JPH0416106B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416106B2 JPH0416106B2 JP60015949A JP1594985A JPH0416106B2 JP H0416106 B2 JPH0416106 B2 JP H0416106B2 JP 60015949 A JP60015949 A JP 60015949A JP 1594985 A JP1594985 A JP 1594985A JP H0416106 B2 JPH0416106 B2 JP H0416106B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- resist
- water
- pattern
- contrast
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は放射線たとえば紫外線に対して漂白
作用を付加させ完全に漂白した後の透過率が高く
なる〔横軸露光エネルギ（Ｘ）、縦軸透過率（Ｙ）
とした特性式、Ｙ＝AX＋Ｂとした場合Ａが大
で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、更に水溶性で
あるパターン形成有機膜を用いて、従来の露光方
法による解像度の向上を改善する微細パターン形
成に関するものである。
作用を付加させ完全に漂白した後の透過率が高く
なる〔横軸露光エネルギ（Ｘ）、縦軸透過率（Ｙ）
とした特性式、Ｙ＝AX＋Ｂとした場合Ａが大
で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、更に水溶性で
あるパターン形成有機膜を用いて、従来の露光方
法による解像度の向上を改善する微細パターン形
成に関するものである。
従来の技術
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリソグ
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も1μｍ前後となつてきており、この加工線
幅を達成するためには、高開口レンズ（高NA）
を有した縮小投影法により紫外線露光する方法、
基板上に直線描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を
用いたプロキシミテイ露光法があげられる。しか
し、スループツトを犠牲にすることなくパターン
形成するには前者の縮小投影法により紫外線露光
する方法が最良である。しかし紫外線露光の解像
度Ｒは、次式のレーレス則で示される。
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も1μｍ前後となつてきており、この加工線
幅を達成するためには、高開口レンズ（高NA）
を有した縮小投影法により紫外線露光する方法、
基板上に直線描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を
用いたプロキシミテイ露光法があげられる。しか
し、スループツトを犠牲にすることなくパターン
形成するには前者の縮小投影法により紫外線露光
する方法が最良である。しかし紫外線露光の解像
度Ｒは、次式のレーレス則で示される。
Ｒ＝0.6×λ／N.A×（１＋１／ｍ） ……(1)
λ；波長
N.A；レンズ開口度
ｍ；倍率
解像度を向上するには、短波長化、高N.A化が
考えられるが、現在可能な光学系の性能は例え
ば、波長λが356nｍ（ｉ−ライン）、N.Aが0.4と
すると解像度Ｒは0.6μｍとなり、電子ビーム露光
法、Ｘ線露光の解像度より劣るとされている。
考えられるが、現在可能な光学系の性能は例え
ば、波長λが356nｍ（ｉ−ライン）、N.Aが0.4と
すると解像度Ｒは0.6μｍとなり、電子ビーム露光
法、Ｘ線露光の解像度より劣るとされている。
しかし、1983年、米国GE社のB.F.Griffingら
はパターン形成用のレジスト上に光強度プロフア
イルのコントラストを促進させるコントラスト・
エンハンスド層を積層することにより、解像度及
びパターン形状の改善を図る方法を発表した
（Contrast Enhancecl Photolithography、B.F.
Griffing et al、IEEE−ED、VOL.EDL−４、No.
１、Jan.1983）。彼らによると通常の縮小撮影法
（λ；436nｍ、N.A；0.32）で0.4μｍまでの解像
が可能と報告している。
はパターン形成用のレジスト上に光強度プロフア
イルのコントラストを促進させるコントラスト・
エンハンスド層を積層することにより、解像度及
びパターン形状の改善を図る方法を発表した
（Contrast Enhancecl Photolithography、B.F.
Griffing et al、IEEE−ED、VOL.EDL−４、No.
１、Jan.1983）。彼らによると通常の縮小撮影法
（λ；436nｍ、N.A；0.32）で0.4μｍまでの解像
が可能と報告している。
発明者らの研究の結果、コントラストをエンハ
ンスするためのパターン形成有機膜の特性は次の
ようでなければならないことが判明した。
ンスするためのパターン形成有機膜の特性は次の
ようでなければならないことが判明した。
第３図にて、まず、光による露光たとえば一般
的に縮小投影法における問題点につい述べる。縮
小投影露光法における出力の光強度プロフアイル
は、その光学レンズ系により加工される。説明す
るとレチクル５を通し露光４した場合〔第３図
Ａ〕、回折のない理想的な入力光強度プロフアイ
ルは完全な矩形波といえ、そのコントラストＣは
次式で Ｃ＝Inax−Inio／Inax＋Inio×100（％） ……(2) 示される。その時、コントラストＣは100％とあ
る〔第３図Ｂ〕。その入力波形は光学レンズを通
過することで、その光学レンズ系の伝達関数によ
つて〔第３図Ｃ〕、フーリエ変換された後、出力
波形として余弦波の形状に近くなりコントラスト
Ｃも劣化する。このコントラストの劣化はパター
ン形状、例えば解像度及びパターン形状に大きく
影響する。ちなみにレジストパターン解像に要す
るコントラストは、レジスト自身の特性により60
％以上とされ、コントラストＣ値が60％以下とな
りパターン形成が不能となる。
的に縮小投影法における問題点につい述べる。縮
小投影露光法における出力の光強度プロフアイル
は、その光学レンズ系により加工される。説明す
るとレチクル５を通し露光４した場合〔第３図
Ａ〕、回折のない理想的な入力光強度プロフアイ
ルは完全な矩形波といえ、そのコントラストＣは
次式で Ｃ＝Inax−Inio／Inax＋Inio×100（％） ……(2) 示される。その時、コントラストＣは100％とあ
る〔第３図Ｂ〕。その入力波形は光学レンズを通
過することで、その光学レンズ系の伝達関数によ
つて〔第３図Ｃ〕、フーリエ変換された後、出力
波形として余弦波の形状に近くなりコントラスト
Ｃも劣化する。このコントラストの劣化はパター
ン形状、例えば解像度及びパターン形状に大きく
影響する。ちなみにレジストパターン解像に要す
るコントラストは、レジスト自身の特性により60
％以上とされ、コントラストＣ値が60％以下とな
りパターン形成が不能となる。
そこで、第４図に示す特性曲線、つまり露光時
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に
対する透過率が小さく（Inioの増加が少ない）、露
光エネルギーの大なる領域では紫外線に対する透
過率が大きい（Inaxの増加が多い）傾向のレジス
ト膜を用い、この膜に前述の第３図Ｄに示す出力
波形を通過させることによりコントラストＣ値が
増大する傾向が発見される。これを更に定量的に
説明するため、米国IBM者のF.H.Dillらの報告
（Characterization of Positive Phctcresist、F.
H.Dill et al、IEEE−ED、VOL.ED−22、No.７、
July.1975）の中でポジレジストの露光吸収項Ａ
にあらわされるパラメータを使用する。一般的に
Ａは Ａ＝１／ｄln〔Ｔ（∝）／Ｔ（ｏ）〕……(3
) 示され、コントラストエンハンスにはＡ値が大な
る傾向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ
（膜厚）を薄く、Ｔ（ｏ）（初期透過率）Ｔ（∝）
（最終透過率）の比が大になることが必要である。
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に
対する透過率が小さく（Inioの増加が少ない）、露
光エネルギーの大なる領域では紫外線に対する透
過率が大きい（Inaxの増加が多い）傾向のレジス
ト膜を用い、この膜に前述の第３図Ｄに示す出力
波形を通過させることによりコントラストＣ値が
増大する傾向が発見される。これを更に定量的に
説明するため、米国IBM者のF.H.Dillらの報告
（Characterization of Positive Phctcresist、F.
H.Dill et al、IEEE−ED、VOL.ED−22、No.７、
July.1975）の中でポジレジストの露光吸収項Ａ
にあらわされるパラメータを使用する。一般的に
Ａは Ａ＝１／ｄln〔Ｔ（∝）／Ｔ（ｏ）〕……(3
) 示され、コントラストエンハンスにはＡ値が大な
る傾向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ
（膜厚）を薄く、Ｔ（ｏ）（初期透過率）Ｔ（∝）
（最終透過率）の比が大になることが必要である。
ところで、前記GE社の発表ではコントラスト
エンハンスド層の材料に関しては未だ公表はされ
ていない。第２図を用いて従来のGE社の
Griffingらのコントラストエンハンスドリソグラ
フイー（略、CEL）を用いたパターン形成プロ
セスについて説明する。基板１上にレジスト２を
回転塗布する〔第２図Ａ〕。次にレジスト２上に
コントラストエンハンスドレイヤー（CEL）３
を回転塗布する〔第２図Ｂ〕。そして、縮小投影
法により選択的に紫外線露光４する〔第２図ｃ〕。
このとき、レジスト２の一部も選択露光される。
そして、CEL３全体を除去する〔第２図Ｄ〕。そ
して最後に通常の現像処理を施こしレジスト２の
パター形成を行なう〔第２図Ｅ〕。なおGE社の出
願にかかる特開昭59−104642号に記載された
CEL工程においても、CEL膜をトリクロロエチ
レンで全面除去したのちその下のレジストの露光
部分を除去するという複雑な工程が示されてい
る。以上のような方法ではCELの具備すべき条
件は、コントラストエンハンスする特性ともに下
層であるパターン形成用のレジスト２との溶解を
防止することと、CEL３を除去する際の除去液
がレジスト２の特性を劣化させないことがあげら
れる。この具備すべき条件によつて材料構成に多
大なる別約をうける。さらに、CELの除去工程
というプロセス的観点よりみて、複雑かつ危険な
工程が存在する。
エンハンスド層の材料に関しては未だ公表はされ
ていない。第２図を用いて従来のGE社の
Griffingらのコントラストエンハンスドリソグラ
フイー（略、CEL）を用いたパターン形成プロ
セスについて説明する。基板１上にレジスト２を
回転塗布する〔第２図Ａ〕。次にレジスト２上に
コントラストエンハンスドレイヤー（CEL）３
を回転塗布する〔第２図Ｂ〕。そして、縮小投影
法により選択的に紫外線露光４する〔第２図ｃ〕。
このとき、レジスト２の一部も選択露光される。
そして、CEL３全体を除去する〔第２図Ｄ〕。そ
して最後に通常の現像処理を施こしレジスト２の
パター形成を行なう〔第２図Ｅ〕。なおGE社の出
願にかかる特開昭59−104642号に記載された
CEL工程においても、CEL膜をトリクロロエチ
レンで全面除去したのちその下のレジストの露光
部分を除去するという複雑な工程が示されてい
る。以上のような方法ではCELの具備すべき条
件は、コントラストエンハンスする特性ともに下
層であるパターン形成用のレジスト２との溶解を
防止することと、CEL３を除去する際の除去液
がレジスト２の特性を劣化させないことがあげら
れる。この具備すべき条件によつて材料構成に多
大なる別約をうける。さらに、CELの除去工程
というプロセス的観点よりみて、複雑かつ危険な
工程が存在する。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、下層のパターン形成用レジスト（感
光性樹脂）とのマツチングを考慮し、コントラス
トエンハンスド層とレジストとの溶解及び除去の
際の除去液による影響を排除し、複雑な除去工程
を省略することを目的とする。
光性樹脂）とのマツチングを考慮し、コントラス
トエンハンスド層とレジストとの溶解及び除去の
際の除去液による影響を排除し、複雑な除去工程
を省略することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、基板に
感光性樹脂を塗布する工程、前記感光性樹脂上に
退色性あるいは漂白性を有した化合物を含む水溶
