JPH0327093B2 - - Google Patents
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- JPH0327093B2 JPH0327093B2 JP3494784A JP3494784A JPH0327093B2 JP H0327093 B2 JPH0327093 B2 JP H0327093B2 JP 3494784 A JP3494784 A JP 3494784A JP 3494784 A JP3494784 A JP 3494784A JP H0327093 B2 JPH0327093 B2 JP H0327093B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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Description
〈技術分野〉
本発明は、プラスチツクフイルム基板使用の液
晶表示素子（プラスチツクフイルム液晶表示素
子）に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 〈従来技術〉 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、この上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、この間隙に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を挾持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第１図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、１は偏光板、２はガラス基板、３は電極
パターン（透明導電膜）、４は配向膜、５はシー
ル材、６は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当たり、プラスチツクフイルム自体の
耐湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、
耐擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密
着性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記
通常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜（電極パターン）との密着性を向上さ
せるものである。 第２図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、１１は偏光板、１２は
プラスチツクフイルム基板、１１３は下地膜、１
４は透明導電膜（電極パターン）、１５は配向膜、
１６はシール材、１７は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求としては、特に、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるため、
硬質膜であることが要求されている。一般的な硬
質膜としては、シリコーン系のハードコーテイン
グ剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が多く
用いられているが、このシリコーン皮膜は、ポリ
カーボネートやアクリルのような一部の基材を除
いて、基材との密着性が弱く、プライマーと称す
る基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗した
り、カツプリング効果を持たせたりして密着性を
向上させているのが普通である。しかし、プライ
マーを用いて密着性を向上させたとしても、例え
ば、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエーテルサルフオン等、多くのプラスチツクフ
イルムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜を
形成した、このようなプラスチツクフイルムを高
温高湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン皮
膜が剥離してしまうなど、液晶表示素子基板とし
ての実用に耐えることができなかつた。 プラスチツクフイルム液晶表示素子の下地膜と
しての実用に耐え得る密着性と透明導電膜の形成
に適する硬質膜を確保するために、我々は、それ
ぞれの特長を有する２つの樹脂を混合して、相互
の欠点を補うことにした。すなわち、メラミン樹
脂とアルキルアルコキシシラン、アミノアルコキ
シシラン、エポキシ変性アルコキシシランから成
る共縮合体とを混合して得られるポリマーブレン
ドをプラスチツクフイルム液晶表示素子の下地膜
としたものである。これによつて、プラスチツク
フイルム基板との密着性が向上し、又、プラスチ
ツクフイルムの耐擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、
耐湿性も向上した。さらに、硬質膜であるため、
下地膜上に形成される透明導電膜の形成を容易に
し、その密着性を向上させることができた。 ところが、この下地膜上に透明導電膜を形成し
た基板を高温高湿雰囲気中に放置すると、下地膜
に白化を生じたり、あるいはクラツクを生じたり
するものがあつた。又、この下地膜を有するプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を高温高湿雰囲気
中に放置したときにも同様に白化・クラツクがみ
られた。この結果、初期で点灯が良かつたもので
も、高温高湿雰囲気中に放置した後では、透明導
電膜の一部が断線を生じるなど、液晶表示素子と
して著しい問題があつた。 〈発明の目的〉 本発明は、このような問題に鑑みなされたもの
である。すなわち、本発明は、液晶表示素子基板
として使用されるプラスチツクフイルム基板との
密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐擦
傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上させ、
且つ、その上に形成される透明導電膜との密着性
の良い下地膜を有し、なおかつ、高温高湿雰囲気
中での白化及び透明導電膜の断線を防止したプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することを
目的とするものである。 〈発明の構成〉 本発明は、メラミン樹脂に、アルキルアルコキ
シシラン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変
性アルコキシシランから成る共縮合体を混合して
得られるポリマーブレンドを、プラスチツクフイ
ルム基板の下地膜として用いたプラスチツクフイ
ルム液晶表示素子に於いて、アルキルアルコキシ
シラン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性
アルコキシシランから成る共縮合体の不揮発固形
分をメラミン樹脂の不揮発固形分の２分の１以下
にしたことを特徴とする。この結果、従来のプラ
スチツクフイルム基板との密着性、プラスチツク
フイルム自体の耐擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、
耐湿性の向上に加え、透明導電膜との密着性が良
く、且つ、高温高湿雰囲気中での白化及び透明導
電膜の断線を防止したプラスチツクフイルム液晶
表示素子が得られた。 〈実施例〉 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製、ブチルメチロールメラミン系コ
ーテイング剤SM−67（Ａ液）に、勝田化工(株)製、
アルキルアルコキシシラン、アミノアルコキシシ
ラン、エポキシ変性アルコキシシラン共縮合物コ
ーテイング剤NIK COAT（手剤：触媒＝100：
７）（Ｂ液）を混合させたポリマーブレンドを作
製した。このとき、ブレンド比が、不揮発固形分
で、○イＡ液：Ｂ液＝２：９、○ロＡ液：Ｂ液＝６：
９（２：３）、○ハＡ液：Ｂ液＝18：９（２：１）、○
ニ
Ａ液：Ｂ液＝30：９ （10：３）の４種類のポリ
マーブレンドを作製した。プラスチツクフイルム
液晶表示素子の基板として、厚み100μmのポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリサルフオン、ポリエーテルサルフアン、
ポリエーテルエーテルケトン、フエノキシエ
ーテル型重合体、ポリアリレート、から形成さ
れるプラスチツクフイルムを準備し、これらを充
分に洗浄脱脂したのち、上記ポリマーブレンドを
デイツピング法に塗布した。15分間の風乾後、
、、、は120℃、、、は170℃で約
３時間焼成し、硬化塗膜を形成、下地膜とした。
そして、この下地膜上に透明導電膜を形成した。 こうして下地膜と透明導電膜を形成したプラス
チツクフイルム基板の、初期と、80℃・95％R.
H.雰囲気中に24時間放置した後の、下地膜及び
透明導電膜とプラスチツクフイルム基板との密着
性をセロテープ剥離試験で調べたところ、上記４
種類のポリマーブレンドとも、プラスチツクフイ
ルムの種類にかかわりなく良好であつた（下記第
１表）。 初期と80℃・95％R.H.放置24時間後のピーリ
ングテスト結果
晶表示素子（プラスチツクフイルム液晶表示素
子）に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 〈従来技術〉 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、この上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、この間隙に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を挾持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第１図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、１は偏光板、２はガラス基板、３は電極
パターン（透明導電膜）、４は配向膜、５はシー
ル材、６は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当たり、プラスチツクフイルム自体の
耐湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、
耐擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密
着性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記
通常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜（電極パターン）との密着性を向上さ
せるものである。 第２図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、１１は偏光板、１２は
プラスチツクフイルム基板、１１３は下地膜、１
４は透明導電膜（電極パターン）、１５は配向膜、
１６はシール材、１７は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求としては、特に、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるため、
硬質膜であることが要求されている。一般的な硬
質膜としては、シリコーン系のハードコーテイン
グ剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が多く
用いられているが、このシリコーン皮膜は、ポリ
カーボネートやアクリルのような一部の基材を除
いて、基材との密着性が弱く、プライマーと称す
る基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗した
り、カツプリング効果を持たせたりして密着性を
向上させているのが普通である。しかし、プライ
マーを用いて密着性を向上させたとしても、例え
ば、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエーテルサルフオン等、多くのプラスチツクフ
イルムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜を
形成した、このようなプラスチツクフイルムを高
温高湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン皮
膜が剥離してしまうなど、液晶表示素子基板とし
ての実用に耐えることができなかつた。 プラスチツクフイルム液晶表示素子の下地膜と
しての実用に耐え得る密着性と透明導電膜の形成
に適する硬質膜を確保するために、我々は、それ
ぞれの特長を有する２つの樹脂を混合して、相互
の欠点を補うことにした。すなわち、メラミン樹
脂とアルキルアルコキシシラン、アミノアルコキ
シシラン、エポキシ変性アルコキシシランから成
る共縮合体とを混合して得られるポリマーブレン
ドをプラスチツクフイルム液晶表示素子の下地膜
としたものである。これによつて、プラスチツク
フイルム基板との密着性が向上し、又、プラスチ
ツクフイルムの耐擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、
耐湿性も向上した。さらに、硬質膜であるため、
下地膜上に形成される透明導電膜の形成を容易に
し、その密着性を向上させることができた。 ところが、この下地膜上に透明導電膜を形成し
た基板を高温高湿雰囲気中に放置すると、下地膜
に白化を生じたり、あるいはクラツクを生じたり
するものがあつた。又、この下地膜を有するプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を高温高湿雰囲気
中に放置したときにも同様に白化・クラツクがみ
られた。この結果、初期で点灯が良かつたもので
も、高温高湿雰囲気中に放置した後では、透明導
電膜の一部が断線を生じるなど、液晶表示素子と
して著しい問題があつた。 〈発明の目的〉 本発明は、このような問題に鑑みなされたもの
である。すなわち、本発明は、液晶表示素子基板
として使用されるプラスチツクフイルム基板との
密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐擦
傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上させ、
且つ、その上に形成される透明導電膜との密着性
の良い下地膜を有し、なおかつ、高温高湿雰囲気
中での白化及び透明導電膜の断線を防止したプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することを
目的とするものである。 〈発明の構成〉 本発明は、メラミン樹脂に、アルキルアルコキ
シシラン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変
性アルコキシシランから成る共縮合体を混合して
得られるポリマーブレンドを、プラスチツクフイ
ルム基板の下地膜として用いたプラスチツクフイ
ルム液晶表示素子に於いて、アルキルアルコキシ
シラン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変性
アルコキシシランから成る共縮合体の不揮発固形
分をメラミン樹脂の不揮発固形分の２分の１以下
にしたことを特徴とする。この結果、従来のプラ
スチツクフイルム基板との密着性、プラスチツク
フイルム自体の耐擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、
耐湿性の向上に加え、透明導電膜との密着性が良
く、且つ、高温高湿雰囲気中での白化及び透明導
電膜の断線を防止したプラスチツクフイルム液晶
表示素子が得られた。 〈実施例〉 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製、ブチルメチロールメラミン系コ
ーテイング剤SM−67（Ａ液）に、勝田化工(株)製、
アルキルアルコキシシラン、アミノアルコキシシ
ラン、エポキシ変性アルコキシシラン共縮合物コ
ーテイング剤NIK COAT（手剤：触媒＝100：
７）（Ｂ液）を混合させたポリマーブレンドを作
製した。このとき、ブレンド比が、不揮発固形分
で、○イＡ液：Ｂ液＝２：９、○ロＡ液：Ｂ液＝６：
９（２：３）、○ハＡ液：Ｂ液＝18：９（２：１）、○
ニ
Ａ液：Ｂ液＝30：９ （10：３）の４種類のポリ
マーブレンドを作製した。プラスチツクフイルム
液晶表示素子の基板として、厚み100μmのポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリサルフオン、ポリエーテルサルフアン、
ポリエーテルエーテルケトン、フエノキシエ
ーテル型重合体、ポリアリレート、から形成さ
れるプラスチツクフイルムを準備し、これらを充
分に洗浄脱脂したのち、上記ポリマーブレンドを
デイツピング法に塗布した。15分間の風乾後、
、、、は120℃、、、は170℃で約
３時間焼成し、硬化塗膜を形成、下地膜とした。
そして、この下地膜上に透明導電膜を形成した。 こうして下地膜と透明導電膜を形成したプラス
チツクフイルム基板の、初期と、80℃・95％R.
H.雰囲気中に24時間放置した後の、下地膜及び
透明導電膜とプラスチツクフイルム基板との密着
性をセロテープ剥離試験で調べたところ、上記４
種類のポリマーブレンドとも、プラスチツクフイ
ルムの種類にかかわりなく良好であつた（下記第
１表）。 初期と80℃・95％R.H.放置24時間後のピーリ
ングテスト結果
【表】
次に、上記７種類のプラスチツクフイルム基板
のうちで最も密着性が弱いと考えられるフエノキ
シエーテル型重合体から成るプラスチツクフイル
ム基板を、80℃・95％R.H.高温高湿雰囲気中で
400時間放置した後、同様にしてセロテープ剥離
試験を行つた。また、外観を調べた。この結果
を、次の第２表に示す。 80℃・95％R.H.放置400時間後の結果（基板は
フエノキシエーテル型重合体）
のうちで最も密着性が弱いと考えられるフエノキ
シエーテル型重合体から成るプラスチツクフイル
ム基板を、80℃・95％R.H.高温高湿雰囲気中で
400時間放置した後、同様にしてセロテープ剥離
試験を行つた。また、外観を調べた。この結果
を、次の第２表に示す。 80℃・95％R.H.放置400時間後の結果（基板は
フエノキシエーテル型重合体）
【表】
第２表に示すように、ポリマーブレンドのブレ
ンド比率の違いによつて、密着性、白化、クラツ
ク及び透明導電膜の剥離発生状況が異なる。これ
らの下地膜を有するプラスチツクフイルム基板を
用いて液晶表示素子を作製した後、80℃・95％
R.H.雰囲気中で240時間放置した後の点灯を調べ
たところ、○イ，○ロでは透明導電膜の一部が断線
し、正常に点灯しなかつた。一方、○ハ，○ニは正常
に点灯した。 〈発明の効果〉 以上の結果から分かるように、本発明を実施し
た下地膜を有するプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、プラスチツクフイルム基板との密着性、
プラスチツクフイルム自体の耐擦傷性、耐溶剤
性、耐液晶性、耐湿性の向上に加え、透明導電膜
との密着性が良く、且つ高温高湿雰囲気中での白
化及び透明導電膜の断線を防止する特徴を有す
る。この結果、高品質のプラスチツクフイルム液
晶表示素子が提供できるようになつた。
ンド比率の違いによつて、密着性、白化、クラツ
ク及び透明導電膜の剥離発生状況が異なる。これ
らの下地膜を有するプラスチツクフイルム基板を
用いて液晶表示素子を作製した後、80℃・95％
R.H.雰囲気中で240時間放置した後の点灯を調べ
たところ、○イ，○ロでは透明導電膜の一部が断線
し、正常に点灯しなかつた。一方、○ハ，○ニは正常
に点灯した。 〈発明の効果〉 以上の結果から分かるように、本発明を実施し
た下地膜を有するプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、プラスチツクフイルム基板との密着性、
プラスチツクフイルム自体の耐擦傷性、耐溶剤
性、耐液晶性、耐湿性の向上に加え、透明導電膜
との密着性が良く、且つ高温高湿雰囲気中での白
化及び透明導電膜の断線を防止する特徴を有す
る。この結果、高品質のプラスチツクフイルム液
晶表示素子が提供できるようになつた。
第１図及び第２図は断面図である。
符号の説明、 １……偏光板、２……ガラス基
板、３……透明導電膜、４……配向膜、５……シ
ール材、６……液晶、１１……偏光板、１２……
プラスチツクフイルム基板、１３……下地膜、１
４……透明導電膜、１５……配向膜、１６……シ
ール材、１７……液晶。
板、３……透明導電膜、４……配向膜、５……シ
ール材、６……液晶、１１……偏光板、１２……
プラスチツクフイルム基板、１３……下地膜、１
４……透明導電膜、１５……配向膜、１６……シ
ール材、１７……液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツクフイルム基板使用の液晶表示素
子であつて、メラミン樹脂に、アルキルアルコキ
シシラン、アミノアルコキシシラン、エポキシ変
性アルコキシシランから成る共縮合体を混合して
得られるポリマーブレンドを上記プラスチツクフ
イルム基板の下地膜として用いた液晶表示素子に
於いて、 アルキルアルコキシシラン、アミノアルコキシ
シラン、エポキシ変性アルコキシシランから成る
上記共縮合体の不揮発固形分を上記メラミン樹脂
の不揮発固形分の２分の１以下にしたことを特徴
とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494784A JPS60178424A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3494784A JPS60178424A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178424A JPS60178424A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0327093B2 true JPH0327093B2 (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=12428359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3494784A Granted JPS60178424A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178424A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464490A (en) * | 1993-08-18 | 1995-11-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Process for manufacturing liquid crystal display |
| TW352365B (en) * | 1996-03-25 | 1999-02-11 | Teijin Ltd | Liquid crystal display element with a transparent electrode substrate and the transparent substrate |
| US5882841A (en) * | 1996-12-26 | 1999-03-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic light-sensitive material and method for processing thereof |
| JP4101643B2 (ja) | 2002-12-26 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7436050B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
| JP2004247373A (ja) | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4526771B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3494784A patent/JPS60178424A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60178424A (ja) | 1985-09-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |