JPH04155913A - 縮小投影露光装置の焦点位置検出機構 - Google Patents
縮小投影露光装置の焦点位置検出機構Info
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- JPH04155913A JPH04155913A JP2282179A JP28217990A JPH04155913A JP H04155913 A JPH04155913 A JP H04155913A JP 2282179 A JP2282179 A JP 2282179A JP 28217990 A JP28217990 A JP 28217990A JP H04155913 A JPH04155913 A JP H04155913A
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置の焦点位置（ペストフォーカ
ス）を検出する機構に関する。
ス）を検出する機構に関する。
従来の縮小投影露光装置における焦点位置検出機構を第
５図に示す（この種の従来例は、例えば特開昭５８−７
１３６号）に開示される。
５図に示す（この種の従来例は、例えば特開昭５８−７
１３６号）に開示される。
第５図において、１は照明光源、２′はマスキングブレ
ード、３はレティクル、４は縮小レンズ５は被露光物た
る半導体ウェハ、６はｘ、ｙ、ｚ軸方向に移動可能なス
テージで、ステージ６上にウェハ５が載置されると共に
焦点位置検出用の光検出器７が配置される。
ード、３はレティクル、４は縮小レンズ５は被露光物た
る半導体ウェハ、６はｘ、ｙ、ｚ軸方向に移動可能なス
テージで、ステージ６上にウェハ５が載置されると共に
焦点位置検出用の光検出器７が配置される。
照明光源１から出射される光は、マスキングブレード２
′の光透過開口部を介してレティクル３のデバイスパタ
ーンを透過し、縮小レンズ４によりステージ６上のウェ
ハ５面を照射して投影露光が行われる。
′の光透過開口部を介してレティクル３のデバイスパタ
ーンを透過し、縮小レンズ４によりステージ６上のウェ
ハ５面を照射して投影露光が行われる。
レティクル３には、第６図に示すようにデバイスパター
ン８．テストパターン９が形成され、これらのパターン
８，９を囲む縁の一部に焦点位置決めに用いるターゲッ
トパターン１０が配設しである。ターゲットパターン１
０はクロム上に長方形の抜きパターンとして形成され、
説明の便宜上パターンを簡略化して示しである。
ン８．テストパターン９が形成され、これらのパターン
８，９を囲む縁の一部に焦点位置決めに用いるターゲッ
トパターン１０が配設しである。ターゲットパターン１
０はクロム上に長方形の抜きパターンとして形成され、
説明の便宜上パターンを簡略化して示しである。
光検出器７は、第７図（ｂ）に示すように光センサ１２
の面上にレティクル３のターゲットパターン１０と同形
のクロム上に長方形の抜きパター、 ン１１を形成し
て構成される。
の面上にレティクル３のターゲットパターン１０と同形
のクロム上に長方形の抜きパター、 ン１１を形成し
て構成される。
以上の構成において、マスキングブレード２′は、レテ
ィクル３のデバイスパターン８及びテストパターン９を
選択遮蔽したり、デバイスパターン寸法に従って遮蔽量
（換言すれば光透過開口面積）を可変調整して目的に応
じて選択露光する機能を有する。
ィクル３のデバイスパターン８及びテストパターン９を
選択遮蔽したり、デバイスパターン寸法に従って遮蔽量
（換言すれば光透過開口面積）を可変調整して目的に応
じて選択露光する機能を有する。
縮小レンズ４の焦点位置を検出するには、照明光の照射
の下で、まずステージ６を横軸（Ｘ軸）方向に徐々に移
動させることで、第８図に示すようにターゲットパター
ン１０と光検出器７のパターン１１との横軸方向の位置
合わせを行う。
の下で、まずステージ６を横軸（Ｘ軸）方向に徐々に移
動させることで、第８図に示すようにターゲットパター
ン１０と光検出器７のパターン１１との横軸方向の位置
合わせを行う。
これによりレティクル３面を透過する照明光源１の光の
うちターゲットパターン１０を透過する光が光検出器７
のパターン１１に導かれる。光センサ１２によりその光
量を受光し、増幅器１３で増幅し、Ａ／Ｄ変換器１４で
Ａ／Ｄ変換する。そして、第８図に示すＸ軸方向のター
ゲットパターン１０とパターン１１とのＸ軸方向の位置
合わせ過程における光検出器７の光量変化を第９図（ａ
）に示す。この光量変化をデータとして収集する。
うちターゲットパターン１０を透過する光が光検出器７
のパターン１１に導かれる。光センサ１２によりその光
量を受光し、増幅器１３で増幅し、Ａ／Ｄ変換器１４で
Ａ／Ｄ変換する。そして、第８図に示すＸ軸方向のター
ゲットパターン１０とパターン１１とのＸ軸方向の位置
合わせ過程における光検出器７の光量変化を第９図（ａ
）に示す。この光量変化をデータとして収集する。
本データの意味するところは、横軸のＸ座標位置に対す
る光量変化であり、図中、Ｘ−ｎからＸ＋ｎまで位置を
変化させた時ｘＯの位置がレティクルターゲットパター
ン１０と光検出器パターン１１の合致した位置を示す。
る光量変化であり、図中、Ｘ−ｎからＸ＋ｎまで位置を
変化させた時ｘＯの位置がレティクルターゲットパター
ン１０と光検出器パターン１１の合致した位置を示す。
さらに、この光検出器パターン１１のｘＯの位置で、ス
テージ６を用いて光検出器７をＺ軸方向に移動（上下方
向の移動）させ、Ｚ軸方向の位置に対する光量変化を第
９図（ｂ）に示すデータとして収集する。第９図（ｂ）
に示すＺ−ｎからＺ＋ｎまで位置を変化させた時のＺｏ
の位置が、レティクルターゲットパターン１０と光検出
器パターン１１との焦点が合った位置となる。すなわち
第１Ｏ図に示すように焦点位置が適正位置にあると光検
出器７のセンサ１２に入る光量が最大となす、この光量
から最適焦点位置を求めることができる。
テージ６を用いて光検出器７をＺ軸方向に移動（上下方
向の移動）させ、Ｚ軸方向の位置に対する光量変化を第
９図（ｂ）に示すデータとして収集する。第９図（ｂ）
に示すＺ−ｎからＺ＋ｎまで位置を変化させた時のＺｏ
の位置が、レティクルターゲットパターン１０と光検出
器パターン１１との焦点が合った位置となる。すなわち
第１Ｏ図に示すように焦点位置が適正位置にあると光検
出器７のセンサ１２に入る光量が最大となす、この光量
から最適焦点位置を求めることができる。
上記のように焦点位置検出機構を備えることによって、
機械的変化に伴う焦点位置のずれや縮小レンズ４の大気
圧変・化による焦点位置の変化があっても最適焦点位置
を検出しようとする。
機械的変化に伴う焦点位置のずれや縮小レンズ４の大気
圧変・化による焦点位置の変化があっても最適焦点位置
を検出しようとする。
ところで、縮小レンズは、照明光源の光が透過する過程
でその光エネルギーの一部を吸収する。
でその光エネルギーの一部を吸収する。
この光エネルギーの吸収量は、特に焦点位置合わせのよ
うに比較的時間を要する場合に多くなり、それが熱変換
されて縮小レンズを膨張させたり、縮小レンズを構成す
るレンズ群間の空気密度を変化させ、ひいては焦点位置
を変動させる原因ともなる。
うに比較的時間を要する場合に多くなり、それが熱変換
されて縮小レンズを膨張させたり、縮小レンズを構成す
るレンズ群間の空気密度を変化させ、ひいては焦点位置
を変動させる原因ともなる。
従来はこの点についての配慮が充分ではなく、焦点位置
検出機構を用いても、焦点位置が時々刻々と変動するた
めに初期の焦点位置が定め難い問題があった。
検出機構を用いても、焦点位置が時々刻々と変動するた
めに初期の焦点位置が定め難い問題があった。
なお、位置決め後に行われる実際の生産過程におけるデ
バイスパターンの投影露光については、−回の光照射量
が短時間であるので、投影露光中に縮小レンズに吸収さ
れる光エネルギーが少な（、投影露光の間に上記のよう
な問題が生じることはない、また、生産過程中に縮小レ
ンズに徐々に蓄積される光エネルギー吸収量が増して焦
点位置に変化をきたした場合でも、初期の焦点位置が特
定されればこれに基づき焦点位置の変化を予測して補正
制御することが可能である。ので、生産過程の段階では
さほどの問題はない。
バイスパターンの投影露光については、−回の光照射量
が短時間であるので、投影露光中に縮小レンズに吸収さ
れる光エネルギーが少な（、投影露光の間に上記のよう
な問題が生じることはない、また、生産過程中に縮小レ
ンズに徐々に蓄積される光エネルギー吸収量が増して焦
点位置に変化をきたした場合でも、初期の焦点位置が特
定されればこれに基づき焦点位置の変化を予測して補正
制御することが可能である。ので、生産過程の段階では
さほどの問題はない。
問題となるのは、焦点位置決め時における光エネルギー
吸収による縮小レンズの焦点位置の変動であって、これ
を解決しなければ初期の焦点位置を特定できない。
吸収による縮小レンズの焦点位置の変動であって、これ
を解決しなければ初期の焦点位置を特定できない。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、縮小投影露光装置における最適焦点位置
の検出を精度良くスムーズに検出することができる焦点
位置検出機構を提供することにある。
するところは、縮小投影露光装置における最適焦点位置
の検出を精度良くスムーズに検出することができる焦点
位置検出機構を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、照明光源の照射の
下でレティクルのターゲットパターンとステージ上の光
検出器との横軸方向の位置合わせを行い、ステージひい
ては光検出器を縦軸方向に移動させて焦点位置の検出を
行う方式の機構において、照明光源とレティクルとの間
に配置されるマスキングブレードにレティクルのはｆ全
面を遮蔽しつつレティクルのターゲットパターンに的を
絞って光透過を行う機構を設けてなる。
下でレティクルのターゲットパターンとステージ上の光
検出器との横軸方向の位置合わせを行い、ステージひい
ては光検出器を縦軸方向に移動させて焦点位置の検出を
行う方式の機構において、照明光源とレティクルとの間
に配置されるマスキングブレードにレティクルのはｆ全
面を遮蔽しつつレティクルのターゲットパターンに的を
絞って光透過を行う機構を設けてなる。
本発明の詳細な説明に先立ち、第４図により縮小投影露
光装置の焦点位置検出時における光照射量と焦点位置の
変動量との関係を説明する。
光装置の焦点位置検出時における光照射量と焦点位置の
変動量との関係を説明する。
第４図における横軸は光照射時間、縦軸は変動量を示し
、焦点位置は、光エネルギーの照射時間により時々刻々
と変動する（光照射を断とするとその変化ははｆ逆の現
象となって、ある時間後にもとの状態に復帰する）。ま
た本現象は、レティクルのクロム占有面積（クロムは光
を反射させる目的で存在する）によってその焦点位置の
変動値を変える。すなわち、クロム占有面積が少なけれ
ば縮小レンズ４に照射される光量は増大し、クロム占有
面積が多くなれば照射される光量は減少する。そして、
クロム占有面積が少なければ、今までの説明で明らかな
ように焦点位置の変動が大きくなる。従って、第４図の
ようにレティクルＡ。
、焦点位置は、光エネルギーの照射時間により時々刻々
と変動する（光照射を断とするとその変化ははｆ逆の現
象となって、ある時間後にもとの状態に復帰する）。ま
た本現象は、レティクルのクロム占有面積（クロムは光
を反射させる目的で存在する）によってその焦点位置の
変動値を変える。すなわち、クロム占有面積が少なけれ
ば縮小レンズ４に照射される光量は増大し、クロム占有
面積が多くなれば照射される光量は減少する。そして、
クロム占有面積が少なければ、今までの説明で明らかな
ように焦点位置の変動が大きくなる。従って、第４図の
ようにレティクルＡ。
レティクルＢ、レティクルＣのクロム占有面積をＣ＞Ｂ
＞Ａとすれば、焦点位置変動量はＣが最も大きく、その
次Ｂで、Ａが最も小さくなる。
＞Ａとすれば、焦点位置変動量はＣが最も大きく、その
次Ｂで、Ａが最も小さくなる。
本発明は以上の現象より、焦点位置を正しく検出するた
めには、縮小レンズに照射する光量を減らせばよいこと
に着目し、マスキングブレードに本来の機能（デバイス
パターンに合わせて遮蔽量を調整する機能）の他に、焦
点位置の検出時には、レティクルのはオ全面を遮蔽しつ
つそのターゲットパターンに的を絞って光透過を行う機
能を与える。
めには、縮小レンズに照射する光量を減らせばよいこと
に着目し、マスキングブレードに本来の機能（デバイス
パターンに合わせて遮蔽量を調整する機能）の他に、焦
点位置の検出時には、レティクルのはオ全面を遮蔽しつ
つそのターゲットパターンに的を絞って光透過を行う機
能を与える。
このようにすれば焦点位置検出時に照明光源から出射さ
れる光は、レティクルのターゲットパターンのみを通っ
て縮小レンズを局部的に通過するので、縮小レンズに照
射される光量が大幅に減少し、レンズに吸収される光エ
ネルギーを最小とでき、しかも、その局部的な照射光が
縮小レン光検出器により検出される。
れる光は、レティクルのターゲットパターンのみを通っ
て縮小レンズを局部的に通過するので、縮小レンズに照
射される光量が大幅に減少し、レンズに吸収される光エ
ネルギーを最小とでき、しかも、その局部的な照射光が
縮小レン光検出器により検出される。
このようにマスキングブレードを用いてレティクルター
ゲットパターンを通過させた場合には、マスキングブレ
ードの通常の開口時（デバイスパターンを含めて光照射
するようにした開口状態）に比べてレンズと透過する光
エネルギーは１０００分の１に激減する。その結果、吸
収光エネルギーに起因するレンズの熱変化をほとんどな
くし、焦点位置検出時の焦点位置変動を極小に抑える。
ゲットパターンを通過させた場合には、マスキングブレ
ードの通常の開口時（デバイスパターンを含めて光照射
するようにした開口状態）に比べてレンズと透過する光
エネルギーは１０００分の１に激減する。その結果、吸
収光エネルギーに起因するレンズの熱変化をほとんどな
くし、焦点位置検出時の焦点位置変動を極小に抑える。
本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す縮小投影露光装置の
全体構成を示し、図中、既述した第５図の従来例と同一
の符号は同−或いは共通する要素を示す。
全体構成を示し、図中、既述した第５図の従来例と同一
の符号は同−或いは共通する要素を示す。
本実施例において、従来例と異なる点は、マスキングブ
レード２にレティクル３のデバイスバタ−ンに合わせて
遮蔽量（光透過面積）を可変調整する機構のほかに、焦
点位置検出時には、レティクル３のはズ全面を遮蔽しつ
つそのターゲットパターン１０に的を絞って光透過を行
う機構を設けた点にある。
レード２にレティクル３のデバイスバタ−ンに合わせて
遮蔽量（光透過面積）を可変調整する機構のほかに、焦
点位置検出時には、レティクル３のはズ全面を遮蔽しつ
つそのターゲットパターン１０に的を絞って光透過を行
う機構を設けた点にある。
このような構成よりなれば、発明の〔作用〕の項でも述
べたように、焦点位置検出時に照明光源から出射される
光は、マスキングブレード２によって絞られ、レティク
ル３のターゲットパターン１０のみを通って縮小レンズ
４を局部的に通過するので、縮小レンズ４に吸収される
光エネルギーを最小とでき、その局部的な照射光が光検
出器７により検出される。そして、このような位置検出
方式によれば、光エネルギーに起因する縮小レンズ４の
焦点位置変動を充分に抑え、焦点位置の検出を精度良（
スムーズに行うことができる。
べたように、焦点位置検出時に照明光源から出射される
光は、マスキングブレード２によって絞られ、レティク
ル３のターゲットパターン１０のみを通って縮小レンズ
４を局部的に通過するので、縮小レンズ４に吸収される
光エネルギーを最小とでき、その局部的な照射光が光検
出器７により検出される。そして、このような位置検出
方式によれば、光エネルギーに起因する縮小レンズ４の
焦点位置変動を充分に抑え、焦点位置の検出を精度良（
スムーズに行うことができる。
数値的には、レティクル３のデバイスパターン８とター
ゲットパターン１０の面積比は、およそ１０００分の１
以下であり、本実施例によれば位置検出時の焦点位置の
変動ははｆ零にすることができる。
ゲットパターン１０の面積比は、およそ１０００分の１
以下であり、本実施例によれば位置検出時の焦点位置の
変動ははｆ零にすることができる。
第２図及び第３図に上記実施例に用いるマスキングブレ
ード２の一例を示す。
ード２の一例を示す。
第２図におけるマスキングブレード２は、４枚の独立駆
動型のブレード２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄとこれらのブレ
ードを移動させるブレード駆動機構１５よりなる。従来
もこのようなブレード及びブレード駆動機構を備えてい
たが、従来の場合には、専らブレード要素２ａ〜２ｂの
移動態様としてレティクル３に形成された被転写用の像
パターン（ここでは、デバイスパターン及びテストパタ
ーン）に合わせて開口を作るようブレードの移動（動作
）モードが設定されていた。すなわち、従来のマスキン
グブレード２の動作範囲は、第６図に示すようなデバイ
スパターン８の寸法及びテストパターン９の配置と寸法
にによって設計されていたため、４枚の独立駆動のブレ
ード２ａ〜２Ｃは、レティクル３の中央を基準にして開
閉するような動作モードしか考慮されておらず、レティ
クル３の端に配置したターゲットパターンＩＯに基準を
おいて開閉を行う動作モードは設定されていなかった。
動型のブレード２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄとこれらのブレ
ードを移動させるブレード駆動機構１５よりなる。従来
もこのようなブレード及びブレード駆動機構を備えてい
たが、従来の場合には、専らブレード要素２ａ〜２ｂの
移動態様としてレティクル３に形成された被転写用の像
パターン（ここでは、デバイスパターン及びテストパタ
ーン）に合わせて開口を作るようブレードの移動（動作
）モードが設定されていた。すなわち、従来のマスキン
グブレード２の動作範囲は、第６図に示すようなデバイ
スパターン８の寸法及びテストパターン９の配置と寸法
にによって設計されていたため、４枚の独立駆動のブレ
ード２ａ〜２Ｃは、レティクル３の中央を基準にして開
閉するような動作モードしか考慮されておらず、レティ
クル３の端に配置したターゲットパターンＩＯに基準を
おいて開閉を行う動作モードは設定されていなかった。
これに対し本実施例では、ブレード駆動機構１５を制御
する制御１部１６が、操作指令に応じて、■デバイスパ
ターンに合わせて遮蔽量（開口面積）を調整するように
ブレード２ａ〜２ｂを動作させるモードと、■テストパ
ターン９に合わせて遮蔽量を合わせて動作させるモード
の他に、■第２図（ｂ）の符号Ｐに示すようにレティク
ル３の端にあるターゲットパターン１０に的を絞ってブ
レード要素２８〜２ｃを動作させるモードの駆動信号を
発生するように設定してブレードの機能を拡張しである
。
する制御１部１６が、操作指令に応じて、■デバイスパ
ターンに合わせて遮蔽量（開口面積）を調整するように
ブレード２ａ〜２ｂを動作させるモードと、■テストパ
ターン９に合わせて遮蔽量を合わせて動作させるモード
の他に、■第２図（ｂ）の符号Ｐに示すようにレティク
ル３の端にあるターゲットパターン１０に的を絞ってブ
レード要素２８〜２ｃを動作させるモードの駆動信号を
発生するように設定してブレードの機能を拡張しである
。
第３図の場合は、ブレード要素２ａ〜２ｂのうち少なく
と一つに窓１７を設けたものを示す、この窓１７の位置
は、マスキングブレード２の全閉時にレティクル３のタ
ーゲットパターン１０に光を透過させるような位置に設
定しである。
と一つに窓１７を設けたものを示す、この窓１７の位置
は、マスキングブレード２の全閉時にレティクル３のタ
ーゲットパターン１０に光を透過させるような位置に設
定しである。
このようなブレード構造によれば、焦点位置検出時には
マスキングブレードが全閉となり、照明光源１からの光
は窓１７を介してレティクル３のターゲットパターン１
０を局部的に照射して、その局部照射光が縮小レンズ４
を透過させることが −可能となる。
マスキングブレードが全閉となり、照明光源１からの光
は窓１７を介してレティクル３のターゲットパターン１
０を局部的に照射して、その局部照射光が縮小レンズ４
を透過させることが −可能となる。
なお、本発明は、特開昭５８−７１３６号のようにレテ
ィクルに複数のターゲットパターンを配設して、それぞ
れのターゲットパターンに光検出器を予め設定された移
動量に基づき位置合わせを行って、その時に得られる光
量データよりレンズの歪測定を行う場合にも適用可能で
ある。
ィクルに複数のターゲットパターンを配設して、それぞ
れのターゲットパターンに光検出器を予め設定された移
動量に基づき位置合わせを行って、その時に得られる光
量データよりレンズの歪測定を行う場合にも適用可能で
ある。
〔発明の効果］
以上のように本発明によれば、縮小投影露光装置におけ
る焦点位置を縮小レンズの光エネルギー吸収の変動分を
はｆ零の状態にして検出することができ、高精度にして
スムーズな焦点位置検出を実現させることができる。
る焦点位置を縮小レンズの光エネルギー吸収の変動分を
はｆ零の状態にして検出することができ、高精度にして
スムーズな焦点位置検出を実現させることができる。
そして、特に近年のように高解像度がますます要求され
焦点深度が浅くなる傾向の縮小投影露光装置にも装置使
用上極めて容易にプロセス対応が可能となり、デバイス
の歩留まりを向上させ、ひいては生産性の向上を図るこ
とができる。
焦点深度が浅くなる傾向の縮小投影露光装置にも装置使
用上極めて容易にプロセス対応が可能となり、デバイス
の歩留まりを向上させ、ひいては生産性の向上を図るこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例を示す焦点位置検出機構を示
す説明図、第２図及び第３図はそれに用いるマスキング
ブレードの具体的態様を示す説明図、第４図は縮小レン
ズ光照射量とレティクルの焦点位置変動との関係を示す
線図、第５図は従来の縮小投影露光装置における焦点位
置検出機構の説明図、第６図はレティクルのパターン配
置例を示す説明図、第７図は上記従来の焦点位置検出機
構の焦点位置検出動作を示す説明図、第８図、第９図、
第１０図は焦点位置検出の原理を示す説明図である。 １・・・照明光源、２・・・マスキングブレード、２ａ
〜２ｂ・・・独立駆動型、ブレード、３・・・レティク
ル、４・・・縮小レンズ、５・・・被露光物（ウェハ）
、６・・・ステージ、７・・・光検出器、１０・・・タ
ーゲットパターン、１６・・・ブレード駆動制御回路、
１７・・・窓代理人 弁理士 高橋明夫 ′− １；。 （他２名）ぐ 第１図 １・・・照明光源、２・・・マスキングブレード、３・
・・レティクル、４・・・縮小レンズ、５・・・被露光
物（ウェハ）、６・・・ステージ、７・・・光検出器。 ｌＯ・・・ターゲットパターン。 第２図 （ａ） 第３図 第４図 照射時間→ 第５図 第６図 第７図 （ａ） （１）） 第８図 第９図
す説明図、第２図及び第３図はそれに用いるマスキング
ブレードの具体的態様を示す説明図、第４図は縮小レン
ズ光照射量とレティクルの焦点位置変動との関係を示す
線図、第５図は従来の縮小投影露光装置における焦点位
置検出機構の説明図、第６図はレティクルのパターン配
置例を示す説明図、第７図は上記従来の焦点位置検出機
構の焦点位置検出動作を示す説明図、第８図、第９図、
第１０図は焦点位置検出の原理を示す説明図である。 １・・・照明光源、２・・・マスキングブレード、２ａ
〜２ｂ・・・独立駆動型、ブレード、３・・・レティク
ル、４・・・縮小レンズ、５・・・被露光物（ウェハ）
、６・・・ステージ、７・・・光検出器、１０・・・タ
ーゲットパターン、１６・・・ブレード駆動制御回路、
１７・・・窓代理人 弁理士 高橋明夫 ′− １；。 （他２名）ぐ 第１図 １・・・照明光源、２・・・マスキングブレード、３・
・・レティクル、４・・・縮小レンズ、５・・・被露光
物（ウェハ）、６・・・ステージ、７・・・光検出器。 ｌＯ・・・ターゲットパターン。 第２図 （ａ） 第３図 第４図 照射時間→ 第５図 第６図 第７図 （ａ） （１）） 第８図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、縮小投影露光装置にセットされるレティクルの端に
焦点合わせに用いるターゲットパターンを設け、被露光
物載置用のステージ上に光検出器を設置し、照明光の照
射の下で前記ターゲットパターンと前記光検出器との横
軸方向の位置合わせを行い前記ステージを縦軸方向に移
動させて焦点位置の検出を行う機構において、 前記照明光源と前記レティクルとの間に光透過開口面積
を可変調整するためのマスキングブレードを配置し、且
つこのマスキングブレードに前記レティクルのほゞ全面
を遮蔽しつつ前記ターゲットパターンに的を絞って光透
過を行う機構を設けたことを特徴とする縮小投影露光装
置の焦点位置検出機構。 ２、第１請求項において、前記マスキングブレードは独
立駆動型の複数のブレードよりなり、そのブレードの移
動態様として、前記レティクルに形成されたデバイスパ
ターンに合わせて開口を作る移動モードと、前記レティ
クルの端に設けた前記ターゲットパターンに合わせて開
口を作る移動モードとが設定され、この後者の移動モー
ドにより前記ターゲットパターンに的を絞って光透過を
行う機構を構成してなる縮小投影露光装置の焦点位置検
出機構。 ３、第１請求項において、前記ターゲットパターンに的
を絞って光透過を行う機構は、前記マスキングブレード
の一部に窓を配設し、この窓の位置を前記マスキングブ
レードの全閉時に前記レティクルのターゲットパターン
のみに光を透過させる位置に設定して構成される縮小投
影露光装置の焦点位置検出機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282179A JPH04155913A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 縮小投影露光装置の焦点位置検出機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282179A JPH04155913A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 縮小投影露光装置の焦点位置検出機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155913A true JPH04155913A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17649115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282179A Pending JPH04155913A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 縮小投影露光装置の焦点位置検出機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155913A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456377B1 (en) | 1997-01-20 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| EP2199858A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and method of irradiating at least two target portions |
| CN102445859A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测试光刻机遮光挡板的方法 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP2282179A patent/JPH04155913A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6456377B1 (en) | 1997-01-20 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| US6825932B2 (en) | 1997-01-20 | 2004-11-30 | Nikon Corporation | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature |
| EP2199858A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and method of irradiating at least two target portions |
| US8436984B2 (en) | 2008-12-18 | 2013-05-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of irradiating at least two target portions |
| CN102445859A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测试光刻机遮光挡板的方法 |
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