性有機膜を、前記樹脂と溶解することなく積層形
成する工程、前記感光性樹脂と前記退色性あるい
は漂白性を有した化合物を含む水溶性有機膜を選
択的に露光する工程、前記選択的に露光した感光
性樹脂およびこの上の水溶性有機膜の積層構造を
前記感光性樹脂の水溶液系現像液にて現像するこ
とにより、前記退色性あるいは漂白性を有した化
合物を含む水溶性有機膜全体を溶解させるととも
に前記感光性樹脂の露光部を除去することを特徴
とするパターン形成方法を提供するものである。
感光性樹脂を塗布する工程、前記感光性樹脂上に
退色性あるいは漂白性を有した化合物を含む水溶
性有機膜を、前記樹脂と溶解することなく積層形
成する工程、前記感光性樹脂と前記退色性あるい
は漂白性を有した化合物を含む水溶性有機膜を選
択的に露光する工程、前記選択的に露光した感光
性樹脂およびこの上の水溶性有機膜の積層構造を
前記感光性樹脂の水溶液系現像液にて現像するこ
とにより、前記退色性あるいは漂白性を有した化
合物を含む水溶性有機膜全体を溶解させるととも
に前記感光性樹脂の露光部を除去することを特徴
とするパターン形成方法を提供するものである。
作 用
本発明に用いるパターン形成用有機膜では下層
の感光性樹脂の現像液あるいはリンス液に易溶性
である水溶性の性質を有しなければならない。そ
こでたとえば通常用いられるノボラツク系キノン ンジアジドポジレジストの紫外線の透過率はセン
シタイザーであるナフトキノンジアジドスルホニ
ルクロライドのノボラツク樹脂に対する重量パー
セントで制限されるといえる。本発明者らはパタ
ーン形成有機膜自身はパターンとして残存させな
くてもかまわないため、ナフトキノンジアジドス
ルホニルクロライドの重量パーセント増加するこ
とは可能であり、アルカリ水溶液に対しても溶解
速度も増すという結果となるとを見い出した。
の感光性樹脂の現像液あるいはリンス液に易溶性
である水溶性の性質を有しなければならない。そ
こでたとえば通常用いられるノボラツク系キノン ンジアジドポジレジストの紫外線の透過率はセン
シタイザーであるナフトキノンジアジドスルホニ
ルクロライドのノボラツク樹脂に対する重量パー
セントで制限されるといえる。本発明者らはパタ
ーン形成有機膜自身はパターンとして残存させな
くてもかまわないため、ナフトキノンジアジドス
ルホニルクロライドの重量パーセント増加するこ
とは可能であり、アルカリ水溶液に対しても溶解
速度も増すという結果となるとを見い出した。
更に別の方法として、ベースポリマーとして水
溶性ポリマーを使用しその溶液に紫外線に対して
退色性あるいは漂白作用を有した化合物例えば退
色性染料を含ませることによる有機膜により、コ
ントラストエンハンス及び水溶性の性質を付加さ
せることができる。
溶性ポリマーを使用しその溶液に紫外線に対して
退色性あるいは漂白作用を有した化合物例えば退
色性染料を含ませることによる有機膜により、コ
ントラストエンハンス及び水溶性の性質を付加さ
せることができる。
本発明に用いる水溶性でかつ漂白あるいは退色
作用を有したパターン形成有機膜の材料構成は、
本発明の実施例のかぎりではない。
作用を有したパターン形成有機膜の材料構成は、
本発明の実施例のかぎりではない。
実施例
（その１）
ベースポリマーとしての水溶性ポリマーには、
例えば多糖体、たんぱく質、ポリビニルピロリド
ン、ポニビニルアルコールなどがあげられるが、
本実施例では、多糖体であるプルラン（林原生物
化学研究所製）を脱イオン水100c.c.に10ｇ溶解さ
せたものを用いる。更に436nｍから36nｍの波長
域に対して漂白作用を有したジアゾ化合物を0.2
ｇ程度溶解した。この際の水溶液はゲル状あるい
は不溶物で沈殿物はなく非常にクリーンなもので
あつた。この水溶液を、通常のレジストを1.5μｍ
に塗布形成した上に0.5μｍ塗布積層した２層構造
とした。
例えば多糖体、たんぱく質、ポリビニルピロリド
ン、ポニビニルアルコールなどがあげられるが、
本実施例では、多糖体であるプルラン（林原生物
化学研究所製）を脱イオン水100c.c.に10ｇ溶解さ
せたものを用いる。更に436nｍから36nｍの波長
域に対して漂白作用を有したジアゾ化合物を0.2
ｇ程度溶解した。この際の水溶液はゲル状あるい
は不溶物で沈殿物はなく非常にクリーンなもので
あつた。この水溶液を、通常のレジストを1.5μｍ
に塗布形成した上に0.5μｍ塗布積層した２層構造
とした。
なお、塗布膜とした有機膜のＡ値は５と高い値
を示した。この値はジアゾ化合物の添加により10
以上まで可能であつた。漂白あるいは退色作用を
発揮させる物質としてジアゾ化合物を用いると、
光の吸収効率が良く、水に対する溶解性が高く反
応速度も早い。また、プルランとの相溶性が特に
すぐれている。
を示した。この値はジアゾ化合物の添加により10
以上まで可能であつた。漂白あるいは退色作用を
発揮させる物質としてジアゾ化合物を用いると、
光の吸収効率が良く、水に対する溶解性が高く反
応速度も早い。また、プルランとの相溶性が特に
すぐれている。
さらに、ベースポリマーとしてプルランを用い
ると、冷水に溶けやすく、安定で塗布も容易であ
り、半導体フオトリソ工程に極めて有効である。
ると、冷水に溶けやすく、安定で塗布も容易であ
り、半導体フオトリソ工程に極めて有効である。
次に前述の作製したパターン形成有機膜を使用
したパターン形成方法を第１図を用いて説明す
る。
したパターン形成方法を第１図を用いて説明す
る。
半導体等の基板１上にレジスト２を1.0〜2.0μ
ｍ厚に塗布形成する〔第１図Ａ〕。次にレジス２
上に前に説明した水溶性で放射線に対し漂白作用
あるいは退色作用を付加したパターン形成有機膜
５を積層する〔第１図Ｂ〕。この際下層であるレ
ジスト２と上層のパターン形成有機膜５との溶解
はまつたく観察されなかつた。次に紫外線による
縮小投影露光法４により選択的に露光を施こす
〔第１図Ｃ〕。この時、第３図に説明したように入
射光はフーリエ変換されコントラスト値Ｃは劣化
し、例えば436nｍのN.A（ニユーメリカルアパー
チヤ）0.32であると、0.6μｍラインアンドスペー
スのマスクを通過したあとコントラストＣ値は50
％であり、通常解像はしない。しかしパターン形
成有機膜５のＡパラメータを５とした場合、パタ
ーン形成有機膜５を通過したコントラスト50％の
入射光はコントラスト70％にエンハンスされ、下
層のレジスト層２に入る結果となつた。その後、
レジスト２の現像液例えばアルカリ現像液により
現像する際にパターン形成有機膜５全体に瞬間時
に溶解した。そして前記現像を引きつづき行う
と、通常のコントラストをエンハンスした入射光
により感光したレジスト２の一部を現像除去する
〔第１図Ｄ〕。この結果0.5μｍのラインアンドスペ
ースを鮮明に解像することが出来た。
ｍ厚に塗布形成する〔第１図Ａ〕。次にレジス２
上に前に説明した水溶性で放射線に対し漂白作用
あるいは退色作用を付加したパターン形成有機膜
５を積層する〔第１図Ｂ〕。この際下層であるレ
ジスト２と上層のパターン形成有機膜５との溶解
はまつたく観察されなかつた。次に紫外線による
縮小投影露光法４により選択的に露光を施こす
〔第１図Ｃ〕。この時、第３図に説明したように入
射光はフーリエ変換されコントラスト値Ｃは劣化
し、例えば436nｍのN.A（ニユーメリカルアパー
チヤ）0.32であると、0.6μｍラインアンドスペー
スのマスクを通過したあとコントラストＣ値は50
％であり、通常解像はしない。しかしパターン形
成有機膜５のＡパラメータを５とした場合、パタ
ーン形成有機膜５を通過したコントラスト50％の
入射光はコントラスト70％にエンハンスされ、下
層のレジスト層２に入る結果となつた。その後、
レジスト２の現像液例えばアルカリ現像液により
現像する際にパターン形成有機膜５全体に瞬間時
に溶解した。そして前記現像を引きつづき行う
と、通常のコントラストをエンハンスした入射光
により感光したレジスト２の一部を現像除去する
〔第１図Ｄ〕。この結果0.5μｍのラインアンドスペ
ースを鮮明に解像することが出来た。
なお、露光波長に関して、有機膜の漂白作用あ
るいは退色作用のマツチングを行なうことにより
任意に設定することは本発明のかぎりでない。
るいは退色作用のマツチングを行なうことにより
任意に設定することは本発明のかぎりでない。
以上のように、本発明の方法によれば感光性樹
脂であるレジスト２上に直接退色性あいは漂白性
を有する有機膜５を積層するに際し、この有機膜
５が水溶液に溶解する水溶性であるため、通常使
用される有機溶媒系の感光性樹脂であるレジスト
２とは互いに溶解しない。すなわち、レジスト２
と水溶性含機膜５との溶解は生じないため、レジ
スト２上への水溶性有機膜５の塗布の実現が可能
となり、単にレジスト２上に有機膜５を塗布する
ので漂白又は退色性を有する有機膜とレジストの
積層体の確実な形成が可能となる。
脂であるレジスト２上に直接退色性あいは漂白性
を有する有機膜５を積層するに際し、この有機膜
５が水溶液に溶解する水溶性であるため、通常使
用される有機溶媒系の感光性樹脂であるレジスト
２とは互いに溶解しない。すなわち、レジスト２
と水溶性含機膜５との溶解は生じないため、レジ
スト２上への水溶性有機膜５の塗布の実現が可能
となり、単にレジスト２上に有機膜５を塗布する
ので漂白又は退色性を有する有機膜とレジストの
積層体の確実な形成が可能となる。
さらに、有機膜５は水溶性であるため、レジス
トの露光部の現像除去に使用されるアルカリ水溶
液等の水溶液系の現像液にて有機膜５は溶解す
る。したがつて、通常のレジスト２の現像工程に
て役割の終わつた有機膜５を溶解することがで
き、現像工程は何ら複雑化しない。
トの露光部の現像除去に使用されるアルカリ水溶
液等の水溶液系の現像液にて有機膜５は溶解す
る。したがつて、通常のレジスト２の現像工程に
て役割の終わつた有機膜５を溶解することがで
き、現像工程は何ら複雑化しない。
このように、本発明の方法では、単に水溶性有
機膜５の塗布工程を追加するのみで、コントラス
トエンハンス効果を使用して微細レジストパター
ンを形成することが可能となり、半導体装置等の
製造において大切なプロセスの容易性、スループ
ツトの向上を確保することができ、通常の露光、
現像を用いて安定かつ微細なパターンを形成する
ことができる。
機膜５の塗布工程を追加するのみで、コントラス
トエンハンス効果を使用して微細レジストパター
ンを形成することが可能となり、半導体装置等の
製造において大切なプロセスの容易性、スループ
ツトの向上を確保することができ、通常の露光、
現像を用いて安定かつ微細なパターンを形成する
ことができる。
なお、本発明の実施に際し、レジスト２は、露
光部が水あるいはアルカリなどの水溶液系の現像
液にて現像除去される性質のものを使用すればよ
く、例えば通常使用するジアゾ系のボジ形レジス
トが代表的なものである。
光部が水あるいはアルカリなどの水溶液系の現像
液にて現像除去される性質のものを使用すればよ
く、例えば通常使用するジアゾ系のボジ形レジス
トが代表的なものである。
発明の効果
以上のように、本発明は、従来の縮小投影法の
光学系で制限されていた解像度の劣化によるパタ
ーン形状の劣化を、コントラストエンハンスする
ことで改善し、工程が少なくてすみかつレジスト
との溶解が生じない水溶性の性質を有する有機膜
を用いることで、容易に微細なレジストパターン
を形成できるとともに、紫外線露光の微細化への
道つまり寿命を延ばすことができる。そしてま
た、高価なEB露光機、Ｘ線露光機の導入の必要
性をへらすことができ、半導体装置の微細化等に
すぐれた工業的価値を発揮することができる。
光学系で制限されていた解像度の劣化によるパタ
ーン形状の劣化を、コントラストエンハンスする
ことで改善し、工程が少なくてすみかつレジスト
との溶解が生じない水溶性の性質を有する有機膜
を用いることで、容易に微細なレジストパターン
を形成できるとともに、紫外線露光の微細化への
道つまり寿命を延ばすことができる。そしてま
た、高価なEB露光機、Ｘ線露光機の導入の必要
性をへらすことができ、半導体装置の微細化等に
すぐれた工業的価値を発揮することができる。
第１図Ａ〜Ｄは本発明の一実施例のパターン形
成工程断面図、第２図Ａ〜Ｅは従来のコントラス
トエンハンスプロセスフロー断面図、第３図Ａ〜
Ｄは縮小投影法の光学プロフアイルの変換説明
図、第４図は本発明のパターン形成有機膜の透過
特性図である。 １……基板、２……レジスト（感光性樹脂）、
５，７……パターン形成有機膜。
成工程断面図、第２図Ａ〜Ｅは従来のコントラス
トエンハンスプロセスフロー断面図、第３図Ａ〜
Ｄは縮小投影法の光学プロフアイルの変換説明
図、第４図は本発明のパターン形成有機膜の透過
特性図である。 １……基板、２……レジスト（感光性樹脂）、
５，７……パターン形成有機膜。
Claims (1)
- １ 基板に感光性樹脂を塗布する工程、前記感光
性樹脂上に退色性あるいは漂白性を有した化合物
を含む水溶性有機膜を、前記樹脂と溶解すること
なく積層形成する工程、前記感光性樹脂と前記退
色性あるいは漂白性を有した化合物を含む水溶性
有機膜に選択的に露光する工程、前記選択的に露
光した感光性樹脂およびこの上の水溶性有機膜の
積層構造を前記感光性樹脂の水溶液系現像液にて
現像することにより、前記退色性あるいは漂白性
を有した化合物を含む水溶性有機膜全体を溶解さ
せるとともに前記感光性樹脂の露光部を除去する
ことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015949A JPS61179535A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015949A JPS61179535A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179535A JPS61179535A (ja) | 1986-08-12 |
| JPH0416106B2 true JPH0416106B2 (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=11903007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015949A Granted JPS61179535A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179535A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133444A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成有機材料 |
| JPH06255016A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-13 | Afuiniteii Kk | 自律応答積層体と製法及びそれを使用した窓 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061373B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1994-01-05 | 株式会社東芝 | パタ−ン形成方法 |
| US4663275A (en) * | 1984-09-04 | 1987-05-05 | General Electric Company | Photolithographic method and combination including barrier layer |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP60015949A patent/JPS61179535A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61179535A (ja) | 1986-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |