JPH0220032A - 半導体素子の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体素子の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH0220032A JPH0220032A JP63170164A JP17016488A JPH0220032A JP H0220032 A JPH0220032 A JP H0220032A JP 63170164 A JP63170164 A JP 63170164A JP 17016488 A JP17016488 A JP 17016488A JP H0220032 A JPH0220032 A JP H0220032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealing
- semiconductor element
- chip
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は集積回路など半導体素子を回路基板上に樹脂で
封止する方法に関するものである。
封止する方法に関するものである。
[従来の技術]
集積回路は回路基板上にダイボンディングした後でワイ
ヤボンディングし、その後この集積回路は、この回路の
信頼性確保やワイヤの保護のため、封IL用樹脂でこの
ワイヤの高さ以上に盛りあげてこの集積回路を封止する
ことは良く知られている。
ヤボンディングし、その後この集積回路は、この回路の
信頼性確保やワイヤの保護のため、封IL用樹脂でこの
ワイヤの高さ以上に盛りあげてこの集積回路を封止する
ことは良く知られている。
このような封止方法の従来例の第1は、集積回路の封止
範囲の境界と同一の内面形状の封止枠を回路基板のこの
封止範囲の外側に置き、この封止枠内に封止用樹脂を滴
下して集積回路を封止する方法である。また従来例の第
2は封止範囲の境界に撥水撥油樹脂例えばシリコン樹脂
を塗布してその内側に封止用樹脂を滴下して集積回路を
封止する方法である。
範囲の境界と同一の内面形状の封止枠を回路基板のこの
封止範囲の外側に置き、この封止枠内に封止用樹脂を滴
下して集積回路を封止する方法である。また従来例の第
2は封止範囲の境界に撥水撥油樹脂例えばシリコン樹脂
を塗布してその内側に封止用樹脂を滴下して集積回路を
封止する方法である。
〔解決しようとする課題]
しかし封止枠を使用する第1の封止方法では、この枠自
体及びこの枠の取付けに余分の費用が掛り、そのためコ
スト高となり、さらに封止枠の厚さや幅が増加すること
になり、完成した時計等の薄型化の障害となることがあ
る。また前記第2の例の撥水撥油樹脂を塗布する方法で
は、封止用樹脂を滴下し易いように加熱することが行な
われるが、高温で低粘度となる封止用樹脂に対しては、
所望の高さの封止(ポツティング)が得られ難く、また
その樹脂の流出防止の効果が不十分である。
体及びこの枠の取付けに余分の費用が掛り、そのためコ
スト高となり、さらに封止枠の厚さや幅が増加すること
になり、完成した時計等の薄型化の障害となることがあ
る。また前記第2の例の撥水撥油樹脂を塗布する方法で
は、封止用樹脂を滴下し易いように加熱することが行な
われるが、高温で低粘度となる封止用樹脂に対しては、
所望の高さの封止(ポツティング)が得られ難く、また
その樹脂の流出防止の効果が不十分である。
そこで本発明の目的は、低コストで確実に所定の高さの
ボッティングができる半導体素子の樹脂封止方法に関す
るものである。
ボッティングができる半導体素子の樹脂封止方法に関す
るものである。
[課題を解決するための手段]
本発明の特徴は、実装される半導体素子の封止範囲の境
界を囲むようにパターン面上に発熱抵抗体が絶縁被膜を
介して形成してある基板に、上記半導体素子を実装し、
その後で上記封止範囲内の上記半導体素子を覆うように
封止用樹脂を滴下し、上記発熱抵抗体に通電し、この通
電による上記発熱抵抗体の熱により上記封止用樹脂を加
熱しつつ硬化させることにある。
界を囲むようにパターン面上に発熱抵抗体が絶縁被膜を
介して形成してある基板に、上記半導体素子を実装し、
その後で上記封止範囲内の上記半導体素子を覆うように
封止用樹脂を滴下し、上記発熱抵抗体に通電し、この通
電による上記発熱抵抗体の熱により上記封止用樹脂を加
熱しつつ硬化させることにある。
[実施例]
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図において、プリント基板1には、配線パターン2
が形成されている。配線パターン2面上には半導体素子
(ICチップ)3がグイボンディングしてあり、さらに
ワイヤボンディングして実装されるようになっている。
が形成されている。配線パターン2面上には半導体素子
(ICチップ)3がグイボンディングしてあり、さらに
ワイヤボンディングして実装されるようになっている。
プリント基板1の配線パターン2面上には、ICチップ
3のポツティング範囲の境界を囲むように、発熱抵抗体
4が絶縁被膜5を介して形成してある。発熱抵抗体4は
、シリコン樹脂にカーボンなどの導電性物質を混入した
ものを使用する。
3のポツティング範囲の境界を囲むように、発熱抵抗体
4が絶縁被膜5を介して形成してある。発熱抵抗体4は
、シリコン樹脂にカーボンなどの導電性物質を混入した
ものを使用する。
封止範囲内にICチップ3を実装し、この実装されたI
Cチップ3を覆うように封止用樹脂6を滴下する。そこ
