JPH0416095B2 - - Google Patents
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- JPH0416095B2 JPH0416095B2 JP3493584A JP3493584A JPH0416095B2 JP H0416095 B2 JPH0416095 B2 JP H0416095B2 JP 3493584 A JP3493584 A JP 3493584A JP 3493584 A JP3493584 A JP 3493584A JP H0416095 B2 JPH0416095 B2 JP H0416095B2
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- liquid crystal
- crystal display
- display element
- plastic film
- polymer blend
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
＜技術分野＞
本発明は、プラスチツクフイルム基板使用の液
晶表示素子（プラスチツクフイルム液晶表示素
子）に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 ＜従来技術＞ 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、その上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、この間隙に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を狭持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第１図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、１は偏光板、２はガラス基板、３は電極
パターン（透明導電膜）、４は配向膜、５はシー
ル材、６は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当たり、プラスチツクフイルム自体の
耐湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、
耐擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密
着性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記
通常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜（電極パターン）との密着性を向上さ
せるものである。 第２図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、１１は偏光板、１２は
プラスチツクフイルム基板、１３は下地膜、１４
は透明導電膜（電極パターン）、１５は配向膜、
１６はシール材、１７は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求特性としては、特に、プラスチツクフイルム
の耐擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるた
め、硬質膜であることが要求されている。一般的
な硬質膜としては、シリコーン系のハードコーテ
イング剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が
多く用いられているが、このシリコーン皮膜は、
ポリカーボネートやアクリルのような一部の基材
を除いて、基材との密着性が弱く、プライマーと
称する基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗し
たり、カツプリング効果を持たせたりして密着性
を向上させているのが普通である。しかし、プラ
イマーを用いて密着性を向上させたとしても、例
えば、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエーテルサルフオン等、多くのプラスチツク
フイルムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜
を形成した、このようなプラスチツクフイルムを
高温高湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン
皮膜が剥離してしまい、液晶表示素子を基板とし
ての実用に耐えることができなかつた。一方、プ
ラスチツクフイルムの耐擦傷性はシリコーン皮膜
ほど良くないが、プラスチツクフイルム基材との
密着性は良い、メラミン系コーテイング剤もある
が、これは、耐溶剤性が弱く、又、透明導電膜の
形成が困難等、液晶表示素子を作製する上で問題
点が多かつた。 ＜発明の目的＞ 本発明は、このような問題に鑑みなされたもの
である。すなわち、本発明は、液晶表示素子基板
として使用されるプラスチツクフイルム基板との
密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐擦
傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上させ、
且つ、その上に形成される透明導電膜との密着性
の良い下地膜を有するプラスチツクフイルム液晶
表示素子を提供することを目的とするものであ
る。 ＜発明の構成＞ 本発明のプラスチツクフイルム液晶表示素子
は、メラミン樹脂とシリコーン樹脂とを混合して
得られるポリマーブレンドをプラスチツクフイル
ム基板（一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
（PET）から形成されるプラスチツクフイルム基
板、 一般式 で表わされるポリカーボネート（PC）から形成
されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリサルフオン（PS）から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン（PES）か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
（PEEK）から形成されるプラスチツクフイルム
基板、 一般式 （式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数１〜３の
低級アルキル基、R7は炭素数２〜４の低級アル
キル基、ｍは０〜３の整数、ｎは20〜300の整数
を、夫々意味する）で表わされるフエノキシエー
テル型重合体、若しくは該重合体における活性水
素部分が多官性化合物と架橋反応してなるフエノ
キシエーテル型架橋重合体から形成されるプラス
チツクフイルム基板、又は、 一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板）の下地膜に用いるもの
で、この結果、プラスチツクフイルム基板との密
着性が向上し、又プラスチツクフイルムの耐擦傷
性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性も向上した。さ
らに、硬質膜であるため、下地膜上に形成される
透明導電膜の形成を容易にし、その密着性を向上
させることができた。 ＜実施例＞ 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製ブチルメチロールメラミンを成分
とするコーテイング剤SM−67に東芝シリコーン
(株)製シリコーンワニスハードコーテイング剤トス
ガード510（組成；
晶表示素子（プラスチツクフイルム液晶表示素
子）に係るものであり、特に、その下地膜に関す
るものである。 ＜従来技術＞ 通常の液晶表示素子は、ガラス基板上に酸化ス
ズ、酸化インジウム等から成る電極パターンを形
成し、その上に液晶を配向せしめる金属酸化膜あ
るいは有機高分子膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、この間隙に液晶を固定保持し、周辺部をシー
ル材にて封止したものである。偏光板は、液晶表
示素子を狭持するように配置し、電気光学的特性
を付与させるものである。 第１図に上記液晶表示素子の構成を示す。図に
於いて、１は偏光板、２はガラス基板、３は電極
パターン（透明導電膜）、４は配向膜、５はシー
ル材、６は液晶である。 これに対して、プラスチツクフイルム液晶表示
素子は、ガラス基板の代わりにプラスチツクフイ
ルムを基板として使用したものである。プラスチ
ツクフイルムは、ガラスに比べ、液晶表示素子に
適用するに当たり、プラスチツクフイルム自体の
耐湿性、耐熱性、施光性、耐液晶性、耐溶剤性、
耐擦傷性の点で劣るほか、他材料との接着性、密
着性に劣るため、液晶表示素子の構成材料は上記
通常のガラス液晶表示素子と比べ異なるものが多
い。しかし、プラスチツクフイルム液晶表示素子
の構造は、ガラス液晶表示素子と基本的には差は
ない。ただ、プラスチツクフイルム液晶表示素子
においては下地膜を設けるのが普通である。これ
は、プラスチツクフイルム基板と透明導電膜との
間に形成される膜で、プラスチツクフイルムの耐
擦傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上さ
せ、又プラスチツクフイルム基板上に形成される
透明導電膜（電極パターン）との密着性を向上さ
せるものである。 第２図にプラスチツクフイルム液晶表示素子の
構成を示す。図に於いて、１１は偏光板、１２は
プラスチツクフイルム基板、１３は下地膜、１４
は透明導電膜（電極パターン）、１５は配向膜、
１６はシール材、１７は液晶である。 上記のような目的をもつ下地膜に対する一般的
要求特性としては、特に、プラスチツクフイルム
の耐擦傷性と透明導電膜の密着性を向上させるた
め、硬質膜であることが要求されている。一般的
な硬質膜としては、シリコーン系のハードコーテ
イング剤を塗布して形成されるシリコーン皮膜が
多く用いられているが、このシリコーン皮膜は、
ポリカーボネートやアクリルのような一部の基材
を除いて、基材との密着性が弱く、プライマーと
称する基材表面処理剤を用いて基材の表面を粗し
たり、カツプリング効果を持たせたりして密着性
を向上させているのが普通である。しかし、プラ
イマーを用いて密着性を向上させたとしても、例
えば、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエーテルサルフオン等、多くのプラスチツク
フイルムに対して密着性が弱く、シリコーン皮膜
を形成した、このようなプラスチツクフイルムを
高温高湿雰囲気中に放置しておくと、シリコーン
皮膜が剥離してしまい、液晶表示素子を基板とし
ての実用に耐えることができなかつた。一方、プ
ラスチツクフイルムの耐擦傷性はシリコーン皮膜
ほど良くないが、プラスチツクフイルム基材との
密着性は良い、メラミン系コーテイング剤もある
が、これは、耐溶剤性が弱く、又、透明導電膜の
形成が困難等、液晶表示素子を作製する上で問題
点が多かつた。 ＜発明の目的＞ 本発明は、このような問題に鑑みなされたもの
である。すなわち、本発明は、液晶表示素子基板
として使用されるプラスチツクフイルム基板との
密着性が良く、プラスチツクフイルム自体の耐擦
傷性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性を向上させ、
且つ、その上に形成される透明導電膜との密着性
の良い下地膜を有するプラスチツクフイルム液晶
表示素子を提供することを目的とするものであ
る。 ＜発明の構成＞ 本発明のプラスチツクフイルム液晶表示素子
は、メラミン樹脂とシリコーン樹脂とを混合して
得られるポリマーブレンドをプラスチツクフイル
ム基板（一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
（PET）から形成されるプラスチツクフイルム基
板、 一般式 で表わされるポリカーボネート（PC）から形成
されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリサルフオン（PS）から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン（PES）か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板、 一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
（PEEK）から形成されるプラスチツクフイルム
基板、 一般式 （式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数１〜３の
低級アルキル基、R7は炭素数２〜４の低級アル
キル基、ｍは０〜３の整数、ｎは20〜300の整数
を、夫々意味する）で表わされるフエノキシエー
テル型重合体、若しくは該重合体における活性水
素部分が多官性化合物と架橋反応してなるフエノ
キシエーテル型架橋重合体から形成されるプラス
チツクフイルム基板、又は、 一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板）の下地膜に用いるもの
で、この結果、プラスチツクフイルム基板との密
着性が向上し、又プラスチツクフイルムの耐擦傷
性、耐溶剤性、耐液晶性、耐湿性も向上した。さ
らに、硬質膜であるため、下地膜上に形成される
透明導電膜の形成を容易にし、その密着性を向上
させることができた。 ＜実施例＞ 以下、実施例を用いて説明する。 帝人化成(株)製ブチルメチロールメラミンを成分
とするコーテイング剤SM−67に東芝シリコーン
(株)製シリコーンワニスハードコーテイング剤トス
ガード510（組成；
【式】）を混合して
ポリマーブレンドを作製した。SM−67に対する
トスガード５１０の混合割合は10％程度から50％
程度の範囲が適当である。即ち、SM−67は耐水
性の良好な樹脂であり、これにプラスチツクフイ
ルム基板との接着性、耐溶剤性、耐擦傷性を向上
するためにトスガード510を混合するが、その効
果が現われるにはトスガード510を10％程度以上
添加することが望ましい。またメラミン樹脂の特
性を損わないようにするためには添加量の上限は
50％程度に設定することが望ましい。プラスチツ
クフイルム液晶表示素子のプラスチツクフイルム
基板として、厚み100μｍのポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート、ポリサルフ
オン、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、フエノキシエーテル型重合
体、ポリアリレート、から形成されるプラスチ
ツクフイルムを準備し、これらを充分に洗浄脱脂
したのち、上記ポリマーブレンドをデイツピング
法にて塗布した。15分間の風乾後、120℃で約１
時間焼成し、硬化塗膜を形成、下地膜とした。 なお、東芝シリコーン(株)製シリコーン系ハード
コーテイング剤トスガード510及び帝人化成(株)
SM−67を〜のプラスチツクフイルム基板に
塗布したのち、120℃で約１時間焼成硬化した下
地膜を比較例とした。 下地膜を形成したプラスチツクフイルム基板の
初期と、80℃・95％R.H.雰囲気中に24時間放置
した後の、下地膜とプラスチツクフイルム基板と
の密着性をセロテープ剥離試験で調べたところ、
次の表に示すような結果を得た。
トスガード５１０の混合割合は10％程度から50％
程度の範囲が適当である。即ち、SM−67は耐水
性の良好な樹脂であり、これにプラスチツクフイ
ルム基板との接着性、耐溶剤性、耐擦傷性を向上
するためにトスガード510を混合するが、その効
果が現われるにはトスガード510を10％程度以上
添加することが望ましい。またメラミン樹脂の特
性を損わないようにするためには添加量の上限は
50％程度に設定することが望ましい。プラスチツ
クフイルム液晶表示素子のプラスチツクフイルム
基板として、厚み100μｍのポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート、ポリサルフ
オン、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、フエノキシエーテル型重合
体、ポリアリレート、から形成されるプラスチ
ツクフイルムを準備し、これらを充分に洗浄脱脂
したのち、上記ポリマーブレンドをデイツピング
法にて塗布した。15分間の風乾後、120℃で約１
時間焼成し、硬化塗膜を形成、下地膜とした。 なお、東芝シリコーン(株)製シリコーン系ハード
コーテイング剤トスガード510及び帝人化成(株)
SM−67を〜のプラスチツクフイルム基板に
塗布したのち、120℃で約１時間焼成硬化した下
地膜を比較例とした。 下地膜を形成したプラスチツクフイルム基板の
初期と、80℃・95％R.H.雰囲気中に24時間放置
した後の、下地膜とプラスチツクフイルム基板と
の密着性をセロテープ剥離試験で調べたところ、
次の表に示すような結果を得た。
【表】
上記の表に示すように、本発明のポリマーブレ
ンドを下地膜として用いたときには、プラスチツ
クフイルムの種類に関係なく良好な密着性が得ら
れた。 次に、上記本発明を実施したポリマーブレンド
を下地膜としたプラスチツクフイルム基板と、
SM−67を下地膜としたプラスチツクフイルム基
板のうち、ポリエーテルサルフオンとフエノキシ
エーテル型重合体から成るプラスチツクフイルム
基板を用いて液晶表示素子を作製した。このプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を点灯させたとこ
ろ、本発明を実施したポリマーブレンドを下地膜
としたプラスチツクフイルム液晶表示素子は正常
に点灯したが、SM−67を下地膜としたプラスチ
ツクフイルム液晶表示素子は点灯しなかつた。こ
の液晶表示素子を分解して透明導電膜を調べたと
ころ、クラツクや剥離がみられた。一方、本発明
を実施したポリマーブレンドを下地膜としたプラ
スチツクフイルム液晶表示素子の透明導電膜には
異常はみられなかつた。 ＜発明の効果＞ 以上のように本発明を実施したポリマーブレン
ドを下地膜としたプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、基板と下地膜の密着性に優れ、又、耐溶
剤性、耐液晶性に優れている。さらに硬質膜であ
るため、プラスチツクフイルム基板の耐擦傷性、
耐湿性を向上させることができると共に、下地膜
上に形成される透明導電膜の形成を容易にし、そ
の密着性を向上させることができ、高品質のプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することが
できた。
ンドを下地膜として用いたときには、プラスチツ
クフイルムの種類に関係なく良好な密着性が得ら
れた。 次に、上記本発明を実施したポリマーブレンド
を下地膜としたプラスチツクフイルム基板と、
SM−67を下地膜としたプラスチツクフイルム基
板のうち、ポリエーテルサルフオンとフエノキシ
エーテル型重合体から成るプラスチツクフイルム
基板を用いて液晶表示素子を作製した。このプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を点灯させたとこ
ろ、本発明を実施したポリマーブレンドを下地膜
としたプラスチツクフイルム液晶表示素子は正常
に点灯したが、SM−67を下地膜としたプラスチ
ツクフイルム液晶表示素子は点灯しなかつた。こ
の液晶表示素子を分解して透明導電膜を調べたと
ころ、クラツクや剥離がみられた。一方、本発明
を実施したポリマーブレンドを下地膜としたプラ
スチツクフイルム液晶表示素子の透明導電膜には
異常はみられなかつた。 ＜発明の効果＞ 以上のように本発明を実施したポリマーブレン
ドを下地膜としたプラスチツクフイルム液晶表示
素子は、基板と下地膜の密着性に優れ、又、耐溶
剤性、耐液晶性に優れている。さらに硬質膜であ
るため、プラスチツクフイルム基板の耐擦傷性、
耐湿性を向上させることができると共に、下地膜
上に形成される透明導電膜の形成を容易にし、そ
の密着性を向上させることができ、高品質のプラ
スチツクフイルム液晶表示素子を提供することが
できた。
第１図及び第２図は断面図である。
符号の説明、１：偏光板、２：ガラス基板、
３：透明導電膜、４：配向膜、５：シール材、
６：液晶、１１：偏光板、１２：プラスチツクフ
イルム基板、１３：下地膜、１４：透明導電膜、
１５：配向膜、１６：シール材、１７：液晶。
３：透明導電膜、４：配向膜、５：シール材、
６：液晶、１１：偏光板、１２：プラスチツクフ
イルム基板、１３：下地膜、１４：透明導電膜、
１５：配向膜、１６：シール材、１７：液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツクフイルム基板使用の液晶表示素
子に於いて、 メラミン樹脂にシリコーン樹脂を混合して得ら
れるポリマーブレンドをプラスチツクフイルム基
板の下地膜として用いたことを特徴とする液晶表
示素子。 ２ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエチレンテレフタレート
（PET）から形成されるプラスチツクフイルム基
板の下地膜として用いたことを特徴とする、特許
請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ３ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリカーボネート（PC）から形成
されるプラスチツクフイルム基板の下地膜として
用いたことを特徴とする、特許請求の範囲第１項
記載の液晶表示素子。 ４ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリサルフオン（PS）から形成さ
れるプラスチツクフイルム基板の下地膜として用
いたことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記
載の液晶表示素子。 ５ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエーテルサルフオン（PES）か
ら形成されるプラスチツクフイルム基板の下地膜
として用いたことを特徴とする、特許請求の範囲
第１項記載の液晶表示素子。 ６ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリエーテルエーテルケトン
（PEEK）から形成されるプラスチツクフイルム
基板の下地膜として用いたことを特徴とする、特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ７ 上記ポリマーブレンドを、一般式 （式中R1〜R6は、夫々水素又は炭素数１〜３の
低級アルキル基、R7は炭素数２〜４の低級アル
キル基、ｍは０〜３の整数、ｎは20〜300の整数
を、夫々意味する） で表わされるフエノキシエーテル型重合体、又は
該重合体における活性水素部分が多官性化合物と
架橋反応してなるフエノキシエーテル型架橋重合
体から形成されるプラスチツクフイルム基板の下
地膜として用いたことを特徴とする、特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示素子。 ８ 上記ポリマーブレンドを、一般式 で表わされるポリアリレートから形成されるプラ
スチツクフイルム基板の下地膜として用いたこと
を特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3493584A JPS60177320A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3493584A JPS60177320A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177320A JPS60177320A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0416095B2 true JPH0416095B2 (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=12428043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3493584A Granted JPS60177320A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177320A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61213147A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-22 | 鐘淵化学工業株式会社 | 芳香族ポリエステル系積層体及び液晶表示部品 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3493584A patent/JPS60177320A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60177320A (ja) | 1985-09-11 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |