JPH0415265A - フタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents
フタロシアニン化合物の製造方法Info
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- JPH0415265A JPH0415265A JP11857590A JP11857590A JPH0415265A JP H0415265 A JPH0415265 A JP H0415265A JP 11857590 A JP11857590 A JP 11857590A JP 11857590 A JP11857590 A JP 11857590A JP H0415265 A JPH0415265 A JP H0415265A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明＋Ｌ 近赤外線吸収剤として有用なハロゲン化
アルキルチオフタロシアニンの製造方法に関する。 ［従来の技術］ ハロゲン化アルキルチオフタロシアニンあるいはハロゲ
ン化アリールチオフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭６０−２０９５８３号公報に既に開示されており
、これはハロゲン化フタロシアニンをアルキールチオー
ルあるいはアリールチオールで置換して目的とするハロ
ゲン化アルキルチオフタロシアニンあるいはハロゲン化
アリールチオフタロシアニンを製造する方法である。ま
た、これとは別に本出願人は特願平１−３２２７６１号
にて、ジアルキルチオジハロゲノフタロニトリルを閉環
して目的とするハロゲン化アルキルチオフタロシアニン
を製造する方法を出願済みである。
アルキルチオフタロシアニンの製造方法に関する。 ［従来の技術］ ハロゲン化アルキルチオフタロシアニンあるいはハロゲ
ン化アリールチオフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭６０−２０９５８３号公報に既に開示されており
、これはハロゲン化フタロシアニンをアルキールチオー
ルあるいはアリールチオールで置換して目的とするハロ
ゲン化アルキルチオフタロシアニンあるいはハロゲン化
アリールチオフタロシアニンを製造する方法である。ま
た、これとは別に本出願人は特願平１−３２２７６１号
にて、ジアルキルチオジハロゲノフタロニトリルを閉環
して目的とするハロゲン化アルキルチオフタロシアニン
を製造する方法を出願済みである。
【発明が解決しようとする課題Ｊ
近赤外線吸収剤、特に、追記型ＣＤ （ＣＤ−Ｗｏ）の
８３０ｎｍ用の記録材料として有用なハロゲン化アルキ
ルチオフタロシアニンとしては、そのハロゲン化率が１
〜４の範囲のものが好ましい、ハロゲン化率が５以上に
なると、屈折率、反射率の企画を満たすことができなく
なる。上述の方法では、ハロゲン原子の導入量を制御す
ることができず、ＣＤ−Ｗｏ用の近赤外線吸収剤として
は未だ十分であるとは言えなかった。 〔課題を解決するための手段Ｊ 本発明者らＥＬ 前項の課題を解決すべく鋭意検討の
給気 酢酸中で２反応温度、溶媒量をコントロールする
ことにより、アルキルチオフタロシアニンよりハロゲン
化率の制御されたハロゲン化アルキルチオフタロシアニ
ンが得られることを見いだし、本発明に到達した。 即ち本発明は、下記一般式（Ｉ） Ｒ 〔式（１）中、Ｒ４１置換または未置換のアルキル基を
あられし、Ｎｅｔは２儒の水素原子、２価の金属原子、
置換３価金属原子、２置換４価金属原子を表わす、】で
示されるフタロシアニン化合物を酢酸中、 ２０〜９０
℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式
（ｎ） 〔式（ＩＩ）中、Ｒ及びＮｅｔは式（ｒ）と同一の意味
を表し、 Ｘは、塩素、臭素、 またはヨウ素を表し。 ｎは１≦ｎ≦４である。）で示されるフタロシアニン化
合物の製造方法である。 一般式（Ｉ）及び式（ｎ）中、Ｒで示される置換または
未置換のアルキル基のとしては、メチル幕 エチル基
叶プロピル幕 １ｓｏ−プロピル幕ｎ−ブチル基、 １
ｓｏ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基。 ｔｅｒｔ−ブチルＬｎ−ペンチル幕 １ｓｏ−ペンチル
基、ｎｅｏ−ペンチル基、１．２−ジメチルプロピル幕
ｎ〜へキシルｉ １，３〜ジメチルブチル基 シクロ
ヘキシルｉｎ−へブチルｉ １．４−ジメチルペンチ
ル幕２−メチル−１−４ｓｏ−プロピルプロピル基ｌ−
エチル−３−メチルブチルミｎ−オクチル幕 ２−エチ
ルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチ
ル基、ｎ−ノニルｉ ３，５．５−トリメチルヘキシ
ル基 ３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブチル基、ｎ−
デシル基などの炭化水素基 メトキシメチル基 エトキ
シメチル基 メトキシエチル基 エトキシエチル基 ブ
トキシエチル基 メトキシエトキシエチル基 エトキシ
エトキシエチル基 ２−メトキシプロピル基２−エトキ
シプロピル基２，３−ジメトキシプロピル幕２，２−ジ
メトキシエチル幕 ２−メトキシブチル幕ｌ−メチルー
２−メトキシエチル幕Ｉ−エチル−２−エトキシエチル
基 エトキシブチル基などのアルコキシアルキル基 ２
−ヒドロキシエチル基 ２−ヒドロキシプロピル基、４
−ヒドロキシブチル基、６−ヒドロキシヘキシル基など
のヒドロキシアルキル基 トリフルオロメチル＆ ２
，２．２−トリクロロエチル基、ヘキサフルオロ−１ｓ
ｏ−プロピル基、ペンタフルオロエチル基などのハロゲ
ン化アルキル基などが挙げられる。 又、Ｎｅｔで表わされる２価金属の例としては、Ｃ（１
＋ １目 ＩｎＣｌ Ｉ Ｉ Ｆｅ’ ｌ ｌ ＋
（：、□Ｌ目＋、 ％ｉ口＋１Ｒｕ＋ＩＩＩ Ｒｉ
、ｆ口＋ ｐｄ＋ｌＩｌ ｐｔｎ口 ＭＤＩ Ｉ
Ｉ １Ｍｇ＋１１１． １３．％Ｉ１１． （：ａｆ
目１． ［ｌａ＋ｌＩ１． Ｃｄ’１ ｇ （目’
、Ｓｎ口口など、 ｌ置換３価金属の例としては、 Ａ
ｌ−Ｃｌ、 Ａｌ−Ｂｒ、 ＡＩ−Ｆ、 Ａｌ−
１，Ｇａ−ｆ：Ｉ、 Ｇａ−Ｆ。 Ｇａｉ、 Ｇａ・−Ｂｒ、 Ｉｎ−Ｃｌ、 Ｉｎ−
Ｂｒ、 Ｉｎ−１，Ｉｎ−Ｆ。 Ｔｌ−Ｃｌ、 Ｔｌ−Ｂｒ、 ＴＩ−Ｉ、 ＴＩ
−Ｆ、 ＡＩ−Ｃ，Ｈ，。 ＾１−Ｃ＠Ｈ４ＣＨ３，’Ｉｎ−Ｃ６Ｈ６，Ｉｎ−Ｃ，
Ｈ４ＣＨ３，Ｉｎ−Ｃ４Ｈ６゜Ｍｎ（ＯＨ）などが挙げ
られる。 ２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ２ 。 ５ｉＣＩ＋、 ５ｉＢｒ２．５ｉＦａ、 ５ｉ１２．
ＺｒＣｌ２． ＧｅＣ１２゜ＧｅＢｒ２． Ｇｅ１２．
ＧａＦ２．５ｎＣ１２，ＳｎＢｒ２．５ｎ１２． Ｓ
ｎＦ２゜ＴｉＣｌ２． ＴｉＢｒ２． ＴｉＦ２．５ｉ
（ＯＨ）２． Ｇｅ（ＯＨ）２゜Ｚｒ（ＯＨ）２． Ｍ
ｎ（ＯＨ）２． Ｓｎ（ＯＨ）２． Ｔｉ１２． Ｃｒ
Ｒ２，５ｉＲ２゜５ｎＲ２、ＧｅＲ２［Ｒはアルキル基
、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす］、
５ｉ（ＯＲ’）、。 ５ｎ（ＯＲ’）ａ、 Ｇｅ（ＯＲ’）２． Ｔｉ（ＯＲ
’）ａ、 Ｃｒ（ＯＲ’）ｔ ［Ｒ’はアルキル基 フ
ェニル基 ナフチル基 トリアルキルシリル基 ジアル
キルアルコキシシリル基の誘導体を表わす］、５ｎ（Ｓ
Ｒ”）２ 、 Ｇｅ（ＳＲ”）２［Ｒ”はアルキル基
フェニル基 ナフチル基及びその誘導体を表わす］など
が挙げられる。 オキシ金属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが
挙げられる。 式（Ｉ）で示されるアルキルチオフタロシアニン化合物
の合成法としては、下式（ＩＩＩ）又は（ｒＶ）Ｈ Ｈ （Ｉ［Ｉ） （ＩＶ）で示される化
合物の１〜４種を混合して、例えば１．８−ジアザビシ
クロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）の存在
下にブタノール中で加熱上反応することにより得ること
ができる。 本発明に使用できるハロゲン化剤としては、塩素、臭素
、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、−塩化ヨウ
素、４級アンモニウムクロリド、４級アンモニウムプロ
ミド、４級アンモニウムヨウダイト、次亜塩素酸ｔ−ブ
チル、３ヨウ化カリウムなどが好ましい、また、必要に
応じて酸化側、鉄粉などの触媒を用いても良い、ハロゲ
ン化剤の量としては、原料である式（１）のフタロシア
ニンに対して、 １〜６モル比が好ましい。 酢酸溶媒の量としては、原料のフタロシアニンに対して
５〜５００重量倍、好ましくは１０〜２００重量倍であ
り、その量は必要とするハロゲン化率（式（ｎ）中のｎ
が１〜４）により適宜調整される。 反応温度としては、２０〜９０℃、好ましくは４０〜７
０℃である０反応温度が２０℃よりも低いと反応がうま
く進行せず、また９０℃を越えるとハロゲン化率を制御
することが困難となる。 本発明においてぼ 反応温度、溶媒量を調節し、生成す
るハロゲン化アルキルチオフタロシアニンを反応系より
反応・析出せしめるものである。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。 実施例１ パラジウム テトラα−（１，３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニン１５ｇを酢酸３７５１に装入し、４５
℃に昇温しで溶解させた１次に臭素１８ｇを滴下し、５
０℃で１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し。 析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール２
００１で３回スラッジし、減圧乾燥した。 収量は１７．５ｇであった 元素分析により、臭素の置換数は３個であることが判明
した。 元素分析： Ｃｓ５ＨｓＩＮｓＳ４Ｂｒ３Ｐｄ実施例２ パラジウム テトラα−（ｌ、３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニンｌｏｇを酢酸１５０１に装入し、４０
℃に昇温しで溶解させた３次に臭素６ｇを滴下し、４０
℃で３０分間撹拌した。そのままの温度で析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール１００１で３回
スラッジし、減圧乾燥した。収量は１１ｇであった。 元素分析により、臭素の置換数は２個であることが判明
した。 元素分析： Ｃｓ５Ｈｅ２ＮｉＳＪｒ２Ｐｄ実施例３ パラジウム テトラα−（１−ｉｓｏ−プロピル−２−
メチルブチルチオ）フタロシアニンｌｏｇを酢酸４００
１に装入し、４０℃に昇温して溶解させた１次に臭素１
２ｇを滴下し、７０℃で５時間撹拌した０反応液を４０
℃に降温し析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメ
タノール１００１で３回スラッジし、減圧乾燥した。収
量は１２．２ｇであった。 元素分析により、 臭素の置換数は４個であることが判
明した。 元素分析： Ｃｅ１ＨｓｓＮ＊５４ＢｒａＰｄ分析値（
＄） ５０゜４２ ４．９８ ７．９５ ８．！ｊ７
２１．５３実施ｆｓ４ パラジウム テトラα−（２−エチルへキシルチオ）フ
タロシアニン２ｇを酢酸４００ｍ１に装入し、４０℃に
昇温しで溶解させた１次に臭素２ｇを滴下し、５０℃で
１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール３０−１で３回
スラッジし、減圧乾燥した。収量は２．２ｇであった。 元素分析の語気 得られたものは臭素置換数２個と３個
の中間の値を示し、臭素２個置換と３個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した。 元素分析： 実施例５ ジクロロシリコン テトラα−（２−エチルへキシルチ
オ）フタロシアニン５ｇを酢酸１００１に装入し、４０
℃に昇温しで溶解させた０次に臭素５．５ｇを滴下し、
５０℃で１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し析出
した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール１００
１で３回スラッジし、減圧乾燥した。 収量は５．６ｇであった。 元素分析により、臭素の置換数は３個であることが判明
した。 元素分析： Ｃ，、Ｈ？７ＮｅＳａＢｒａＣ１２Ｓｉ実
施例６ パラジウム テトラα−（ｌ、３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニン２ｇを酢酸４０ｍ１に装入し、３５℃
に昇温しで溶解させた９次に塩化スルフリル２ｇを滴下
し、５０℃で１．５時間撹拌した１反応液を３５℃に降
温し、析出した結晶をろ別した。得られた結晶を水５０
１で２回洗浄し、メタノール５０１で３回スラッジし、
減圧乾燥した。収量は２．２ｇであった。 元素分析により、塩素の置換数は４個であることが判明
した。 元素分析； Ｃｓ５Ｈ６ｓＮｓＳａＣ１，Ｐｄ 〔発明の効果Ｊ 本発明により、 アルキルチオフタロシアニンに ハロゲン原子の導入量を制御して置換することが可能と
なった。
８３０ｎｍ用の記録材料として有用なハロゲン化アルキ
ルチオフタロシアニンとしては、そのハロゲン化率が１
〜４の範囲のものが好ましい、ハロゲン化率が５以上に
なると、屈折率、反射率の企画を満たすことができなく
なる。上述の方法では、ハロゲン原子の導入量を制御す
ることができず、ＣＤ−Ｗｏ用の近赤外線吸収剤として
は未だ十分であるとは言えなかった。 〔課題を解決するための手段Ｊ 本発明者らＥＬ 前項の課題を解決すべく鋭意検討の
給気 酢酸中で２反応温度、溶媒量をコントロールする
ことにより、アルキルチオフタロシアニンよりハロゲン
化率の制御されたハロゲン化アルキルチオフタロシアニ
ンが得られることを見いだし、本発明に到達した。 即ち本発明は、下記一般式（Ｉ） Ｒ 〔式（１）中、Ｒ４１置換または未置換のアルキル基を
あられし、Ｎｅｔは２儒の水素原子、２価の金属原子、
置換３価金属原子、２置換４価金属原子を表わす、】で
示されるフタロシアニン化合物を酢酸中、 ２０〜９０
℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式
（ｎ） 〔式（ＩＩ）中、Ｒ及びＮｅｔは式（ｒ）と同一の意味
を表し、 Ｘは、塩素、臭素、 またはヨウ素を表し。 ｎは１≦ｎ≦４である。）で示されるフタロシアニン化
合物の製造方法である。 一般式（Ｉ）及び式（ｎ）中、Ｒで示される置換または
未置換のアルキル基のとしては、メチル幕 エチル基
叶プロピル幕 １ｓｏ−プロピル幕ｎ−ブチル基、 １
ｓｏ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基。 ｔｅｒｔ−ブチルＬｎ−ペンチル幕 １ｓｏ−ペンチル
基、ｎｅｏ−ペンチル基、１．２−ジメチルプロピル幕
ｎ〜へキシルｉ １，３〜ジメチルブチル基 シクロ
ヘキシルｉｎ−へブチルｉ １．４−ジメチルペンチ
ル幕２−メチル−１−４ｓｏ−プロピルプロピル基ｌ−
エチル−３−メチルブチルミｎ−オクチル幕 ２−エチ
ルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチ
ル基、ｎ−ノニルｉ ３，５．５−トリメチルヘキシ
ル基 ３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブチル基、ｎ−
デシル基などの炭化水素基 メトキシメチル基 エトキ
シメチル基 メトキシエチル基 エトキシエチル基 ブ
トキシエチル基 メトキシエトキシエチル基 エトキシ
エトキシエチル基 ２−メトキシプロピル基２−エトキ
シプロピル基２，３−ジメトキシプロピル幕２，２−ジ
メトキシエチル幕 ２−メトキシブチル幕ｌ−メチルー
２−メトキシエチル幕Ｉ−エチル−２−エトキシエチル
基 エトキシブチル基などのアルコキシアルキル基 ２
−ヒドロキシエチル基 ２−ヒドロキシプロピル基、４
−ヒドロキシブチル基、６−ヒドロキシヘキシル基など
のヒドロキシアルキル基 トリフルオロメチル＆ ２
，２．２−トリクロロエチル基、ヘキサフルオロ−１ｓ
ｏ−プロピル基、ペンタフルオロエチル基などのハロゲ
ン化アルキル基などが挙げられる。 又、Ｎｅｔで表わされる２価金属の例としては、Ｃ（１
＋ １目 ＩｎＣｌ Ｉ Ｉ Ｆｅ’ ｌ ｌ ＋
（：、□Ｌ目＋、 ％ｉ口＋１Ｒｕ＋ＩＩＩ Ｒｉ
、ｆ口＋ ｐｄ＋ｌＩｌ ｐｔｎ口 ＭＤＩ Ｉ
Ｉ １Ｍｇ＋１１１． １３．％Ｉ１１． （：ａｆ
目１． ［ｌａ＋ｌＩ１． Ｃｄ’１ ｇ （目’
、Ｓｎ口口など、 ｌ置換３価金属の例としては、 Ａ
ｌ−Ｃｌ、 Ａｌ−Ｂｒ、 ＡＩ−Ｆ、 Ａｌ−
１，Ｇａ−ｆ：Ｉ、 Ｇａ−Ｆ。 Ｇａｉ、 Ｇａ・−Ｂｒ、 Ｉｎ−Ｃｌ、 Ｉｎ−
Ｂｒ、 Ｉｎ−１，Ｉｎ−Ｆ。 Ｔｌ−Ｃｌ、 Ｔｌ−Ｂｒ、 ＴＩ−Ｉ、 ＴＩ
−Ｆ、 ＡＩ−Ｃ，Ｈ，。 ＾１−Ｃ＠Ｈ４ＣＨ３，’Ｉｎ−Ｃ６Ｈ６，Ｉｎ−Ｃ，
Ｈ４ＣＨ３，Ｉｎ−Ｃ４Ｈ６゜Ｍｎ（ＯＨ）などが挙げ
られる。 ２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ２ 。 ５ｉＣＩ＋、 ５ｉＢｒ２．５ｉＦａ、 ５ｉ１２．
ＺｒＣｌ２． ＧｅＣ１２゜ＧｅＢｒ２． Ｇｅ１２．
ＧａＦ２．５ｎＣ１２，ＳｎＢｒ２．５ｎ１２． Ｓ
ｎＦ２゜ＴｉＣｌ２． ＴｉＢｒ２． ＴｉＦ２．５ｉ
（ＯＨ）２． Ｇｅ（ＯＨ）２゜Ｚｒ（ＯＨ）２． Ｍ
ｎ（ＯＨ）２． Ｓｎ（ＯＨ）２． Ｔｉ１２． Ｃｒ
Ｒ２，５ｉＲ２゜５ｎＲ２、ＧｅＲ２［Ｒはアルキル基
、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす］、
５ｉ（ＯＲ’）、。 ５ｎ（ＯＲ’）ａ、 Ｇｅ（ＯＲ’）２． Ｔｉ（ＯＲ
’）ａ、 Ｃｒ（ＯＲ’）ｔ ［Ｒ’はアルキル基 フ
ェニル基 ナフチル基 トリアルキルシリル基 ジアル
キルアルコキシシリル基の誘導体を表わす］、５ｎ（Ｓ
Ｒ”）２ 、 Ｇｅ（ＳＲ”）２［Ｒ”はアルキル基
フェニル基 ナフチル基及びその誘導体を表わす］など
が挙げられる。 オキシ金属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが
挙げられる。 式（Ｉ）で示されるアルキルチオフタロシアニン化合物
の合成法としては、下式（ＩＩＩ）又は（ｒＶ）Ｈ Ｈ （Ｉ［Ｉ） （ＩＶ）で示される化
合物の１〜４種を混合して、例えば１．８−ジアザビシ
クロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）の存在
下にブタノール中で加熱上反応することにより得ること
ができる。 本発明に使用できるハロゲン化剤としては、塩素、臭素
、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、−塩化ヨウ
素、４級アンモニウムクロリド、４級アンモニウムプロ
ミド、４級アンモニウムヨウダイト、次亜塩素酸ｔ−ブ
チル、３ヨウ化カリウムなどが好ましい、また、必要に
応じて酸化側、鉄粉などの触媒を用いても良い、ハロゲ
ン化剤の量としては、原料である式（１）のフタロシア
ニンに対して、 １〜６モル比が好ましい。 酢酸溶媒の量としては、原料のフタロシアニンに対して
５〜５００重量倍、好ましくは１０〜２００重量倍であ
り、その量は必要とするハロゲン化率（式（ｎ）中のｎ
が１〜４）により適宜調整される。 反応温度としては、２０〜９０℃、好ましくは４０〜７
０℃である０反応温度が２０℃よりも低いと反応がうま
く進行せず、また９０℃を越えるとハロゲン化率を制御
することが困難となる。 本発明においてぼ 反応温度、溶媒量を調節し、生成す
るハロゲン化アルキルチオフタロシアニンを反応系より
反応・析出せしめるものである。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。 実施例１ パラジウム テトラα−（１，３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニン１５ｇを酢酸３７５１に装入し、４５
℃に昇温しで溶解させた１次に臭素１８ｇを滴下し、５
０℃で１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し。 析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール２
００１で３回スラッジし、減圧乾燥した。 収量は１７．５ｇであった 元素分析により、臭素の置換数は３個であることが判明
した。 元素分析： Ｃｓ５ＨｓＩＮｓＳ４Ｂｒ３Ｐｄ実施例２ パラジウム テトラα−（ｌ、３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニンｌｏｇを酢酸１５０１に装入し、４０
℃に昇温しで溶解させた３次に臭素６ｇを滴下し、４０
℃で３０分間撹拌した。そのままの温度で析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール１００１で３回
スラッジし、減圧乾燥した。収量は１１ｇであった。 元素分析により、臭素の置換数は２個であることが判明
した。 元素分析： Ｃｓ５Ｈｅ２ＮｉＳＪｒ２Ｐｄ実施例３ パラジウム テトラα−（１−ｉｓｏ−プロピル−２−
メチルブチルチオ）フタロシアニンｌｏｇを酢酸４００
１に装入し、４０℃に昇温して溶解させた１次に臭素１
２ｇを滴下し、７０℃で５時間撹拌した０反応液を４０
℃に降温し析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメ
タノール１００１で３回スラッジし、減圧乾燥した。収
量は１２．２ｇであった。 元素分析により、 臭素の置換数は４個であることが判
明した。 元素分析： Ｃｅ１ＨｓｓＮ＊５４ＢｒａＰｄ分析値（
＄） ５０゜４２ ４．９８ ７．９５ ８．！ｊ７
２１．５３実施ｆｓ４ パラジウム テトラα−（２−エチルへキシルチオ）フ
タロシアニン２ｇを酢酸４００ｍ１に装入し、４０℃に
昇温しで溶解させた１次に臭素２ｇを滴下し、５０℃で
１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し析出した結晶
をろ別した。得られた結晶をメタノール３０−１で３回
スラッジし、減圧乾燥した。収量は２．２ｇであった。 元素分析の語気 得られたものは臭素置換数２個と３個
の中間の値を示し、臭素２個置換と３個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した。 元素分析： 実施例５ ジクロロシリコン テトラα−（２−エチルへキシルチ
オ）フタロシアニン５ｇを酢酸１００１に装入し、４０
℃に昇温しで溶解させた０次に臭素５．５ｇを滴下し、
５０℃で１時間撹拌した８反応液を４０℃に降温し析出
した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール１００
１で３回スラッジし、減圧乾燥した。 収量は５．６ｇであった。 元素分析により、臭素の置換数は３個であることが判明
した。 元素分析： Ｃ，、Ｈ？７ＮｅＳａＢｒａＣ１２Ｓｉ実
施例６ パラジウム テトラα−（ｌ、３−ジメチルブチルチオ
）フタロシアニン２ｇを酢酸４０ｍ１に装入し、３５℃
に昇温しで溶解させた９次に塩化スルフリル２ｇを滴下
し、５０℃で１．５時間撹拌した１反応液を３５℃に降
温し、析出した結晶をろ別した。得られた結晶を水５０
１で２回洗浄し、メタノール５０１で３回スラッジし、
減圧乾燥した。収量は２．２ｇであった。 元素分析により、塩素の置換数は４個であることが判明
した。 元素分析； Ｃｓ５Ｈ６ｓＮｓＳａＣ１，Ｐｄ 〔発明の効果Ｊ 本発明により、 アルキルチオフタロシアニンに ハロゲン原子の導入量を制御して置換することが可能と
なった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式（ I ）中、Ｒは、置換または未置換のアルキル基
をあらわし、Ｍｅｔは２個の水素原子、２価の金属原子
、置換３価金属原子、２置換４価金属原子を表わす。〕
で示されるフタロシアニン化合物を酢酸中、２０〜９０
℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式
（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式（II）中、Ｒ及びＭｅｔは式（ I ）と同一の意味
を表し、Ｘは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、ｎは
１≦ｎ≦４である。〕で示されるフタロシアニン化合物
の製造方法。 ２、酢酸の使用量が式（ I ）のフタロシアニン化合物
に対して１０〜２００重量倍である請求項１記載の製造
方法。 ３、ハロゲン化剤の使用量が式（ I ）のフタロシアニ
ン化合物に対して１〜６モル比である請求項２記載の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11857590A JPH0749533B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11857590A JPH0749533B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415265A true JPH0415265A (ja) | 1992-01-20 |
| JPH0749533B2 JPH0749533B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=14739991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11857590A Expired - Lifetime JPH0749533B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749533B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156912B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-01-02 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Colored composition |
| WO2019082967A1 (ja) | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 大日精化工業株式会社 | 顔料分散剤、顔料組成物、及び顔料着色剤 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP11857590A patent/JPH0749533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156912B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-01-02 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Colored composition |
| WO2019082967A1 (ja) | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 大日精化工業株式会社 | 顔料分散剤、顔料組成物、及び顔料着色剤 |
| KR20200062356A (ko) | 2017-10-27 | 2020-06-03 | 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 | 안료 분산제, 안료 조성물 및 안료 착색제 |
| US10961227B2 (en) | 2017-10-27 | 2021-03-30 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Pigment dispersing agent, pigment composition, and pigment coloring agent |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0749533B2 (ja) | 1995-05-31 |
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