で発熱抵抗体4の両端4a、4bに電圧を印加しながら
樹脂全体を加熱する。封止用樹脂は、加温されることに
よって瞬間的には粘性が低下したような現象が見られる
が、硬化反応が促進され、煙状のガスを放出しなから封
止用樹脂6が全体的に硬化する。
Cチップ3を覆うように封止用樹脂6を滴下する。そこ
で発熱抵抗体4の両端4a、4bに電圧を印加しながら
樹脂全体を加熱する。封止用樹脂は、加温されることに
よって瞬間的には粘性が低下したような現象が見られる
が、硬化反応が促進され、煙状のガスを放出しなから封
止用樹脂6が全体的に硬化する。
次に実験例として、従来の撥水撥油樹脂としてシリコン
樹脂を塗布したものと本発明の発熱抵抗体を使用したも
のを対比したものを示す。これは直径8.0ml中に封
止用樹脂を滴下した場合、封止範囲に止まる、つまり流
れ止め効果を示す封止用樹脂の重量について対比したも
のである。
樹脂を塗布したものと本発明の発熱抵抗体を使用したも
のを対比したものを示す。これは直径8.0ml中に封
止用樹脂を滴下した場合、封止範囲に止まる、つまり流
れ止め効果を示す封止用樹脂の重量について対比したも
のである。
従来の撥水撥油樹脂としてシリコン樹脂を塗布してその
内側に封止用樹脂を滴下した例では、1.0〜1.5g
であった。
内側に封止用樹脂を滴下した例では、1.0〜1.5g
であった。
これに対してシリコン樹脂にカーボンを混入した発熱抵
抗体を使用した例では、1.8〜2.2gの封止用樹脂
を封止範囲内に確保することができた。
抗体を使用した例では、1.8〜2.2gの封止用樹脂
を封止範囲内に確保することができた。
[効果]
以上のように本発明によると、封止用樹脂が敏速に硬化
させることができるため、半導体素子を封止する封止用
樹脂の流れ止め効果が向上し、封止範囲内での封止用樹
脂の高さ、幅などを増加させることができ、そのため半
導体素子を確実に封止することができるものである。
させることができるため、半導体素子を封止する封止用
樹脂の流れ止め効果が向上し、封止範囲内での封止用樹
脂の高さ、幅などを増加させることができ、そのため半
導体素子を確実に封止することができるものである。
図面は本発明の一実施例を示すものであって、第1図は
平面図、第2図は第1図A−A線拡大断面図である。 1・・・基板、 ・パターン、 ・半導体素子、 ・発熱抵抗体、 ・絶縁被膜、 ・封止用樹脂。 以 上
平面図、第2図は第1図A−A線拡大断面図である。 1・・・基板、 ・パターン、 ・半導体素子、 ・発熱抵抗体、 ・絶縁被膜、 ・封止用樹脂。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 実装される半導体素子の封止範囲の境界を囲むようにパ
ターン面上に発熱抵抗体が絶縁被膜を介して形成してあ
る基板の上記パターン面に、上記半導体素子を実装し、 その後で上記封止範囲内の上記半導体素子を覆うように
封止用樹脂を滴下し、 上記発熱抵抗体に通電し、 この通電による上記発熱抵抗体の熱により上記封止用樹
脂を加熱しつつ硬化させる ことを特徴とする半導体素子の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170164A JPH0220032A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170164A JPH0220032A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220032A true JPH0220032A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15899870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170164A Pending JPH0220032A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850690A (en) * | 1995-07-11 | 1998-12-22 | De La Rue Cartes Et Systemes Sas | Method of manufacturing and assembling an integrated circuit card |
| US6848173B2 (en) * | 1994-07-07 | 2005-02-01 | Tessera, Inc. | Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63170164A patent/JPH0220032A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6848173B2 (en) * | 1994-07-07 | 2005-02-01 | Tessera, Inc. | Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor |
| US5850690A (en) * | 1995-07-11 | 1998-12-22 | De La Rue Cartes Et Systemes Sas | Method of manufacturing and assembling an integrated circuit card |
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