JPH0415981A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0415981A JPH0415981A JP2120576A JP12057690A JPH0415981A JP H0415981 A JPH0415981 A JP H0415981A JP 2120576 A JP2120576 A JP 2120576A JP 12057690 A JP12057690 A JP 12057690A JP H0415981 A JPH0415981 A JP H0415981A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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-
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第９図、第１Ｏ
図及び第１１図に示すように、炭素鋼等の金属にて適宜
直径りで、且つ適宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステ
ムｌの上面に、金属製のブロック体２を突出して、この
ブロック体２の側面に、半導体レーザチップ３を半導体
基板４を介してダイボンディングする一方、前記ステム
１の上面に、ガラス窓６を備えた炭素鋼等の金属製のキ
ヤ・ノブ体５を、前記半導体レーザチップ３及びプロ・
ンク体２に被嵌するように配設して、このキヤ・ツブ体
５の全周を前記ステム１の上面に対して抵抗溶接にて固
着することによって密封し、更に、前記ステム１の上面
に、凹み部９を設けて、この凹み部９内に、前記半導体
レーザチップ３に対するモニター用フォトダイオードを
固着する構成にしている（例えば、実開平１−６３１６
４号公報等）。
図及び第１１図に示すように、炭素鋼等の金属にて適宜
直径りで、且つ適宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステ
ムｌの上面に、金属製のブロック体２を突出して、この
ブロック体２の側面に、半導体レーザチップ３を半導体
基板４を介してダイボンディングする一方、前記ステム
１の上面に、ガラス窓６を備えた炭素鋼等の金属製のキ
ヤ・ノブ体５を、前記半導体レーザチップ３及びプロ・
ンク体２に被嵌するように配設して、このキヤ・ツブ体
５の全周を前記ステム１の上面に対して抵抗溶接にて固
着することによって密封し、更に、前記ステム１の上面
に、凹み部９を設けて、この凹み部９内に、前記半導体
レーザチップ３に対するモニター用フォトダイオードを
固着する構成にしている（例えば、実開平１−６３１６
４号公報等）。
なお、符号７ａは、前記ステムｌの下面に溶接にし固着
したリード端子を、符号７ｂ、７ｃは、前記ステム１に
穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したリード端子を各々示
し、この両リート端子７ｂ。
したリード端子を、符号７ｂ、７ｃは、前記ステム１に
穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したリード端子を各々示
し、この両リート端子７ｂ。
７ｃは、前記孔１ａ、ｌｂ内において、ガラス等の絶縁
シール材８にて絶縁シール状態で固着されている。
シール材８にて絶縁シール状態で固着されている。
そして、前記ステムベースｌの上面にブロック体２を突
出すると共に、凹み部９を形成するに際して、従来は、
予め冷間鍛造にて凹み部９を形成したステム１の上面に
、ブロック体２を溶接又は蝋付けにて固着したり、或い
は、前記ステム１を冷間鍛造するときにおいて、同時に
ブロック体２を一体的に造形すると同時に凹み部９を形
成したりするようにしている。
出すると共に、凹み部９を形成するに際して、従来は、
予め冷間鍛造にて凹み部９を形成したステム１の上面に
、ブロック体２を溶接又は蝋付けにて固着したり、或い
は、前記ステム１を冷間鍛造するときにおいて、同時に
ブロック体２を一体的に造形すると同時に凹み部９を形
成したりするようにしている。
しかし、前者のように、ブロック体２を、予め冷間鍛造
にて凹み部９を形成したステムｌの上面に溶接又は蝋付
けにて固着する方法は、当該ブロック体２の溶接又は蝋
付けに際して、ステム１に対して左右方向に位置かすれ
たり、或いは、ステムｌの上面に対して傾いたりするこ
とか発生するので、ステム１を冷間鍛造した上に、前記
プロ・ツク体２の溶接又は蝋付は後において、ブロック
体２における各側面のうち半導体レーサチソブ３をダイ
ボンディングする側面を、当該側面がステムの中心に対
して正しい位置になると共に、ステム１の上面に対して
正しく直角になるように機械加工するようにしなければ
ならないから、ブロック体２付きステム１の製造に多大
の手数かかかり、半導体レーザ装置の価格か大幅にアッ
