JPH0415977B2 - - Google Patents
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- JPH0415977B2 JPH0415977B2 JP23412982A JP23412982A JPH0415977B2 JP H0415977 B2 JPH0415977 B2 JP H0415977B2 JP 23412982 A JP23412982 A JP 23412982A JP 23412982 A JP23412982 A JP 23412982A JP H0415977 B2 JPH0415977 B2 JP H0415977B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高輝度時においても高い解像度が得
られるように構成した受像管装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a picture tube device configured to provide high resolution even at high brightness.
従来例の構成とその問題点
一般に、受像管の解像度は絵素となるビームス
ポツト(輝点)の大きさに依存し、ビームススポ
ツト径が小さいほど高い解像度が得られる。一
方、ビームスポツトはビーム電流の増大に伴つて
径大化するので、比較的大きいビーム電流が流れ
る高輝度時にブルーミングを生じて解像度が低下
する。Conventional Structure and Problems Therein Generally, the resolution of a picture tube depends on the size of a beam spot (bright spot) serving as a picture element, and the smaller the diameter of the beam spot, the higher the resolution can be obtained. On the other hand, since the diameter of the beam spot increases as the beam current increases, blooming occurs at high brightness times when a relatively large beam current flows, resulting in a decrease in resolution.
これを図面により説明すると、第1にはバイポ
テンシヤル形電子銃の電極構成が示されており、
第2図には同電子銃の軸上電位分布が示されてい
る。陰極1から放射された熱電子は、陰極1、制
御電極としてのG1電極2および加速電極として
のG2電極3からなる三極部で生成されるいわゆ
るカソードレンズ4によりクロスオーバ5をつく
り、G2電極3と集束電極たるG3電極6との間に
生成されるプリフオーカスレンズ7で予備集束作
用を受ける。そしてG3電極6と最終加速電極た
るG4電極8との間に生成されるメインレンズ9
で最終的な集束作用を受け、螢光体スクリーン面
10に射突してビームスポツト11を生成するの
であり、ビームスポツト11はクロスオーバ5の
投影像である。 To explain this using drawings, firstly, the electrode configuration of a bipotential electron gun is shown.
FIG. 2 shows the axial potential distribution of the electron gun. The thermoelectrons emitted from the cathode 1 create a crossover 5 by a so-called cathode lens 4 generated in a triode consisting of the cathode 1, the G 1 electrode 2 as a control electrode, and the G 2 electrode 3 as an accelerating electrode. A prefocus lens 7 formed between the G 2 electrode 3 and the G 3 electrode 6 serving as a focusing electrode receives a prefocusing action. The main lens 9 is generated between the G3 electrode 6 and the G4 electrode 8, which is the final accelerating electrode.
It receives a final focusing action and impinges on the phosphor screen surface 10 to generate a beam spot 11, which is a projected image of the crossover 5.
陰極1からG3電極6にいたる軸上電位分布は
ゆるやかに上昇し、これによりカソードレンズ4
およびプリフオーカスレンズ7が生成されるが、
両レンズ4,7は明確に区別し難いので、以下の
説明ではこの両レンズ領域をビーム形成部と呼称
する。G3電極6内における軸上電位分布はVfpcと
略一定であるが、G3電極6とG4電極8との間に
おける軸上電位は高電位Vaへと急激に上昇し、
ここにメインレンズ9が生成される。 The axial potential distribution from the cathode 1 to the G3 electrode 6 rises gradually, and this causes the cathode lens 4 to
and prefocus lens 7 is generated,
Since both lenses 4 and 7 are difficult to clearly distinguish, in the following description, these two lens regions will be referred to as a beam forming section. The axial potential distribution within the G 3 electrode 6 is approximately constant at V fpc , but the axial potential between the G 3 electrode 6 and the G 4 electrode 8 rapidly increases to a high potential V a .
The main lens 9 is generated here.
前記ビーム形成部での熱電子の挙動は非常に複
雑であるが、大ビーム電流時には第3図に数本の
線でもつて代表的に示す電子軌道12〜17を通
る。電子軌道12〜17がすべて一点で交差すれ
ば理想的な径小のクロスオーバおよびビームスポ
ツトが生成されるのであるが、実際には陰極1の
中央部から放射された熱電子の軌道12,13は
陰極1からもつとも遠い位置18で交差し、陰極
1の周辺部から放射された熱電子の軌道16,1
7は陰極1に近い位置19で交差する。これは前
記ビーム形成部でのレンズに球面収差が伴つてい
るからで、実際上のクロスオーバの径は、理論的
限界値に比べて著しく大きい値となる。 The behavior of the thermoelectrons in the beam forming section is very complicated, but when the beam current is large, the electrons pass through electron trajectories 12 to 17, which are representatively shown by several lines in FIG. If the electron trajectories 12 to 17 all intersect at one point, an ideal small-diameter crossover and beam spot will be generated, but in reality, thermionic trajectories 12 and 13 emitted from the center of the cathode 1 intersect at the farthest position 18 from the cathode 1, and the trajectory 16, 1 of the thermionic electrons emitted from the periphery of the cathode 1
7 intersect at a position 19 close to the cathode 1. This is because the lens in the beam forming section is accompanied by spherical aberration, and the actual diameter of the crossover is significantly larger than the theoretical limit value.
そして、このクロスオーバがメインレンズ9に
よつて螢光体スクリーン面10上に投影されるの
であるが、正確にはプリフオーカスレンズ7が存
在するために、第3図に示すように実際に投影さ
れるものはクロスオーバ(径d)の虚像であり、
この虚像クロスオーバは第3図中に破線で示した
ように電子軌道12〜17を逆方向へ延長させた
ときの交点として求められる。 Then, this crossover is projected onto the phosphor screen surface 10 by the main lens 9, but precisely because of the presence of the prefocus lens 7, it is actually projected as shown in FIG. What is projected is a virtual image of crossover (diameter d),
This virtual image crossover is obtained as the intersection point when the electron trajectories 12 to 17 are extended in opposite directions, as shown by broken lines in FIG.
いま、虚像クロスオーバの直径をd0とすると、
螢光体スクリーン面10に生じるビームスポツト
11の径dsは次の関係式で表わすことができる。 Now, if the diameter of the virtual image crossover is d 0 ,
The diameter ds of the beam spot 11 produced on the phosphor screen surface 10 can be expressed by the following relational expression.
ds=d0×M+1/4CsD3 ……(1)
ここではMはメインレンズの倍率、Csはメイン
レンズの球面収差係数、Dはメインレンズでの電
子ビームの拡がり径を示し、Mは次式で表わされ
る。 d s = d 0 × M + 1/4 C s D 3 ...(1) Here, M is the magnification of the main lens, C s is the spherical aberration coefficient of the main lens, D is the spread diameter of the electron beam at the main lens, M is expressed by the following formula.
ただし、aはビーム形成部から出る電子ビーム
の最大発散角、Lはメインレンズ9の中心と螢光
体スクリーン面10との間の距離、Vg3はG3電極
電位、VaはG4電極電位を示す。 Here, a is the maximum divergence angle of the electron beam emitted from the beam forming section, L is the distance between the center of the main lens 9 and the phosphor screen surface 10, V g3 is the G3 electrode potential, and V a is the G4 electrode potential. Indicates potential.
となる。 becomes.
この式の( )内は受像管のサイズと動作条件
とによつて決まり、Csは使用するレンズの口径に
よつて決まる。 The value in parentheses in this equation is determined by the size of the picture tube and the operating conditions, and C s is determined by the aperture of the lens used.
電子ビームの拡がり径Dは、第1項ではD-1、
第2項ではD3のかたちで入つているから、dsが
最小となるようなDの値が存在し、通常はその値
に選ばれる。そして、このような制約のもとでds
を小さくしようとすると、第1項のa・d0を小さ
くしなければならないことになる。 The spread diameter D of the electron beam is D -1 in the first term,
In the second term, it is entered in the form of D 3 , so there is a value of D that minimizes d s , and that value is usually selected. Then, under these constraints, d s
If you try to make it smaller, you will have to make the first term a・d 0 smaller.
本発明者らの研究結果によると、G2電極とG3
電極との間の電位の上昇を急峻にするとa・d0を
小さくすることができる。第4図はG2電極とG3
電極との間隔を小さくしたときにa・d0が減少す
る様子を示したもので、aとd0とが単独でどのよ
うに変化するかがわかる。G2電極とG3電極との
間隔を小さくするとd0は著しく減少し、aは逆に
増大するが、d0の減少度合がより著しいので両者
の積a・d0は減少する。d0がこのように減少する
のは、電位の上昇が急峻になるとビーム形成部に
おけるレンズの球面収差が減少するためである。 According to the research results of the present inventors, G 2 electrode and G 3
By making the potential rise between the electrodes steeper, a·d 0 can be reduced. Figure 4 shows G 2 electrode and G 3
This shows how a·d 0 decreases when the distance between the electrodes is reduced, and it can be seen how a and d 0 change independently. When the distance between the G 2 electrode and the G 3 electrode is reduced, d 0 decreases significantly and a increases, but since the degree of decrease in d 0 is more significant, the product a·d 0 of the two decreases. The reason why d 0 decreases in this way is that the spherical aberration of the lens in the beam forming section decreases when the potential rises steeply.
このような効果がはつきりと現われるのは、電
位傾度で約105V/cmからであり、この値が大き
いほど大電流時ビームスポツトの径小化に有利で
ある。しかし小電流時ビームスポツト径は逆に大
きくなる。また、電位傾度が大きくなり過ぎる
と、G2電極の表面から電界放出による電子放射
が起こり、これが螢光体スクリーン面に射突して
不本意な発光を生じる。 Such an effect clearly appears at a potential gradient of about 10 5 V/cm, and the larger this value is, the more advantageous it is to reducing the diameter of the beam spot at high currents. However, when the current is small, the beam spot diameter becomes larger. Furthermore, if the potential gradient becomes too large, electron emission occurs from the surface of the G 2 electrode due to field emission, which impinges on the phosphor screen surface and causes unwanted light emission.
このように実用可能な電位傾度には上限があ
り、その値は実験結果によると約5×105V/cm
である。G2電極とG3電極との電位差を8KVとす
ると、前記値の電位傾度を与えうるG2電極とG3
電極との間隔は0.8mmから0.16mmとなる。 In this way, there is an upper limit to the practical potential gradient, and according to experimental results, the value is approximately 5 × 10 5 V/cm.
It is. If the potential difference between the G 2 electrode and the G 3 electrode is 8KV, the G 2 electrode and the G 3 electrode can give a potential gradient of the above value.
The distance between the electrodes is 0.8 mm to 0.16 mm.
しかし、このような電位傾度を従来の受像管電
子銃のビーム形成部にそのまま適用しても、螢光
体スクリーン面上でのビームスポツト径を縮小さ
せ得ない。それは、G2−G3間電位傾度を高める
とビーム発散角aが増大するためである。ビーム
発散角aが増大すると、メインレンズ9での電子
ビーム径Dが増大し、(3)式右辺第2項のメインレ
ンズ収差による寄与分が増大する。そして同第2
項はDの三乗に比例するので、電子ビーム径Dの
わずかな増大でも影響が大きく、(3)式第1項の
a・d0をせつかく減少させても、ビームスポツト
径dsはかえつて増大する結果となる。 However, even if such a potential gradient is directly applied to the beam forming section of a conventional picture tube electron gun, the beam spot diameter on the phosphor screen surface cannot be reduced. This is because increasing the potential gradient between G 2 and G 3 increases the beam divergence angle a. When the beam divergence angle a increases, the electron beam diameter D at the main lens 9 increases, and the contribution of the main lens aberration in the second term on the right side of equation (3) increases. And the second
Since the term is proportional to the cube of D, even a slight increase in the electron beam diameter D has a large effect, and even if a・d 0 in the first term of equation (3) is reduced, the beam spot diameter d s remains On the contrary, the result is an increase.
電子ビーム径Dの増大は、G3電極の長さを小
さくすることによつて避けられるが、フオーカス
条件を満すためにG3電極を短かくした分だけメ
インレンズ焦点距離を短かくすることが必要とな
り、そのためにはG3電極電位を下げなければな
らない。そうすると、G2−G3間電位傾度が下つ
てしまい、電極間隔をせつかく狭めたにもかかわ
らずa・d0の低減効果は失われてしまう。 An increase in the electron beam diameter D can be avoided by reducing the length of the G3 electrode, but in order to satisfy the focus condition, the main lens focal length must be shortened by the length of the G3 electrode. is required, and for this purpose the G 3 electrode potential must be lowered. In this case, the potential gradient between G 2 and G 3 decreases, and the effect of reducing a·d 0 is lost even though the electrode spacing is diligently narrowed.
発明の目的
本発明は、前述のような従来の不都合を除去す
るためになされたもので、低輝度域から高輝度域
まで略一定径のビームスポツトが得られる受像管
装置を提供するものである。Purpose of the Invention The present invention was made to eliminate the above-mentioned conventional disadvantages, and provides a picture tube device that can obtain a beam spot with a substantially constant diameter from a low brightness region to a high brightness region. .
発明の構成
本発明の受像管装置は、制御電極としてのG1
電極側から最終加速電極としてのG5電極側へと
順次に配設されたG2電極、G3電極およびG4電極
を備え、G2電極とG3電極との間隔はこの2電極
間電位傾度が105V/cm〜5×105V/cmとなるよ
うに設定される。そして、平板状のG3電極には
10KV以下の電位が、G4電極にはG3電極電位より
も低い電位がそれぞれ与えられるのであり、軸上
電位分布はG3電極領域で極大値をとつたあとG4
電極領域にかけ漸減して極小値をとり、G4電極
からG5電極にいたる領域で連続的に上昇して、
G3電極ないしG5電極の電位の関与により実質的
に単一の厚肉メインレンズを生成させるのであ
り、これを以下図面に示した実施例とともに詳し
く説明する。Structure of the Invention The picture tube device of the present invention has G 1 as a control electrode.
G 2 electrode, G 3 electrode, and G 4 electrode are arranged sequentially from the electrode side to the G 5 electrode side as the final acceleration electrode, and the interval between the G 2 electrode and the G 3 electrode is determined by the potential between these two electrodes. The slope is set to be 10 5 V/cm to 5×10 5 V/cm. And for the flat G3 electrode
A potential of 10 KV or less is applied to the G 4 electrode, and a potential lower than the G 3 electrode potential is applied to the G 4 electrode, and the axial potential distribution reaches its maximum value in the G 3 electrode area and then reaches the G 4 electrode.
It gradually decreases toward the electrode region, reaches a minimum value, and rises continuously in the region from the G 4 electrode to the G 5 electrode.
A substantially single thick main lens is generated by the involvement of the potentials of the G3 electrode to the G5 electrode, and this will be described in detail below together with the embodiments shown in the drawings.
実施例の説明
第5図に示す電子銃は、制御電極としてのG1
電極2側から最終加速電極としてのG5電極21
側へと順次に配設されたG2電極3、G3電極22
およびG4電極23を備えている。G2電極3は従
来の電子銃における加速電極と同様の構造を有し
ており、G2電極3に隣接する板状のG3電極22
は、G2電極3に対し105V/cm〜5×105V/cmの
電位傾度となるように近接配置されている。G4
電極23およびG5電極21はいずれも円筒状の
もので、G3電極22には10KV以下の一定電位
Vg3が与えられ、G4電極23にはG3電極電位Vg3
よりも低い可変フオーカス電位Vfpcが与えられ、
G5電極21には約30KVの高電位Vaが与えられ
る。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS The electron gun shown in FIG. 5 has G 1 as a control electrode.
G5 electrode 21 as the final acceleration electrode from the electrode 2 side
G 2 electrode 3 and G 3 electrode 22 arranged sequentially to the side
and a G 4 electrode 23. The G 2 electrode 3 has a structure similar to the accelerating electrode in a conventional electron gun, and a plate-shaped G 3 electrode 22 adjacent to the G 2 electrode 3
are arranged close to the G 2 electrode 3 so as to have a potential gradient of 10 5 V/cm to 5×10 5 V/cm. G4
The electrode 23 and the G5 electrode 21 are both cylindrical, and the G3 electrode 22 has a constant potential of 10KV or less.
V g3 is given to the G 4 electrode 23, and the G 3 electrode potential V g3
Given a variable focus potential V fpc lower than
A high potential V a of approximately 30 KV is applied to the G 5 electrode 21 .
このような構成によると、ビーム形成部におけ
る軸上電位分布は急峻に上昇し、大ビーム電流時
のa・d0が著しく減少する一方、ビーム発散角a
が増大する。すなわち、第6図に示すように軸上
電位分布はG3電極22の電子ビーム通過孔24
内でVg3電位まで上昇し、G4電極23にかけて漸
減する。そして、G4電極23およびG5電極24
の領域で連続的に上昇し、G5電極21内にいた
つて高電位Vaに達し、一定となる。このため、
G3電極22、G4電極23およびG5電極21の電
位の関与により複合レンズ電界が生じ、実質的に
単一の厚肉のメインレンズ25が生成される。 With such a configuration, the axial potential distribution in the beam forming section rises steeply, and a·d 0 at the time of large beam current decreases significantly, while the beam divergence angle a
increases. That is, as shown in FIG. 6, the axial potential distribution is
The voltage rises to the V g3 potential within the G 4 electrode 23, and gradually decreases to the G 4 electrode 23. And G 4 electrode 23 and G 5 electrode 24
It rises continuously in the region of , reaches the high potential V a within the G 5 electrode 21, and becomes constant. For this reason,
A complex lens electric field is generated due to the involvement of the potentials of the G 3 electrode 22, the G 4 electrode 23, and the G 5 electrode 21, and a substantially single thick main lens 25 is generated.
G4電極23内の軸上電位はG3電極電位Vg3より
も低いから、従来の電子銃構成に比べて焦点距離
が短小となる。このことは、ビーム形成部におけ
る電位上昇を急峻に保ちながら虚像クロスオーバ
とメインレンズとの相互間距離を短小化できるこ
とを意味し、ビーム発散角aが増大してもメイン
レンズ25でのビーム径Dを適正値に保つことが
可能となる。そして、これを(3)式に照らしてみる
と、ビーム径Dを増すことなくa・d0を減少させ
得るのであるから、ビームスポツト径dsを縮小化
しうることが判かる。 Since the axial potential within the G 4 electrode 23 is lower than the G 3 electrode potential V g3 , the focal length is shorter than in the conventional electron gun configuration. This means that the distance between the virtual image crossover and the main lens can be shortened while maintaining a steep potential rise in the beam forming section, and even if the beam divergence angle a increases, the beam diameter at the main lens 25 It becomes possible to maintain D at an appropriate value. When this is compared with equation (3), it can be seen that since a·d 0 can be decreased without increasing the beam diameter D, the beam spot diameter d s can be reduced.
発明の効果
以上のように本発明の受像管装置によると、ビ
ーム形成部における電位傾度を増大させたので、
同部における球面収差の低減および虚像クロスオ
ーバ径の縮少効果が得られ、しかも、メインレン
ズ電界はG3電極、G4電極およびG5電極の3電極
が関与して短焦点となるので、ビーム発散角が増
大するにもかかわらずメインレンズでの電子ビー
ム径を適正値に保ち得るのであり、大ビーム電流
が流れる高輝度時においても径小のビームスポツ
トが生成され、良好な解像度特性を得ることがで
きる。Effects of the Invention As described above, according to the picture tube device of the present invention, since the potential gradient in the beam forming section is increased,
The effect of reducing the spherical aberration and the virtual image crossover diameter in the same area can be obtained, and the main lens electric field has a short focus due to the involvement of the three electrodes, G 3 electrode, G 4 electrode, and G 5 electrode. Despite the increased beam divergence angle, the electron beam diameter at the main lens can be maintained at an appropriate value, and a beam spot with a small diameter is generated even at high brightness when a large beam current flows, resulting in good resolution characteristics. Obtainable.
第1図は従来の受像管装置の電子銃の電極構成
図、第2図は同電子銃の軸上電位分布図、第3図
は同電子銃のビーム形成部における動作態様説明
図、第4図はG2電極とG3電極との相互間距離に
対するビーム発散角および虚像クロスオーバ径の
関係を示す特性図、第5図は本発明を実施した受
像管装置の電子銃の電極構成図、第6図は同電子
銃の軸上電位分布図である。
1……陰極、2……G1電極、3……G2電極、
21……G5電極、22……G3電極、23……G4
電極。
Fig. 1 is an electrode configuration diagram of an electron gun of a conventional picture tube device, Fig. 2 is an axial potential distribution diagram of the electron gun, Fig. 3 is an explanatory diagram of the operation mode in the beam forming section of the electron gun, and Fig. 4 The figure is a characteristic diagram showing the relationship between the beam divergence angle and the virtual image crossover diameter with respect to the mutual distance between the G 2 electrode and the G 3 electrode. FIG. 6 is an axial potential distribution diagram of the electron gun. 1... cathode, 2... G 1 electrode, 3... G 2 electrode,
21...G 5 electrode, 22...G 3 electrode, 23...G 4
electrode.
Claims (1)
極としてのG5電極側へと順次に配設されたG2電
極、G3電極およびG4電極を備え、G3電極は平板
状のもので、G2電極とG3電極との間隔はこの2
電極間電位傾度が105V/cm〜5×105V/cmとな
るように設定され、G3電極には10KV以下の電位
が、そしてG4電極にはG3電極電位よりも低い電
位がそれぞれ与えられ、軸上電位分布はG3電極
領域で極大値をとつたあとG4電極領域にかけ漸
減して極小値をとり、G4電極からG5電極にいた
る領域で連続的に上昇して、G3電極ないしG5電
極の電位の関与により実質的に単一の厚肉メイン
レンズを生成させることを特徴とする受像管装
置。1 Equipped with a G 2 electrode, a G 3 electrode, and a G 4 electrode arranged sequentially from the G 1 electrode side as a control electrode to the G 5 electrode side as a final acceleration electrode, and the G 3 electrode is a flat plate. , the distance between the G 2 electrode and the G 3 electrode is this 2
The potential gradient between the electrodes is set to be 10 5 V/cm to 5 × 10 5 V/cm, the G 3 electrode has a potential of 10 KV or less, and the G 4 electrode has a potential lower than the G 3 electrode potential. are given, and the axial potential distribution reaches a maximum value in the G 3 electrode region, then gradually decreases to a minimum value in the G 4 electrode region, and rises continuously in the region from the G 4 electrode to the G 5 electrode. A picture tube device characterized in that substantially a single thick main lens is generated by the involvement of the potential of the G3 electrode or the G5 electrode.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23412982A JPS59123139A (en) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Picture tube device |
| DE8383113068T DE3373746D1 (en) | 1982-12-29 | 1983-12-23 | Cathode ray tube |
| EP19830113068 EP0113113B1 (en) | 1982-12-29 | 1983-12-23 | Cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23412982A JPS59123139A (en) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Picture tube device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123139A JPS59123139A (en) | 1984-07-16 |
| JPH0415977B2 true JPH0415977B2 (en) | 1992-03-19 |
Family
ID=16966085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23412982A Granted JPS59123139A (en) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Picture tube device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123139A (en) |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23412982A patent/JPS59123139A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59123139A (en) | 1984-07-16 |
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