JPH04164298A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線画像変換パネルの製造方法に関し、詳
しくは、画像の鮮鋭性の高い放射線画像変換パネルの製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

例えば医療の分野においては、病気の診断にＸ線画像の
ような放射線画像か多く用いられている。

放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を撮る
ときと同しように、銀塩を使用したフィルムに照射して
現像する、いわゆる放射線写真法か一般的であった。

しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しない
で蛍光体層から直接画像を取り出す方法として、被写体
を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この蛍
光体を例えば光または熱エネルギーで励起することによ
り、この蛍光体に吸収されて蓄積されていた放射線エネ
ルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像
化する方法が提案されている。

例えば米国特許第３．８５９．５２７号明細書、特開昭
５５−１２１４４号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可
視光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画
像変換方法か示されている。この方法は、基板上に輝尽
性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用する
ものであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて
潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励
起光で走査することによって各部に蓄積された放射線エ
ネルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱によ
る光信号を例えは光電変換し、画像再生装置により画像
化するものである。この最終的な画像はハードコピーと
して再生されるか、またはＣＲＴ上に再生される。

このような放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルには、前述の蛍光ス
クリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に、放射線
吸収率および光変換率（両者を含めて以下［放射線感度
ｊと称する）か高いことか必要であり、しかも画像の粒
状性かよく、さらに高鮮鋭性であることか要求される。

しかるに、画像の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝
尽性蛍光体層の層厚か薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性
の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化か必要であ
った。

一方、画像の粒状性は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（
量子モトル）あるいは放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層の構造的乱れ（構造モトル）等によって決定され
るので、輝尽性蛍光体層の層厚か薄くなると、輝尽性蛍
光体層に吸収される放射線量子数か減少して量子モトル
か増加し、構造的乱れか顕在化して構造モトルか増加し
て画質の低下を生ずる。従って、画像の粒状性を向上さ
せるためには、輝尽性蛍光体層の層厚は厚くする必要か
あった。

このように、従来の放射線画像変換パネルは、放射線感
度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性とか輝尽性蛍光
体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示すので、放射
線感度および粒状性と、鮮鋭性とがある程度相互に犠牲
にされる状態で製造されてきた。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
手段かいくつか提案されている。例えば放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層中に白色粉体を混入する手段（
特開昭５５−１４６４４７号公報参照）、放射線画像変
換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起光波長領域における
平均反射率か当該輝尽性蛍光体の輝尽発光波長領域にお
ける平均反射率よりも小さくなるように着色する手段（
特開昭５５−１６３５００号公報参照）等か提案されて
いる。しかし、これらの手段では、鮮鋭性は改善される
か、その結果必然的に放射線感度か低下する問題かある
。

一方、本願の出願人によって、輝尽性蛍光体を用いた放
射線画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した技術
として、表面に多数の微細な凹凸パターンを有する支持
体に、この表面構造をそのまま引き継ぎ支持体に対して
ほぼ垂直方向に成長した微細な柱状構造（以下「微細柱
状構造」という）からなる輝尽性蛍光体層を形成する手
段か本願の出願人によって提案されている（特開昭６１
−１４２４９７号公報参照）。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記の特開昭６１−１４２４９７号公報の技術
では、支持体の表面に多数の微細な凹凸パターンを形成
することか必要であるか、この凹凸パターンは、支持体
そのものをエンボッシュするエンボッシュ法、光、熱、
薬品等て支持体に固着硬化する樹脂を素材とするインク
を用いてクラビア法またはシルク法等により印刷した後
、乾燥、硬化処理を行う印刷法または写真蝕刻法により
形成しなければならないため、凹凸パターンの形成工程
か複雑であり、手間のかかる問題かある。

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関連し、これをさらに改良するものであり、本発明の目
的は放射線感度および粒状性か向上すると共に鮮鋭性の
高い画像を与える放射線画像変換パネルの製造方法を提
供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

以上の目的を達成するために、本発明者らか鋭意研究を
重ねた結果、支持体の表面に当該支持体の表面物質とは
熱伝導率か異なる物質からなるパターン層を設け、この
パターン層側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により
堆積させることによリ、比較的簡易に良好な微細柱状構
造からなる輝尽性蛍光体層を形成することかできること
を見出して、本発明を完成するに至ったものである。

そこて、本発明の放射線画像変換パネルの製造方法は、
支持体上に輝尽性蛍光体層を備えた放射線画像変換パネ
ルの製造方法において、支持体の表面に当該支持体の表
面物質とは熱伝導率か異なる物質からなる微細なパター
ン層を設け、このパターン層側の面上に輝尽性蛍光体を
気相堆積法により堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する
ことを特徴とする。

以下、本発明を具体的に説明する。

本発明においては、第１図および第２図に示すように、
放射線画像変換パネル（以下適宜「変換パネル」と略称
する）の支持体１の表面に、当該支持体１の表面物質と
は熱伝導率か異なる物質からなるパターン層２を設ける
。

支持体１の表面物質の熱伝導率をＫ　ｓ、パターン層２
の熱伝導率を■＜ｐとするとき、温度３００Ｋにおける
両者の比の値か ｏ、２＞Ｋｓ／Ｋｐ を満足するか、または Ｋ　ｓ　／　Ｋ　ｐ　＞　５ を満足することが好ましい。

支持体１の構成材料としては、各種高分子材料、セラミ
クス、ガラス、金属等を用いることかできる。具体的に
は、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートセル
ロースフィルム、ポリカーホネートフィルム等のプラス
チックフィルム、セラミクス板、ガラス板、アルミニウ
ム、鉄、銅、クロム等の金属シート、金属酸化物の被覆
層を有する金属シート等を挙げることかできる支持体ｌ
の厚さは、その材質等によって異なるか、一般的には１
００μｍ〜５ｍｍか好ましく、取扱いの便利性から、特
に２００μｍ〜２ｍｍが好ましい。

また、支持体１は、高分子材料、ガラス、セラミクス等
の非金属製の語根の表面に、光反射層や遮光層を設けた
構成であってもよい。この場合は、支持体１の表面物質
の熱伝導率Ｋｓは光反射層や遮光層を構成する物質の熱
伝導率によって決定される。

パターン層２を構成するパターン物質としては、金属、
有機絶縁材料、フォトレジスト材料等を用いることかで
きる。具体的には、ガラス、セラミクスよりなる支持体
１の表面に金属からなるパターン層２を設ける構成、金
属からなる支持体Ｉの表面に、有機絶縁材料やフォトレ
ジスト材料からなるパターン層２を設ける構成、ＰＥＴ
　（ポリエチレンテレフタレート）やＴＡＣ（）リアセ
テートセルロース）からなる支持体１の表面に、金属か
らなるパターン層２を設ける構成等を採用することかで
きる。

パターン層２の形態は特に限定されないが、パターン層
２と、このパターン層２により囲まれた部分のうち、熱
伝導率か低い方の部分に選択的に輝尽性蛍光体の微細な
柱状結晶が堆積していくので、最終的に得られる微細柱
状構造の輝尽性蛍光体層の状態を考慮して最適な形態を
選択することか望ましい。具体的には、第１図（ａＬ　
（Ｃ）に示すような格子状、または第１図（ｂ）に示す
ような六角形状、およびそのネカ・ポジの関係にあたる
各島状の形態等を挙げることかできる。また熱伝導率の
高い部分の大きさは５〜１５μｍか好ましく、熱伝導率
の低い部分の大きさは３０〜５０μｍか好ましい。

パターン層２の厚さは、１０２〜ＩＯ５人か好ましく、
特に１０３〜１０４　人が好ましい。

本発明においては、以上のようにして得られた、表面に
パターン層２か設けられた支持体１を用い、このパター
ン層２側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆積
させて微細柱状構造からなる輝尽性蛍光体層を形成する
。

輝尽性蛍光体層の形成手段である気相堆積法としては、
真空蒸着法（以下適宜単に［蒸着法Ｊと記す）、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法等を挙
げることかできる。

気相堆積法によれば、一般に、結晶成長か促進される結
晶面と、部分的に雰囲気ガス等か吸着されて結晶成長が
抑制される面か生ずる。しかるに本発明においては、支
持体１の表面に当該支持体１の表面物質とは熱伝導率か
異なる物質からなるパターン層２を設けているのて、熱
伝導率の低い部分に選択的に輝尽性蛍光体の結晶か成長
するようになり、この結晶成長か促進される面は、蒸発
分子または原子か付着する方向にとんとん成長する。一
方、熱伝導率の高い部分は、熱伝導率の低い部分に比へ
て蛍光体材料か気相堆積する確率か低いことにより支持
体平面方向への結晶成長か抑制されて、輝尽性蛍光体の
堆積か少なく、結晶の成長方向すなわち輝尽性蛍光体層
の層厚方向に伸びる細長い形状の亀裂（クラック）か発
生するようになる。このように支持体１のパターン層２
か設けられた側の面には、輝尽性蛍光体層の層厚方向に
多数の微細なりラックを有する微細柱状構造からなる輝
尽性蛍光体層か形成される。

例えば蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場合には
、パターン層２を設けた支持体１を蒸着装置内に設置し
た後、蒸着装置内を排気して１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真
空度とする。次いて、パターン層２が設けられた支持体
１を４００°Ｃ以下の温度に加熱して、輝尽性蛍光体の
少なくとも１種を抵抗加熱法、電子ビーム法等の方法に
より加熱蒸発させて、支持体ｌのパターン層２か設けら
れた側の表面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる
。

この結果、結着剤を含存しない輝尽性蛍光体層か形成さ
れるか、蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を
形成することも可能である。また蒸着工程では、複数の
抵抗加熱器または電子ヒームを用いて共蒸着を行うこと
も可能である。

蒸着終了後、必要に応して輝尽性蛍光体層の支持体側と
は反対側の面に直接または空隙を介して保護層を設けて
もよい。

また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵
抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着し、支持体の
パターン層か設けられた側の表面で目的とする輝尽性蛍
光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成すること
も可能である。

さらに、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸
着物（支持体または保護層）を冷却または加熱してもよ
い。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理して
もよい。また、蒸着法においては、必要に応じて０２．
Ｈ２等のガスを導入して反応性蒸着を行ってもよい。

例えばスパッタリング法により輝尽性蛍光体層を形成す
る場合には、蒸着法と同様にパターン層を有する支持体
をスパッタリング装置内に配置した後、装置内を一旦排
気してｌ（１”’Ｔｏｒｒ以下の真空度とし、次いて、
スパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガ
スをスパッタリング装置内に導入して、１Ｏ−３Ｔｏｒ
ｒ程度のガス圧とする。

次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリン
グすることにより、支持体のパターン層か設けられた側
の表面に輝尽性蛍光体層を所定の厚さに堆積させる。

このスパッタリンク工程では、蒸着法と同様に複数回に
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のター
ゲットを用いて、同時または順次、ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。

スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必要に応して輝
尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直接または空隙
を介して保護層を設けてもよい。

スパッタリング法においては、複数の輝尽性蛍光体原料
をターゲットとして用い、これを同時または順次スパッ
タリングして、支持体のパターン層が設けられた側の表
面で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に、輝尽
性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッ
タリング法においては、必要に応じて０２．Ｈ２等のガ
スを導入して反応性スパッタリングを行ってもよい。

さらに、スパッタリング法においては、スパッタリング
時に必要に応じて被蒸着物（支持体または保護層）を冷
却または加熱してもよい。また、スパッタリング終了後
、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。

例えばＣＶＤ法により輝尽性蛍光体層を形成する場合に
は、輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解す
ることにより、支持体のパターン層か設けられた側の表
面に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を形成する。

輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射線画像変換パ
ネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るか、３０〜１０００μｍか好ましく、特に５０〜５０
０μｍか好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚か小さすぎる
ときは、放射線吸収率か低下するため放射線感度か悪く
なり、また画像の粒状性か低下し、さらには輝尽励起光
の横方向への広がりか増大するため画像の鮮鋭性か恕く
なる。

輝尽性蛍光体層の形成工程において、輝尽性蛍光体層の
堆積速度は０．１〜５０μｍ／分か好ましい。

堆積速度かあまり小さいと生産性か低くなり、堆積速度
があまり大きいと堆積速度のコントロールか困難となる
。

輝尽性蛍光体層の形成工程において、ヒータて支持体を
加熱する際の支持体の温度は４００　’Ｃ以下か好まし
い。この温度かあまり高いときは、結晶化の進行により
画像の鮮鋭性か低下しやすい。

本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最初の光または
高エネルギー放射線か照射された後に、先約、熱的、機
械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）により
、最初の光または高エネルギー放射線の照射量に対応し
た輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的な面からは、
波長が５００ｎｍ以」二の輝尽励起光によって輝尽発光
を示す蛍光体か好ましい。

輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体としては、以下
のものを用いることかできる。

（１）特開昭４８−８０４８７号公報に記載のＢａ５Ｏ
。

Ａ、　　（たたし、Ａは、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｔｍの少なくと
も１種を表し、Ｘは０．００１≦ｘ＜］モル％を満たす
数を表す。）で表される蛍光体。

（２）特開昭４８−８０４８８号公報に記載のＭ　ｇ　
Ｓ　Ｏ＋Ａ、（ただし、Ａは、ＨＯまたはＤｙのいずれ
かを表し、Ｘは（１，００１≦Ｘ＜］モル％を満たす数
を表す。）で表される蛍光体。

（３）特開昭４８−８０４８９号公報に記載の５ｒＳＯ
ｔＡ、（たたし、Ａは、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｔｍの少なくとも
１種を表し、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％を満たす数
を表す。）で表されている蛍光体。