プするのである。
にて凹み部９を形成したステムｌの上面に溶接又は蝋付
けにて固着する方法は、当該ブロック体２の溶接又は蝋
付けに際して、ステム１に対して左右方向に位置かすれ
たり、或いは、ステムｌの上面に対して傾いたりするこ
とか発生するので、ステム１を冷間鍛造した上に、前記
プロ・ツク体２の溶接又は蝋付は後において、ブロック
体２における各側面のうち半導体レーサチソブ３をダイ
ボンディングする側面を、当該側面がステムの中心に対
して正しい位置になると共に、ステム１の上面に対して
正しく直角になるように機械加工するようにしなければ
ならないから、ブロック体２付きステム１の製造に多大
の手数かかかり、半導体レーザ装置の価格か大幅にアッ
プするのである。
また、後者のように、ブロック体２及び凹み部９を、炭
素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形する方
法は、ブロック体２におけるステム１の中心からの寸法
精度及びステム１の上面に対する直角度を大幅に向上で
きる利点を有するが、その反面、ブロック体２付きステ
ム１を冷間鍛造するときに使用する金型の寿命か著しく
低いと共に、その冷間鍛造に際しては、頑丈で、且つ、
高い精度の冷間鍛造機か必要であって、ブロック体２付
きステム１の冷間鍛造に要するコストか大幅に嵩むので
、これまた、半導体レーザ装置の価格がアップすると言
う問題があった。
素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形する方
法は、ブロック体２におけるステム１の中心からの寸法
精度及びステム１の上面に対する直角度を大幅に向上で
きる利点を有するが、その反面、ブロック体２付きステ
ム１を冷間鍛造するときに使用する金型の寿命か著しく
低いと共に、その冷間鍛造に際しては、頑丈で、且つ、
高い精度の冷間鍛造機か必要であって、ブロック体２付
きステム１の冷間鍛造に要するコストか大幅に嵩むので
、これまた、半導体レーザ装置の価格がアップすると言
う問題があった。
本発明は、ブロック体付きステムの製作に要するコスト
を確実に低減できると共に、軽量化できるようにした半
導体レーザ装置を提供することを目的とするものである
。
を確実に低減できると共に、軽量化できるようにした半
導体レーザ装置を提供することを目的とするものである
。
この目的を達成するため本発明は、炭素鋼等の金属にて
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に、半導体レーザチップを固着して成る半導
体レーザ装置において、前記ステムを、第１ステムと第
２ステムとの二枚重ねに構成して、この第１ステム及び
第２ステムのうち、前記ブロック体側の第１ステムに、
略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の部分を
、前記ステムの表面に突出するように折曲げて、前記半
導体レーザチップ固着用のブロック体を形成し、更に、
前記第２ステムに、前記第１ステムにブロック体を形成
するために穿設されるつ貫通孔内に突出する突起部を設
けて、この突起部に、前記半導体レーザチップに対する
モニター用フォトダイオードを固着する構成にした。
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に、半導体レーザチップを固着して成る半導
体レーザ装置において、前記ステムを、第１ステムと第
２ステムとの二枚重ねに構成して、この第１ステム及び
第２ステムのうち、前記ブロック体側の第１ステムに、
略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の部分を
、前記ステムの表面に突出するように折曲げて、前記半
導体レーザチップ固着用のブロック体を形成し、更に、
前記第２ステムに、前記第１ステムにブロック体を形成
するために穿設されるつ貫通孔内に突出する突起部を設
けて、この突起部に、前記半導体レーザチップに対する
モニター用フォトダイオードを固着する構成にした。
この構成において、ステムを構成する第１ステムには、
これにコ字状の切線を刻設しその内側の部分をステムの
表面に突出するように折曲げてブロック体に形成したこ
とにより、貫通孔か明くことになるか、この貫通孔は、
当該第１ステムに対して重ねた第２ステムによって塞ぐ
ことかできるう一方、ステムを第１ステムと第２ステム
との二枚重ねに構成して、第１ステムに前記のようにし
てブロック体を造形し、第２ステムに、モニター用フォ
トダイオードを固着するための突起部を造形したことに
より、これら第１ステム及び第２ステムは、いずれも、
ステムにおける所定の厚さ寸法よりも薄くなるから、薄
い金属板からの打ち抜きプレス加工によって、製造する
ことかできると共に、ブロック体におけるステムの中心
からの寸法及びステムの上面に対する直角度を、プレス
加工にて高い精度で形成することができ、前記従来のよ
うに、ステムを冷間鍛造した上に、これにブロック体を
溶接又は蝋付けに固着したのち仕上げ加工したり、或い
は、ブロック体と凹み部とを備えたステムを冷間鍛造を
したりするものに比べて、至極容易に製造できるのであ
る。
これにコ字状の切線を刻設しその内側の部分をステムの
表面に突出するように折曲げてブロック体に形成したこ
とにより、貫通孔か明くことになるか、この貫通孔は、
当該第１ステムに対して重ねた第２ステムによって塞ぐ
ことかできるう一方、ステムを第１ステムと第２ステム
との二枚重ねに構成して、第１ステムに前記のようにし
てブロック体を造形し、第２ステムに、モニター用フォ
トダイオードを固着するための突起部を造形したことに
より、これら第１ステム及び第２ステムは、いずれも、
ステムにおける所定の厚さ寸法よりも薄くなるから、薄
い金属板からの打ち抜きプレス加工によって、製造する
ことかできると共に、ブロック体におけるステムの中心
からの寸法及びステムの上面に対する直角度を、プレス
加工にて高い精度で形成することができ、前記従来のよ
うに、ステムを冷間鍛造した上に、これにブロック体を
溶接又は蝋付けに固着したのち仕上げ加工したり、或い
は、ブロック体と凹み部とを備えたステムを冷間鍛造を
したりするものに比べて、至極容易に製造できるのであ
る。
従って本発明によると、半導体レーザ装置におけるステ
ムの製作に要するコストを大幅に低減することができる
から、半導体レーザ装置を安価に提供できるのである。
ムの製作に要するコストを大幅に低減することができる
から、半導体レーザ装置を安価に提供できるのである。
しかも、本発明は、半導体レーザチップ固着用のブロッ
ク体を、第１ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よ
りも内側の部分を折曲げることによって形成したもので
、換言すると、第１ステムにおける一部を利用してブロ
ック体を造形するものであるから、前記従来のものに比
べて、半導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分
だけ軽量化できる効果をも有する。
ク体を、第１ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よ
りも内側の部分を折曲げることによって形成したもので
、換言すると、第１ステムにおける一部を利用してブロ
ック体を造形するものであるから、前記従来のものに比
べて、半導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分
だけ軽量化できる効果をも有する。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図〜第５図は、第１の実施例を示し、この図におい
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて適宜直径りで且つ適
宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステム１１と、ガラス
窓１６を備えた炭素鋼等の金属製のキャップ体１５とに
よって構成された半導体レーザ装置を示す。
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて適宜直径りで且つ適
宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステム１１と、ガラス
窓１６を備えた炭素鋼等の金属製のキャップ体１５とに
よって構成された半導体レーザ装置を示す。
前記ステム１１を、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌ
ｂとの二枚重ねに構成して、この第１ステムｌｌａ及び
第２ステムｌｌｂのうち前記キャップ体１５側における
第１ステムｌｌａに、第４図の平面視において口字状の
切線１９を刻設し、この切線１９よりも内側の部分を、
前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによって
、ブロック体１２を形成する。従って、第１ステム１１
ａには、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔２１
が明くことになる。
ｂとの二枚重ねに構成して、この第１ステムｌｌａ及び
第２ステムｌｌｂのうち前記キャップ体１５側における
第１ステムｌｌａに、第４図の平面視において口字状の
切線１９を刻設し、この切線１９よりも内側の部分を、
前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによって
、ブロック体１２を形成する。従って、第１ステム１１
ａには、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔２１
が明くことになる。
一方、前記第２ステムｌｌｂには、前記第１ステムｌｌ
ａにおける貫通孔２１内にむかって突出する突起部２２
を造形すると共に、その下面にリート端子１７ａを溶接
にて接続する。更に、この第２ステムｌｌｂには、二つ
の貫通孔２ｏを穿設して、この両賞通孔２０内に各々リ
ード端子１７ｂ、１７ｃを挿入したのち、両賞通孔２０
内にカラス等の絶縁シール材１８を充填することによっ
て、前記両リート端子１７ｂ、１７ｃを、前記第２ステ
ムＩｌｂに対して絶縁シール状態に固着する。
ａにおける貫通孔２１内にむかって突出する突起部２２
を造形すると共に、その下面にリート端子１７ａを溶接
にて接続する。更に、この第２ステムｌｌｂには、二つ
の貫通孔２ｏを穿設して、この両賞通孔２０内に各々リ
ード端子１７ｂ、１７ｃを挿入したのち、両賞通孔２０
内にカラス等の絶縁シール材１８を充填することによっ
て、前記両リート端子１７ｂ、１７ｃを、前記第２ステ
ムＩｌｂに対して絶縁シール状態に固着する。
そして、この第２ステムｌｌｂを、前記第１ステムＩｌ
ａの裏面に対して密着するように重ね合わせたのち、第
１ステムｌｌａと、第２ステムｌｌｂとを、その外側の
全周にわたって抵抗溶接することによって一体化する。
ａの裏面に対して密着するように重ね合わせたのち、第
１ステムｌｌａと、第２ステムｌｌｂとを、その外側の
全周にわたって抵抗溶接することによって一体化する。
次いで、第１ステムｌｌａのブロック体１２の側面に、
半導体レーザチップ１３を半導体基板１４を介してダイ
ボンディングする一方、前記第２ステムｌｌｂにおける
突起部に、前記半導体レーザチップ１３に対するモニタ
ー用フォトダイオード２３をダイボンデインクしたのち
、前記半導体レーザチップ１３とリード端子１７ｂとの
間、及び前記半導体基板１４と前記リード端子１７ｃと
の間を、各々金線にてワイヤーボインデインクし、そし
て、前記キャップ体１５を被嵌したのち、このキャップ
体１５の周囲を、前記第１ステム１１ａに対して抵抗溶
接することによって密閉する。
半導体レーザチップ１３を半導体基板１４を介してダイ
ボンディングする一方、前記第２ステムｌｌｂにおける
突起部に、前記半導体レーザチップ１３に対するモニタ
ー用フォトダイオード２３をダイボンデインクしたのち
、前記半導体レーザチップ１３とリード端子１７ｂとの
間、及び前記半導体基板１４と前記リード端子１７ｃと
の間を、各々金線にてワイヤーボインデインクし、そし
て、前記キャップ体１５を被嵌したのち、このキャップ
体１５の周囲を、前記第１ステム１１ａに対して抵抗溶
接することによって密閉する。
なお、このキャップ体１５の第１ステムｌｌａに対する
抵抗溶接は、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌｂとを
抵抗溶接するときにおいて同時に行うように、換言する
と、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌｂとを抵抗溶接
するときに、同時に、キャップ体１５を第１ステムｌｌ
ａに対して抵抗溶接するようにしても良いのである。
抵抗溶接は、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌｂとを
抵抗溶接するときにおいて同時に行うように、換言する
と、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌｂとを抵抗溶接
するときに、同時に、キャップ体１５を第１ステムｌｌ
ａに対して抵抗溶接するようにしても良いのである。
この構成において、ステム１１を構成する第１ステムｌ
ｌａには、これに口字状の切線１９を刻設してその内側
の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げてブロック
体１２を形成したことにより、貫通孔２１が形成される
ことになるが、この貫通孔２１は、当該第１ステムｌｌ
ａに対して重ねた第２ステムｌｌｂによって塞ぐことが
できる。
ｌａには、これに口字状の切線１９を刻設してその内側
の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げてブロック
体１２を形成したことにより、貫通孔２１が形成される
ことになるが、この貫通孔２１は、当該第１ステムｌｌ
ａに対して重ねた第２ステムｌｌｂによって塞ぐことが
できる。
一方、ステム１１を第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌ
ｂとの二枚重ねに構成して、第１ステム１１ａに前記の
ようにしてブロック体１２を造形し、第２ステムｌｌｂ
に、モニター用フォトダイオード２３を固着するための
突起部２２を造形したことにより、これら第１ステムｌ
ｌａ及び第２ステムｌｌｂは、いずれも、ステム１１に
おける所定の厚さ寸法Ｔよりも薄くなるから、薄い金属
板からの打ち抜きプレス加工によって、至極容易に製造
することができると共に、第１ステム１１ａのブロック
体１２におけるステム１１の中心からの寸法及びステム
ＩＩの上面に対する直角塵を、プレスにて高い精度で形
成することができるのである。
ｂとの二枚重ねに構成して、第１ステム１１ａに前記の
ようにしてブロック体１２を造形し、第２ステムｌｌｂ
に、モニター用フォトダイオード２３を固着するための
突起部２２を造形したことにより、これら第１ステムｌ
ｌａ及び第２ステムｌｌｂは、いずれも、ステム１１に
おける所定の厚さ寸法Ｔよりも薄くなるから、薄い金属
板からの打ち抜きプレス加工によって、至極容易に製造
することができると共に、第１ステム１１ａのブロック
体１２におけるステム１１の中心からの寸法及びステム
ＩＩの上面に対する直角塵を、プレスにて高い精度で形
成することができるのである。
そして、前記第１ステムＩｌａにおけるブロック体１２
に対して半導体基板１４を介してグイボンディングした
半導体レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体
１２から第１ステムｌｌａ及び第２ステムｌｌｂに熱伝
達したのち放熱されるのであるが、この場合において、
半導体レーザチップ１３から第１ステムＩｌａ及び第２
ステム１１ｂへの熱伝達を更に促進するには、第１ステ
ムｌｌａに、コ字状切線１９を刻設しその内側の部分を
折曲げることによって形成されるブロック体１２を、第
６図、第７図及び第８図に示すように、第１ステムｌｌ
ａに対する付は根部における幅寸法Ｗ１を先端部におけ
る幅寸法Ｗ２よりも大きくして成る台形状に形成すれば
良いのであり、その他の構成は、前記第１の実施例と同
様である。
に対して半導体基板１４を介してグイボンディングした
半導体レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体
１２から第１ステムｌｌａ及び第２ステムｌｌｂに熱伝
達したのち放熱されるのであるが、この場合において、
半導体レーザチップ１３から第１ステムＩｌａ及び第２
ステム１１ｂへの熱伝達を更に促進するには、第１ステ
ムｌｌａに、コ字状切線１９を刻設しその内側の部分を
折曲げることによって形成されるブロック体１２を、第
６図、第７図及び第８図に示すように、第１ステムｌｌ
ａに対する付は根部における幅寸法Ｗ１を先端部におけ
る幅寸法Ｗ２よりも大きくして成る台形状に形成すれば
良いのであり、その他の構成は、前記第１の実施例と同
様である。
また、第１ステムｌｌａにおけるブロック体１２を、前
記のように台形状に形成する場合には、この台形状のブ
ロック体１２における左右両側１２ａ、１２ｂを、第２
ステムｌｌｂに対して固着される両リード端子１７ｂ、
１７ｃよりも遠ざかる方向に屈曲することにより、当該
台形状のブロック体Ｉ２が、前記両リード端子１７ｂ、
１７ｃに対して接近・干渉することを回避できるのであ
る。
記のように台形状に形成する場合には、この台形状のブ
ロック体１２における左右両側１２ａ、１２ｂを、第２
ステムｌｌｂに対して固着される両リード端子１７ｂ、
１７ｃよりも遠ざかる方向に屈曲することにより、当該
台形状のブロック体Ｉ２が、前記両リード端子１７ｂ、
１７ｃに対して接近・干渉することを回避できるのであ
る。
第１図〜第８図は本発明の実施例を示し、第１図は第１
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■視
断面断面図３図は分解した状態の図、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ視平面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ担手面図
、第６図は第２の実施例を示す平面図、第７図は第６図
の■−■視断面断面図８図は第６図の■−■視断面断面
図９図は従来の例を示す縦断正面図、第１０図は第９図
のＸＸ視断面図、第１１図は第９図のＸＩ−ＸＩ視断面
図である。 １０・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１１ａ・・・・第１ステム、ｌｌｂ・・・・第２ステム
、１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザ
チップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャッ
プ体、１６・・・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ
ｍ＝リード端子、１８・・・・絶縁シール材、１９・・
・・切線、２１・・・・貫通孔、２２・・・・突起部、
２３・・・・モニター用フォトダイオード。 特許出願人 ローム 株式会社 代理人 弁理士 石 井 暁 夫 代理人 弁理士 東 野 正 第１０図 第９図
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■視
断面断面図３図は分解した状態の図、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ視平面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ担手面図
、第６図は第２の実施例を示す平面図、第７図は第６図
の■−■視断面断面図８図は第６図の■−■視断面断面
図９図は従来の例を示す縦断正面図、第１０図は第９図
のＸＸ視断面図、第１１図は第９図のＸＩ−ＸＩ視断面
図である。 １０・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１１ａ・・・・第１ステム、ｌｌｂ・・・・第２ステム
、１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザ
チップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャッ
プ体、１６・・・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ
ｍ＝リード端子、１８・・・・絶縁シール材、１９・・
・・切線、２１・・・・貫通孔、２２・・・・突起部、
２３・・・・モニター用フォトダイオード。 特許出願人 ローム 株式会社 代理人 弁理士 石 井 暁 夫 代理人 弁理士 東 野 正 第１０図 第９図
Claims (1)
- （１）、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したステムの
表面にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザ
チップを固着して成る半導体レーザ装置において、前記
ステムを、第１ステムと第２ステムとの二枚重ねに構成
して、この第１ステム及び第２ステムのうち、前記ブロ
ック体側の第１ステムに、略コ字状の切線を刻設し、こ
の切線よりも内側の部分を、前記キャップ体内に向かっ
て突出するように折曲げて、前記半導体レーザチップ固
着用のブロック体を形成し、更に、前記第２ステムに、
前記第１ステムにブロック体を形成するために穿設され
る貫通孔内に突出する突起部を設けて、この突起部に、
前記半導体レーザチップに対するモニター用フォトダイ
オードを固着したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120576A JP2546908B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体レーザ装置 |
| US07/686,152 US5089861A (en) | 1990-05-09 | 1991-04-16 | Semiconductor laser device with mounting block |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120576A JP2546908B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415981A true JPH0415981A (ja) | 1992-01-21 |
| JP2546908B2 JP2546908B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=14789708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120576A Expired - Fee Related JP2546908B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546908B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 | ||
| JPH01283985A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子搭載用パッケージおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2120576A patent/JP2546908B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 | ||
| JPH01283985A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子搭載用パッケージおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546908B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |