JPH04162701A - 消磁回路用ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
消磁回路用ｐｔｃサーミスタInfo
- Publication number
- JPH04162701A JPH04162701A JP29017990A JP29017990A JPH04162701A JP H04162701 A JPH04162701 A JP H04162701A JP 29017990 A JP29017990 A JP 29017990A JP 29017990 A JP29017990 A JP 29017990A JP H04162701 A JPH04162701 A JP H04162701A
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- JP
- Japan
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- exterior resin
- element body
- ptc thermistor
- degaussing circuit
- cavity
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌ墓よ匹五二豆！
本発明は消磁回路用Ｐ Ｔ Ｃ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ 工
ｅｍｐｅｒａ−ｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サ
ーミスタに関し、より詳しくはカラーテレビジョン受像
機のシャドウマスクを消磁するための消磁回路用ＰＴＣ
サーミスタに関する。
ｅｍｐｅｒａ−ｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サ
ーミスタに関し、より詳しくはカラーテレビジョン受像
機のシャドウマスクを消磁するための消磁回路用ＰＴＣ
サーミスタに関する。
１三二肢五
一般に、カラーテレビジョン受像機では、ブラウン管の
シャドウマスクが帯磁するとコンバーゼンスやピユリテ
ィが劣化するので、シャドウマスクを自動的に消磁する
ための自動消磁回路が設けられている。
シャドウマスクが帯磁するとコンバーゼンスやピユリテ
ィが劣化するので、シャドウマスクを自動的に消磁する
ための自動消磁回路が設けられている。
従来用いられている自動消磁回路の一構成例を第３図に
示す。第３図に示した如（この消磁回路においては、交
流電源１１に消磁コイル１２とＰＴＣサーミスタ２０と
が直列に接続されており、電源スィッチ１３をオンにす
ると消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０を介して消磁コイ
ル１２に電流が流れ、ブラウン管のシャドウマスクの残
留磁気が消磁される。また上記電流が流れると、消磁回
路用ＰＴＣサーミスタ２０の自己発熱により抵抗値が急
激に上昇して上記電流の値が減衰し、消磁動作が終了す
る。
示す。第３図に示した如（この消磁回路においては、交
流電源１１に消磁コイル１２とＰＴＣサーミスタ２０と
が直列に接続されており、電源スィッチ１３をオンにす
ると消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０を介して消磁コイ
ル１２に電流が流れ、ブラウン管のシャドウマスクの残
留磁気が消磁される。また上記電流が流れると、消磁回
路用ＰＴＣサーミスタ２０の自己発熱により抵抗値が急
激に上昇して上記電流の値が減衰し、消磁動作が終了す
る。
第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、上記自動消磁回路
に用いられるＰＴＣサーミスタ２０の一例を概略的に示
した平面図及び断面図であり、第４図（ａ）、（ｂ）に
示した如く消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０は、素体２
１にリード線２２が半田付けされ、これら全体が外装樹
脂２３と密着するようにモールドされて構成されている
。
に用いられるＰＴＣサーミスタ２０の一例を概略的に示
した平面図及び断面図であり、第４図（ａ）、（ｂ）に
示した如く消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０は、素体２
１にリード線２２が半田付けされ、これら全体が外装樹
脂２３と密着するようにモールドされて構成されている
。
日が ′ しよ とする課
しかしながら、上記した如くこの自動消磁回路において
は、消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０の素体２１の自己
発熱による抵抗値の上昇によって減衰電流が生じるため
、カラーテレビジョン受像機の電源のオン／オフ、すな
わち電源スィッチ１３のオン／オフによって外装樹脂２
３がヒートショックを受け、熱劣化するという課題があ
った。
は、消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０の素体２１の自己
発熱による抵抗値の上昇によって減衰電流が生じるため
、カラーテレビジョン受像機の電源のオン／オフ、すな
わち電源スィッチ１３のオン／オフによって外装樹脂２
３がヒートショックを受け、熱劣化するという課題があ
った。
また消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０は、自己発熱量と
放散熱量とが等しくなる点で平衡温度に達し、そのとき
の電流（平衡点電流）は小さければ小さい程、画面揺れ
等の画像障害がなくなるため望ましい。ところが消磁回
路用ＰＴＣサーミスタ２０においては、第４図に示した
如く外装樹脂２３が素体２１に密着して全体をモールド
しているため、外装樹脂２３を介して熱が逃げやすく、
全体としての放散熱量が大きくなり、その結果、平衡温
度が小さくなって平衡点電流がしぼりきれないという課
題も有していた。
放散熱量とが等しくなる点で平衡温度に達し、そのとき
の電流（平衡点電流）は小さければ小さい程、画面揺れ
等の画像障害がなくなるため望ましい。ところが消磁回
路用ＰＴＣサーミスタ２０においては、第４図に示した
如く外装樹脂２３が素体２１に密着して全体をモールド
しているため、外装樹脂２３を介して熱が逃げやすく、
全体としての放散熱量が大きくなり、その結果、平衡温
度が小さくなって平衡点電流がしぼりきれないという課
題も有していた。
本発明は上記した課題に鑑みなされたものであり、外装
樹脂の熱劣化を防止することができ、平衡点電流を減少
させることができる消磁回路用ＰＴＣサーミスタを提供
することを目的としている。
樹脂の熱劣化を防止することができ、平衡点電流を減少
させることができる消磁回路用ＰＴＣサーミスタを提供
することを目的としている。
課 ”′する為の 「
上記した目的を達成するために本発明に係る消磁回路用
ＰＴＣサーミスタは、素体にリード線が半田付けされ、
全体が外装樹脂によりモールドされて構成された消磁回
路用ＰＴＣサーミスタにおいて、前記素体と前記外装樹
脂との間に空洞が形成されていることを特徴としている
。
ＰＴＣサーミスタは、素体にリード線が半田付けされ、
全体が外装樹脂によりモールドされて構成された消磁回
路用ＰＴＣサーミスタにおいて、前記素体と前記外装樹
脂との間に空洞が形成されていることを特徴としている
。
止
一般に自動消磁回路においては、これに交流電流が流れ
ると自動消磁回路に組み込まれた消磁回路用ＰＴＣサー
ミスタは自己発熱し、この素子自身の抵抗値が上昇して
電流が減衰する。このとき、消磁回路用ＰＴＣサーミス
タの温度は、自己発熱により発生する熱量と素体から逃
げていく熱量とのつり合う温度で平衡に達する。この平
衡温度に達するまで上記減衰電流は第２図（ａ）に示し
た如く減衰していき、平衡温度において減衰電流も平衡
となる。また減衰電流の減衰に伴いシャドウマスクの残
留磁気も第２図（ｂ）に示した如（減少してい（。
ると自動消磁回路に組み込まれた消磁回路用ＰＴＣサー
ミスタは自己発熱し、この素子自身の抵抗値が上昇して
電流が減衰する。このとき、消磁回路用ＰＴＣサーミス
タの温度は、自己発熱により発生する熱量と素体から逃
げていく熱量とのつり合う温度で平衡に達する。この平
衡温度に達するまで上記減衰電流は第２図（ａ）に示し
た如く減衰していき、平衡温度において減衰電流も平衡
となる。また減衰電流の減衰に伴いシャドウマスクの残
留磁気も第２図（ｂ）に示した如（減少してい（。
上記した構成によれば、素体と外装樹脂との間に空洞が
形成されているので、外装樹脂を介しての前記素体から
の熱放散も抑えられ、平衡濃度がさらに上がる結果とな
る。従って消磁回路用ＰＴＣサーミスタの抵抗値が上昇
し、平衡温度における平衡点電流が小さくなる。
形成されているので、外装樹脂を介しての前記素体から
の熱放散も抑えられ、平衡濃度がさらに上がる結果とな
る。従って消磁回路用ＰＴＣサーミスタの抵抗値が上昇
し、平衡温度における平衡点電流が小さくなる。
また素体と外装樹脂との間に空洞が形成されていること
により、素体の熱が空気を介して外装樹脂に伝えられる
こととなる。従って外装樹脂は、電源スィッチのオン／
才〕に伴うヒートショックを直接受けることがなく、そ
の結果ヒートショックによる熱劣化が防止される。
により、素体の熱が空気を介して外装樹脂に伝えられる
こととなる。従って外装樹脂は、電源スィッチのオン／
才〕に伴うヒートショックを直接受けることがなく、そ
の結果ヒートショックによる熱劣化が防止される。
夾施圏
以下、本発明に係る消磁回路用ＰＴＣサーミスタの実施
例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能
を有する構成部品には同一の符合を付すこととする。
例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能
を有する構成部品には同一の符合を付すこととする。
第１図は本発明に係る消磁回路用ＰＴＣサーミスタの一
実施例を模式的に示した断面図である。
実施例を模式的に示した断面図である。
第１図に示した如く、この消磁回路用ＰＴＣサーミスタ
３０の素体２１にはリード線２２が半田付けされており
、これら全体には所要の空間を介して外装樹脂２３がモ
ールドされている。すなわち素体２１と外装樹脂２３と
の間には、空洞３４が形成された状態となっている。
３０の素体２１にはリード線２２が半田付けされており
、これら全体には所要の空間を介して外装樹脂２３がモ
ールドされている。すなわち素体２１と外装樹脂２３と
の間には、空洞３４が形成された状態となっている。
このように構成されている消磁回路用ＰＴＣサーミスタ
３０は、例えば以下に説明する方法で作製される。
３０は、例えば以下に説明する方法で作製される。
まず、１００ｍｏｇの（Ｂａａ、 ａｓｒｏ、 ｚｌＴ
ｌｏｓに対し、０．０５ｍｏｊのＭｎＯａ、１．ｏｍｏ
ｊのＴｉＯ２，０，５ｍｏｊのＳｉｏｗ及び０．１５ｍ
ｏｊのＤｙｚＯｓを添加した原料粉末を混合、仮焼成し
た後、２．２５ｗｔ％のＰＶＡを加えて整粒する。次い
でこれを外形１８ｍｍ、厚み２．５ｍｍに成形した後、
１３５０″Ｃの温度で２４時間本焼成して磁器素体２１
を得る。
ｌｏｓに対し、０．０５ｍｏｊのＭｎＯａ、１．ｏｍｏ
ｊのＴｉＯ２，０，５ｍｏｊのＳｉｏｗ及び０．１５ｍ
ｏｊのＤｙｚＯｓを添加した原料粉末を混合、仮焼成し
た後、２．２５ｗｔ％のＰＶＡを加えて整粒する。次い
でこれを外形１８ｍｍ、厚み２．５ｍｍに成形した後、
１３５０″Ｃの温度で２４時間本焼成して磁器素体２１
を得る。
この素体２１の両面にＡｇペーストを電極として塗布、
焼成し、この後リード線２２を半田付けし、その上にパ
ラフィンを溶かしたものを塗布し、このパラフィンを固
まらせる。そして外装樹脂２３形成用の溶液にディッピ
ングした後加熱し、外装樹脂２３を固めると共に、内部
のパラフィンを外装樹脂２３のボアを介して外部に蒸発
させる。このことによって、素体２１の電極と外装樹脂
２３との間に空洞が形成される。第１表は上記方法によ
り作製された消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３０と、従来
の消磁回路用Ｐ Ｔ、 Ｃサーミスタ２０との各３００
個についてオン／オフ試験を行ない、そのときの不良品
の数を調べた結果を示したものである９ ここでオン／オフ試験は、消磁回路用ＰＴＣサーミスタ
２０１，３０をｌｌ０Ｖの電源に接続し、６０秒間のオ
ン状態、３００秒間のオフ状態を１サイクルとして常温
、常圧で１０万回繰り返すことにより行なった。なお、
第１表で示した不良品数は累計個数である。
焼成し、この後リード線２２を半田付けし、その上にパ
ラフィンを溶かしたものを塗布し、このパラフィンを固
まらせる。そして外装樹脂２３形成用の溶液にディッピ
ングした後加熱し、外装樹脂２３を固めると共に、内部
のパラフィンを外装樹脂２３のボアを介して外部に蒸発
させる。このことによって、素体２１の電極と外装樹脂
２３との間に空洞が形成される。第１表は上記方法によ
り作製された消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３０と、従来
の消磁回路用Ｐ Ｔ、 Ｃサーミスタ２０との各３００
個についてオン／オフ試験を行ない、そのときの不良品
の数を調べた結果を示したものである９ ここでオン／オフ試験は、消磁回路用ＰＴＣサーミスタ
２０１，３０をｌｌ０Ｖの電源に接続し、６０秒間のオ
ン状態、３００秒間のオフ状態を１サイクルとして常温
、常圧で１０万回繰り返すことにより行なった。なお、
第１表で示した不良品数は累計個数である。
第 １ 表
第１表から明らかなように、従来の消磁回路用ＰＴＣサ
ーミスタ２０では、オン／オフ試験回数が増加するたび
に不良品数も増加していったのに対し、上記実施例に係
る消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３０では不良品が認めら
れていない。この結果から、素体２１と外装樹脂２３と
