JPH0416094B2 - - Google Patents
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- JPH0416094B2 JPH0416094B2 JP3493484A JP3493484A JPH0416094B2 JP H0416094 B2 JPH0416094 B2 JP H0416094B2 JP 3493484 A JP3493484 A JP 3493484A JP 3493484 A JP3493484 A JP 3493484A JP H0416094 B2 JPH0416094 B2 JP H0416094B2
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-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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-
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Description
<技術分野>
本発明は、プラスチツクフイルム基板使用の液
晶表示素子(プラスチツクフイルム液晶表示素
子)に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 <従来技術> 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、この上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を2枚対向さ
せ、この間隔に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を狭持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第1図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、1は偏光板、2はガラス基板、3は電極
パターン(透明導電膜)、4は配向膜、5はシー
ル材、6は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当り、プラスチツクフイルム自体の耐
湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、耐
擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密着
性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記通
常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜(電極パターン)との密着性を向上さ
せるものである。 第2図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、11は偏光板、12は
プラスチツクフイルム基板、13は下地膜、14
は透明導電膜(電極パターン)、15は配向膜、
16はシール材、17は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求としては、特に、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるため、
硬質膜であることが要求されている。一般的な硬
質膜としては、シリコン系のハードコーティング
剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が多く用
いられているが、このシリコーン皮膜は、ポリカ
ーボネートやアクリルのような一部の基材を除い
て、基材との密着性が弱く、プライマーと称する
基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗したり、
カツプリング効果を持たせたりして密着性を向上
させているのが普通である。しかし、プライマー
を用いて密着性を向上させたとしても、例えば、
エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルサルフオン等、多くのプラスチツクフイル
ムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜を形成
した、このようなプラスチツクフイルムを高温高
湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン皮膜が
剥離してしまい、液晶表示素子基板としての実用
に耐えることができなかつた。一方、プラスチツ
クフイルムの耐擦傷性はシリコーン皮膜ほど良く
ないが、プラスチツクフイルム基板との密着性は
良い、メラミン系コーテイング剤もあるが、これ
は、耐溶剤性が弱く、又、透明電膜の形成が困難
等、液晶表示素子を作成する上で問題点が多かつ
た。 <発明の目的> 本発明は、このような問題点に鑑みなされたも
のである。すなわち、本発明は、液晶表示素子基
板として使用されるプラスチツクフイルム基板と
の密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、且つ、その上に形成される透明導電膜との密
着性の良い下地膜を有するプラスチツクフイルム
液晶表示素子を提供することを目的とするもので
ある。 <発明の構成> 本発明のプラスチツクフイルム液晶表示素子
は、メラミン樹脂と、アルキルアルコキシシラ
ン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性アル
コキシシランから成る共縮合体とを混合して得ら
れるポリマーブレンドをプラスチツクフイルム基
板(一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
(PET)から形成されるプラスチツクフイルム基
板、 一般式、 で表わされるポリカーボネート(PC)から形成
されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリサルフオン(PS)から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン(PES)か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
(PEEK)から形成されるプラスチツクフイルム
基板、 一般式 (式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数1〜3の
低級アルキル基、R7は炭素数2〜4の低級アル
キル基、mは0〜3の整数、nは20〜300の整数
を、夫々意味する)で表わされるフエノキシエー
テル型重合体、若しくは該重合体における活性水
素部分が多官性化合物と架橋反応してなるフエノ
キシエーテル型架橋重合体から形成されるプラス
チツクフイルム基板、又は、 一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板)の下地膜としたものであ
る。 上記ポリマーブレンドを下地膜に用いることに
よつて、プラスチツクフイルム基板との密着性が
向上し、又プラスチツクフイルムの耐擦傷性、耐
溶剤性、耐液晶性、耐湿性も向上した。さらに、
硬質膜であるため、下地膜上に形成される透明導
電膜の形成を容易にし、その密着性を向上させる
ことができた。なお、通常、異種高分子溶液を混
合すると、ゲル化を生じるなどのため、混合でき
ないことが多い。本発明では同一溶剤を媒介と
し、メラミン樹脂と、アルキルアルコキシシラ
ン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性アル
コキシシランから成る共縮合体とを混合すること
ができた。 <実施例> 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製ブチルメチロールメラミンを成分
とするコーテイング剤SM−67に勝田化工(株)製ア
ルキルアルコキシシラン、アミノアルコキシシラ
ン、エポキシ変性アルコキシシラン共縮合物を成
分とするコーテイング剤NIK COAT(主剤:触
媒=100:7)を混合させたポリマーブレンドを
作製した。SM−67に対するNIK COATの混合
割合は10%程度から50%程度の範囲が適当であ
る。即ちSM−67は耐水性の良好な樹脂であり、
これにプラスチツクフイルム基板との接着剤を上
げる為にNIK COATを混合するが、その効果が
現われるにはNIK COATを10%程度以上添加す
ることが望ましい。またメラミン樹脂の特性を損
なわないようにするためには添加量の上限は50%
程度に設定することが望ましい。プラスチツクフ
イルム液晶表示素子のプラスチツクフイルム基板
として、厚み100μmのポリエチレンテレクタ
レート、ポリカーボネート、ポリサルフオ
ン、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテル
エーテルケトン、フエノキシエーテル型重合
体、ポリアリレート、から形成されるプラスチ
ツクフイルムを準備し、これらを充分に洗浄脱脂
したのち、上記ポリマーブレンドをデイツピング
法にて塗布した。15分間の風乾後、,,,
は120℃、,,は170℃で約3時間焼成
し、硬化塗膜を形成し、下地膜とした。 なお、東芝シリコーン(株)製シリコーン系ハード
コーテイング剤トスガード510(組成;
晶表示素子(プラスチツクフイルム液晶表示素
子)に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 <従来技術> 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、この上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を2枚対向さ
せ、この間隔に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を狭持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第1図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、1は偏光板、2はガラス基板、3は電極
パターン(透明導電膜)、4は配向膜、5はシー
ル材、6は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当り、プラスチツクフイルム自体の耐
湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、耐
擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密着
性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記通
常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜(電極パターン)との密着性を向上さ
せるものである。 第2図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、11は偏光板、12は
プラスチツクフイルム基板、13は下地膜、14
は透明導電膜(電極パターン)、15は配向膜、
16はシール材、17は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求としては、特に、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるため、
硬質膜であることが要求されている。一般的な硬
質膜としては、シリコン系のハードコーティング
剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が多く用
いられているが、このシリコーン皮膜は、ポリカ
ーボネートやアクリルのような一部の基材を除い
て、基材との密着性が弱く、プライマーと称する
基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗したり、
カツプリング効果を持たせたりして密着性を向上
させているのが普通である。しかし、プライマー
を用いて密着性を向上させたとしても、例えば、
エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルサルフオン等、多くのプラスチツクフイル
ムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜を形成
した、このようなプラスチツクフイルムを高温高
湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン皮膜が
剥離してしまい、液晶表示素子基板としての実用
に耐えることができなかつた。一方、プラスチツ
クフイルムの耐擦傷性はシリコーン皮膜ほど良く
ないが、プラスチツクフイルム基板との密着性は
良い、メラミン系コーテイング剤もあるが、これ
は、耐溶剤性が弱く、又、透明電膜の形成が困難
等、液晶表示素子を作成する上で問題点が多かつ
た。 <発明の目的> 本発明は、このような問題点に鑑みなされたも
のである。すなわち、本発明は、液晶表示素子基
板として使用されるプラスチツクフイルム基板と
の密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、且つ、その上に形成される透明導電膜との密
着性の良い下地膜を有するプラスチツクフイルム
液晶表示素子を提供することを目的とするもので
ある。 <発明の構成> 本発明のプラスチツクフイルム液晶表示素子
は、メラミン樹脂と、アルキルアルコキシシラ
ン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性アル
コキシシランから成る共縮合体とを混合して得ら
れるポリマーブレンドをプラスチツクフイルム基
板(一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
(PET)から形成されるプラスチツクフイルム基
板、 一般式、 で表わされるポリカーボネート(PC)から形成
されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリサルフオン(PS)から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン(PES)か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
(PEEK)から形成されるプラスチツクフイルム
基板、 一般式 (式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数1〜3の
低級アルキル基、R7は炭素数2〜4の低級アル
キル基、mは0〜3の整数、nは20〜300の整数
を、夫々意味する)で表わされるフエノキシエー
テル型重合体、若しくは該重合体における活性水
素部分が多官性化合物と架橋反応してなるフエノ
キシエーテル型架橋重合体から形成されるプラス
チツクフイルム基板、又は、 一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板)の下地膜としたものであ
る。 上記ポリマーブレンドを下地膜に用いることに
よつて、プラスチツクフイルム基板との密着性が
向上し、又プラスチツクフイルムの耐擦傷性、耐
溶剤性、耐液晶性、耐湿性も向上した。さらに、
硬質膜であるため、下地膜上に形成される透明導
電膜の形成を容易にし、その密着性を向上させる
ことができた。なお、通常、異種高分子溶液を混
合すると、ゲル化を生じるなどのため、混合でき
ないことが多い。本発明では同一溶剤を媒介と
し、メラミン樹脂と、アルキルアルコキシシラ
ン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性アル
コキシシランから成る共縮合体とを混合すること
ができた。 <実施例> 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製ブチルメチロールメラミンを成分
とするコーテイング剤SM−67に勝田化工(株)製ア
ルキルアルコキシシラン、アミノアルコキシシラ
ン、エポキシ変性アルコキシシラン共縮合物を成
分とするコーテイング剤NIK COAT(主剤:触
媒=100:7)を混合させたポリマーブレンドを
作製した。SM−67に対するNIK COATの混合
割合は10%程度から50%程度の範囲が適当であ
る。即ちSM−67は耐水性の良好な樹脂であり、
これにプラスチツクフイルム基板との接着剤を上
げる為にNIK COATを混合するが、その効果が
現われるにはNIK COATを10%程度以上添加す
ることが望ましい。またメラミン樹脂の特性を損
なわないようにするためには添加量の上限は50%
程度に設定することが望ましい。プラスチツクフ
イルム液晶表示素子のプラスチツクフイルム基板
として、厚み100μmのポリエチレンテレクタ
レート、ポリカーボネート、ポリサルフオ
ン、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテル
エーテルケトン、フエノキシエーテル型重合
体、ポリアリレート、から形成されるプラスチ
ツクフイルムを準備し、これらを充分に洗浄脱脂
したのち、上記ポリマーブレンドをデイツピング
法にて塗布した。15分間の風乾後、,,,
は120℃、,,は170℃で約3時間焼成
し、硬化塗膜を形成し、下地膜とした。 なお、東芝シリコーン(株)製シリコーン系ハード
コーテイング剤トスガード510(組成;
【式】)及び帝人化成(株)SM−67を
〜のプラスチツクフイルム基板に塗布したの
ち、120℃で約1時間焼成硬化した下地膜を比較
例とした。 下地膜を形成したプラスチツクフイルム基板の
初期と、80℃・95%R.H.雰囲気中に24時間放置
した後の、下地膜とプラスチツクフイルム基板と
の密着性をセロテープ剥離試験で調べたところ、
次の表に示すような結果を得た。
ち、120℃で約1時間焼成硬化した下地膜を比較
例とした。 下地膜を形成したプラスチツクフイルム基板の
初期と、80℃・95%R.H.雰囲気中に24時間放置
した後の、下地膜とプラスチツクフイルム基板と
の密着性をセロテープ剥離試験で調べたところ、
次の表に示すような結果を得た。
【表】
上記の表に示すように、本発明のポリマーブレ
ンドを下地膜として用いたときには、プラスチツ
クフイルムの種類に関係なく良好な密着性が得ら
れた。 次に、上記本発明を実施したポリマーブレンド
を下地膜としたプラスチツクフイルム基板と、
SM−67を下地膜としたプラスチツクフイルム基
板のうち、ポリエーテルサルフオンとフエノキシ
エーテル型重合体から成るプラスチツクフイルム
基板を用いて液晶表示素子を作製した。このプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を点灯させたとこ
ろ、本発明を実施したポリマーブレンドを下地膜
としたプラスチツクフイルム液晶表示素子は正常
に点灯したが、SM−67を下地膜としたプラスチ
ツクフイルム液晶表示素子は点灯しなかつた。こ
の液晶表示素子を分解して透明導電膜を調べたと
ころ、クラツクや剥離がみられた。一方、本発明
を実施したポリマーブレンドを下地膜としたプラ
スチツクフイルム液晶表示素子の透明導電膜には
異常はみられなかつた。 <発明の効果> 以上のように本発明を実施したポリマーブレン
ドを下地膜としたプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、基板と下地膜の密着性に優れ、又、耐溶
剤性、耐液晶性に優れている。さらに硬質膜であ
るため、プラスチツクフイルム基板の耐擦傷性、
耐湿性を向上させることができると共に、下地膜
上に形成される透明導電膜の形成を容易にし、そ
の密着性を向上させることができ、高品質のプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することが
できた。
ンドを下地膜として用いたときには、プラスチツ
クフイルムの種類に関係なく良好な密着性が得ら
れた。 次に、上記本発明を実施したポリマーブレンド
を下地膜としたプラスチツクフイルム基板と、
SM−67を下地膜としたプラスチツクフイルム基
板のうち、ポリエーテルサルフオンとフエノキシ
エーテル型重合体から成るプラスチツクフイルム
基板を用いて液晶表示素子を作製した。このプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を点灯させたとこ
ろ、本発明を実施したポリマーブレンドを下地膜
としたプラスチツクフイルム液晶表示素子は正常
に点灯したが、SM−67を下地膜としたプラスチ
ツクフイルム液晶表示素子は点灯しなかつた。こ
の液晶表示素子を分解して透明導電膜を調べたと
ころ、クラツクや剥離がみられた。一方、本発明
を実施したポリマーブレンドを下地膜としたプラ
スチツクフイルム液晶表示素子の透明導電膜には
異常はみられなかつた。 <発明の効果> 以上のように本発明を実施したポリマーブレン
ドを下地膜としたプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、基板と下地膜の密着性に優れ、又、耐溶
剤性、耐液晶性に優れている。さらに硬質膜であ
るため、プラスチツクフイルム基板の耐擦傷性、
耐湿性を向上させることができると共に、下地膜
上に形成される透明導電膜の形成を容易にし、そ
の密着性を向上させることができ、高品質のプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することが
できた。
第1図及び第2図は断面図である。
符号の説明、1:偏光板、2:ガラス基板、
3:透明導電膜、4:配向膜、5:シール材、
6:液晶、11:偏光板、12:プラスチツクフ
イルム基板、13:下地膜、14:透明導電膜、
15:配向膜、16:シール材、17:液晶。
3:透明導電膜、4:配向膜、5:シール材、
6:液晶、11:偏光板、12:プラスチツクフ
イルム基板、13:下地膜、14:透明導電膜、
15:配向膜、16:シール材、17:液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 プラスチツクフイルム基板使用液晶表示素子
に於いて、 メラミン樹脂にアルキルアルコキシシラン、ア
ミノアルコキシシラン、エポキシ変性アルコキシ
シランから成る共縮合体を混合して得られるポリ
マーブレンドをプラスチツクフイルム基板の下地
膜として用いたことを特徴とする液晶表示素子。 2 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
(PET)から形成されるプラスチツクフイルム基
板の下地膜として用いたことを特徴とする、特許
請求の範囲第1項記載の液晶表示素子。 3 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリカーボネート(PC)から形成
されるプラスチツクフイルム基板の下地膜として
用いたことを特徴とする、特許請求の範囲第1項
記載の液晶表示素子。 4 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリサルフオン(PS)から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板の下地膜として用
いたことを特徴とする、特許請求の範囲第1項記
載の液晶表示素子。 5 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン(PES)か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板の下地膜
として用いたことを特徴とする、特許請求の範囲
第1項記載の液晶表示素子。 6 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
(PEEK)から形成されるプラスチツクフイルム
基板の下地膜として用いたことを特徴とする、特
許請求の範囲第1項記載の液晶表示素子。 7 上記ポリマーブレンドを、一般式 (式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数1〜3の
低級アルキル基、R7は炭素数2〜4の低級アル
キル基、mは0〜3の整数、nは20〜300の整数
を、夫々意味する) で表わされるフエノキシエーテル型重合体、又は
該重合体における活性水素部分が多官性化合物と
架橋反応してなるフエノキシエーテル型架橋重合
体から形成されるプラスチツクフイルム基板の下
地膜として用いたことを特徴とする、特許請求の
範囲第1項記載の液晶表示素子。 8 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板の下地膜として用いたこと
を特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3493484A JPS60177319A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3493484A JPS60177319A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177319A JPS60177319A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0416094B2 true JPH0416094B2 (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=12428016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3493484A Granted JPS60177319A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177319A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767931A (en) * | 1995-10-24 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Composite for plastic liquid crystal display |
| DE102004037524A1 (de) | 2004-07-29 | 2006-03-23 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Display und Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Display |
| ES3011957T3 (en) * | 2018-11-05 | 2025-04-08 | Momentive Performance Mat Inc | Polymer network forming silane compositions |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3493484A patent/JPS60177319A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60177319A (ja) | 1985-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |