JPH04155309A - マトリクス光スイッチ - Google Patents
マトリクス光スイッチInfo
- Publication number
- JPH04155309A JPH04155309A JP28041490A JP28041490A JPH04155309A JP H04155309 A JPH04155309 A JP H04155309A JP 28041490 A JP28041490 A JP 28041490A JP 28041490 A JP28041490 A JP 28041490A JP H04155309 A JPH04155309 A JP H04155309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- switch
- gate switch
- photo
- absorbing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、超高速光交換システム等に用いられるマトリ
クス光スィッチに関するものである。
クス光スィッチに関するものである。
（従来の技術）
近年の光通信システムの発展、実用化に伴い、従来にな
い新しい機能やサービスを提供するシステムが考えられ
ている。そのようなシステムで必要とされるデバイスと
して多数の光伝送路の接続を任意にしかも高速に切り換
えるマトリクス光スィッチが挙げられる。
い新しい機能やサービスを提供するシステムが考えられ
ている。そのようなシステムで必要とされるデバイスと
して多数の光伝送路の接続を任意にしかも高速に切り換
えるマトリクス光スィッチが挙げられる。
マトリクスの構成としては広帯域信号が扱える、放送モ
ード機能を持つ、マトリクス規模の拡張が容易という点
で、光分岐回路、光ゲートスイッチ、光合流回路よりな
る分岐ゲート型マトリクス光スィッチが優れている。
ード機能を持つ、マトリクス規模の拡張が容易という点
で、光分岐回路、光ゲートスイッチ、光合流回路よりな
る分岐ゲート型マトリクス光スィッチが優れている。
このタイプの光スイッチとして、姫野らの試作した４Ｘ
４マトリクス光スイツチの例が、昭和６０年度電子通信
学会予稿集５７−３、ｐ、 １−３４５頁に記載されて
いる。これは光分岐回路、光合流回路として石英系光導
波路を、光ゲートスイッチとしてＩｎＧａＡｓＰ ＬＤ
光ゲートを用いて構成したものである。
４マトリクス光スイツチの例が、昭和６０年度電子通信
学会予稿集５７−３、ｐ、 １−３４５頁に記載されて
いる。これは光分岐回路、光合流回路として石英系光導
波路を、光ゲートスイッチとしてＩｎＧａＡｓＰ ＬＤ
光ゲートを用いて構成したものである。
（発明が解決しようとする課題）
従来例では光ゲートとしてＬＤ光ゲートを用いるため光
の切り換え速度が遅く、空間分割と時分割を併用する将
来の光交換システムへの適用は困難であるという問題が
あった。
の切り換え速度が遅く、空間分割と時分割を併用する将
来の光交換システムへの適用は困難であるという問題が
あった。
本発明の目的は、高抵抗半導体基板上に光分岐回路と半
導体の電界吸収効果を用いた光ゲートスイッチと光合流
回路を製作することで、光ゲートスイッチ単体の素子容
量を下げ、超高速切り替えを可能とした分岐ゲート型マ
トリクス光スィッチを提供することにある。
導体の電界吸収効果を用いた光ゲートスイッチと光合流
回路を製作することで、光ゲートスイッチ単体の素子容
量を下げ、超高速切り替えを可能とした分岐ゲート型マ
トリクス光スィッチを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明のマトリクス光スィッチは、高抵抗半導体基板上
に、一つの入射用の光導波路から入った光信号をｍ（≧
２）本の光分岐にするｎ個の１×ｍの光分岐回路と、前
記光分岐回路の各々の分岐先に光学的に結合する位置関
係にあるＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路と、前記ＰＩ
Ｎ構造を持つ半導体光導波路に電界を印加する手段と、
前ｇ己ｎ個の光分岐回路の各々ｍ個の分岐先の一つずつ
に接続された前記ＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路に光
学的に結合する位置関係にあるｍ個のｎＸ１光合流回路
を備えることを特徴とする。
に、一つの入射用の光導波路から入った光信号をｍ（≧
２）本の光分岐にするｎ個の１×ｍの光分岐回路と、前
記光分岐回路の各々の分岐先に光学的に結合する位置関
係にあるＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路と、前記ＰＩ
Ｎ構造を持つ半導体光導波路に電界を印加する手段と、
前ｇ己ｎ個の光分岐回路の各々ｍ個の分岐先の一つずつ
に接続された前記ＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路に光
学的に結合する位置関係にあるｍ個のｎＸ１光合流回路
を備えることを特徴とする。
（作用）
本発明はｎ個の１×ｍの光分岐回路と、各々の分岐先に
光学的に結合する半導体の電界吸収効果を用いた光ゲー
トスイッチと、更に、それと光学的に結合するｍ個のｎ
Ｘ１光合流回路が高抵抗半導体基板上に集積された構成
を探っている。基本的な動作は、一つの入力端から入っ
た光をｍ本に分岐したのち、その後段にある光ゲートス
イッチがＯＮ状態の時にのみｎＸｌ光合流回路を経由し
て出力ポートに光が出力されるので、光ゲートスイッチ
のＯＮ、ＯＦＦ状態によりマトリクス光スィッチの任意
の切り換え状態が可能となる。
光学的に結合する半導体の電界吸収効果を用いた光ゲー
トスイッチと、更に、それと光学的に結合するｍ個のｎ
Ｘ１光合流回路が高抵抗半導体基板上に集積された構成
を探っている。基本的な動作は、一つの入力端から入っ
た光をｍ本に分岐したのち、その後段にある光ゲートス
イッチがＯＮ状態の時にのみｎＸｌ光合流回路を経由し
て出力ポートに光が出力されるので、光ゲートスイッチ
のＯＮ、ＯＦＦ状態によりマトリクス光スィッチの任意
の切り換え状態が可能となる。
ここで用いられる光ゲートスイッチは素子長が２００μ
ｍと小型で、電圧３ｖ程度で消光比１５ｄＢ以上と優れ
た特性を有している。従って十分な低電圧で動作するマ
トリクス光スィッチが得られる。更に構成上、光分岐の
数を増やしても一つの入出力間で経由する光ゲートスイ
ッチの段数の増加がないため、分岐数の拡張も非常に容
易である。また電界吸収型の光スィッチの速度は素子の
容量によって決まり、高抵抗半導体基板を用いることに
より素子の寄生容量を大幅に低減でき、４０ＧＨｚ以上
の帯域が得られることが、１９９０年電子情報通信学会
春季全国大会予稿集４−２９４頁で述べられている。
ｍと小型で、電圧３ｖ程度で消光比１５ｄＢ以上と優れ
た特性を有している。従って十分な低電圧で動作するマ
トリクス光スィッチが得られる。更に構成上、光分岐の
数を増やしても一つの入出力間で経由する光ゲートスイ
ッチの段数の増加がないため、分岐数の拡張も非常に容
易である。また電界吸収型の光スィッチの速度は素子の
容量によって決まり、高抵抗半導体基板を用いることに
より素子の寄生容量を大幅に低減でき、４０ＧＨｚ以上
の帯域が得られることが、１９９０年電子情報通信学会
春季全国大会予稿集４−２９４頁で述べられている。
従って本発明によるマトリクス光スィッチは、高抵抗半
導体基板上に光分岐回路と電界吸収効果を用いた光ゲー
トスイッチ、光合流回路が集積された構成であるため、
光ゲートスイッチのスイッチング速度が非常に速く、空
間的に分割された光を高速に切り換えるのみならず、時
分割された超高速の光信号を空間的に切り換える空間分
割と時分割を併用した光交換システムへの適用も可能で
ある。
導体基板上に光分岐回路と電界吸収効果を用いた光ゲー
トスイッチ、光合流回路が集積された構成であるため、
光ゲートスイッチのスイッチング速度が非常に速く、空
間的に分割された光を高速に切り換えるのみならず、時
分割された超高速の光信号を空間的に切り換える空間分
割と時分割を併用した光交換システムへの適用も可能で
ある。
（実施例）
第１図は、本発明によるマトリクス光スィッチの実施例
を示す斜視図、第２図（ａＸｂ）はそれぞれ第１図の斜
視図中のＡ−Ａ’、 Ｂ−Ｂ’間の断面図である。ここ
では２×２の場合について示し、光分岐回路、光合流回
路としてはＹ分岐光導波路を各々用いた。材料系として
は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を用い、光分岐、合流回
路部と光ゲートスイッチ部では導波層波長組成の異なる
ダブルへテロＤＨ構造の光導波路を用いた構造の場合に
つき説明するが、材料、組成、構造はこれに限定される
ものではなく、ＩｎＡｌＡｓ系 ＩｎＡｌＡｓ系、Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ系の材料、更にＭＱＷ構造などを用
いてもよい。
を示す斜視図、第２図（ａＸｂ）はそれぞれ第１図の斜
視図中のＡ−Ａ’、 Ｂ−Ｂ’間の断面図である。ここ
では２×２の場合について示し、光分岐回路、光合流回
路としてはＹ分岐光導波路を各々用いた。材料系として
は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を用い、光分岐、合流回
路部と光ゲートスイッチ部では導波層波長組成の異なる
ダブルへテロＤＨ構造の光導波路を用いた構造の場合に
つき説明するが、材料、組成、構造はこれに限定される
ものではなく、ＩｎＡｌＡｓ系 ＩｎＡｌＡｓ系、Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ系の材料、更にＭＱＷ構造などを用
いてもよい。
まず第２図を用いて本発明の実施例の製作方法について
簡単に説明する。高抵抗証基板１上にｎ＋−ＩｎＰクラ
ッド層２を厚さ０．５□ｍ、ノンドープの１−ＩｎＧａ
ＡｓＰ（バンドギャップ波長１．４５μｍ）光吸収層３
を厚さ０．３ｐｍ、 ｐ＋−ＩｎＰクラッド層４を厚さ
０．８．ｇｍ、ＭＯＶＰＥ法により順次成長し、光ゲー
トスイッチとなる層構造をまず成長する。次に光分岐、
合流回路が形成される部分を高抵抗ＩｎＰ基板１が表面
に出るまでフォトリソグラフィ及びエツチングにより落
とし、エツチングされた部分にのみノンドープの１−Ｉ
ｎＰクラッド層５を厚さ０．５．４ｍ、 １−ＩｎＧａ
ＡｓＰ（バンドギャップ波長１．１．ｕｍ）ガイド層６
を０．３μｍ、 １−ＩｎＰりランド層７を０．８μｍ
１ をＭＯＶＰＥ法により選択的に成長する。これによ
りＢ−Ｂ’間の断面図に示すような層構造が形成される
。光分岐回路及び光合製回路が形成される部分の１−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層６と光ゲートスイッチとなる１−
ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３と光吸収面３良好な光学的結
合が為されている。
簡単に説明する。高抵抗証基板１上にｎ＋−ＩｎＰクラ
ッド層２を厚さ０．５□ｍ、ノンドープの１−ＩｎＧａ
ＡｓＰ（バンドギャップ波長１．４５μｍ）光吸収層３
を厚さ０．３ｐｍ、 ｐ＋−ＩｎＰクラッド層４を厚さ
０．８．ｇｍ、ＭＯＶＰＥ法により順次成長し、光ゲー
トスイッチとなる層構造をまず成長する。次に光分岐、
合流回路が形成される部分を高抵抗ＩｎＰ基板１が表面
に出るまでフォトリソグラフィ及びエツチングにより落
とし、エツチングされた部分にのみノンドープの１−Ｉ
ｎＰクラッド層５を厚さ０．５．４ｍ、 １−ＩｎＧａ
ＡｓＰ（バンドギャップ波長１．１．ｕｍ）ガイド層６
を０．３μｍ、 １−ＩｎＰりランド層７を０．８μｍ
１ をＭＯＶＰＥ法により選択的に成長する。これによ
りＢ−Ｂ’間の断面図に示すような層構造が形成される
。光分岐回路及び光合製回路が形成される部分の１−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層６と光ゲートスイッチとなる１−
ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３と光吸収面３良好な光学的結
合が為されている。
次に、光分岐、合流回路及び光ゲートスイッチ形成のた
め、ＳｉＯ２マスクパターンを通常のフォトリソグラフ
ィー法により形成する。この時のストライブの幅は１．
５μｍである。このＳｉＯ２マスクを用い、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２、及び１−ＩｎＰクラッド層５が表面に露
出するまでエツチングし、まずハイメサ構造の光導波路
パターンを形成し、その後レジストマスクを用い、光ゲ
ートスイッチの導波路の片側でｐ側電極が形成される部
分のみ更にｎ”−ＩｎＰクラッド層２をエツチングし、
高抵抗ＩｎＰ基板ｌを露出させる。レジストマスクを剥
離後、先はどのＳｉＯ□マスクを、そのまま選択成長用
のマスクとして用い高抵抗ＩｎＰ埋め込み層８で全体を
埋め込む。この時点で光分岐回路１１ａ、 ｌｌｂ、光
合製回路１２ａ、 １２ｂは完成し、埋め込み構造の光
導波路が形成される。
め、ＳｉＯ２マスクパターンを通常のフォトリソグラフ
ィー法により形成する。この時のストライブの幅は１．
５μｍである。このＳｉＯ２マスクを用い、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２、及び１−ＩｎＰクラッド層５が表面に露
出するまでエツチングし、まずハイメサ構造の光導波路
パターンを形成し、その後レジストマスクを用い、光ゲ
ートスイッチの導波路の片側でｐ側電極が形成される部
分のみ更にｎ”−ＩｎＰクラッド層２をエツチングし、
高抵抗ＩｎＰ基板ｌを露出させる。レジストマスクを剥
離後、先はどのＳｉＯ□マスクを、そのまま選択成長用
のマスクとして用い高抵抗ＩｎＰ埋め込み層８で全体を
埋め込む。この時点で光分岐回路１１ａ、 ｌｌｂ、光
合製回路１２ａ、 １２ｂは完成し、埋め込み構造の光
導波路が形成される。
光ゲートスイッチのｎ側の電極を取り出すために、導波
路のｐ側電極が形成される部分の反対側をエツチングに
より１００．ｚｍＸ １００μｍ程度の穴を開け、ｎ−
ＩｎＰクラッド層２を表面に露出させる。最後の第２図
（ａ）のＡ−Ａ’での断面図に示すように、光ゲートス
イッチの導波路上及び高抵抗ＩｎＰ基板工上に直接高抵
抗ＩｎＰ埋め込み層８がある側（図中では導波路の右側
）に光ゲートスイッチのｐ側電極９を形成し、ｐ側電極
９と反対側でｎ”−ＩｎＰクラッド層２が表面に出てい
る部分にｎ側電極１０を形成し素子は完成する。基板は
研磨により厚さ約１００μ門とし、光ゲートスイッチ部
分の素子長は２００．ｇｍであり、またｐ側電極のパッ
ド部の面積は各々８０μｍ×８０μｍである。各光ゲー
トスイッチの間隔は２５０ｐｍ、光分岐、合流回路部の
Ｙ分岐の分岐角は５度であり、マトリクス光スィッチと
しての素子サイズは８ｍｍＸ１ｍｍと小さい。
路のｐ側電極が形成される部分の反対側をエツチングに
より１００．ｚｍＸ １００μｍ程度の穴を開け、ｎ−
ＩｎＰクラッド層２を表面に露出させる。最後の第２図
（ａ）のＡ−Ａ’での断面図に示すように、光ゲートス
イッチの導波路上及び高抵抗ＩｎＰ基板工上に直接高抵
抗ＩｎＰ埋め込み層８がある側（図中では導波路の右側
）に光ゲートスイッチのｐ側電極９を形成し、ｐ側電極
９と反対側でｎ”−ＩｎＰクラッド層２が表面に出てい
る部分にｎ側電極１０を形成し素子は完成する。基板は
研磨により厚さ約１００μ門とし、光ゲートスイッチ部
分の素子長は２００．ｇｍであり、またｐ側電極のパッ
ド部の面積は各々８０μｍ×８０μｍである。各光ゲー
トスイッチの間隔は２５０ｐｍ、光分岐、合流回路部の
Ｙ分岐の分岐角は５度であり、マトリクス光スィッチと
しての素子サイズは８ｍｍＸ１ｍｍと小さい。
次にこのマトリクス光スィッチの動作について第１図を
用いて説明する。
用いて説明する。
入射光の波長を１．５５ｐｍとする。光分岐回路１１ａ
。
。
１１ｂに入射された光信号１４ａ、 １４ｂは各々２分
割され各光ゲートスイッチに導かれる。光分岐回路のＹ
分岐の分岐角は５度と非常に小さく、また光分岐回路部
でのガイド層６の波長組成は１．ｌｌ１ｍであるため、
ここでの分岐部での過剰損失、吸収損失はほとんどない
。各光ゲートスイッチへ入射された光は、スイッチの光
吸収層３の逆バイアス電圧がＯの時、光ゲートスイッチ
はＯＮ状態となるので、そのまま通過し光合製回路を経
由して出力される。光吸収層３に逆バイアス電圧が印加
されると、電界吸収効果により光は吸収され光ゲートス
イッチはＯＦＦ状態となる。この時の消光比（ＯＮ−Ｏ
ＦＦ比）は使用波長、光吸収層の波長組成、吸収層の長
さによって決まるが、本実施例の場合では、電圧３ｖで
消光比１５ｄＢが得られ光ゲートスイッチとしては十分
な特性が得られている。これらの光ゲートスイッチのＯ
Ｎ、 ＯＦＦ状態により入射光１４ａ、 １４ｂ、出射
光１５ａ。
割され各光ゲートスイッチに導かれる。光分岐回路のＹ
分岐の分岐角は５度と非常に小さく、また光分岐回路部
でのガイド層６の波長組成は１．ｌｌ１ｍであるため、
ここでの分岐部での過剰損失、吸収損失はほとんどない
。各光ゲートスイッチへ入射された光は、スイッチの光
吸収層３の逆バイアス電圧がＯの時、光ゲートスイッチ
はＯＮ状態となるので、そのまま通過し光合製回路を経
由して出力される。光吸収層３に逆バイアス電圧が印加
されると、電界吸収効果により光は吸収され光ゲートス
イッチはＯＦＦ状態となる。この時の消光比（ＯＮ−Ｏ
ＦＦ比）は使用波長、光吸収層の波長組成、吸収層の長
さによって決まるが、本実施例の場合では、電圧３ｖで
消光比１５ｄＢが得られ光ゲートスイッチとしては十分
な特性が得られている。これらの光ゲートスイッチのＯ
Ｎ、 ＯＦＦ状態により入射光１４ａ、 １４ｂ、出射
光１５ａ。
１５ｂ間での任意の切り換えが可能となる。例えば光ゲ
ートスイッチを１３ａ−ＯＦＦ、 １３ｂ−ＯＮ、 １
３ｃ −ＯＮ、１３ｄ−ＯＦＦと設定することで、入射
光１４ａは出射光１５ｂとして、入射光１４ｂは出射光
１５ａとしてそれぞれ出力される。
ートスイッチを１３ａ−ＯＦＦ、 １３ｂ−ＯＮ、 １
３ｃ −ＯＮ、１３ｄ−ＯＦＦと設定することで、入射
光１４ａは出射光１５ｂとして、入射光１４ｂは出射光
１５ａとしてそれぞれ出力される。
次にスイッチング速度について述べる。作用の項でも述
べた様に、電界効果を用いたスイッチのスイッチング速
度あるいは変調帯域は素子の容量Ｃによりほぼ決定され
Ａｆ＝ １／（＝ｒＣＲ）で表される。本発明では高抵
抗半導体基板を用い、ｐ側電極パッドの下はすべて高抵
抗半導体層である゛ため素子の寄生容量がほとんど無視
でき、その結果素子容量が非常に小さくなる構造である
。実施例の場合、素子全体の容量は０．１２ｐＦであ）
、光ゲートスイッチの変調周波数帯域は５０ＧＨｚ以上
あるため、超高速のスイッチングが可能である。従って
本発明によるマトリクス光スィッチは、超高速で動作す
る光ゲートスイッチを有しているため、数１０Ｇｂ／ｓ
程度の超高速光信号の切り換えを必要とする、空間分割
、時分割を併用した将来の光交換システムへの適用が可
能である。
べた様に、電界効果を用いたスイッチのスイッチング速
度あるいは変調帯域は素子の容量Ｃによりほぼ決定され
Ａｆ＝ １／（＝ｒＣＲ）で表される。本発明では高抵
抗半導体基板を用い、ｐ側電極パッドの下はすべて高抵
抗半導体層である゛ため素子の寄生容量がほとんど無視
でき、その結果素子容量が非常に小さくなる構造である
。実施例の場合、素子全体の容量は０．１２ｐＦであ）
、光ゲートスイッチの変調周波数帯域は５０ＧＨｚ以上
あるため、超高速のスイッチングが可能である。従って
本発明によるマトリクス光スィッチは、超高速で動作す
る光ゲートスイッチを有しているため、数１０Ｇｂ／ｓ
程度の超高速光信号の切り換えを必要とする、空間分割
、時分割を併用した将来の光交換システムへの適用が可
能である。
二こでは２Ｘ２のマトリクス光スィッチにつし】で、光
分岐、光合流回路としてＹ分岐を用いたものにつき説明
したが、同様な構成で４Ｘ４．８Ｘ８への拡張も十分可
能である。この場合光分岐、光合法回路部にＹ分岐を用
いると素子全体が長くなるが、９０度ミラーなどにより
光を垂直に折り返す光分岐、光合流回路を用いれば、数
ｍｍ以内でこれらの素子が実現できる。
分岐、光合流回路としてＹ分岐を用いたものにつき説明
したが、同様な構成で４Ｘ４．８Ｘ８への拡張も十分可
能である。この場合光分岐、光合法回路部にＹ分岐を用
いると素子全体が長くなるが、９０度ミラーなどにより
光を垂直に折り返す光分岐、光合流回路を用いれば、数
ｍｍ以内でこれらの素子が実現できる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば１×ｍ光分
岐回路と光導波路とｎＸ１光合流回路を用いることによ
り、超高速切り換えが可能なマトリクス光スィッチが得
られ、将来の数十Ｇｂ／ｓ以上の超高速光交換システム
の実現に貢献すること大である。
岐回路と光導波路とｎＸ１光合流回路を用いることによ
り、超高速切り換えが可能なマトリクス光スィッチが得
られ、将来の数十Ｇｂ／ｓ以上の超高速光交換システム
の実現に貢献すること大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のマトリクス光スィッチの実施例を示す
斜視図、第２図はその部分断面図である。 図において、１は高抵抗ＩｎＰ基板、２はｎ”−ＩｎＰ
クラッド層、３は１−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、４はｐ
”−ＩｎＰり・ ラッド層、５は１−ＩｎＰクラッ
ド層、６は１−ＩｎＧａＡｓＰガイド層、７は１−Ｉｎ
Ｐクラッド層、８は高抵抗ＩｎＰ埋め込み層、９はｐ側
電極、１０はｎ側電極、ｌｌａ、 Ｉｌｂは光分岐回路
、１２ａ、 １２ｂは光合流回路、１３ａ、 １３ｂ、
１３ｃ、 １３ｄは光ゲートスイッチ、１４ａ、 １
４ｂは入射光、１５ａ、 １５ｂは出射光である。
斜視図、第２図はその部分断面図である。 図において、１は高抵抗ＩｎＰ基板、２はｎ”−ＩｎＰ
クラッド層、３は１−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、４はｐ
”−ＩｎＰり・ ラッド層、５は１−ＩｎＰクラッ
ド層、６は１−ＩｎＧａＡｓＰガイド層、７は１−Ｉｎ
Ｐクラッド層、８は高抵抗ＩｎＰ埋め込み層、９はｐ側
電極、１０はｎ側電極、ｌｌａ、 Ｉｌｂは光分岐回路
、１２ａ、 １２ｂは光合流回路、１３ａ、 １３ｂ、
１３ｃ、 １３ｄは光ゲートスイッチ、１４ａ、 １
４ｂは入射光、１５ａ、 １５ｂは出射光である。
Claims (1)
- 高抵抗半導体基板上に、一つの入射用の光導波路から入
った光信号をｍ（≧２）本の光に分岐するｎ個の１×ｍ
の光分岐回路と、前記光分岐回路の各々の分岐先に光学
的に結合する位置関係にあるＰＩＮ構造を持つ半導体光
導波路と、前記ＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路に電界
を印加する手段と、前記ｎ個の光分岐回路の各々ｍ個の
分岐先の一つずつに接続された前記ＰＩＮ構造を持つ半
導体光導波路に光学的に結合する位置関係にあるｍ個の
ｎ×１光合流回路を備えることを特徴とするマトリクス
光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041490A JPH04155309A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | マトリクス光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28041490A JPH04155309A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | マトリクス光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155309A true JPH04155309A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17624711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28041490A Pending JPH04155309A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | マトリクス光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05341242A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光変調素子 |
| JP2011203382A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28041490A patent/JPH04155309A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05341242A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光変調素子 |
| JP2011203382A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1178703A (en) | Optical switch | |
| US5838844A (en) | Integrated optical circuit comprising a polarization convertor | |
| JP2656598B2 (ja) | 半導体光スイッチ及び半導体光スイッチアレイ | |
| JP2707898B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPH05241220A (ja) | 光論理素子 | |
| JP4436451B2 (ja) | 光信号増幅３端子装置 | |
| JPS63197923A (ja) | マトリツクス光スイツチ | |
| US6961169B2 (en) | Light-controlled light modulator | |
| JP2000221345A (ja) | マルチモード干渉光素子 | |
| JPH06289439A (ja) | 縦続的な光空間スイッチの製造方法、およびその方法で製造された縦続的な光空間スイッチ | |
| US4932736A (en) | High-extinction 1×2 integrated optical switch | |
| US4998791A (en) | Integrated optical switches with very high extinction ratios | |
| JPH04155309A (ja) | マトリクス光スイッチ | |
| US6956985B2 (en) | Semiconductor-based optical switch architecture | |
| JP2901321B2 (ja) | 光デマルチプレクサ | |
| EP1314333B1 (en) | Integrated optical router and wavelength convertor matrix | |
| US5394491A (en) | Semiconductor optical switch and array of the same | |
| JPH01178933A (ja) | 光スイッチ | |
| JPH04346301A (ja) | 光合分岐器 | |
| JP2630052B2 (ja) | マトリクス光スイッチ | |
| JPH0486622A (ja) | 光デマルチプレクサ | |
| JPH0719001B2 (ja) | 半導体光スイツチ | |
| JP3490258B2 (ja) | 半導体光素子及びこの偏波制御方法ならびに光集積回路 | |
| JP2000347231A (ja) | 光ゲートスイッチ素子 | |
| JP2676942B2 (ja) | 光変調器 |