JPH04157757A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04157757A JPH04157757A JP2281938A JP28193890A JPH04157757A JP H04157757 A JPH04157757 A JP H04157757A JP 2281938 A JP2281938 A JP 2281938A JP 28193890 A JP28193890 A JP 28193890A JP H04157757 A JPH04157757 A JP H04157757A
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- Japan
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- resin
- cap
- epoxy resin
- semiconductor device
- filling port
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関
するものである。
するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば実開昭６
３−１７４４５５号、沖研究開発Ｖｏ１．５６ ｈｃ４
。
３−１７４４５５号、沖研究開発Ｖｏ１．５６ ｈｃ４
。
分冊第２５〜２８真に記載されるものがあった。
従来、Ｌ Ｓ Ｉ （Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｉｏｎ）パッケージといえ；ｆ、 Ｄ Ｉ
Ｐ （Ｄｕａｌ Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に代
表される挿入型パッケージを意味していたが、高密度実
装に適したパッケージを求める市場のニーズと、ＬＳＩ
メーカーでの高密度実装に適したＬＳＩパッケージの一
つとして、ＰＰＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が開発されている。ＰＧＡは挿入実装
型ＩＣパッケージでは、唯−多ビン化に対応したもので
あり、ＩＣパッケージの中でも最多ビン数を誇っている
。当初はセラミックＰＧＡが開発されたが、セラミック
パッケージのデメリットであるコスト面の対策として、
ＰＰＧＡが開発されている。
ｅｇｒａｔｉｏｎ）パッケージといえ；ｆ、 Ｄ Ｉ
Ｐ （Ｄｕａｌ Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に代
表される挿入型パッケージを意味していたが、高密度実
装に適したパッケージを求める市場のニーズと、ＬＳＩ
メーカーでの高密度実装に適したＬＳＩパッケージの一
つとして、ＰＰＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）が開発されている。ＰＧＡは挿入実装
型ＩＣパッケージでは、唯−多ビン化に対応したもので
あり、ＩＣパッケージの中でも最多ビン数を誇っている
。当初はセラミックＰＧＡが開発されたが、セラミック
パッケージのデメリットであるコスト面の対策として、
ＰＰＧＡが開発されている。
ＰＰＧＡの形状は、現在、第４図及び第５図に示すよう
に、キャップ構造が主流を占めている。
に、キャップ構造が主流を占めている。
基本的な構造としては、プリント基板ｌ上に接着剤２（
導電性ペースト、絶縁性ペースト）を用いて、ＩＣチッ
プ（半導体チップ）３をマウントし、Ａｕ線４を用いて
リードとの配線を行う、その後にチップコーティング剤
５によりＩＣチップ３をコーティングする。更に、アル
ミキャップ６を設置することにより完了する。この際、
第４図に示すように、アルミキャップ６をガラスクロス
に樹脂を含浸させたベレット状の接着剤７を用いて固定
する方法と、第５図に示すように、アルミキャップ６内
に封止樹脂９を十分に充填した後、固定する方法がある
。
導電性ペースト、絶縁性ペースト）を用いて、ＩＣチッ
プ（半導体チップ）３をマウントし、Ａｕ線４を用いて
リードとの配線を行う、その後にチップコーティング剤
５によりＩＣチップ３をコーティングする。更に、アル
ミキャップ６を設置することにより完了する。この際、
第４図に示すように、アルミキャップ６をガラスクロス
に樹脂を含浸させたベレット状の接着剤７を用いて固定
する方法と、第５図に示すように、アルミキャップ６内
に封止樹脂９を十分に充填した後、固定する方法がある
。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかしながら、上記従来の樹脂封止型半導体装置では、
プリント基板１とアルミキャップ６間の接着不良、例え
ば、濡れ不良等によりグロスリークが発生すること、半
田処理時に内部の水分の気化膨張に伴うバンク等の問題
が上げられる。これにより信鯨性の面でも満足された製
品が得られなかった。
プリント基板１とアルミキャップ６間の接着不良、例え
ば、濡れ不良等によりグロスリークが発生すること、半
田処理時に内部の水分の気化膨張に伴うバンク等の問題
が上げられる。これにより信鯨性の面でも満足された製
品が得られなかった。
本発明は、以上述べたプリント基板とアルミキャップ間
の接着不良の問題点を餘去し、アルミキャップ上に凸部
を形成し、該凸部に樹脂注入口及びエアーベントを形成
し、プリント基板とアルミキャップ間は紫外線硬化型の
エポキシ接着剤を用いて仮接着を行い、更に、前記樹脂
注入口より、強制的に樹脂を充填することにより、信転
性の高い樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
の接着不良の問題点を餘去し、アルミキャップ上に凸部
を形成し、該凸部に樹脂注入口及びエアーベントを形成
し、プリント基板とアルミキャップ間は紫外線硬化型の
エポキシ接着剤を用いて仮接着を行い、更に、前記樹脂
注入口より、強制的に樹脂を充填することにより、信転
性の高い樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置
において、半導体チップが実装される基板と、該基板を
覆うように装着されるキャップと、該キャップの周縁部
に形成される紫外線硬化型樹脂溜めと、前記キャップの
中央部に形成される凸部と、該凸部に樹脂充填口及びエ
アーベントとを設け、前記紫外線硬化型樹脂により前記
基板とキャップとを仮接着させ、前記樹脂充填口よりフ
ィラーを含有したエポキシ樹脂を充填するようにしたも
のである。
において、半導体チップが実装される基板と、該基板を
覆うように装着されるキャップと、該キャップの周縁部
に形成される紫外線硬化型樹脂溜めと、前記キャップの
中央部に形成される凸部と、該凸部に樹脂充填口及びエ
アーベントとを設け、前記紫外線硬化型樹脂により前記
基板とキャップとを仮接着させ、前記樹脂充填口よりフ
ィラーを含有したエポキシ樹脂を充填するようにしたも
のである。
また、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、半導
体チップが実装される基板を覆うように装着されるキャ
ップの周縁部に形成される紫外線硬化型樹脂溜めに紫外
線硬化型のエポキシ樹脂を充填し、前記基板とキャップ
を紫外線で仮接着させ、前記キャップの中央部に樹脂充
填口及びエアーベントが形成され、該エアーベントより
強制脱気を行いながら、前記樹脂充填口よりフィラーを
含有したエポキシ樹脂を強制充填するようにしたもので
ある。
体チップが実装される基板を覆うように装着されるキャ
ップの周縁部に形成される紫外線硬化型樹脂溜めに紫外
線硬化型のエポキシ樹脂を充填し、前記基板とキャップ
を紫外線で仮接着させ、前記キャップの中央部に樹脂充
填口及びエアーベントが形成され、該エアーベントより
強制脱気を行いながら、前記樹脂充填口よりフィラーを
含有したエポキシ樹脂を強制充填するようにしたもので
ある。
（作用）
本発明によれば、上記したように、キャップの中央部に
は凸部を形成し、該凸部に樹脂充填口とエアーベントと
を設ける。一方、紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いて
、プリント基板とアルミキ中ツブを接着させる。そこで
、アルミキャップに設けた樹脂充填口よりフィラー（Ｓ
ｔｏｗ）が含有されているエポキシ樹脂を充填する。
は凸部を形成し、該凸部に樹脂充填口とエアーベントと
を設ける。一方、紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いて
、プリント基板とアルミキ中ツブを接着させる。そこで
、アルミキャップに設けた樹脂充填口よりフィラー（Ｓ
ｔｏｗ）が含有されているエポキシ樹脂を充填する。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
断面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の平面図で
ある。
断面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の平面図で
ある。
これらの図に示すように、プリント基板１１上に接着剤
（導電性ペースト或いは絶縁性ペースト）１２を用いて
、ＩＣチップ（半導体チップＨ３をマウントし、Ａｕ線
１４を用いてリードとの配線を行う、その後にダム１５
が形成された部分にチップコーティング１Ｆ１１６によ
りＩＣチップ１３をコーティングする。
（導電性ペースト或いは絶縁性ペースト）１２を用いて
、ＩＣチップ（半導体チップＨ３をマウントし、Ａｕ線
１４を用いてリードとの配線を行う、その後にダム１５
が形成された部分にチップコーティング１Ｆ１１６によ
りＩＣチップ１３をコーティングする。
一方、このプリント基板１１を覆うように、アルミキャ
ップ２０を装着する。このアルミキャップ２０には側壁
２１から所定の距離をおいて仕切片２２を垂下して紫外
線硬化型樹脂溜め２６を形成すると共に、中央部には凸
部２３を形成し、その凸部２３に封止樹脂充填口２４及
びエアーベント２５が設けられている。
ップ２０を装着する。このアルミキャップ２０には側壁
２１から所定の距離をおいて仕切片２２を垂下して紫外
線硬化型樹脂溜め２６を形成すると共に、中央部には凸
部２３を形成し、その凸部２３に封止樹脂充填口２４及
びエアーベント２５が設けられている。
そのアルミキャップ２０内には封止樹脂充填口２４から
封止樹脂が充填される。
封止樹脂が充填される。
次に、第３図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の製造工程断面図である。
装置の製造工程断面図である。
まず、第３図（ａ）に示すように、アルミキャップ２０
を裏返しにして、アルミキャップ２０の両側壁２１と仕
切片２２間に形成される紫外線硬化型樹脂溜め２６にシ
リンジ２８から紫外線硬化型のエポキシ樹脂を供給して
塗布する。
を裏返しにして、アルミキャップ２０の両側壁２１と仕
切片２２間に形成される紫外線硬化型樹脂溜め２６にシ
リンジ２８から紫外線硬化型のエポキシ樹脂を供給して
塗布する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１３が実
装されたプリント基板１１を裏返しにして、紫外線硬化
型のエポキシ樹脂によりプリント基板１１の周縁部とア
ルミキャン１２００周縁部とを仮接着させ、紫外線硬化
型のエポキシ樹脂部に紫外線を照射させ硬化させる。な
お、プリント基板１１は詳細には従来品と同様、プリン
ト基板ｌｌ上にＩＣチップ１３を接着剤（導電性接着剤
、絶縁性接着剤）を用いてマウントした後、Ａｕワイヤ
１４を用いて配線を行い、更に、エポキシ系のチンブコ
ート剤１６でシールされている。
装されたプリント基板１１を裏返しにして、紫外線硬化
型のエポキシ樹脂によりプリント基板１１の周縁部とア
ルミキャン１２００周縁部とを仮接着させ、紫外線硬化
型のエポキシ樹脂部に紫外線を照射させ硬化させる。な
お、プリント基板１１は詳細には従来品と同様、プリン
ト基板ｌｌ上にＩＣチップ１３を接着剤（導電性接着剤
、絶縁性接着剤）を用いてマウントした後、Ａｕワイヤ
１４を用いて配線を行い、更に、エポキシ系のチンブコ
ート剤１６でシールされている。
次に、第３図（ｃ）に示すように、樹脂充填口２４より
、フィラー（ＳｉＯ２）が含有されているエポキシ樹脂
２７をシリンジ２８より供給し、そのエポキシ樹脂をキ
ャップ２０内に強制的に充填させ、硬化させた後、完了
とする。ここで、エポキシ樹脂２７内に含まれるフィラ
ー（ＳｉＯ８）はプリント基板１１の線膨張係数とエポ
キシ樹脂２７の線膨張係数とを合わせるために用いられ
る。
、フィラー（ＳｉＯ２）が含有されているエポキシ樹脂
２７をシリンジ２８より供給し、そのエポキシ樹脂をキ
ャップ２０内に強制的に充填させ、硬化させた後、完了
とする。ここで、エポキシ樹脂２７内に含まれるフィラ
ー（ＳｉＯ８）はプリント基板１１の線膨張係数とエポ
キシ樹脂２７の線膨張係数とを合わせるために用いられ
る。
ここで、エポキシ樹脂２７のキャップ２０内に強制的に
充填させ方法としては、２通りがある。
充填させ方法としては、２通りがある。
（１）流動性の小さいエポキシ樹脂の場合は、エアーベ
ントより強制脱気を行いながら、エポキシ樹脂を樹脂充
填口より充填する。
ントより強制脱気を行いながら、エポキシ樹脂を樹脂充
填口より充填する。
このように構成すると、樹脂充填が円滑になると共に、
樹脂充填を迅速に行うことができる。
樹脂充填を迅速に行うことができる。
（２）流動性の大きいエポキシ樹脂の場合は、エアーベ
ントより強制脱気を行った後に、エポキシ樹脂を樹脂充
填口より充填する。
ントより強制脱気を行った後に、エポキシ樹脂を樹脂充
填口より充填する。
このように構成すると、エポキシ樹脂内部にボイドを生
じることなく、樹脂充填を円滑に行うことができる。
じることなく、樹脂充填を円滑に行うことができる。
また、アルミキャップの中央部に凸部を形成するように
しているため、プリント基板とアルミキャップ接着面の
間に一定の隙間を設けることができ、強制的に樹脂を充
填することにより、両者間（樹脂とプリント基板、樹脂
とアルミキャップ）の濡れ性を向上させることが可能で
あり、加えて接着性を向上させることが可能である。
しているため、プリント基板とアルミキャップ接着面の
間に一定の隙間を設けることができ、強制的に樹脂を充
填することにより、両者間（樹脂とプリント基板、樹脂
とアルミキャップ）の濡れ性を向上させることが可能で
あり、加えて接着性を向上させることが可能である。
更に、プリント基板とアルミキャップを紫外線硬化型の
エポキシ樹脂を用いて仮接着を行うことにより、エポキ
シ樹脂を強制充填させても、樹脂漏れ等の問題を防止す
ることができる。
エポキシ樹脂を用いて仮接着を行うことにより、エポキ
シ樹脂を強制充填させても、樹脂漏れ等の問題を防止す
ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
アルミキャップの中央部に凸部を形成し、該凸部に樹脂
充填口及びエアーベントを設ける。一方、紫外線硬化型
のエポキシ樹脂によりプリント基板とアルミキャップの
周縁部を仮接着させ、アルミキャップ上の樹脂充填口か
らフィラーを含有したエポキシ樹脂を充填するようにし
たので、（１）プリント基板とアルミキャップの接着性
の向上を図ることができる。
充填口及びエアーベントを設ける。一方、紫外線硬化型
のエポキシ樹脂によりプリント基板とアルミキャップの
周縁部を仮接着させ、アルミキャップ上の樹脂充填口か
らフィラーを含有したエポキシ樹脂を充填するようにし
たので、（１）プリント基板とアルミキャップの接着性
の向上を図ることができる。
（２）生産性の向上を図ることができる。
（３）未充填部を除去することができる。
（４）耐ヒートサイクル性の向上を図ることができる。
（５）耐湿性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
断面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の平面図、
第３図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
製造工程断面図、第４図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第５図は従来の他の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。 １１・・・プリント基板、１２・・・接着剤、１３・・
・ＩＣチップ、１４・・・Ａｕ線、１５・・・ダム、１
６・・・チップコーティング剤、２０・・・アルミキャ
ップ、２１・・・側壁、２２・・・仕切片、２３・・・
凸部、２４・・・封止樹脂充填口、２５・・・エアーベ
ント、２６・・・紫外線硬化型樹脂溜め、２７・・・フ
ィラー含有エポキシ樹脂、２８・・・シリンジ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外２名）／１ 本発明の樹陥封止型革傳体表慣の断薗起第１図 第２図 第３図
断面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の平面図、
第３図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
製造工程断面図、第４図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図、第５図は従来の他の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。 １１・・・プリント基板、１２・・・接着剤、１３・・
・ＩＣチップ、１４・・・Ａｕ線、１５・・・ダム、１
６・・・チップコーティング剤、２０・・・アルミキャ
ップ、２１・・・側壁、２２・・・仕切片、２３・・・
凸部、２４・・・封止樹脂充填口、２５・・・エアーベ
ント、２６・・・紫外線硬化型樹脂溜め、２７・・・フ
ィラー含有エポキシ樹脂、２８・・・シリンジ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外２名）／１ 本発明の樹陥封止型革傳体表慣の断薗起第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置にお
いて、 （ａ）半導体チップが実装される基板と、 （ｂ）該基板を覆うように装着されるキャップと、（ｃ
）該キャップの周縁部に形成される紫外線硬化型樹脂溜
めと、 （ｄ）前記キャップの中央部に形成される凸部と、（ｅ
）該凸部に樹脂充填口及びエアーベントとを設け、 （ｆ）前記紫外線硬化型樹脂により前記基板とキャップ
とを仮接着させ、前記樹脂充填口よりフィラーを含有し
たエポキシ樹脂を充填してなる樹脂封止型半導体装置。 - （２）樹脂封止型半導体装置の製造方法において、（ａ
）半導体チップが実装される基板を覆うように装着され
るキャップの周縁部に形成される紫外線硬化型樹脂溜め
に紫外線硬化型のエポキシ樹脂を充填し、 （ｂ）前記基板とキャップを紫外線で仮接着させ、（ｃ
）前記キャップの中央部に樹脂充填口及びエアーベント
が形成され、該エアーベントより強制脱気を行いながら
、前記樹脂充填口よりフィラーを含有した流動性の小さ
いエポキシ樹脂を強制充填することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - （３）樹脂封止型半導体装置の製造方法において、（ａ
）半導体チップが実装される基板を覆うように装着され
るキャップの周縁部に形成される紫外線硬化型樹脂溜め
に紫外線硬化型のエポキシ樹脂を充填し、 （ｂ）前記基板とキャップを紫外線で仮接着させ、（ｃ
）前記キャップの中央部に樹脂充填口及びエアーベント
が形成され、該エアーベントより強制脱気を行い、 （ｄ）前記樹脂充填口よりフィラーを含有した流動性の
大きいエポキシ樹脂を強制充填することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2281938A JPH04157757A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2281938A JPH04157757A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157757A true JPH04157757A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17646015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2281938A Pending JPH04157757A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157757A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
| US6165816A (en) * | 1996-06-13 | 2000-12-26 | Nikko Company | Fabrication of electronic components having a hollow package structure with a ceramic lid |
| US6341413B1 (en) | 1995-07-18 | 2002-01-29 | Omron Corporation | Method of making electronic equipment |
| US6531770B2 (en) * | 2000-11-28 | 2003-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic part unit attached to a circuit board and including a cover member covering the electronic part |
| JP2013183054A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2281938A patent/JPH04157757A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6341413B1 (en) | 1995-07-18 | 2002-01-29 | Omron Corporation | Method of making electronic equipment |
| US6165816A (en) * | 1996-06-13 | 2000-12-26 | Nikko Company | Fabrication of electronic components having a hollow package structure with a ceramic lid |
| NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
| WO1998045878A1 (en) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Fico B.V. | Method and covering element for encapsulating electronic components |
| US6531770B2 (en) * | 2000-11-28 | 2003-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic part unit attached to a circuit board and including a cover member covering the electronic part |
| JP2013183054A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US8841166B2 (en) | 2012-03-02 | 2014-09-23 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
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