JPH04163926A - 半導体封止方法 - Google Patents
半導体封止方法Info
- Publication number
- JPH04163926A JPH04163926A JP2290352A JP29035290A JPH04163926A JP H04163926 A JPH04163926 A JP H04163926A JP 2290352 A JP2290352 A JP 2290352A JP 29035290 A JP29035290 A JP 29035290A JP H04163926 A JPH04163926 A JP H04163926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- guard ring
- sealing resin
- sealing
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、回路基板上に実装すべき半導体素子の回路
基板上での封止に用いられる半導体封止方法に関する。
基板上での封止に用いられる半導体封止方法に関する。
混成集積回路で」・よ、１回路基板に導体パターンが形
成された後、抵抗等の受動素子とともに、半導体が設置
としてペアチップが実装される。回路基板には、ペアチ
ップの周辺部にペアチップの端子と接続すべき導体パタ
ーンが形成されており、ペアチップの各端子と導体パタ
ーンとは導体ワイヤを用いてワイヤボンディングにより
電気的な接続が行われる。 このような電気的な接続が行われた後、導体ワイヤ及び
ペアチップを包囲する範囲には封止樹脂を堰き止める堰
止め枠としてのガードリングが封止樹脂で形成され、こ
のガードリングの固化を待って、その内側に封止樹脂を
充填し、その封止樹脂でペアチップ、導体ワイヤ及びそ
の周辺部の導体パターンが封止される。
成された後、抵抗等の受動素子とともに、半導体が設置
としてペアチップが実装される。回路基板には、ペアチ
ップの周辺部にペアチップの端子と接続すべき導体パタ
ーンが形成されており、ペアチップの各端子と導体パタ
ーンとは導体ワイヤを用いてワイヤボンディングにより
電気的な接続が行われる。 このような電気的な接続が行われた後、導体ワイヤ及び
ペアチップを包囲する範囲には封止樹脂を堰き止める堰
止め枠としてのガードリングが封止樹脂で形成され、こ
のガードリングの固化を待って、その内側に封止樹脂を
充填し、その封止樹脂でペアチップ、導体ワイヤ及びそ
の周辺部の導体パターンが封止される。
ところで、このような半導体素子の樹脂封止に用いるガ
ードリングは、封止樹脂を堰き止めるためのものであり
、理想的には封止樹脂より流動性の低い樹脂が用いられ
る０作業性からみれば、ガードリングは即座に硬化する
ことが望ましく、狭い範囲で十分な高さを設定できる樹
脂が望まれている。 従来、ガードリングには、封止樹脂とは異なるチクソ性
の樹脂が用いられ、そのための調整が非常に面倒であっ
た。 ところで、ガードリングの形成にガードリング用の特別
な樹脂を用いても、僅かに流動性が異なる程度であって
、ガードリングに最適な樹脂はなく、十分な高さを取る
ためには単位面積当たりの滴下量が増え、固化の途上で
その流動性故に拡がり、回路基板に対する部品の実装効
率を低下させる原因になっている。 そこで、この発明は、ガードリングを形成する封止樹脂
を加熱して硬化を早め、最適なガードリングを形成して
効率的な樹脂封止を実現した半導体封止方法の提供を目
的とする。
ードリングは、封止樹脂を堰き止めるためのものであり
、理想的には封止樹脂より流動性の低い樹脂が用いられ
る０作業性からみれば、ガードリングは即座に硬化する
ことが望ましく、狭い範囲で十分な高さを設定できる樹
脂が望まれている。 従来、ガードリングには、封止樹脂とは異なるチクソ性
の樹脂が用いられ、そのための調整が非常に面倒であっ
た。 ところで、ガードリングの形成にガードリング用の特別
な樹脂を用いても、僅かに流動性が異なる程度であって
、ガードリングに最適な樹脂はなく、十分な高さを取る
ためには単位面積当たりの滴下量が増え、固化の途上で
その流動性故に拡がり、回路基板に対する部品の実装効
率を低下させる原因になっている。 そこで、この発明は、ガードリングを形成する封止樹脂
を加熱して硬化を早め、最適なガードリングを形成して
効率的な樹脂封止を実現した半導体封止方法の提供を目
的とする。
即ち、この発明の半導体封止方法は、半導体素子（ペア
チップ４）が設置された回路基板（２）の前記半導体の
周囲部にガードリング（１８）を形成し、その内部に封
止樹脂を充填させて半導体を封止する半導体封止方法に
おいて、前記回路基板のガードリングを形成すべき部分
に封止樹脂（１６）を供給しながら、前記回路基板に供
給された前記封止樹脂を加熱して硬化させることを特徴
とする。
チップ４）が設置された回路基板（２）の前記半導体の
周囲部にガードリング（１８）を形成し、その内部に封
止樹脂を充填させて半導体を封止する半導体封止方法に
おいて、前記回路基板のガードリングを形成すべき部分
に封止樹脂（１６）を供給しながら、前記回路基板に供
給された前記封止樹脂を加熱して硬化させることを特徴
とする。
ガードリングを形成する封止樹脂を回路基板上で迅速に
加熱によって硬化させることができるので、その硬化に
よって十分な高さを持つガードリングが少ない樹脂量で
形成される。ガードリングの硬化が迅速化され、しかも
十分な強度が短時間で得られるので、ガードリングの形
成後、直ぐに封止樹脂の充填が行える。
加熱によって硬化させることができるので、その硬化に
よって十分な高さを持つガードリングが少ない樹脂量で
形成される。ガードリングの硬化が迅速化され、しかも
十分な強度が短時間で得られるので、ガードリングの形
成後、直ぐに封止樹脂の充填が行える。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。 第１図及び第２図は、この発明の半導体封止方法の一実
施例を示す。 第１図及び第２図の（Ａ）に示すように、アルミナやセ
ラミック等の絶縁性材料で回路基板２が形成され、その
回路基板２の表面には半導体素子としてのペアチップ４
を実装すべき部分に導体６が印刷によって形成されてい
るとともに、この導体６に一定の間隔を設けて導体パタ
ーン８が形成されている。導体パターン８は、図示しな
い回路部品や他の機能回路との回路パターンを形成する
ものである。 導体６の上面には、第２図の（Ｂ）に示すように、ペア
チップ４が導電性接着剤１０を以て固着されるとともに
、ペアチップ４の半導体基板が導体６と電気的に接続さ
れている。ペアチップ４の縁部に形成されている電極１
２と対応する導体パターン８との間にはワイヤボンディ
ングによって導体ワイヤ１４が接続され、電気的に接続
されている。 そして、このペアチップ４並びに導体ワイヤ１４が接続
された導体パターン８を包囲する範囲に封止樹脂１６を
以てガードリング１８が形成される。即ち、樹脂供給手
段としてのシリンジ２０の先端に取り付けられたニード
ル２２が用いられ、このニードル２２から回路基板２の
上面に一筆書きの形態で封止樹脂１６が供給される。 シリンジ２０の近傍には、加熱源としてのレーザー源２
４からレーザーエネルギを受けて加熱線としてのレーザ
ー光２６を発生するレーザー照射管２８が設置されてい
る。そして、レーザー光２６はニードル２２から回路基
板２上に滴下された封止樹脂１６に照射される。 このレーザー光２６の照射を受けた封止樹脂１６は、レ
ーザー光２６のエネルギで加熱され、その加熱により硬
化する。即ち、この硬化によって封止樹脂１６の流動が
阻止され、第２図の（Ｃ）に示すように、狭い範囲で十
分な高さ及び強度を持つガードリング１８に形成される
。 このガードリング１８の内部には、第２図の（Ｄ）に示
すように、シリンジ２０を以てニードル２２から封止樹
脂１６が充填され、第２図の（Ｅ）に示すように、ペア
チップ４の上面を十分な厚みを以て覆う樹脂皮膜が形成
されて樹脂封止を完了する。 このような樹脂封止では、封止樹脂１６の熱硬化を利用
して少ない封止樹脂１６で十分な強度と高さを持つガー
ドリング１日を形成し、その内部にガードリング１８を
形成した同様の封止樹脂１６を以て封止を行われる。特
に、加熱硬化によって、ガードリング１８を形成すべき
封止樹脂１６の流れ出しが阻止できるので、シリンジ２
０の操作が容易でしかも、精度の高いガードリング１８
が形成される。 実験によれば、封止樹脂１６にエポキシ樹脂を用いた場
合、レーザー光２６で封止樹脂１６の表面温度を１５０
°Ｃないし２００℃に上昇させることができ、封止樹脂
１６を熱硬化させ、ペアチップ４を覆う封止樹脂１６の
充填に十分な強度と高さを設定することができた。 なお、実施例では、加熱源にレーザー源２４を用いた場
合について説明したが、可視光や赤外線を発生する光源
、あるいは、熱風を発生する熱源を用いてもよく、同様
にガードリング１８を形成すべき封止樹脂１６の熱硬化
を行うことができる。
説明する。 第１図及び第２図は、この発明の半導体封止方法の一実
施例を示す。 第１図及び第２図の（Ａ）に示すように、アルミナやセ
ラミック等の絶縁性材料で回路基板２が形成され、その
回路基板２の表面には半導体素子としてのペアチップ４
を実装すべき部分に導体６が印刷によって形成されてい
るとともに、この導体６に一定の間隔を設けて導体パタ
ーン８が形成されている。導体パターン８は、図示しな
い回路部品や他の機能回路との回路パターンを形成する
ものである。 導体６の上面には、第２図の（Ｂ）に示すように、ペア
チップ４が導電性接着剤１０を以て固着されるとともに
、ペアチップ４の半導体基板が導体６と電気的に接続さ
れている。ペアチップ４の縁部に形成されている電極１
２と対応する導体パターン８との間にはワイヤボンディ
ングによって導体ワイヤ１４が接続され、電気的に接続
されている。 そして、このペアチップ４並びに導体ワイヤ１４が接続
された導体パターン８を包囲する範囲に封止樹脂１６を
以てガードリング１８が形成される。即ち、樹脂供給手
段としてのシリンジ２０の先端に取り付けられたニード
ル２２が用いられ、このニードル２２から回路基板２の
上面に一筆書きの形態で封止樹脂１６が供給される。 シリンジ２０の近傍には、加熱源としてのレーザー源２
４からレーザーエネルギを受けて加熱線としてのレーザ
ー光２６を発生するレーザー照射管２８が設置されてい
る。そして、レーザー光２６はニードル２２から回路基
板２上に滴下された封止樹脂１６に照射される。 このレーザー光２６の照射を受けた封止樹脂１６は、レ
ーザー光２６のエネルギで加熱され、その加熱により硬
化する。即ち、この硬化によって封止樹脂１６の流動が
阻止され、第２図の（Ｃ）に示すように、狭い範囲で十
分な高さ及び強度を持つガードリング１８に形成される
。 このガードリング１８の内部には、第２図の（Ｄ）に示
すように、シリンジ２０を以てニードル２２から封止樹
脂１６が充填され、第２図の（Ｅ）に示すように、ペア
チップ４の上面を十分な厚みを以て覆う樹脂皮膜が形成
されて樹脂封止を完了する。 このような樹脂封止では、封止樹脂１６の熱硬化を利用
して少ない封止樹脂１６で十分な強度と高さを持つガー
ドリング１日を形成し、その内部にガードリング１８を
形成した同様の封止樹脂１６を以て封止を行われる。特
に、加熱硬化によって、ガードリング１８を形成すべき
封止樹脂１６の流れ出しが阻止できるので、シリンジ２
０の操作が容易でしかも、精度の高いガードリング１８
が形成される。 実験によれば、封止樹脂１６にエポキシ樹脂を用いた場
合、レーザー光２６で封止樹脂１６の表面温度を１５０
°Ｃないし２００℃に上昇させることができ、封止樹脂
１６を熱硬化させ、ペアチップ４を覆う封止樹脂１６の
充填に十分な強度と高さを設定することができた。 なお、実施例では、加熱源にレーザー源２４を用いた場
合について説明したが、可視光や赤外線を発生する光源
、あるいは、熱風を発生する熱源を用いてもよく、同様
にガードリング１８を形成すべき封止樹脂１６の熱硬化
を行うことができる。
以上説明したように、この発明によれば、次の効果が得
られる。 （ａ） 封止樹脂を加熱によって硬化させてガードリ
ングを形成するので、ガードリングの形成時間が短く、
しかもガードリングを即座に封止樹脂を充填できる程度
の強度に硬化させることができ、ガードリングの形成及
びその内部への封止樹脂の充填を同一工程で行うことが
でき、製造時間を短縮でき、製造コストの低減を図るこ
とができる。 （ｂ） ガードリングは封止樹脂を加熱して形成する
ので、その加熱により硬化を速めることができ、ガード
リングを形成する封止樹脂とガードリングの内部に充電
すべき封止樹脂に同一のものを使用でき、ガードリング
の形成に特別な封止樹脂を用いる必要がないため、材料
面からも製造コストの低減が図られる。 （Ｃ） ガードリングを形成するための封止樹脂が持
つ流動性によりこの封止樹脂が回路基板面へ必要以上に
拡がることを防止でき、回路基板の高密度実装に寄与す
ることができる。
られる。 （ａ） 封止樹脂を加熱によって硬化させてガードリ
ングを形成するので、ガードリングの形成時間が短く、
しかもガードリングを即座に封止樹脂を充填できる程度
の強度に硬化させることができ、ガードリングの形成及
びその内部への封止樹脂の充填を同一工程で行うことが
でき、製造時間を短縮でき、製造コストの低減を図るこ
とができる。 （ｂ） ガードリングは封止樹脂を加熱して形成する
ので、その加熱により硬化を速めることができ、ガード
リングを形成する封止樹脂とガードリングの内部に充電
すべき封止樹脂に同一のものを使用でき、ガードリング
の形成に特別な封止樹脂を用いる必要がないため、材料
面からも製造コストの低減が図られる。 （Ｃ） ガードリングを形成するための封止樹脂が持
つ流動性によりこの封止樹脂が回路基板面へ必要以上に
拡がることを防止でき、回路基板の高密度実装に寄与す
ることができる。
第１図はこの発明の半導体封止方法の一実施例を示す部
分斜視図、 第２図はこの発明の半導体封止方法の一実施例を示す断
面図である。 ２・・・回路基板 ４・・・ペアチップ（半導体素子） １６・・・封止樹脂 １８・・・ガードリング −杯ζ 第２
分斜視図、 第２図はこの発明の半導体封止方法の一実施例を示す断
面図である。 ２・・・回路基板 ４・・・ペアチップ（半導体素子） １６・・・封止樹脂 １８・・・ガードリング −杯ζ 第２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体が設置された回路基板の前記半導体の周囲部に
ガードリングを形成し、このガードリングの内部に封止
樹脂を充填させて半導体を封止する半導体封止方法にお
いて、 前記回路基板の前記ガードリングを形成すべき部分に封
止樹脂を供給しながら、前記回路基板に供給された前記
封止樹脂を加熱して硬化させることを特徴とする半導体
封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290352A JPH04163926A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290352A JPH04163926A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04163926A true JPH04163926A (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=17754934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290352A Pending JPH04163926A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04163926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0568392A3 (en) * | 1992-04-30 | 1995-11-08 | Sharp Kk | Assembly structure and assembling method of flat type display device and apparatus and method for supplying and curing resin therefor |
| CN103137523A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-06-05 | 株式会社安川电机 | 机器人系统和工件制造方法 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2290352A patent/JPH04163926A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0568392A3 (en) * | 1992-04-30 | 1995-11-08 | Sharp Kk | Assembly structure and assembling method of flat type display device and apparatus and method for supplying and curing resin therefor |
| CN103137523A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-06-05 | 株式会社安川电机 | 机器人系统和工件制造方法 |
| JP2013111736A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Yaskawa Electric Corp | ロボットシステムおよび加工品の製造方法 |
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