の間に空洞３４が形成されていることは、外装樹脂２３
のうけるヒートショックを和らげ、熱劣化を防止する上
で著しい効果があることがわかる。なお、この試験にお
ける不良はすべて、外装樹脂２３のリード線２２との接
触部分におけるひび割れであった。
ーミスタ２０では、オン／オフ試験回数が増加するたび
に不良品数も増加していったのに対し、上記実施例に係
る消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３０では不良品が認めら
れていない。この結果から、素体２１と外装樹脂２３と
の間に空洞３４が形成されていることは、外装樹脂２３
のうけるヒートショックを和らげ、熱劣化を防止する上
で著しい効果があることがわかる。なお、この試験にお
ける不良はすべて、外装樹脂２３のリード線２２との接
触部分におけるひび割れであった。
次に、本実施例に係る消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３０
及び従来の消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０を用い、第
３図に示した自動消磁回路に組み込んで電流の減衰特性
比較実験を行なった。その結果を第２表に示す。
及び従来の消磁回路用ＰＴＣサーミスタ２０を用い、第
３図に示した自動消磁回路に組み込んで電流の減衰特性
比較実験を行なった。その結果を第２表に示す。
第 ２ 表
第２表から明らかなように、本実施例に係る消磁回路用
ＰＴＣサーミスタ３０は、従来のものと比較して減衰電
流が大幅に減少しており、従来のものより素体２１の温
度が高く高抵抗状態となっていることがわかる。またこ
の実験においては、本実施例に係る消磁回路用ＰＴＣサ
ーミスタ３０で、平衡点電流が従来の２７３に減少する
結果が得られた。
ＰＴＣサーミスタ３０は、従来のものと比較して減衰電
流が大幅に減少しており、従来のものより素体２１の温
度が高く高抵抗状態となっていることがわかる。またこ
の実験においては、本実施例に係る消磁回路用ＰＴＣサ
ーミスタ３０で、平衡点電流が従来の２７３に減少する
結果が得られた。
以上の結果から、素体２１と外装樹脂２３との間に空洞
３４が形成されていることは、外装樹脂２３を介しての
素体２１からの熱放散を抑える上で有効であることが判
明した。
３４が形成されていることは、外装樹脂２３を介しての
素体２１からの熱放散を抑える上で有効であることが判
明した。
このように本実施例に係る消磁回路用ＰＴＣサーミスタ
３０では、空洞３４によって素体２１かもの熱放散が抑
えられるため、平衡温度を上昇させることができ、抵抗
値を上昇させることができる。従って平衡温度における
平衡点電流を小さくすることができ、消磁回路用ＰＴＣ
サーミスタ３０の特性を向上させることができる。
３０では、空洞３４によって素体２１かもの熱放散が抑
えられるため、平衡温度を上昇させることができ、抵抗
値を上昇させることができる。従って平衡温度における
平衡点電流を小さくすることができ、消磁回路用ＰＴＣ
サーミスタ３０の特性を向上させることができる。
また空洞３４によって、外装樹脂２３がうける素体２１
の自己発熱によるヒートショックが和らげられるため、
熱劣化を防止することができ、消磁回路用ＰＴＣサーミ
スタ３０の信頼性を向上させることが可能となる。
の自己発熱によるヒートショックが和らげられるため、
熱劣化を防止することができ、消磁回路用ＰＴＣサーミ
スタ３０の信頼性を向上させることが可能となる。
及豆五工呈
以上の説明により明らかなように、本発明に係る消磁回
路用ＰＴＣサーミスタにあっては、素体と外装樹脂との
間に空洞が形成されているので、前記空洞によって素体
からの熱放散を抑えることができ、平衡温度における平
衡点電流を小さくすることができる。従って特性が向上
した消磁回路用ＰＴＣサーミスタを提供することができ
る。また前記空洞が形成されていることによって、熱劣
化を防止することができ、信頼性を向上させることがで
きる。
路用ＰＴＣサーミスタにあっては、素体と外装樹脂との
間に空洞が形成されているので、前記空洞によって素体
からの熱放散を抑えることができ、平衡温度における平
衡点電流を小さくすることができる。従って特性が向上
した消磁回路用ＰＴＣサーミスタを提供することができ
る。また前記空洞が形成されていることによって、熱劣
化を防止することができ、信頼性を向上させることがで
きる。
第１図は本発明に係る消磁回路用ＰＴＣサーミスタの一
実施例を模式的に示した断面図、第２図（ａ）は消磁コ
イル中を流れる減衰電流の様子を示した波形図、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）の減衰電流の減衰に伴うシャドー
マスクの残留磁気の減少を示した磁化曲線、第３図は従
来用いられている自動消磁回路の一構成例を示した回路
図、第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来の消磁回路
用ＰＴＣサーミスタの一例を概略的に示した平面図及び
断面図である。 ２１・・・素体 ２２・・・リード線２３・・・外装
樹脂 ３０・・・消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３４・・・空洞 特許部願人： 住友金属工業株式会社 代 理 人： 弁理士 弁内 龍二第１図 Ｉ！２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図
実施例を模式的に示した断面図、第２図（ａ）は消磁コ
イル中を流れる減衰電流の様子を示した波形図、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）の減衰電流の減衰に伴うシャドー
マスクの残留磁気の減少を示した磁化曲線、第３図は従
来用いられている自動消磁回路の一構成例を示した回路
図、第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来の消磁回路
用ＰＴＣサーミスタの一例を概略的に示した平面図及び
断面図である。 ２１・・・素体 ２２・・・リード線２３・・・外装
樹脂 ３０・・・消磁回路用ＰＴＣサーミスタ３４・・・空洞 特許部願人： 住友金属工業株式会社 代 理 人： 弁理士 弁内 龍二第１図 Ｉ！２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）素体にリード線が半田付けされ、全体が外装樹脂
によりモールドされて構成された消磁回路用ＰＴＣサー
ミスタにおいて、前記素体と前記外装樹脂との間に空洞
が形成されていることを特徴とする消磁回路用ＰＴＣサ
ーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29017990A JPH04162701A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 消磁回路用ｐｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29017990A JPH04162701A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 消磁回路用ｐｔｃサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162701A true JPH04162701A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17752772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29017990A Pending JPH04162701A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 消磁回路用ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053158A1 (ja) | 2008-11-07 | 2010-05-14 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Ｐｔｃデバイス |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP29017990A patent/JPH04162701A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053158A1 (ja) | 2008-11-07 | 2010-05-14 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Ｐｔｃデバイス |
| KR20110082605A (ko) | 2008-11-07 | 2011-07-19 | 타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이. | Ｐｔｃ 디바이스 |
| US8723636B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-05-13 | Tyco Electronics Japan G.K. | PTC device |
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