JPS60223121A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路の製造等において、特にフォト
リソグラフィのパターン形成における、下地基板からの
反射を防止し、段差上でのパターン精度を向）し、かつ
解像度を高めるだめの、放射線感応性樹脂の下敷襠する
水溶性有機膜を使用するパターン形成方法である。
リソグラフィのパターン形成における、下地基板からの
反射を防止し、段差上でのパターン精度を向）し、かつ
解像度を高めるだめの、放射線感応性樹脂の下敷襠する
水溶性有機膜を使用するパターン形成方法である。
従来例の構成とその問題点
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリングラフィ技
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきており、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用
いたグロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを
同時に得ることは困難である。特に実際の集積回路上に
おいては必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（以
後、レジストと略）を塗布した後では、凹凸部における
レジストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能と
なる。
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきており、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用
いたグロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを
同時に得ることは困難である。特に実際の集積回路上に
おいては必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（以
後、レジストと略）を塗布した後では、凹凸部における
レジストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能と
なる。
このことを第１図を用いて説明する。第１図は従来法に
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してバターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図（へは半導体基板等の基板１上に５ｌｏ
２膜２等の段差物パターン２ａが形成されておりその上
にレジスト３が塗布された状態の断面図である。この場
合、段差物パターン２ａがない平坦な膜上のレジスト３
の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布した時、段差物ノリーン２
ａ上のレジスト３の膜厚は、レジスト自身の粘性と塗布
時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定される。この時ｔＲ
１＝ｔＲ２にすること、つ゛まり凹凸部でのレジスト膜
の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可能である。こ
のようにｔＲｌ ” ｔＲ２の膜厚においてレジストパ
ターンを形成した場合の平面図を第１図（Ｂ）に示す。
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してバターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図（へは半導体基板等の基板１上に５ｌｏ
２膜２等の段差物パターン２ａが形成されておりその上
にレジスト３が塗布された状態の断面図である。この場
合、段差物パターン２ａがない平坦な膜上のレジスト３
の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布した時、段差物ノリーン２
ａ上のレジスト３の膜厚は、レジスト自身の粘性と塗布
時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定される。この時ｔＲ
１＝ｔＲ２にすること、つ゛まり凹凸部でのレジスト膜
の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可能である。こ
のようにｔＲｌ ” ｔＲ２の膜厚においてレジストパ
