JPH0486622A - 光デマルチプレクサ - Google Patents
光デマルチプレクサInfo
- Publication number
- JPH0486622A JPH0486622A JP19964690A JP19964690A JPH0486622A JP H0486622 A JPH0486622 A JP H0486622A JP 19964690 A JP19964690 A JP 19964690A JP 19964690 A JP19964690 A JP 19964690A JP H0486622 A JPH0486622 A JP H0486622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- branching circuit
- demultiplexer
- gate switch
- optical waveguide
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超高速光通信システム、光交換システム等に
用いられる光デマルチプレクサに関するものである。
用いられる光デマルチプレクサに関するものである。
近年の光通信システム、光交換システムの発展に伴い、
超高速の光パルス列あるいは、時分割光信号を低速に落
し信号処理をするための、光デマルチプレクサの実現が
望まれている。このような光デマルチプレクサとしては
、超高速動作は勿論のこと、低電圧動作が可能で、小型
化、集積化が容易であることが要求される。
超高速の光パルス列あるいは、時分割光信号を低速に落
し信号処理をするための、光デマルチプレクサの実現が
望まれている。このような光デマルチプレクサとしては
、超高速動作は勿論のこと、低電圧動作が可能で、小型
化、集積化が容易であることが要求される。
光デマルチプレクサの例として、芳賀らの試作した１×
４高速光スイツチ／デマルチプレクサが雑誌アイ・イー
・イー・イー・ジャーナル・オブ・ライトウニイブ・テ
クノロジー１９８５年、第３巻、１１６頁に記載されて
いる。これはニオブ酸リチウム基板を用い、Ｙ分岐と非
対称Ｘ分岐とその間の位相変調を与える光導波路よりな
るＩＸ２スイッチを３個集積しＩＸ４スイッチを構成し
たものであり、１つの入射光導波路に入った４ Ｇ ｂ
／ ｓの入力光信号をＩ Ｇ ｂ ／ ｓの光信号と
して各々４つの光導波路より出力する動作を実現してい
る。素子の全長は約４Ｃ）ｎと大きく、また動作電圧は
６．６〜１３．３Ｖである。
４高速光スイツチ／デマルチプレクサが雑誌アイ・イー
・イー・イー・ジャーナル・オブ・ライトウニイブ・テ
クノロジー１９８５年、第３巻、１１６頁に記載されて
いる。これはニオブ酸リチウム基板を用い、Ｙ分岐と非
対称Ｘ分岐とその間の位相変調を与える光導波路よりな
るＩＸ２スイッチを３個集積しＩＸ４スイッチを構成し
たものであり、１つの入射光導波路に入った４ Ｇ ｂ
／ ｓの入力光信号をＩ Ｇ ｂ ／ ｓの光信号と
して各々４つの光導波路より出力する動作を実現してい
る。素子の全長は約４Ｃ）ｎと大きく、また動作電圧は
６．６〜１３．３Ｖである。
従来例では基本エレメントである１×２スイツチの動作
原理としてニオブ酸リチウムの電気光学効果による屈折
率変化を用いているために、かなり長い素子長が必要で
あり、更に動作電圧が比較的高いという問題があった。
原理としてニオブ酸リチウムの電気光学効果による屈折
率変化を用いているために、かなり長い素子長が必要で
あり、更に動作電圧が比較的高いという問題があった。
従ってこの素子サイズでは１×８．１×１６などへの拡
張は困難であり、更に２０Ｇｂ／ｓ、４０Ｇｂ／ｓとい
った超高速領域での適用は進行波電極などの複雑な構造
を用いずには実現が難しい。
張は困難であり、更に２０Ｇｂ／ｓ、４０Ｇｂ／ｓとい
った超高速領域での適用は進行波電極などの複雑な構造
を用いずには実現が難しい。
本発明の目的は、半導体の電界吸収効果を用いた光ゲー
トスイッチと光分岐回路を集積することにより、小型化
、集積化を容易とし、低電圧化を図り、更にこれらを高
抵抗半導体基板上に製作することで、光ゲートスイッチ
単体の素子容量を下げ、超高速動作を図った光デマルチ
プレクサを提供することにある。
トスイッチと光分岐回路を集積することにより、小型化
、集積化を容易とし、低電圧化を図り、更にこれらを高
抵抗半導体基板上に製作することで、光ゲートスイッチ
単体の素子容量を下げ、超高速動作を図った光デマルチ
プレクサを提供することにある。
本発明の光デマルチプレクサは、高抵抗半導体基板上に
、一つの入射用の光導波路から入った光信号をｎ本の光
に分岐する光分岐回路と、前記光分岐回路の各々の分岐
先に光学的に結合する位置関係にあるＰＩＮ構造を持つ
半導体光導波路と、前記ＰＩＮ構造を持つ半導体光導波
路に電界を印加する手段とを備えることを特徴とする。
、一つの入射用の光導波路から入った光信号をｎ本の光
に分岐する光分岐回路と、前記光分岐回路の各々の分岐
先に光学的に結合する位置関係にあるＰＩＮ構造を持つ
半導体光導波路と、前記ＰＩＮ構造を持つ半導体光導波
路に電界を印加する手段とを備えることを特徴とする。
本発明はＩＸｎの光分岐回路と、各々の分岐先に光学的
に結合するＰＩＮｍ造の光導波路、すなわち、半導体の
電界吸収効果を用いた光ゲートスイッチとを集積した構
成を採っている。基本的な動作は、光ゲートスイッチを
ＯＮ状態にした出力ポートのみに光が出力されるので、
光パルス列あるいは光信号のビットレートに同期させて
順番に光ゲートスイッチをＯＮ状態にすることで光デマ
ルチプレクサとしての動作が実現できる。ここで用いら
れる光ゲートスイッチは素子長が２００μｍと小型で、
電圧３Ｖ程度で消光比１５ｄＢ以上と優れた特性を有し
ている。従って十分な低電圧で動作する光デマルチプレ
クサが得られる。更に構成上、光分岐の数を増やしても
光ゲートスイッチが直列に接続されることはないので、
分岐数の拡張も容易である。また全体の素子長は光分岐
回路の長さでほぼ決まり、これを最適化することにより
十分な小型化も図れる。電界吸収型の光スィッチの速度
は素子の容量によって決まり、高抵抗半導体基板を用い
ることにより素子の寄生容量を大幅に低減でき、４０Ｇ
Ｈｚ以上の帯域が得られることが、１９９０年電子情報
通信学会春季全国大会予稿集 ４−２９４頁で述べられ
ている。
に結合するＰＩＮｍ造の光導波路、すなわち、半導体の
電界吸収効果を用いた光ゲートスイッチとを集積した構
成を採っている。基本的な動作は、光ゲートスイッチを
ＯＮ状態にした出力ポートのみに光が出力されるので、
光パルス列あるいは光信号のビットレートに同期させて
順番に光ゲートスイッチをＯＮ状態にすることで光デマ
ルチプレクサとしての動作が実現できる。ここで用いら
れる光ゲートスイッチは素子長が２００μｍと小型で、
電圧３Ｖ程度で消光比１５ｄＢ以上と優れた特性を有し
ている。従って十分な低電圧で動作する光デマルチプレ
クサが得られる。更に構成上、光分岐の数を増やしても
光ゲートスイッチが直列に接続されることはないので、
分岐数の拡張も容易である。また全体の素子長は光分岐
回路の長さでほぼ決まり、これを最適化することにより
十分な小型化も図れる。電界吸収型の光スィッチの速度
は素子の容量によって決まり、高抵抗半導体基板を用い
ることにより素子の寄生容量を大幅に低減でき、４０Ｇ
Ｈｚ以上の帯域が得られることが、１９９０年電子情報
通信学会春季全国大会予稿集 ４−２９４頁で述べられ
ている。
従って本発明による光デマルチプレクサは、高抵抗半導
体基板上に光分岐回路と電界吸収効果を用いた光ゲート
スイッチが集積された構成であるため、ゲートスイッチ
のスイッチング速度が非常に速く、超高速の時系列光信
号を処理することが可能となる。
体基板上に光分岐回路と電界吸収効果を用いた光ゲート
スイッチが集積された構成であるため、ゲートスイッチ
のスイッチング速度が非常に速く、超高速の時系列光信
号を処理することが可能となる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明による光デマ
ルチプレクサの実施例を示す斜視図、及び斜視図中のＡ
−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’間の断面図である。ここでは１×４
の場合について示し、光分岐回路としてはＹ分岐を２段
にしたものを用いた。材料系としては、Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐ／Ｉ ｎＰ系を用い、光分岐回路部と光ゲートスイッ
チ部では導波層波長組成の異なるダブルへテロ構造（Ｄ
Ｈ槽構造の光導波路を用いた場合につき説明するが、材
料１組成、構造はこれに限定されるものではなく、Ｉ
ｎＧａＡｓ／Ｉ ｎＡ ＩＡｓ系。
ルチプレクサの実施例を示す斜視図、及び斜視図中のＡ
−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’間の断面図である。ここでは１×４
の場合について示し、光分岐回路としてはＹ分岐を２段
にしたものを用いた。材料系としては、Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐ／Ｉ ｎＰ系を用い、光分岐回路部と光ゲートスイッ
チ部では導波層波長組成の異なるダブルへテロ構造（Ｄ
Ｈ槽構造の光導波路を用いた場合につき説明するが、材
料１組成、構造はこれに限定されるものではなく、Ｉ
ｎＧａＡｓ／Ｉ ｎＡ ＩＡｓ系。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の材料、更に多重量子井戸（
ＭＱＷ）構造などを用いてもよい。
ＭＱＷ）構造などを用いてもよい。
まず第１図を用いて本発明の実施例の製作方法について
簡単に説明する。高抵抗ＩｎＰ基板１上にｎ”−ＩｎＰ
クラッド層２を０．５μｍ、ｉ−Ｉ ｎＧａＡｓＰ （
バンドギヤ’ｙプ波長１．４５μｍ）光吸収層３を０．
３．ｃｚｍ、ｐ”−ＩｎＰクラッド層４を０．８μｍ、
ＭＯＶＰＥ法により光ゲートスイッチとなる部分を順次
成長する０次に光分岐回路が形成される部分をエツチン
グにより高抵抗ＩｎＰ基板１が表面に出るまで落とし、
エツチングされた部分にのみ１−ＩｎＰクラッド層５を
Ｏ，’５Ｂｍ、１−ＩｎＧａＡｓＰ （バンドギャップ
波長１．１μｍ）ガイド層６を０．３μｍ、１−ＩｎＰ
クラッド層７を０．８μｍをＭＯＶＰＥ法により選択的
に成長する。これによりＢ−Ｂ’間の断面図（第１図（
Ｃ））に示したように、１−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３
とｉ−Ｉ ｎＧａＡｓＰガイド層６とは層方向に光学的
に結合される。光分岐回路及び光ゲートスイッチ形成の
ため、Ｓｉ○２マスルパターンを通常のフォトリソグラ
フィー法により形成する。この時のストライブの幅は１
．５μｍである。このＳｉＯ□マスクを用い、ｎ”−Ｉ
ｎＰクラッド層２、及びｉ”−ＩｎＰクラッド層５が表
面に露出するまでエツチングし、ハイメサ構造の光導波
路パターンを形成し、その後レジストマスクを用い、光
ゲートスイッチの導波路の片側でｐ側電極が形成される
部分のみを更にエツチングし、高抵抗ＩｎＰ基板１を露
出させる。レジストマスクを剥離後、先はどのＳ ｉ
０２マスクを、そのまま選択成長用のマスクとして用い
高抵抗ＩｎＰ埋め込み層８で全体を埋め込む。この時点
で光分岐回路１１は完成し、埋め込み構造の光導波路が
形成される。光ゲートスイッチのｎ側の電極を取り出す
ために、導波路のｐ側電極が形成される部分の反対側を
エツチングにより１００μｍＸ１００μｍ程度の穴を開
け、ｎ”−ＩｎＰクラッド層２を表面に露出させる。最
後にＡ−Ａ’断面図に示すように、光ゲートスイッチの
導波路上及び高抵抗ＩｎＰ基板１上に直接高抵抗ＩｎＰ
埋め込み層８がある側にｐ側電極９を形成し、ｐ型電極
９と反対側でｎ＋−ＩｎＰクラッド層２が表面に出てい
る部分にｎ側電極１０を形成し素子は完成する。基板は
研磨により厚さ約１００μｍ、光ゲートスイッチ部分の
素子長は２００μｍであり、またｐ側電極のパッド部の
面積は８０μｍ×８０μｍである。各光ゲートスイッチ
の間隔は２５０μｍ、光分岐回路部のＹ分岐の分岐角は
５度であり、光マルチプレクサとしての素子サイズは９
龍Ｘｌ＋ｕと小さく、従来例の４分の１以下である。
簡単に説明する。高抵抗ＩｎＰ基板１上にｎ”−ＩｎＰ
クラッド層２を０．５μｍ、ｉ−Ｉ ｎＧａＡｓＰ （
バンドギヤ’ｙプ波長１．４５μｍ）光吸収層３を０．
３．ｃｚｍ、ｐ”−ＩｎＰクラッド層４を０．８μｍ、
ＭＯＶＰＥ法により光ゲートスイッチとなる部分を順次
成長する０次に光分岐回路が形成される部分をエツチン
グにより高抵抗ＩｎＰ基板１が表面に出るまで落とし、
エツチングされた部分にのみ１−ＩｎＰクラッド層５を
Ｏ，’５Ｂｍ、１−ＩｎＧａＡｓＰ （バンドギャップ
波長１．１μｍ）ガイド層６を０．３μｍ、１−ＩｎＰ
クラッド層７を０．８μｍをＭＯＶＰＥ法により選択的
に成長する。これによりＢ−Ｂ’間の断面図（第１図（
Ｃ））に示したように、１−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３
とｉ−Ｉ ｎＧａＡｓＰガイド層６とは層方向に光学的
に結合される。光分岐回路及び光ゲートスイッチ形成の
ため、Ｓｉ○２マスルパターンを通常のフォトリソグラ
フィー法により形成する。この時のストライブの幅は１
．５μｍである。このＳｉＯ□マスクを用い、ｎ”−Ｉ
ｎＰクラッド層２、及びｉ”−ＩｎＰクラッド層５が表
面に露出するまでエツチングし、ハイメサ構造の光導波
路パターンを形成し、その後レジストマスクを用い、光
ゲートスイッチの導波路の片側でｐ側電極が形成される
部分のみを更にエツチングし、高抵抗ＩｎＰ基板１を露
出させる。レジストマスクを剥離後、先はどのＳ ｉ
０２マスクを、そのまま選択成長用のマスクとして用い
高抵抗ＩｎＰ埋め込み層８で全体を埋め込む。この時点
で光分岐回路１１は完成し、埋め込み構造の光導波路が
形成される。光ゲートスイッチのｎ側の電極を取り出す
ために、導波路のｐ側電極が形成される部分の反対側を
エツチングにより１００μｍＸ１００μｍ程度の穴を開
け、ｎ”−ＩｎＰクラッド層２を表面に露出させる。最
後にＡ−Ａ’断面図に示すように、光ゲートスイッチの
導波路上及び高抵抗ＩｎＰ基板１上に直接高抵抗ＩｎＰ
埋め込み層８がある側にｐ側電極９を形成し、ｐ型電極
９と反対側でｎ＋−ＩｎＰクラッド層２が表面に出てい
る部分にｎ側電極１０を形成し素子は完成する。基板は
研磨により厚さ約１００μｍ、光ゲートスイッチ部分の
素子長は２００μｍであり、またｐ側電極のパッド部の
面積は８０μｍ×８０μｍである。各光ゲートスイッチ
の間隔は２５０μｍ、光分岐回路部のＹ分岐の分岐角は
５度であり、光マルチプレクサとしての素子サイズは９
龍Ｘｌ＋ｕと小さく、従来例の４分の１以下である。
次にこの実施例の光デマルチプレクサの動作について第
１図、第２図及び第３図を用いて説明する。最初に第１
図を用いて基本的な特性について述べる。
１図、第２図及び第３図を用いて説明する。最初に第１
図を用いて基本的な特性について述べる。
入射光の波長を１．５５μｍとする。光分岐回路１１人
入射れた光はＹ分岐２段を通り４分割され各々の光ゲー
トスイッチに導かれる。Ｙ分岐の分岐角は５度と非常に
小さく、また光分岐回路部でのガイド層６の波長組成は
１．１μｍであるため、ここでの分岐損失、吸収損失は
ほとんどない。光ゲートスイッチの光吸収層３へ入射さ
れた光は、スイッチの逆バイアス電圧がＯの時は光ゲー
トスイッチはＯＮ状態であり、そのまま通過し出力され
るが、光吸収層３に逆バイアス電圧が印加されると、電
界吸収効果により光は吸収され光ゲートスイッチはＯＦ
Ｆ状態となる。この時の消光比（ＯＮ−ＯＦＦ比）は使
用波長、光吸収層の波長組成、吸収層に長さによって決
まるが、本実施例の場合では、電圧３■で消光比１５ｄ
Ｂが得られ、光ゲートスイッチとしては十分な特性が得
られている。
入射れた光はＹ分岐２段を通り４分割され各々の光ゲー
トスイッチに導かれる。Ｙ分岐の分岐角は５度と非常に
小さく、また光分岐回路部でのガイド層６の波長組成は
１．１μｍであるため、ここでの分岐損失、吸収損失は
ほとんどない。光ゲートスイッチの光吸収層３へ入射さ
れた光は、スイッチの逆バイアス電圧がＯの時は光ゲー
トスイッチはＯＮ状態であり、そのまま通過し出力され
るが、光吸収層３に逆バイアス電圧が印加されると、電
界吸収効果により光は吸収され光ゲートスイッチはＯＦ
Ｆ状態となる。この時の消光比（ＯＮ−ＯＦＦ比）は使
用波長、光吸収層の波長組成、吸収層に長さによって決
まるが、本実施例の場合では、電圧３■で消光比１５ｄ
Ｂが得られ、光ゲートスイッチとしては十分な特性が得
られている。
次にスイッチング速度について述べる０作用の項でも述
べた様に、電界効果を用いたスイッチのスイッチング速
度あるいは変調帯域△ｆは素子の容量Ｃによりほぼ決定
され、 △ｆ＝１／（πＣＲ） で表される。本発明では高抵抗半導体基板を用い、ｐ側
電極のパッドの下はすべて高抵抗半導体層であるため素
子の寄生容量がほとんど無視でき、その結果素子容量が
非常に小さくなる構造である。実施例の場合、素子全体
の容量は０．１２ｐＦである。従って、本発明に用いた
光ゲートスイッチの変調周波数帯域は５０ＧＨｚ以上あ
り、超高速のスイッチングが可能である。
べた様に、電界効果を用いたスイッチのスイッチング速
度あるいは変調帯域△ｆは素子の容量Ｃによりほぼ決定
され、 △ｆ＝１／（πＣＲ） で表される。本発明では高抵抗半導体基板を用い、ｐ側
電極のパッドの下はすべて高抵抗半導体層であるため素
子の寄生容量がほとんど無視でき、その結果素子容量が
非常に小さくなる構造である。実施例の場合、素子全体
の容量は０．１２ｐＦである。従って、本発明に用いた
光ゲートスイッチの変調周波数帯域は５０ＧＨｚ以上あ
り、超高速のスイッチングが可能である。
次に第２図及び第３図を用いて光デマルチプレクサとし
ての動作を説明する。ここでは４０Ｇｂ／Ｓの入射光の
光パルス列を４分割し、４つの１０ Ｇ ｂ ／ ｓの
光パルス列に変換する場合について示す。
ての動作を説明する。ここでは４０Ｇｂ／Ｓの入射光の
光パルス列を４分割し、４つの１０ Ｇ ｂ ／ ｓの
光パルス列に変換する場合について示す。
入射光パルス列は光分岐回路２１を通り４分割され各々
同じ時間に光ゲートスイッチ２２゜２３．２４．２５到
達する。第３図には入射光パルス列と各光ゲートスイッ
チに印加する逆バイアス電圧Ｖ１〜Ｖ４の時間的な関係
を示したもので、光ゲートスイッチをＯＮ状態にする、
つまり逆バイアス電圧を０にする時間を１ビット分の時
間、２５ｐｓとし、各々の光ゲートスイッチには、前段
に比べ２Ｓｐｓずつ遅らせて電気的な信号を与えている
。その結果、第２図に示すように、４０ Ｇ ｂ ／
ｓの光パルス列が各々１０Ｇｂ／８４本の光出力に変換
され出力される。先に説明したように本光ゲートスイッ
チは超高速動作が可能であるため、このように４０ Ｇ
ｂ ／ ｓ程度の光信号を切り出すことは容易である
。
同じ時間に光ゲートスイッチ２２゜２３．２４．２５到
達する。第３図には入射光パルス列と各光ゲートスイッ
チに印加する逆バイアス電圧Ｖ１〜Ｖ４の時間的な関係
を示したもので、光ゲートスイッチをＯＮ状態にする、
つまり逆バイアス電圧を０にする時間を１ビット分の時
間、２５ｐｓとし、各々の光ゲートスイッチには、前段
に比べ２Ｓｐｓずつ遅らせて電気的な信号を与えている
。その結果、第２図に示すように、４０ Ｇ ｂ ／
ｓの光パルス列が各々１０Ｇｂ／８４本の光出力に変換
され出力される。先に説明したように本光ゲートスイッ
チは超高速動作が可能であるため、このように４０ Ｇ
ｂ ／ ｓ程度の光信号を切り出すことは容易である
。
また、この光デマルチプレクサは逆バイアス電圧の与え
方により、時分割光通信号（この場合は１０ Ｇ ｂ
／ ｓが４分割され４０ Ｇ ｂ ／ ｓとなっている
）を１０ Ｇ ｂ ／ ｓの光信号として空間的にばら
まくことのできる光交換器としても使用できる。
方により、時分割光通信号（この場合は１０ Ｇ ｂ
／ ｓが４分割され４０ Ｇ ｂ ／ ｓとなっている
）を１０ Ｇ ｂ ／ ｓの光信号として空間的にばら
まくことのできる光交換器としても使用できる。
ここでは光分岐回路としてＹ分岐を縦続接続した、１×
４の光デマルチプレクサについて説明したが、同様の構
成でＩＸ８．ｌＸ１６への拡張も容易なことは明白であ
る。この場合光分岐回路部が長くなるが、９０度ミラー
などにより光を垂直に折り返す光分岐回路を用いれば、
数龍以内で素子が実現できる。
４の光デマルチプレクサについて説明したが、同様の構
成でＩＸ８．ｌＸ１６への拡張も容易なことは明白であ
る。この場合光分岐回路部が長くなるが、９０度ミラー
などにより光を垂直に折り返す光分岐回路を用いれば、
数龍以内で素子が実現できる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば超高速動作
が可能な光デマルチプレクサが得られ、将来の超高速光
通信システム、光交換システムの実現に貢献すること大
である。
が可能な光デマルチプレクサが得られ、将来の超高速光
通信システム、光交換システムの実現に貢献すること大
である。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の光デマルチプ
レクサの実施例を示す斜視図及び各部の断面図であり、
第２図、第３図は本発明の光デマルチプレクサとしての
動作を説明するための図である。 図において、１、・・・高抵抗ＩｎＰ基板、２・・・ｎ
”−ＩｎＰクラッド層、３ ・−・ｉ −Ｉ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓＰ光吸収層、４・・・ｐ”−ＩｎＰクラッド
層２５・・・１−ＩｎＰクラッド層、６−・ｉ−Ｉ ｎ
ＧａＡｓＰガイド層、７・・・１−ＩｎＰクラッド層、
８・・・高抵抗ＩｎＰ埋め込み層、９・・・ｐ側電極、
１０・・・ｎ側電極、１１．２１・・・光分岐回路、２
２．２３゜２４．２５・・・光ゲートスイッチである。 第１図
レクサの実施例を示す斜視図及び各部の断面図であり、
第２図、第３図は本発明の光デマルチプレクサとしての
動作を説明するための図である。 図において、１、・・・高抵抗ＩｎＰ基板、２・・・ｎ
”−ＩｎＰクラッド層、３ ・−・ｉ −Ｉ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓＰ光吸収層、４・・・ｐ”−ＩｎＰクラッド
層２５・・・１−ＩｎＰクラッド層、６−・ｉ−Ｉ ｎ
ＧａＡｓＰガイド層、７・・・１−ＩｎＰクラッド層、
８・・・高抵抗ＩｎＰ埋め込み層、９・・・ｐ側電極、
１０・・・ｎ側電極、１１．２１・・・光分岐回路、２
２．２３゜２４．２５・・・光ゲートスイッチである。 第１図
Claims (1)
- 高抵抗半導体基板上に、一つの入射用の光導波路から入
った光信号をｎ本の光に分岐する光分岐回路と、前記光
分岐回路の各々の分岐先に光学的に結合する位置関係に
あるＰＩＮ構造を持つ半導体光導波路と、前記ＰＩＮ構
造を持つ半導体光導波路に電界を印加する手段とを備え
ることを特徴とする光デマルチプレクサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19964690A JPH0486622A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光デマルチプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19964690A JPH0486622A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光デマルチプレクサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0486622A true JPH0486622A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16411315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19964690A Pending JPH0486622A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光デマルチプレクサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0486622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015060044A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ素子 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19964690A patent/JPH0486622A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015060044A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ素子 |
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