JPH04158514A - 半導体基板への不純物拡散方法 - Google Patents
半導体基板への不純物拡散方法Info
- Publication number
- JPH04158514A JPH04158514A JP2285156A JP28515690A JPH04158514A JP H04158514 A JPH04158514 A JP H04158514A JP 2285156 A JP2285156 A JP 2285156A JP 28515690 A JP28515690 A JP 28515690A JP H04158514 A JPH04158514 A JP H04158514A
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- Japan
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- diffusion
- semiconductor substrate
- silicon
- rosettes
- gas atmosphere
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板への不純物の拡散方法、特にヒ素、
又はアンチモンを含有するシリカフィルムを溶解させた
塗布液を、シリコン基板上に塗布して熱拡散させる不純
物拡散方法に関するものである。
又はアンチモンを含有するシリカフィルムを溶解させた
塗布液を、シリコン基板上に塗布して熱拡散させる不純
物拡散方法に関するものである。
［従来の技術］
従来シリコン半導体基板にヒ素、又はアンチモン等の不
純物拡散層を形成する１つの方法として、ヒ素又はアン
チモン等の不純物を含有するシリカフィルムを有機溶媒
に溶解させた塗布液（以下塗布液という）を基板上に供
給し、スピンコード法によりフィルムを形成し、次いて
不純物を熱拡散する方法が行われてきた。この方法は、
シリコン基板上に二酸化ケイ素（ＳｉＬ）膜を形成し、
ＳｉＯ□膜を窓開きし、拡散層を形成しようとする部分
のシリコン基板の表面を露出させ、その上に塗布液をス
ピンコード法により塗布してシリカフィルム層を形成し
、熱処理を行って不純物拡散層を形成する手順で行われ
ていた。
純物拡散層を形成する１つの方法として、ヒ素又はアン
チモン等の不純物を含有するシリカフィルムを有機溶媒
に溶解させた塗布液（以下塗布液という）を基板上に供
給し、スピンコード法によりフィルムを形成し、次いて
不純物を熱拡散する方法が行われてきた。この方法は、
シリコン基板上に二酸化ケイ素（ＳｉＬ）膜を形成し、
ＳｉＯ□膜を窓開きし、拡散層を形成しようとする部分
のシリコン基板の表面を露出させ、その上に塗布液をス
ピンコード法により塗布してシリカフィルム層を形成し
、熱処理を行って不純物拡散層を形成する手順で行われ
ていた。
しかし前記した技術においては、塗布液の熱処理により
結晶化ガラスが生成するという問題がある。この結晶化
ガラスは通称ロゼツト（Ｒｏｓｅｔｔｅ）と呼ばれてい
るが、こうしたロゼツトが基板の不純物拡散層形成部分
に形成されたとすると、ロゼツトとシリコンの密着性は
極めて強いため、後の工程で塗布液により形成されたシ
リカフィルム層を除いても、ロゼツトはそのまま残存し
てしまうという問題かあった。
結晶化ガラスが生成するという問題がある。この結晶化
ガラスは通称ロゼツト（Ｒｏｓｅｔｔｅ）と呼ばれてい
るが、こうしたロゼツトが基板の不純物拡散層形成部分
に形成されたとすると、ロゼツトとシリコンの密着性は
極めて強いため、後の工程で塗布液により形成されたシ
リカフィルム層を除いても、ロゼツトはそのまま残存し
てしまうという問題かあった。
又、ＳｉＯ□膜にもロゼツトが形成されることが経験さ
れており、このロゼツトの領域では、不純物かＳｉＬ膜
を貫通して基板に拡散され、不要な不純物拡散層を形成
してしまう問題があった。
れており、このロゼツトの領域では、不純物かＳｉＬ膜
を貫通して基板に拡散され、不要な不純物拡散層を形成
してしまう問題があった。
このロゼツトは基板を構成するシリコンよりも原子半径
の大きなヒ素やアンチモンを長時間拡散し、シリコン基
板表面のシート抵抗値を低くしようとする時、特に顕著
に発生する。
の大きなヒ素やアンチモンを長時間拡散し、シリコン基
板表面のシート抵抗値を低くしようとする時、特に顕著
に発生する。
このような現象に対し、従来ロゼツトを発生させない方
法も幾つか開発されている。その一つの方法に、例えば
特開昭５５−１４３０３１号公報がある。
法も幾つか開発されている。その一つの方法に、例えば
特開昭５５−１４３０３１号公報がある。
同報には、ＳｉＯ２膜の上に形成した、実質上シリコン
基板中への拡散には全く寄与しないシリカフィルムを拡
散処理する前に窓あけした部分のみを残し、予め除去す
ることにより、ロゼツトの発生を防止する方法が記載さ
れている。類似の方法としてはその他に、特開昭６２−
２１６３２２号公報、特開昭６３−１１７４１９号公報
、特開平１−５３４１４号公報等がある。 しかしこ
のような方法においては、５ｉ０２膜上に発生するロゼ
ッＩ・の発生は防止できても、拡散層形成部分即ち窓あ
けした部分に発生するロゼツトの問題は依然解決されず
、又、拡散層形成までの工程数が多くなり、製品の歩留
まりや製造コストの圧迫要因となり問題である。
基板中への拡散には全く寄与しないシリカフィルムを拡
散処理する前に窓あけした部分のみを残し、予め除去す
ることにより、ロゼツトの発生を防止する方法が記載さ
れている。類似の方法としてはその他に、特開昭６２−
２１６３２２号公報、特開昭６３−１１７４１９号公報
、特開平１−５３４１４号公報等がある。 しかしこ
のような方法においては、５ｉ０２膜上に発生するロゼ
ッＩ・の発生は防止できても、拡散層形成部分即ち窓あ
けした部分に発生するロゼツトの問題は依然解決されず
、又、拡散層形成までの工程数が多くなり、製品の歩留
まりや製造コストの圧迫要因となり問題である。
特開平２−１７８９２０号公報では、塗布液を塗布した
後、０２プラズマ処理又は０３処理を行い、シリカフィ
ルム中の不純物を酸化させた後、拡散させることにより
、ロゼツト発生が少なく、且つ、低いシート抵抗値の半
導体基板を得ている。類似の方法としては特開平２−１
７８９２１号公報がある。しかしこの方法においても、
拡散層形成までの工程数が多くなり、製品の歩留まりや
製造コストの圧迫要因となることに変わりはない。
後、０２プラズマ処理又は０３処理を行い、シリカフィ
ルム中の不純物を酸化させた後、拡散させることにより
、ロゼツト発生が少なく、且つ、低いシート抵抗値の半
導体基板を得ている。類似の方法としては特開平２−１
７８９２１号公報がある。しかしこの方法においても、
拡散層形成までの工程数が多くなり、製品の歩留まりや
製造コストの圧迫要因となることに変わりはない。
［発明が解決しようとする課題］
本発明はかかる従来技術の欠点、即ち、ヒ素又はアンチ
モンを含有するシリカフィルムをシリコン基板上に形成
して熱拡散させる場合の不純物拡散層形成時に生じるロ
ゼツトの発生を、極めて簡単な方法で抑制し、もって良
好な拡散層を形成させる方法を提供することを目的とす
る。
モンを含有するシリカフィルムをシリコン基板上に形成
して熱拡散させる場合の不純物拡散層形成時に生じるロ
ゼツトの発生を、極めて簡単な方法で抑制し、もって良
好な拡散層を形成させる方法を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ヒ素、又はアンチモンを含有するシリカフィ
ルムを溶解した塗布液をシリコン半導体基板に塗布して
塗布膜形成後、シリコン半導体基板を熱拡散炉に入れ、
熱拡散炉のガス雰囲気を酸化性に保ち、次いで不活性ガ
ス雰囲気に切り換えて塗布膜中のヒ素、又はアンチモン
をシリコン基板中へ拡散させることを特徴とする半導体
基板への不純物拡散方法である。
ルムを溶解した塗布液をシリコン半導体基板に塗布して
塗布膜形成後、シリコン半導体基板を熱拡散炉に入れ、
熱拡散炉のガス雰囲気を酸化性に保ち、次いで不活性ガ
ス雰囲気に切り換えて塗布膜中のヒ素、又はアンチモン
をシリコン基板中へ拡散させることを特徴とする半導体
基板への不純物拡散方法である。
即ち、拡散の初期を酸化性ガス雰囲気で、その後不活性
ガス雰囲気に切り換えて拡散を行うことにより、５１０
２膜の上は勿論拡散層形成部分においても、ロゼツトの
発生の極めて少ない、且つ、シート抵抗値も良好な値が
得られることを見出し本発明を完成したものである。
ガス雰囲気に切り換えて拡散を行うことにより、５１０
２膜の上は勿論拡散層形成部分においても、ロゼツトの
発生の極めて少ない、且つ、シート抵抗値も良好な値が
得られることを見出し本発明を完成したものである。
本発明に用いられる塗布液としては、ヒ素、アンチモン
を数％含有するシリカフィルムをアセトン等の有機溶媒
に溶解したものを用いる。市販の塗布液としては、Ａｃ
ｃｕｓｐｉｎ＠ ５ｂ−２７３（住人化学工業■製）、
ＯＣＤ Ｔｙｐｅｌ［Ｆ］（東京応化工業■製）等を用
いることか出来る。
を数％含有するシリカフィルムをアセトン等の有機溶媒
に溶解したものを用いる。市販の塗布液としては、Ａｃ
ｃｕｓｐｉｎ＠ ５ｂ−２７３（住人化学工業■製）、
ＯＣＤ Ｔｙｐｅｌ［Ｆ］（東京応化工業■製）等を用
いることか出来る。
上記塗布液を用いて拡散する際の拡散温度は、目的とす
るシート抵抗に応じて決定されるが、通常１０００℃〜
１５００″Ｃ１好ましくは１２５０℃付近である。
るシート抵抗に応じて決定されるが、通常１０００℃〜
１５００″Ｃ１好ましくは１２５０℃付近である。
３０００°Ｃ未満では不純物の拡散には非常に長時間が
必要となり、１５００°Ｃを越える温度では使用する拡
散用電気炉の性能上限界かある。
必要となり、１５００°Ｃを越える温度では使用する拡
散用電気炉の性能上限界かある。
拡散初期の酸化性ガス雰囲気としては、酸素と不活性ガ
スの混合ガスを用いる。酸素濃度は５ｖｏ１％から５０
ｖｏ１％、好ましくは５ ｖｏ１％からｌｏＶＯＩ％で
ある。残りの不活性ガスとしてはヘリウムやアルゴン、
窒素等を用いることが出来るが、中でも窒素が好ましい
。酸素濃度が５ｖｏｌχ未満では拡散後のシート抵抗値
が低くならず、５０ＶＯＩ％を越えるとロゼツトの発生
が顕著となる。
スの混合ガスを用いる。酸素濃度は５ｖｏ１％から５０
ｖｏ１％、好ましくは５ ｖｏ１％からｌｏＶＯＩ％で
ある。残りの不活性ガスとしてはヘリウムやアルゴン、
窒素等を用いることが出来るが、中でも窒素が好ましい
。酸素濃度が５ｖｏｌχ未満では拡散後のシート抵抗値
が低くならず、５０ＶＯＩ％を越えるとロゼツトの発生
が顕著となる。
酸化性ガス雰囲気から不活性ガス雰囲気へ切り換える不
活性ガスの濃度は酸素を含有しないものか用いられる。
活性ガスの濃度は酸素を含有しないものか用いられる。
不活性ガス雰囲気への切り換え時期は、拡散を行う総処
理時間をＴ ｈｒとした場合１／２Ｔ ｈｒ以内に行う
のか良く、好ましくはｌ／２Ｔ ｈｒから１／４Ｔｈｒ
の間である。１／２Ｔ ｈｒ以上酸化性ガス雰囲気で拡
散を行った場合はロゼツトの発生か顕著となり、又、酸
化性ガス雰囲気で拡散を行う時間か１／４Ｔｈｒ以下の
場合は、目的とするシート抵抗値を得ることができない
。
理時間をＴ ｈｒとした場合１／２Ｔ ｈｒ以内に行う
のか良く、好ましくはｌ／２Ｔ ｈｒから１／４Ｔｈｒ
の間である。１／２Ｔ ｈｒ以上酸化性ガス雰囲気で拡
散を行った場合はロゼツトの発生か顕著となり、又、酸
化性ガス雰囲気で拡散を行う時間か１／４Ｔｈｒ以下の
場合は、目的とするシート抵抗値を得ることができない
。
［実施例］
本発明者の方法を具体的に説明するが、本発明は以下に
記載された実施例にのみに限定されるものではない。
記載された実施例にのみに限定されるものではない。
実施例−１，２，３
Ｐ型シリコン基板上にＳｂ１％を含有するシリカフィル
ムのアセトン溶液（Ａｃｃｕｓｐｉｎ ＠ ５ｂ−２７
３（住人化学工業■製乃を用いてスピンコード法により
シリカフィルムを形成した。次に基板を１１０’Ｃのオ
ーブン中で有機溶媒を揮散させフィルムを乾燥させた後
、拡散炉（大和半導体装置■製Ｃ０ＢＲＡ）中で１２５
０°Ｃ５ｈｒの拡散を行った。この場合５ｈｒの拡散処
理中のガス組成を、拡散初期を酸素１０ＶＯＩ％、窒素
９０ｖｏ１％雰囲気、残りの時間を窒素１００ｖｏ１％
の雰囲気で行い、酸素１０ｖｏ１％を含む雰囲気での処
理時間を２．５ｈｒ、 １．５ ｈｒ、 １．２５ｈｒ
と変化させて行った。
ムのアセトン溶液（Ａｃｃｕｓｐｉｎ ＠ ５ｂ−２７
３（住人化学工業■製乃を用いてスピンコード法により
シリカフィルムを形成した。次に基板を１１０’Ｃのオ
ーブン中で有機溶媒を揮散させフィルムを乾燥させた後
、拡散炉（大和半導体装置■製Ｃ０ＢＲＡ）中で１２５
０°Ｃ５ｈｒの拡散を行った。この場合５ｈｒの拡散処
理中のガス組成を、拡散初期を酸素１０ＶＯＩ％、窒素
９０ｖｏ１％雰囲気、残りの時間を窒素１００ｖｏ１％
の雰囲気で行い、酸素１０ｖｏ１％を含む雰囲気での処
理時間を２．５ｈｒ、 １．５ ｈｒ、 １．２５ｈｒ
と変化させて行った。
拡散後はシリコン基板を拡散炉より取りだし、３０％Ｈ
Ｆにてシリコン基板上のシリカフィルムを除去した後、
２００倍レンズの光学顕微鏡にコン社製ＩＣ顕微鏡 Ｘ
６Ｆ−Ｍ）にてシリコン基板表面を観察し、発生してい
るロゼツトの数を測定した。
Ｆにてシリコン基板上のシリカフィルムを除去した後、
２００倍レンズの光学顕微鏡にコン社製ＩＣ顕微鏡 Ｘ
６Ｆ−Ｍ）にてシリコン基板表面を観察し、発生してい
るロゼツトの数を測定した。
又、抵抗率測定器（共和理研社製に一７０５ＲＤ）によ
りシリコン基板表面のシート抵抗値を測定した。
りシリコン基板表面のシート抵抗値を測定した。
各々の結果を第１表に示す。
酸素を含むガス雰囲気での処理時間か短くなるほど、発
生する結晶化ガラスの数は顕著に減少した。
生する結晶化ガラスの数は顕著に減少した。
比較例−１，２
酸素１０ｖｏ１％を含む雰囲気での処理時間を１．Ｏｈ
ｒ、０．５ｈｒで行うこと以外は、実施例１．２．３、
とまったく同一条件で拡散し、その後測定したロゼツト
の発生数、及びシート抵抗値を第２表に示す。
ｒ、０．５ｈｒで行うこと以外は、実施例１．２．３、
とまったく同一条件で拡散し、その後測定したロゼツト
の発生数、及びシート抵抗値を第２表に示す。
第２表
ロゼツトの発生はほとんど無いが、シリコン基板表面の
シート抵抗値は実施例１．２．３に比べて高い値を示し
た。
シート抵抗値は実施例１．２．３に比べて高い値を示し
た。
比較例−３，４，５
拡散する際のガス組成を途中で切り換えることなく、
０！／Ｎ２＝０／１００ 、１０／９０ 、２５／７５
．５０１５０のガスを用いて行うこと以外は、実施例１
．２．３、とまったく同一条件で拡散した。
０！／Ｎ２＝０／１００ 、１０／９０ 、２５／７５
．５０１５０のガスを用いて行うこと以外は、実施例１
．２．３、とまったく同一条件で拡散した。
ロゼツトの発生数、及びシート抵抗値を第３表に示す。
窒素１００ｖｏ１％で拡散を行った後のシリコン表面に
は、ロゼツトの発生は全くなかったが、表面のシート抵
抗値は実施例！、２．３、に比べるとはるかに高いもの
であった。
は、ロゼツトの発生は全くなかったが、表面のシート抵
抗値は実施例！、２．３、に比べるとはるかに高いもの
であった。
酸素１０ｖｏ１％、窒素９０ｖｏ１％で拡散を行った後
のシリコン表面では、実施例１．２．３と同等のシート
抵抗値か得られているか、ロゼツトの発生は顕著であっ
た。
のシリコン表面では、実施例１．２．３と同等のシート
抵抗値か得られているか、ロゼツトの発生は顕著であっ
た。
酸素２５ｖｏ１％と窒素７５ｖｏ１％、酸素５０ｖｏ１
％と窒素５０ｖｏ１％で拡散を行った後のシリコン表面
では、結晶化ガラスの発生がより顕著となり、且つ、シ
ート抵抗値も実施例に比べると高い値を示した。
％と窒素５０ｖｏ１％で拡散を行った後のシリコン表面
では、結晶化ガラスの発生がより顕著となり、且つ、シ
ート抵抗値も実施例に比べると高い値を示した。
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、ヒ素又はアンチモンを含
存するシリカフィルムをシリコン半導体基板上に形成し
、熱拡散する際のロゼツト発生という問題を、拡散中の
ガス雰囲気を酸化性のものから不活性のものに切り換え
るという極めて簡単な方法で、その発生を著しく抑制し
、良好な拡散層の形成を行うことが出来る。
存するシリカフィルムをシリコン半導体基板上に形成し
、熱拡散する際のロゼツト発生という問題を、拡散中の
ガス雰囲気を酸化性のものから不活性のものに切り換え
るという極めて簡単な方法で、その発生を著しく抑制し
、良好な拡散層の形成を行うことが出来る。
Claims (1)
- （１）ヒ素、又はアンチモンを含有するシリカフィルム
を溶解した塗布液をシリコン半導体基板に塗布して塗布
膜形成後、シリコン半導体基板を熱拡散炉に入れ、熱拡
散炉のガス雰囲気を酸化性に保ち、次いで不活性ガス雰
囲気に切り換えて塗布膜中のヒ素、又はアンチモンをシ
リコン基板中へ拡散させることを特徴とする半導体基板
への不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285156A JPH04158514A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285156A JPH04158514A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158514A true JPH04158514A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17687816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2285156A Pending JPH04158514A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158514A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011090216A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| WO2011096301A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| WO2011132780A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132777A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132782A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132778A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132781A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132779A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011162394A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 日立化成工業株式会社 | 不純物拡散層形成組成物、ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2012005253A1 (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | 日立化成工業株式会社 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2285156A patent/JPH04158514A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4868079B1 (ja) * | 2010-01-25 | 2012-02-01 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| WO2011090216A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| WO2011096301A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| JP5541358B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-07-09 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132777A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132778A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132781A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132779A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| US9608143B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-03-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition for forming N-type diffusion layer, method of forming N-type diffusion layer, and method of producing photovoltaic cell |
| US9520529B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition for forming P-type diffusion layer, method of forming P-type diffusion layer, and method of producing photovoltaic cell |
| WO2011132782A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP5541359B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-07-09 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2011132780A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP5573946B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-08-20 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP5573945B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-08-20 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| KR101484833B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2015-01-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 |
| WO2011162394A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 日立化成工業株式会社 | 不純物拡散層形成組成物、ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| WO2012005253A1 (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | 日立化成工業株式会社 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
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