ターンを形成した場合の平面図を第１図（Ｂ）に示す。
これは、段差物パターン２ａに対して直角に交叉して形
成されたレジストパターン３の膜厚ｔＲ１ン幅は２２
でかつｆｉｌ） １２となり段差部における寸法変換差
φ（発生してしまう。つまり、非常に微細パターンにな
ると良好な線幅制御が得られず、更に段差物２ａのエツ
ジ部２ｂで実質上、平坦部の膜厚ｔＲ１より厚くなるた
め解像度が低下する。
成されたレジストパターン３の膜厚ｔＲ１ン幅は２２
でかつｆｉｌ） １２となり段差部における寸法変換差
φ（発生してしまう。つまり、非常に微細パターンにな
ると良好な線幅制御が得られず、更に段差物２ａのエツ
ジ部２ｂで実質上、平坦部の膜厚ｔＲ１より厚くなるた
め解像度が低下する。
一般に解像度はレジストの膜厚が薄くなればなるほど向
上する。これは放射線自身の波長によって微細間隙にな
ると干渉、回折現像のため入射するエネルギーが減衰し
てしまうためである。つ捷り段差物上のレジスト膜厚差
を少なくするために、ただ単にレジストを厚く塗布し見
掛は上のレジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が
低下するためにパターン形成上好捷しくない。
上する。これは放射線自身の波長によって微細間隙にな
ると干渉、回折現像のため入射するエネルギーが減衰し
てしまうためである。つ捷り段差物上のレジスト膜厚差
を少なくするために、ただ単にレジストを厚く塗布し見
掛は上のレジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が
低下するためにパターン形成上好捷しくない。
更に反射の影響について第２図を用いて説明する。
第２図（５）は基板１上の凸部状段差２に金属膜４例え
ばへ２膜が全面に蒸着され、更に上部に感光性樹脂（以
後、レジスト）３が塗布された状態にマスク６のクロム
６を介して紫外線を照射した場合の断面図である。この
時の紫外線（以後、ＵＶ光）の入射状態を拡大した図が
第２図（Ｂ）である。
ばへ２膜が全面に蒸着され、更に上部に感光性樹脂（以
後、レジスト）３が塗布された状態にマスク６のクロム
６を介して紫外線を照射した場合の断面図である。この
時の紫外線（以後、ＵＶ光）の入射状態を拡大した図が
第２図（Ｂ）である。
入射するＵＶ光７のうち平坦部３ａへ入射するＵＶ光７
ａの反射光７ｂは正確に１８０°の角度で反射するが、
Ａｆｆｉ膜４の段差部の位置へ入射するＵＶ光７ｃはＡ
２膜４の側面から反射して反射光７Ｃとなり、反射光７
ｄは未露光部のレジスト領域３ｂに侵入し、実質現像後
のレジスト断面３ｃはマスク６のクロム部６の幅よりも
狭くなりパターン精度が劣化する。捷だ段差間とレジス
トパターン端部との距離によってはレジストパターンが
消滅し、パターン断線が発生する。
ａの反射光７ｂは正確に１８０°の角度で反射するが、
Ａｆｆｉ膜４の段差部の位置へ入射するＵＶ光７ｃはＡ
２膜４の側面から反射して反射光７Ｃとなり、反射光７
ｄは未露光部のレジスト領域３ｂに侵入し、実質現像後
のレジスト断面３ｃはマスク６のクロム部６の幅よりも
狭くなりパターン精度が劣化する。捷だ段差間とレジス
トパターン端部との距離によってはレジストパターンが
消滅し、パターン断線が発生する。
以上述べたように、基板上の段差や平滑性によってパタ
ーン精度が低下し微細化に対し大きな障害であった。特
に光強度の高い縮小投影露光法においては、下地反射に
よる解像度、パターン精度の低下がはなはだしく、例え
ば段差を有するＡｆｉ上の配線パターン形成において２
μｍ以下のパターン寸法は必らず断線する現象がある。
ーン精度が低下し微細化に対し大きな障害であった。特
に光強度の高い縮小投影露光法においては、下地反射に
よる解像度、パターン精度の低下がはなはだしく、例え
ば段差を有するＡｆｉ上の配線パターン形成において２
μｍ以下のパターン寸法は必らず断線する現象がある。
発明の目的
本発明は、従来例からも述べたように特にフォトリング
ラフィにおける下地基板の段差や平滑性からくる反射光
の影響による解像度の低下とパターンの精度の低下を防
ぐ目的とするものである。
ラフィにおける下地基板の段差や平滑性からくる反射光
の影響による解像度の低下とパターンの精度の低下を防
ぐ目的とするものである。
発明の構成
本発明は、室温で可溶で、有機溶媒系のレジストが積層
可能であってかつ、現像液であるアルカリ水溶液及び水
に対して溶解速度が調節しうる水溶性反射防止用有機膜
を使用し、基板上にこの膜を塗布した後、前記水溶性反
射防止用有機膜上にレジストを重ねて塗布し、選択的に
放射線例えば紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、イオン
線などを露光し、前記選択的に露光したレジストとその
直下の水溶性反射防止有機膜を同時に現像除去しパター
ン形成方法を提供しようとするものである。
可能であってかつ、現像液であるアルカリ水溶液及び水
に対して溶解速度が調節しうる水溶性反射防止用有機膜
を使用し、基板上にこの膜を塗布した後、前記水溶性反
射防止用有機膜上にレジストを重ねて塗布し、選択的に
放射線例えば紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、イオン
線などを露光し、前記選択的に露光したレジストとその
直下の水溶性反射防止有機膜を同時に現像除去しパター
ン形成方法を提供しようとするものである。
笠に述べた水溶性反射防止用有機膜は、水溶性有機物例
えば多糖体、たんばく質、ポリビニルピロリドン、ポリ
ビニルアルコールなどと５００ｎｍ以下の光（紫外線）
を吸収する物質例えば酸、塩基性染料と、水などへの溶
解速度を調整するだめの架橋剤例えばジアルデヒドデン
プン、重クロム酸塩、ジアジド化合物、アジド化合物、
アルデヒド化合物などと、水とからなる構成を有するも
のである。
えば多糖体、たんばく質、ポリビニルピロリドン、ポリ
ビニルアルコールなどと５００ｎｍ以下の光（紫外線）
を吸収する物質例えば酸、塩基性染料と、水などへの溶
解速度を調整するだめの架橋剤例えばジアルデヒドデン
プン、重クロム酸塩、ジアジド化合物、アジド化合物、
アルデヒド化合物などと、水とからなる構成を有するも
のである。
実施例の説明
まず、本発明の中で特に冷水に易溶性で多糖類であるプ
ルランを主成分とする水溶性有機膜について、説明する
。プルランの構造は、次のように示される。
ルランを主成分とする水溶性有機膜について、説明する
。プルランの構造は、次のように示される。
以 下 余 白
／
このン嶋ンはグルコース単位を中心とするデンプン、セ
ルロースなどの多糖類と分子構造が異なっている。そし
て更にその性質も異なる。例えば、デンプン、セルロー
スは冷水に溶けにくいのに対し、プルランは冷水に易溶
であり、その水溶液は水溶性高分子の水溶液の中で、同
一の濃度、同一の分子量においては、粘度の低いものの
１つである。
ルロースなどの多糖類と分子構造が異なっている。そし
て更にその性質も異なる。例えば、デンプン、セルロー
スは冷水に溶けにくいのに対し、プルランは冷水に易溶
であり、その水溶液は水溶性高分子の水溶液の中で、同
一の濃度、同一の分子量においては、粘度の低いものの
１つである。
またプルラン水溶液は長期間安定であって、ゲル化ある
いは老化現象は認められない。更にその膜は有機溶媒に
対してまったく溶解しない性質も有する。つまり半導体
製造におけるリソグラフィー技術に使用する有機溶媒系
の放射線感応性樹脂（以後、レジスト、）を重ねて塗布
しやすい性質を有している。
いは老化現象は認められない。更にその膜は有機溶媒に
対してまったく溶解しない性質も有する。つまり半導体
製造におけるリソグラフィー技術に使用する有機溶媒系
の放射線感応性樹脂（以後、レジスト、）を重ねて塗布
しやすい性質を有している。
更に放射線例えば紫外線を吸収する材料、染料等を前記
プルラン水溶液に溶解させる。この時、染料は酸性染料
であるが、プルラン水溶液はｐＨにまったく影響されず
安定した水溶液である。
プルラン水溶液に溶解させる。この時、染料は酸性染料
であるが、プルラン水溶液はｐＨにまったく影響されず
安定した水溶液である。
そして、本発明は、レジストのパターン形成の印倫Ｔ程
Ｖ卦はス王目イ中訪（了ルナ１１士痕瀉）ＩＩンス液（
水）に対してプルラン膜の溶解速度をコントロールする
ため、架橋剤としてたとえばジアルデヒドデンプンを少
量混合することを特徴としている。ジアルデヒドはデン
プンを過沃素酸により酸化して、デンプンの構成単位を
ジアルデヒドに換えたものである。とのジアルデヒドデ
ンプンは前記のプルランと反応しアセタール結合を作り
水に対し難溶性を示す。
Ｖ卦はス王目イ中訪（了ルナ１１士痕瀉）ＩＩンス液（
水）に対してプルラン膜の溶解速度をコントロールする
ため、架橋剤としてたとえばジアルデヒドデンプンを少
量混合することを特徴としている。ジアルデヒドはデン
プンを過沃素酸により酸化して、デンプンの構成単位を
ジアルデヒドに換えたものである。とのジアルデヒドデ
ンプンは前記のプルランと反応しアセタール結合を作り
水に対し難溶性を示す。
同様に、水に対する難溶性を串すため、感光性やエステ
ル化、エーテル化させるため、重クロム酸塩、ジアジド
化合物、アジド化合物（感光性）。
ル化、エーテル化させるため、重クロム酸塩、ジアジド
化合物、アジド化合物（感光性）。
アルデヒド化合物などと反応させるのもよい。
以下、詳細な実施例を説明する。
まず、本発明に用いる水溶性反射防止用有機膜の一例の
合成方法とその性質について述べる。
合成方法とその性質について述べる。
ビー力に純水（脱イオン水）を１００ＣＧを入れ温度を
室温のまま、重金属を充分とった平均分子量２ｏ万のプ
ルランを攪拌しながら添加してゆき、２０Ｆ溶解させる
。一方、温度８０℃の温水１００ＣＣに酸性染料（５ｏ
ｏｎｍ以下の紫外領域を吸収する染料）２．ｅｓＰを攪
拌しながら溶解していく。
室温のまま、重金属を充分とった平均分子量２ｏ万のプ
ルランを攪拌しながら添加してゆき、２０Ｆ溶解させる
。一方、温度８０℃の温水１００ＣＣに酸性染料（５ｏ
ｏｎｍ以下の紫外領域を吸収する染料）２．ｅｓＰを攪
拌しながら溶解していく。
次にプルラン水溶液と染料水溶液を混合して染料式りプ
ルラン水溶液を作製した。次にジアルデビドデンブン水
溶液（１Ｑ％）数ＧＧを染料式りプルラン水溶液に混合
させた。この状態では、ゲル化はみられず長期間おいて
も品質はまったく変化がみられない。この溶液を石英ガ
ラス板上にスピンナーを用いて３０００ ｒｐｍで回転
塗布したところ、均一な５０００人の膜厚が得られ、紫
外透過特性も波長５００ ｎｍ以下で、６０％以下の透
過を示し半導体製造における紫外線露光に対し充分な反
射防止効果があった。更にこの水溶性有機膜を塗布した
後この有機膜上にレジストの塗布を行ったところ溶解も
なく、きわめて容易にレジストを積層することが可能で
あった。水への溶解速度も架橋剤なしの時よりも１Ｑ部
程度遅くなり、半導体製造における制御性もあった。
ルラン水溶液を作製した。次にジアルデビドデンブン水
溶液（１Ｑ％）数ＧＧを染料式りプルラン水溶液に混合
させた。この状態では、ゲル化はみられず長期間おいて
も品質はまったく変化がみられない。この溶液を石英ガ
ラス板上にスピンナーを用いて３０００ ｒｐｍで回転
塗布したところ、均一な５０００人の膜厚が得られ、紫
外透過特性も波長５００ ｎｍ以下で、６０％以下の透
過を示し半導体製造における紫外線露光に対し充分な反
射防止効果があった。更にこの水溶性有機膜を塗布した
後この有機膜上にレジストの塗布を行ったところ溶解も
なく、きわめて容易にレジストを積層することが可能で
あった。水への溶解速度も架橋剤なしの時よりも１Ｑ部
程度遅くなり、半導体製造における制御性もあった。
なお、プルラン、染料、架橋剤の量は、塗布する膜厚、
紫外線吸収量、水への溶解速度によって任意に選択する
ことが可能である。また、水への溶解性の制御には、プ
ルラン自身をエーテル、エステル化することも考えられ
る。
紫外線吸収量、水への溶解速度によって任意に選択する
ことが可能である。また、水への溶解性の制御には、プ
ルラン自身をエーテル、エステル化することも考えられ
る。
この水溶性反射防止用有機膜を使用した・くターン形成
方法の実施例を第３図を用いて説明する。
方法の実施例を第３図を用いて説明する。
従来例の説明に使用した第２図と同様に半導体基板１上
に絶縁物等の段差２が形成し、反射率の高い金属膜例え
ば配線となるへ２膜４を蒸着する。
に絶縁物等の段差２が形成し、反射率の高い金属膜例え
ば配線となるへ２膜４を蒸着する。
そして前述の水溶性反射防止用有機膜８を塗布する〔第
３図Ａ〕。この時の水溶性反射防止用有機膜の膜厚はこ
の後で露光する際に施こすエネルギー量によって適当に
設定されるものであるが、本実施例においては２０００
人に塗布形成し薄い膜とした。
３図Ａ〕。この時の水溶性反射防止用有機膜の膜厚はこ
の後で露光する際に施こすエネルギー量によって適当に
設定されるものであるが、本実施例においては２０００
人に塗布形成し薄い膜とした。
続いて、ポジ型ＵＶレジスト３を水溶性反射防止用有機
膜８上に塗布する。この際、ポジ型ＵＶレジスト３と水
溶性反射防止用有機膜８とは互いに溶解することなく均
一に塗布することが可能であった〔第３図Ｂ〕。
膜８上に塗布する。この際、ポジ型ＵＶレジスト３と水
溶性反射防止用有機膜８とは互いに溶解することなく均
一に塗布することが可能であった〔第３図Ｂ〕。
そして、フォトマスク６のクロムパターン６を介して縮
小投影露光法によって４３６ ｎｍの紫外線７を１６ｏ
ｍｌ／ｌｒｌのエネルギーで露光する。この時、段差側
面や表面からの反射は水溶性反射防止用有機膜８中の紫
外線吸収剤により吸収されるため、まったく反射が起こ
らずクロムパターン６通りの未露光領域３ｅが形成され
る〔第３図Ｃ〕。
小投影露光法によって４３６ ｎｍの紫外線７を１６ｏ
ｍｌ／ｌｒｌのエネルギーで露光する。この時、段差側
面や表面からの反射は水溶性反射防止用有機膜８中の紫
外線吸収剤により吸収されるため、まったく反射が起こ
らずクロムパターン６通りの未露光領域３ｅが形成され
る〔第３図Ｃ〕。
最後にアルカリ現像波によって露光したポジ型ＵＶレジ
スト３を現像除去し、同時にリンス工程で露出した水溶
性反射防止用有機膜を除去しパター７３ｆ、８ａを得だ
〔第３図Ｄ〕。
スト３を現像除去し、同時にリンス工程で露出した水溶
性反射防止用有機膜を除去しパター７３ｆ、８ａを得だ
〔第３図Ｄ〕。
なお、水溶性反射防止用有機膜８の水への溶解速度は塗
布後の熱処理や架橋剤の添加量によって自在にコントロ
ールが可能で上層のポジＵＶレジストの膜厚によって設
定されるものである。
布後の熱処理や架橋剤の添加量によって自在にコントロ
ールが可能で上層のポジＵＶレジストの膜厚によって設
定されるものである。
第３図（ｄ）ののち、パターン３ｆ、８ａをマスクとし
てＡ２膜４を選択除去して電極配線を形成する。
てＡ２膜４を選択除去して電極配線を形成する。
次に第２の実施例を第４図を用いて説明する。
第１の実施例の場合には水溶性反射防止用有機膜８を露
光エネルギのうちの反射光を防ぐ最小の膜厚にしたため
下地基板１０段差２の形状は変化せず、ポジ形ＵＶレジ
スト３は段差付近で膜厚の変動が発生し、最終的にパタ
ーン精度が劣化する。
光エネルギのうちの反射光を防ぐ最小の膜厚にしたため
下地基板１０段差２の形状は変化せず、ポジ形ＵＶレジ
スト３は段差付近で膜厚の変動が発生し、最終的にパタ
ーン精度が劣化する。
これを防ぐために、第２の実施例では水溶性反射防止用
有機膜８を厚く塗布し平坦に形成する〔第４図Ａ〕。こ
の後、ポジ形ＵＶレジスト３は平坦に塗布されるために
レジスト膜厚の変動がまったく無くなる。そして露光現
像、リンス工程を加えれば、（Ｂ）のごとくパターン精
度が高く、高アスペクト比パターン３ｆ 、８ａが得ら
れた。この時、水溶性反射防止用有機膜８は熱処理を低
温で行なっただめかつ架橋剤の添加量を最適化しただめ
水への溶解速度が大きく、膜厚にあまり依存しなくない
ので上層であるポジ形ＵＶポジレジストパターン３ｆに
忠実に転写される。
有機膜８を厚く塗布し平坦に形成する〔第４図Ａ〕。こ
の後、ポジ形ＵＶレジスト３は平坦に塗布されるために
レジスト膜厚の変動がまったく無くなる。そして露光現
像、リンス工程を加えれば、（Ｂ）のごとくパターン精
度が高く、高アスペクト比パターン３ｆ 、８ａが得ら
れた。この時、水溶性反射防止用有機膜８は熱処理を低
温で行なっただめかつ架橋剤の添加量を最適化しただめ
水への溶解速度が大きく、膜厚にあまり依存しなくない
ので上層であるポジ形ＵＶポジレジストパターン３ｆに
忠実に転写される。
具体的に本発明による実験データを第５図に示す。横軸
は第１図における段差エツジからマスクツクロームパタ
ーンエツジまでの距離Ｓを示し、縦軸はパターン形成後
のレジストパターンを示した。またマスクパターンを転
写したものである。
は第１図における段差エツジからマスクツクロームパタ
ーンエツジまでの距離Ｓを示し、縦軸はパターン形成後
のレジストパターンを示した。またマスクパターンを転
写したものである。
これによると、従来例の曲線１１に示されるものはＳ（
段差からの距離）が１〜２μｍの距離でレジストパター
ンが下地ＡＱからの反射によって、レジストパターンが
断線あるいは、断線傾向となる。例えばＳが０．５７ｚ
ｍの時は、レジストパターンが０．５μｍとパターン細
りが生じていた。一方、曲線１０に示す本発明のものは
、Ｓの距離に関係なく、レジストパターンに変動なく１
μｍパターンが形成可能であった。
段差からの距離）が１〜２μｍの距離でレジストパター
ンが下地ＡＱからの反射によって、レジストパターンが
断線あるいは、断線傾向となる。例えばＳが０．５７ｚ
ｍの時は、レジストパターンが０．５μｍとパターン細
りが生じていた。一方、曲線１０に示す本発明のものは
、Ｓの距離に関係なく、レジストパターンに変動なく１
μｍパターンが形成可能であった。
なお、以上の実施例ではレジストとしてポジ型のものを
説明しだが、ネガレジストを用いた場合でも本発明を適
用できることは当然である。
説明しだが、ネガレジストを用いた場合でも本発明を適
用できることは当然である。
発明の効果
本発明の効果は、パターン形成用水溶性有機膜を紫外線
露光法に適用した場合、下地基板からの反射を吸収する
ため、パターン断線などの不良を解消しかつ、パターン
精度が向上した。また、パターン形成用水溶性有機膜の
膜厚を厚く塗布することにより、マスクパターン転写精
度が向上し、解像度も向上した。以上、本発明は微細化
をたどる半導体集積回路製造技術に非常に有益なもので
あることが言える。
露光法に適用した場合、下地基板からの反射を吸収する
ため、パターン断線などの不良を解消しかつ、パターン
精度が向上した。また、パターン形成用水溶性有機膜の
膜厚を厚く塗布することにより、マスクパターン転写精
度が向上し、解像度も向上した。以上、本発明は微細化
をたどる半導体集積回路製造技術に非常に有益なもので
あることが言える。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ） 、 （Ｂ）は従来例によるパターン形成
後の断面図、平面図、第２図（５）、（Ｂ）は従来のレ
ジストパターン形成工程断面図、第３図（５）〜（至）
は本発明の第１の実施例のパターン形成工程断面図、第
４図（へ、（Ｂ）は本発明の第２の実施例のパターン形
成工程断面図、第６図は本発明と従来例との比較データ
を示す図である。 １・・・・・基板＋２ ・・段差、３・・・レジスト、
８・・・水溶性反射防止用有機膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２因 第３図 第３図 ｆ 第４図 第５図
後の断面図、平面図、第２図（５）、（Ｂ）は従来のレ
ジストパターン形成工程断面図、第３図（５）〜（至）
は本発明の第１の実施例のパターン形成工程断面図、第
４図（へ、（Ｂ）は本発明の第２の実施例のパターン形
成工程断面図、第６図は本発明と従来例との比較データ
を示す図である。 １・・・・・基板＋２ ・・段差、３・・・レジスト、
８・・・水溶性反射防止用有機膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２因 第３図 第３図 ｆ 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）基板に水溶性反射防止用有機膜を塗布する工程、前
記水溶性反射防止用有機膜上に放射線感応性樹脂を塗布
形成する工程９選択的に放射線を露光する工程、前記選
択的に露光した放射線感応性樹脂と直下の前記水溶性反
射防止有機膜を同時に現像除去する工程を含むことを特
徴とするパターン形成方法。 ＠）水溶性反射防止用有機膜が、水溶性有機物と５００
ｎｍ以下の光を吸収する物質と架橋剤と水を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。 （３）水溶性有機物が、多糖体、たんば〈質、ポリビニ
ルピロリドン、ポリビニルアルコールヲ少なくとも一つ
を含むものであることを特徴とする特許請求の範囲第２
項に記載のパターン形成方法。 （４）架橋剤が、ジアルデヒドデンプン、重クロム酸塩
、ジアジド化合物、アジド化合物、アルデヒド化合物を
少なくとも一つを含むものであることを特徴とする特許
請求の範囲第２項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59078868A JPS60223121A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | パタ−ン形成方法 |
| US06/724,304 US4745042A (en) | 1984-04-19 | 1985-04-17 | Water-soluble photopolymer and method of forming pattern by use of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59078868A JPS60223121A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | パタ−ン形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041246A Division JPS61179440A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223121A true JPS60223121A (ja) | 1985-11-07 |
| JPH0244139B2 JPH0244139B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13673796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59078868A Granted JPS60223121A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60223121A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130263A (en) * | 1990-04-17 | 1992-07-14 | General Electric Company | Method for photolithographically forming a selfaligned mask using back-side exposure and a non-specular reflecting layer |
| JPH04226013A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | イメージの露光装置及び露光方法 |
| EP0803777A1 (en) * | 1996-04-25 | 1997-10-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Undercoating composition for photolithographic resist |
| US5830623A (en) * | 1995-09-12 | 1998-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern lithography method |
| JP2007017950A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法 |
| US7687223B2 (en) | 2004-11-01 | 2010-03-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing cyclodextrin compound |
| US8916327B2 (en) | 2003-10-30 | 2014-12-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition containing dextrin ester compound |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5955019A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS59168637A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Nec Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP59078868A patent/JPS60223121A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5955019A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS59168637A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Nec Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
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| JPH04226013A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | イメージの露光装置及び露光方法 |
| US5830623A (en) * | 1995-09-12 | 1998-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern lithography method |
| EP0803777A1 (en) * | 1996-04-25 | 1997-10-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Undercoating composition for photolithographic resist |
| US8916327B2 (en) | 2003-10-30 | 2014-12-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition containing dextrin ester compound |
| US7687223B2 (en) | 2004-11-01 | 2010-03-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing cyclodextrin compound |
| JP2007017950A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244139B2 (ja) | 1990-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |