一般式（Ｉ）で示される。
【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
【００１４】上記定義中、炭素数１〜５の直鎖又は分岐
アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリ
メチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、１，２
−ブチレン基、１，３−ブチレン基、２，３−ブチレン
基、ペンタメチレン基などが例示される。炭素数１〜１
２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、オクチル基、
デシル基、ドデシル基などが例示され、炭素数１〜３の
アルキル基としては、上記中炭素数１〜３のものが示さ
れる。また、炭素数１〜３のアルコキシ基としては、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが例示され
る。
アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリ
メチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、１，２
−ブチレン基、１，３−ブチレン基、２，３−ブチレン
基、ペンタメチレン基などが例示される。炭素数１〜１
２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、オクチル基、
デシル基、ドデシル基などが例示され、炭素数１〜３の
アルキル基としては、上記中炭素数１〜３のものが示さ
れる。また、炭素数１〜３のアルコキシ基としては、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが例示され
る。
【００１５】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される３，
６−ジシリル基置換アルコキシフタロニトリルは、２，
３−ジシアノハイドロキノンと下記一般式（IV） ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4 （IV） （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)で示される少なくと
も一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることによ
って製造することができる。なお、反応系に炭酸カリウ
ムを存在させることが好ましい。
６−ジシリル基置換アルコキシフタロニトリルは、２，
３−ジシアノハイドロキノンと下記一般式（IV） ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4 （IV） （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)で示される少なくと
も一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることによ
って製造することができる。なお、反応系に炭酸カリウ
ムを存在させることが好ましい。
【００１６】ここで用いる有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドなどが挙げられるが、特にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが好ましい。Ｃｌ
Ｒ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4は通常２，３−ジシアノハイドロキノ
ンに対して２倍モル添加するが、２〜４倍モルと理論反
応量よりも多く添加した方が収率が向上するので好まし
い。また、このときの反応温度は０〜１５０℃、好まし
くは４０〜１２０℃である。
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドなどが挙げられるが、特にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが好ましい。Ｃｌ
Ｒ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4は通常２，３−ジシアノハイドロキノ
ンに対して２倍モル添加するが、２〜４倍モルと理論反
応量よりも多く添加した方が収率が向上するので好まし
い。また、このときの反応温度は０〜１５０℃、好まし
くは４０〜１２０℃である。
【００１７】ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4の具体例としては、
次のものが挙げられる。ＣｌＣＨ2ＳｉＭｅ3，ＣＨ3Ｃ
ＨＣｌＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＥｔ，Ｃ
ｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2Ｈ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＣＨ
＝ＣＨ2，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2Ｃ12Ｈ25，ＣｌＣＨ2
Ｓｉ（ＯＥｔ）2Ｍｅ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（ＯｉＰｒ）2Ｍ
ｅ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）3，Ｃｌ
ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＳｉ（Ｍｅ）3，ＣｌＣＨ2Ｓｉ
（ＯＥｔ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＭ
ｅ，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）2，ＣｌＣ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＥｔ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＭｅ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍ
ｅ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＳｉＭｅ3），Ｃ
ｌＣＨ（Ｅｔ）ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（Ｐｒ）ＳｉＭ
ｅ3，ＣｌＣＨ（ｉＰｒ）ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（Ｂｕ）
ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（ＳｉＭｅ3）2，ＣｌＣＨ2ＯＣＨ
2ＳｉＭｅ3等。（ここでＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル
基、Ｐｒはプロピル基、ｉＰｒはイソプロピル基、Ｂｕ
はブチル基である。）
次のものが挙げられる。ＣｌＣＨ2ＳｉＭｅ3，ＣＨ3Ｃ
ＨＣｌＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＥｔ，Ｃ
ｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2Ｈ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＣＨ
＝ＣＨ2，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2Ｃ12Ｈ25，ＣｌＣＨ2
Ｓｉ（ＯＥｔ）2Ｍｅ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（ＯｉＰｒ）2Ｍ
ｅ，ＣｌＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）3，Ｃｌ
ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＳｉ（Ｍｅ）3，ＣｌＣＨ2Ｓｉ
（ＯＥｔ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍｅ）2ＯＭ
ｅ，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）2，ＣｌＣ
Ｈ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＥｔ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＭｅ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（Ｍ
ｅ）3，ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＳｉＭｅ3），Ｃ
ｌＣＨ（Ｅｔ）ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（Ｐｒ）ＳｉＭ
ｅ3，ＣｌＣＨ（ｉＰｒ）ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（Ｂｕ）
ＳｉＭｅ3，ＣｌＣＨ（ＳｉＭｅ3）2，ＣｌＣＨ2ＯＣＨ
2ＳｉＭｅ3等。（ここでＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル
基、Ｐｒはプロピル基、ｉＰｒはイソプロピル基、Ｂｕ
はブチル基である。）
【００１８】本発明の新規なジイミノイソインドリン化
合物は、本発明のフタロシアニン近赤外線吸収剤の中間
体として有用なものであり、下記の一般式（ＩＩ）で示
される。
合物は、本発明のフタロシアニン近赤外線吸収剤の中間
体として有用なものであり、下記の一般式（ＩＩ）で示
される。
【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)なお、上式のＲ1〜
Ｒ5の具体例としては、前記一般式（Ｉ）の場合と同一
のものが挙げられる。
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)なお、上式のＲ1〜
Ｒ5の具体例としては、前記一般式（Ｉ）の場合と同一
のものが挙げられる。
【００１９】本発明の前記一般式（ＩＩ）で示されるジ
イミノイソインドリン化合物は、前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点
７０〜１４０℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、
ガス状アンモニアと反応させることによって製造するこ
とができる。
イミノイソインドリン化合物は、前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点
７０〜１４０℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、
ガス状アンモニアと反応させることによって製造するこ
とができる。
【００２０】ジイミノインドリン化合物は、一般にフタ
ロニトリル化合物をアルコール溶媒中、ナトリウム（又
はナトリウムアルコキシド）の存在下に、アンモニアガ
スと反応させることによって、下記の反応式（Ｉ）に従
って得られる。
ロニトリル化合物をアルコール溶媒中、ナトリウム（又
はナトリウムアルコキシド）の存在下に、アンモニアガ
スと反応させることによって、下記の反応式（Ｉ）に従
って得られる。
【化４】 （式中、Ｘはアルキル基、アルコキシ基、水素原子、チ
オアルキル基、チオアリル基、ニトロ基、アミノ基、ハ
ロゲン原子等を示す。） なお、この場合の代表的なルコールとしては、メタノー
ルが一般的である。
オアルキル基、チオアリル基、ニトロ基、アミノ基、ハ
ロゲン原子等を示す。） なお、この場合の代表的なルコールとしては、メタノー
ルが一般的である。
【００２１】ところが、前記一般式（Ｉ）で示されるフ
タロニトリル化合物は、メタノール中で上記反応を行な
っても反応は進行しない。そのため、本発明において
は、メタノールよりも沸点の高いアルコール、即ち沸点
７０〜１４０℃のアルコール、好ましくは沸点１００〜
１２０℃のアルコールを使用する。その具体例として
は、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノー
ル、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペ
ンタノールが挙げられ、これらは単独であるいは２種以
上混合して用いられる。また、このときの反応温度は７
０〜９０℃が好ましい。
タロニトリル化合物は、メタノール中で上記反応を行な
っても反応は進行しない。そのため、本発明において
は、メタノールよりも沸点の高いアルコール、即ち沸点
７０〜１４０℃のアルコール、好ましくは沸点１００〜
１２０℃のアルコールを使用する。その具体例として
は、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノー
ル、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペ
ンタノールが挙げられ、これらは単独であるいは２種以
上混合して用いられる。また、このときの反応温度は７
０〜９０℃が好ましい。
【００２２】本発明の新規なフタロシアニン近赤外線吸
収剤は、下記一般式（ＩＩＩ）で示されるものである。
収剤は、下記一般式（ＩＩＩ）で示されるものである。
【化３】 （式中、Ｍ及びＸはそれぞれ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、一置換の３価金
属原子、二置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基で、
Ｘ1〜Ｘ4は同じであっても異なっていてもよい、 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
属原子、二置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基で、
Ｘ1〜Ｘ4は同じであっても異なっていてもよい、 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)
【００２３】上記一般式（ＩＩＩ）において、Ｍで表さ
れる金属原子としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，
Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ等が
挙げられる。また、Ｒ1〜Ｒ5については、一般式（Ｉ）
におけると全く同義である。
れる金属原子としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，
Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ等が
挙げられる。また、Ｒ1〜Ｒ5については、一般式（Ｉ）
におけると全く同義である。
【００２４】この一般式（ＩＩＩ）で示されるフタロシ
アニン近赤外線吸収剤は、フタロシアニン化合物が本来
もっている安定性を損なうことなしに、有機溶剤への高
い溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収力を
有する。即ち、本発明のフタロシアニン化合物は、近赤
外域に吸収係数１０万以上の高い吸収能を有し、炭化水
素系、セルソルブ系、ハロゲン系溶剤による塗布が可能
である。
アニン近赤外線吸収剤は、フタロシアニン化合物が本来
もっている安定性を損なうことなしに、有機溶剤への高
い溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収力を
有する。即ち、本発明のフタロシアニン化合物は、近赤
外域に吸収係数１０万以上の高い吸収能を有し、炭化水
素系、セルソルブ系、ハロゲン系溶剤による塗布が可能
である。
【００２５】本発明の前記一般式（ＩＩＩ）で示される
フタロシアニン近赤外線吸収剤は、前記一般式（Ｉ）で
示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前
記一般式（ＩＩ）で示される少なくとも一種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、一置換の３価金
属、二置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体を反応させることによっ
て製造することができる。
フタロシアニン近赤外線吸収剤は、前記一般式（Ｉ）で
示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前
記一般式（ＩＩ）で示される少なくとも一種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、一置換の３価金
属、二置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体を反応させることによっ
て製造することができる。
【００２６】この場合のフタロシアニン環合成は、有機
溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニ
トリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも
１種（１〜４種）を、金属又は金属誘導体と溶媒中、９
０℃〜１６０℃で加熱反応させる。ここで反応温度が９
０℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不
具合が生じるし、１６０℃を越えると、分解物が多く生
成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用
量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリ
ン化合物の１〜１００重量倍、好ましくは３〜２５重量
倍であり、溶媒としては、沸点が９０℃以上あれば良
い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、そ
の具体例としては、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−アミル
アルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、
２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２
−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシ
エタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。ま
た、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ及びそれらのハロゲン化物、カル
ボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸
化物、錯体等が挙げられる。
溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニ
トリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも
１種（１〜４種）を、金属又は金属誘導体と溶媒中、９
０℃〜１６０℃で加熱反応させる。ここで反応温度が９
０℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不
具合が生じるし、１６０℃を越えると、分解物が多く生
成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用
量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリ
ン化合物の１〜１００重量倍、好ましくは３〜２５重量
倍であり、溶媒としては、沸点が９０℃以上あれば良
い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、そ
の具体例としては、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−アミル
アルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、
２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２
−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシ
エタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。ま
た、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ及びそれらのハロゲン化物、カル
ボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸
化物、錯体等が挙げられる。
【００２７】金属又は金属誘導体とフタロニトリル又は
ジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で
１：３〜６モルが好ましい。なお、環形成反応の触媒と
して、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、
ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加して
も良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイ
ソインドリン化合物１モルに対して０．１〜１０モル、
好ましくは０．５〜２モルである。
ジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で
１：３〜６モルが好ましい。なお、環形成反応の触媒と
して、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、
ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加して
も良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイ
ソインドリン化合物１モルに対して０．１〜１０モル、
好ましくは０．５〜２モルである。
【００２８】更に、前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｍ
が２個の水素原子である、いわゆるメタルフリーフタロ
シアニンの場合には、前記一般式（Ｉ）で示される少な
くとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（Ｉ
Ｉ）で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリ
ン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用させること
によって製造することができる。
が２個の水素原子である、いわゆるメタルフリーフタロ
シアニンの場合には、前記一般式（Ｉ）で示される少な
くとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（Ｉ
Ｉ）で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリ
ン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用させること
によって製造することができる。
【００２９】この反応の場合も、有機溶媒（特にアルコ
ール系）中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニト
リル又はジイミノイソインドリン化合物と、Ｎａ，Ｌ
ｉ，ＣＨ3ＯＮａ，ＮａＨ又はブチルリチウム等の存在
下、アルコール中で７０〜１５０℃で反応させる。ここ
で金属Ｌｉ又はＮａの添加量は、フタロニトリル又はジ
イミノイソインドリン化合物に対し、０．５〜４倍モル
がよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量な
どは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様で
あるが、反応温度は１５０℃以下である。１５０℃を越
えると分解物の生成が多くなる。
ール系）中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニト
リル又はジイミノイソインドリン化合物と、Ｎａ，Ｌ
ｉ，ＣＨ3ＯＮａ，ＮａＨ又はブチルリチウム等の存在
下、アルコール中で７０〜１５０℃で反応させる。ここ
で金属Ｌｉ又はＮａの添加量は、フタロニトリル又はジ
イミノイソインドリン化合物に対し、０．５〜４倍モル
がよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量な
どは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様で
あるが、反応温度は１５０℃以下である。１５０℃を越
えると分解物の生成が多くなる。
【００３０】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
発明これらに限定されるものではない。
【００３１】実施例１ （フタロニトリルの合成）２，３−ジシアノハイドロキ
ノン３０ｇ（０．１８７５ｍｏｌ）と炭酸カリウム２
５．９１ｇ（０．１８７５ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド２００ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲気
下クロロメチルトリメチルシラン５０．５ｇ（０．４１
２５ｍｏｌ）を４０℃で滴下し、滴下終了後反応温度
を、８０〜９０℃に保ち、３０時間撹拌した。反応槽が
室温になるまで冷却した後、希塩酸３００ｍｌを反応槽
に送入し、クロロホルム１．５ｌで分液し、有機層を充
分に水洗いした後、硫酸マグネシウムで余分な水を除去
した後、クロロホルムを留去し、トルエン／シリカゲル
・カラムにて精製し、下記式（ＩＶ）で示される化合物
を５２．８ｇ（収率８４．８％）得た。この化合物は白
色針状結晶で、その融点は１４３〜１４４℃である。そ
のＩＲスペクトルを図１に、ＮＭＲスペクトルを図２に
示す。
ノン３０ｇ（０．１８７５ｍｏｌ）と炭酸カリウム２
５．９１ｇ（０．１８７５ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド２００ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲気
下クロロメチルトリメチルシラン５０．５ｇ（０．４１
２５ｍｏｌ）を４０℃で滴下し、滴下終了後反応温度
を、８０〜９０℃に保ち、３０時間撹拌した。反応槽が
室温になるまで冷却した後、希塩酸３００ｍｌを反応槽
に送入し、クロロホルム１．５ｌで分液し、有機層を充
分に水洗いした後、硫酸マグネシウムで余分な水を除去
した後、クロロホルムを留去し、トルエン／シリカゲル
・カラムにて精製し、下記式（ＩＶ）で示される化合物
を５２．８ｇ（収率８４．８％）得た。この化合物は白
色針状結晶で、その融点は１４３〜１４４℃である。そ
のＩＲスペクトルを図１に、ＮＭＲスペクトルを図２に
示す。
【００３２】
【化５】
【００３３】上記の反応は、クロロメチルシランの代わ
りにＣｌＣ（ＣＨ3）Ｈ−ＳｉＭｅ3、ＣｌＣＨ2ＳｉＭ
ｅ2Ｈ、ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＭｅ3を用いても同様
に実施され、対応する置換フタロニトリルが得られた。
りにＣｌＣ（ＣＨ3）Ｈ−ＳｉＭｅ3、ＣｌＣＨ2ＳｉＭ
ｅ2Ｈ、ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＭｅ3を用いても同様
に実施され、対応する置換フタロニトリルが得られた。
【００３４】実施例２ （ジイミノイソインドリンの合成）前記式（IV）で示さ
れるフタロニトリル２１ｇ（０．０６３２５ｍｏｌ）と
ナトリウムメトキシド８．５４ｇ（０．１５８１ｍｏ
ｌ）を、ｎ−ブタノール１８０ｍｌに送入し、ＮＨ3ガ
スを吹込みながら室温で１時間撹拌し、その後反応温度
を７０〜８０℃にして３時間（ＮＨ3ガスは吹込む）加
熱撹拌して、室温まで冷却した。ｎ−ＢｕＯＨを留去
し、クロロホルム８００ｍｌに溶解し、水及び温水で充
分に洗浄し、硫酸マグネシウムで余分な水を除去した
後、クロロホルムを留去し、ヘキサンで再結晶し、下記
式（Ｖ）で示される化合物を２１ｇ（収率９５．１％）
得た。この化合物は淡黄色結晶で、融点はなく、分解点
は２０５℃であった。そのＩＲスペクトルを図３に示
す。
れるフタロニトリル２１ｇ（０．０６３２５ｍｏｌ）と
ナトリウムメトキシド８．５４ｇ（０．１５８１ｍｏ
ｌ）を、ｎ−ブタノール１８０ｍｌに送入し、ＮＨ3ガ
スを吹込みながら室温で１時間撹拌し、その後反応温度
を７０〜８０℃にして３時間（ＮＨ3ガスは吹込む）加
熱撹拌して、室温まで冷却した。ｎ−ＢｕＯＨを留去
し、クロロホルム８００ｍｌに溶解し、水及び温水で充
分に洗浄し、硫酸マグネシウムで余分な水を除去した
後、クロロホルムを留去し、ヘキサンで再結晶し、下記
式（Ｖ）で示される化合物を２１ｇ（収率９５．１％）
得た。この化合物は淡黄色結晶で、融点はなく、分解点
は２０５℃であった。そのＩＲスペクトルを図３に示
す。
【００３５】
【化６】
【００３６】実施例３ （フタロシアニンの合成）前記式（Ｖ）で示されるジイ
ミノイソインドリン１０ｇ（０．０２８６５ｍｏｌ）と
ジアザビシクロウンデセン４．３６ｇ（０．０２８６３
ｍｏｌ）をｎ−アミルアルコール２０ｇに溶解し、塩化
ニッケル０．９２ｇ（０．００７１ｍｏｌ）を加え、加
熱環流し、３０時間反応させ、室温に冷却後１２０ｍｌ
のメタノールに排出し、析出した結晶を少量のメタノー
ルで洗浄し、この結晶をクロロホルム／ＴＨＦ＝９／１
重量比／シリカゲルカラムで精製し、下記式（VI）で示
されるフタロシアニン化合物を得た。得られた重量は
２．１ｇ（収率２５．２％）であった。この化合物のト
ルエン中のλｍａｘ＝７４９ｎｍ、ｌｏｇε＝５．１０
であった。そのＩＲスペクトルを図４に示す。
ミノイソインドリン１０ｇ（０．０２８６５ｍｏｌ）と
ジアザビシクロウンデセン４．３６ｇ（０．０２８６３
ｍｏｌ）をｎ−アミルアルコール２０ｇに溶解し、塩化
ニッケル０．９２ｇ（０．００７１ｍｏｌ）を加え、加
熱環流し、３０時間反応させ、室温に冷却後１２０ｍｌ
のメタノールに排出し、析出した結晶を少量のメタノー
ルで洗浄し、この結晶をクロロホルム／ＴＨＦ＝９／１
重量比／シリカゲルカラムで精製し、下記式（VI）で示
されるフタロシアニン化合物を得た。得られた重量は
２．１ｇ（収率２５．２％）であった。この化合物のト
ルエン中のλｍａｘ＝７４９ｎｍ、ｌｏｇε＝５．１０
であった。そのＩＲスペクトルを図４に示す。
【００３７】
【化７】 （式中、Ｘは−ＯＣＨ2ＳｉＭｅ3基を表わす。）
【００３８】なお、上記の反応は、Ｎｉの場合に限られ
るものではなく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、ＶＯ、Ｐｄその他
の遷移金属フタロシアニンも同様に得られる。
るものではなく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、ＶＯ、Ｐｄその他
の遷移金属フタロシアニンも同様に得られる。
【００３９】実施例４ （メタルフリーフタロシアニンの合成）前記式（IV）で
示されるフタロニトリル１０ｇ（０．０３ｍｏｌ）とナ
トリウムメトキシド１．６３ｇ（０．０３ｍｏｌ）を、
ｎ−アミルアルコール４０ｇに溶解し、環流下３時間反
応させ、室温に冷却後、水／メタノール＝１／１の２０
０ｍｌに排出し、析出した結晶を少量のメタノールで洗
浄し、クロロホルム／ＴＨＦ＝９／１重量比／シリカゲ
ルカラムで精製し、下記式（VII）で示されるフタロシ
アニン化合物を３０ｇ得た（収率３６．０％）。この化
合物のトルエン中のλｍａｘ＝７５４（７２８）ｎｍ、
ｌｏｇε＝４．９７（４．９１）であった。そのＩＲス
ペクトルを図５に示す。
示されるフタロニトリル１０ｇ（０．０３ｍｏｌ）とナ
トリウムメトキシド１．６３ｇ（０．０３ｍｏｌ）を、
ｎ−アミルアルコール４０ｇに溶解し、環流下３時間反
応させ、室温に冷却後、水／メタノール＝１／１の２０
０ｍｌに排出し、析出した結晶を少量のメタノールで洗
浄し、クロロホルム／ＴＨＦ＝９／１重量比／シリカゲ
ルカラムで精製し、下記式（VII）で示されるフタロシ
アニン化合物を３０ｇ得た（収率３６．０％）。この化
合物のトルエン中のλｍａｘ＝７５４（７２８）ｎｍ、
ｌｏｇε＝４．９７（４．９１）であった。そのＩＲス
ペクトルを図５に示す。
【００４０】
【化８】 （式中、Ｘは−ＯＣＨ2ＳｉＭｅ3基である。）
【００４１】（評価）実施例３及び４で得られたフタロ
シアニン化合物は、種々の溶媒に可溶である。詳しく
は、ハロゲン系溶剤に１重量％以上、セルソルブ系及び
トルエンに０．５重量％以上、テトラヒドロフランに１
重量％前後溶解し、該化合物から溶剤塗工法による塗膜
が容易に得られた。
シアニン化合物は、種々の溶媒に可溶である。詳しく
は、ハロゲン系溶剤に１重量％以上、セルソルブ系及び
トルエンに０．５重量％以上、テトラヒドロフランに１
重量％前後溶解し、該化合物から溶剤塗工法による塗膜
が容易に得られた。
【００４２】
【発明の効果】請求項３のフタロシアニン近赤外線吸収
剤は、前記一般式（III）で示される構造を有すること
から、フタロシアニン化合物が本来有している熱、光等
に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に可溶
なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持ってい
る。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能とな
り、利用形態が非常に拡大される。
剤は、前記一般式（III）で示される構造を有すること
から、フタロシアニン化合物が本来有している熱、光等
に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に可溶
なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持ってい
る。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能とな
り、利用形態が非常に拡大される。
【００４３】請求項１のフタロニトリル化合物及び請求
項２のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前記
一般式（Ｉ）及び一般式（II）で示される構造を有する
ことから、請求項３のフタロシアニン近赤外線吸収剤の
中間体として有用なものとなる。
項２のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前記
一般式（Ｉ）及び一般式（II）で示される構造を有する
ことから、請求項３のフタロシアニン近赤外線吸収剤の
中間体として有用なものとなる。
【００４４】請求項４の前記一般式（Ｉ）で示されるフ
タロニトリル化合物の製造方法、請求項５の前記一般式
（II）で示されるジイミノイソインドリン化合物の製造
方法、請求項６の前記一般式（III）で示される金属フ
タロシアニン化合物の製造方法及び請求項７の前記一般
式（III）で示されるメタルフリーフタロシアニン化合
物の製造方法は、いずれも温和な条件で容易に目的物を
得ることができるので、いずれも工業的に極めて有利な
製造方法ということができる。
タロニトリル化合物の製造方法、請求項５の前記一般式
（II）で示されるジイミノイソインドリン化合物の製造
方法、請求項６の前記一般式（III）で示される金属フ
タロシアニン化合物の製造方法及び請求項７の前記一般
式（III）で示されるメタルフリーフタロシアニン化合
物の製造方法は、いずれも温和な条件で容易に目的物を
得ることができるので、いずれも工業的に極めて有利な
製造方法ということができる。
【図１】実施例１で得られたフタロニトリル化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図２】実施例１で得られたフタロニトリル化合物のＮ
ＭＲスペクトル図である。
ＭＲスペクトル図である。
【図３】実施例２で得られたジイミノイソインドリン化
合物のＩＲスペクトル図である。
合物のＩＲスペクトル図である。
【図４】実施例３で得られた金属フタロシアニン化合物
のＩＲスペクトル図である。
のＩＲスペクトル図である。
【図５】実施例４で得られたメタルフリーフタロシアニ
ン化合物のＩＲスペクトル図である。
ン化合物のＩＲスペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｂ 47/067 47/073 47/18 Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５
Claims (7)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示されるフタロニト
リル化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。) - 【請求項２】 下記の一般式（II）で示されるジイミノ
イソインドリン化合物。 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。) - 【請求項３】 下記の一般式（III)で示されるフタロシ
アニン近赤外線吸収剤。 【化３】 （式中、Ｍ及びＸはそれぞれ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、一置換の３価金
属原子、二置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基で、
Ｘ1〜Ｘ4は同じであっても異なっていてもよい、 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。) - 【請求項４】 ２，３−ジシアノハイドロキノンと下記
一般式（IV） ＣｌＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4 （IV） （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1：炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキレン基で、基
中に−Ｃ−Ｏ−Ｃ−のいわゆるエーテル結合を含んでい
てもよいし、シリル基で置換されていてもよい、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１２の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ビニル基、
又は−ＯＳｉ(Ｒ5)3基若しくは−ＣＨ2Ｓｉ(Ｒ5)3基、 Ｒ5：炭素数１〜３のアルキル基。)で示される少なくと
も一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることを特
徴とする前記一般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化
合物の製造方法。 - 【請求項５】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
一種のフタロニトリル化合物を、沸点７０〜１４０℃の
アルコール中、ナトリウムの存在下、ガス状アンモニア
と反応させることを特徴とする前記一般式（II）で示さ
れるジイミノイソインドリン化合物の製造方法。 - 【請求項６】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で示
される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物
と、２価の金属、一置換の３価金属、二置換の４価金属
若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金属
の誘導体とを反応させることを特徴とする前記一般式
（III）で示されるフタロシアニン化合物の製造方法。 - 【請求項７】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で示
される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物
に、リチウム又はナトリウムを作用させることを特徴と
する前記一般式（III）においてＭが２個の水素原子で
あるフタロシアニン化合物の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10775294A JP3583162B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法 |
| US08/433,454 US5677025A (en) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optical information recording medium near infrared absorbing material therefor |
| DE69415652T DE69415652T2 (de) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium, und ein darin enthaltendes nahes infrarotabsorbierendes material |
| ES94926383T ES2126146T3 (es) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Medio de grabacion optica de informacion y material absorbente en el infrarrojo proximo utilizado en el mismo. |
| PCT/JP1994/001500 WO1995007189A1 (en) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optical information recording medium and near-infrared absorbing material used therein |
| EP94926383A EP0676299B1 (en) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optical information recording medium and near-infrared absorbing material used therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10775294A JP3583162B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07291979A true JPH07291979A (ja) | 1995-11-07 |
| JP3583162B2 JP3583162B2 (ja) | 2004-10-27 |
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Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3583162B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005290282A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | フタロシアニンの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP10775294A patent/JP3583162B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2005290282A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | フタロシアニンの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3583162B2 (ja) | 2004-10-27 |
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