（４）特開昭５１＝　２９８８９号公報に記載のＮａ２
ＳＯ４゜Ｃａ　Ｓ　Ｏｈ　、　Ｂ　ａ　Ｓ　Ｏｈ等にＭ
ｎ、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも１種を添加した蛍光体。

（５）特開昭５２−３０４８７号公報に記載のＢｅ○、
ＬｉＦ、Ｍｇｓ○ｉ、ｃａＦ２等の蛍光体。

（６）特開昭５３−３９２７７号公報に記載のＬｉ２Ｂ
＋０７：Ｃ１４，Ａｇ等の蛍光体。

（７）特開昭５４−４７８８３号公報に記載のＬ　ｌ　
２０・（Ｂ２０２）、：Ｃｕ　（ただし、Ｘは２＜ｘ≦
３を満たす数を表す。）、Ｌ１□Ｏ・　（Ｂ２０２）。

：Ｃｕ、　Ａｇ　（たたし、Ｘは２＜ｘ≦３を満たす数
を表す。）等の蛍光体。

（８）米国特許第３．８５９．５２７号明細書に記載の
ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌａ２Ｏ２
Ｓ　：　Ｅｕ、Ｓｍ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ　
（たたし、Ｘはハロケンを表す。）で表される蛍光体。

（９）特開昭５５−１２１４２号公報に記載のＺｎＳ　
：　Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体。

（１０）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式かＢ
ａＯ−ｘＡＩ１２０．：Ｅｕ（たたし、Ｘは０８≦Ｘ≦
１０を満たす数を表す。）で表されるアルミン酸バリウ
ム蛍光体。

（１１）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式かＭ
ＡＯ・ｘｓｉｏ２　：Ａ（ただし、ＭＡは、Ｍｇ、Ｃａ
。

Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂａを表し、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、　
　Ｅｕ、　Ｔｍ、　　Ｐｂ、　ＴＩ２．　　Ｂｉ、　Ｍ
ｎの少なくとも１種を表し、Ｘは、０．５≦ｘ＜２．５
を満たす数を表す。）で表されるアルカリ土類金属ケイ
酸塩系蛍光体。

（１２）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式か（
Ｂａ＋−ｘ−ｙ　ＭｇｙＣａｙ　）ＦＸ　：　ｅＥｕ”
　（たたし、Ｘは、Ｂｒ、ＣＩの少なくとも１種を表し
、Ｘ。

ｙ、ｅは、それぞれ、０　＜Ｘ十ｙ≦０．６、ｘｙ≠０
１１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２を満たす数を表す。）で
表される蛍光体。

（１３）同５５−１２１４２号公報に記載の一般式かＬ
ｎＯＸ：ｘＡ（たたし、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄ、ＬＵ
の少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃβ、Ｂｒの少なくと
も１種を表し、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂの少なくとも１種を表
し、Ｘは、Ｏ＜ｘ＜０．１を満たす数を表す。）で表さ
れる蛍光体。

（１４）特開昭５５−１２１４５号公報に記載の一般式
か（Ｂ　ａ　１−（ＭＡ）　−）　ＦＸ　：　ｙ　Ａ　
（たたし、ＭＡは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄの少
なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃ’１２．　　Ｂｒ、　　
Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、
Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒの少なくと
も１種を表し、ｘ、　　ｙは、０≦Ｘ≦０．６．０≦ｙ
≦０２を満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１５）特開昭５５−８４３８９号公報に記載の一般式
かＢａＦＸ：ｘＣｅ、ｙＡ（たたし、Ｘは、Ｃ１，Ｂｒ
、Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｉｎ、Ｔ１、Ｇｄ
、Ｓｍ、Ｚｒの少なくとも１種を表し、ｘ、　　ｙは、
０＜ｘ≦２ＸＩＯ−’、Ｑ＜ｙ≦５ＸＩＯ−’を満たす
数を表す。）で表される蛍光体。

（１６）特開昭５５−１６００７８号公報に記載の一般
式がＭＡ　ＦＸ−ｘＡ：ｙＬｎ　（たたし、ＩＶＩｋは
、Ｍｇ。

Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｃｌの少なくとも１種を表
し、Ａは、ＢａＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓｒ○。

ＢａＯ，Ｚｎ○、Ａ１２０３　、　　Ｙ２　０３　、　
　Ｌａ２０ｚ、　　Ｔｎ２０３，５ＩＯ２，’ｒｉ○ｘ
、　　Ｚ　ｒ　Ｏ２゜Ｇｅ○ｚ、ｓｎ○２．Ｎｂ２０ｓ
、Ｔａ２０ｉ＋Ｔ　ｈ　Ｏ２の少なくとも１種を表し、
Ｌｎは、Ｅｕ。

Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅ
ｒ、Ｓｍ、Ｇｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、ＣＩ２
．Ｂｒ、Ｉの少なくとも１種を表し、ｘ、ｙは、５Ｘｌ
Ｏ−５≦Ｘ≦０．５、Ｑ＜ｙ≦０．２を満たす数を表す
。）で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライ
ド蛍光体。

（１７）同５５−１６００７８号公報に記載の一般式か
Ｚｎ５Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ａ、ＣｄＳ　：Ａ、Ｚ
ｎＳ　：Ａ、　　ｘ、　ＣｄＳ　：Ａ＋　　Ｘ　（ただ
し、Ａは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｎのいずれかを表し、
Ｘは、ハロケンを表す。）で表される蛍光体。

（１８）特開昭５９−３８２７８号公報に記載の一般式
ＣＩ）　　ＸＭ＋　（Ｐｏｔ　）２　　・ＮＸ２　：ｙ
Ａ一般式（ＩＩ）　　Ｍ２　（ＰＯ４）２　・ＭＡ−１
９＝ （式中、Ｍ、　Ｎは、それぞれ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ。

Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ、
ＣＣＢｒ、Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔ
ｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、　　Ｈｏ。

Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、ＴＩ２．Ｍｎ、Ｓｎの少なく
とも１種を表し、ｘ、　　ｙは、Ｏ＜ｘ≦６．０≦ｙ≦
１を満たす数を表す。）で表される蛍光体。

（１９）特開昭５９−１５５４８７号公報に記載の一般
式（１〕ｎＲｅＸｚ・ｍＡＸ’ｔ：　ｘＥｕ一般式（Ｉ
Ｖ）ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ、ｙＳｍ（式中、
Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、’Ｙ、Ｌｕの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの少なくとも１種のアルカ
リ土類金属を表し、Ｘ、Ｘ”は、Ｆ、ＣＩ２．Ｂｒの少
なくとも１種を表し、Ｘ。

ｙは、Ｉ　ＸＩＯ’＜　Ｘ　＜　３　Ｘ１Ｑ−’、ｌ　
ＸＩｏ−’＜　ｙ　＜ｌＸｌ０−’を満たす数を表し、
ｎ／ｍは、］、Ｘｌ０−’＜ｎ／ｍ＜７ｘｌＯ’を満た
ず数を表す。）で表される蛍光体。

（２０）特開平２−５８５９３号公報に記載の一般式％
式％ （式中、Ｘ、Ｙは、Ｆ、ＣＣＢｒ、Ｔの少なくとも１種
を表し、Ｘｆ−Ｙてあり、ａ、　　ｂは、Ｏくａ　＜　
ｌ　、　１．０−５＜　ｂ　＜１０−’を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。

（２１）特開昭６ｉ　７２０８７号公報に記載の一般式
％式％： （ただし、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、Ｍ８は、Ｂｅ、Ｍｇ
、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｎｉの少な
くとも１種の２価の金属を表し、Ｍｏは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、　　Ｓｒｎ、　　Ｅｕ、
　　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ、　　Ｅｒ。

Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、ＡＣＧａ、Ｉｎの少なくとも１種の
３価の金属を表し、ｘ、ｘ’　、ｘ”は、Ｆ、ＣＡ、Ｂ
ｒ、Ｔの少なくとも１種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ
、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ。

Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ
、Ｔβ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇの少なくとも１種の金
属を表し、ａ、ｂ、ｃは、０≦ａく０５．０≦ｂ＜０．
５、Ｏ＜ｃ≦０．２を満たす数を表す。）で表されるア
ルカリハライド蛍光体。

本発明においては、特に、このアルカリハライド蛍光体
を好ましく用いることかできる。

たたし、本発明においては、以上の蛍光体に限定されず
、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝
尽蛍光を示す蛍光体であれはその他の蛍光体をも用いる
ことかできる。

第３図は本発明の製造方法により得られた放射線画像変
換パネルを用いて構成された放射線画像変換装置の概略
を示し、３は放射線発生装置、４は被写体、５は放射線
画像変換パネル、６は輝尽励起光源、７は放射線画像変
換パネル５より放射された輝尽発光を検出する光電変換
装置、８は光電変換装置７て検出された信号を画像とし
て再生する再生装置、９は再生装置８により再生された
画像を表示する表示装置、１０は輝尽励起光と輝尽発光
とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルターであ
る。

第３図の放射線画像変換装置においては、放射線発生装
置３からの放射線Ｒは被写体４を通して放射線画像変換
パネル５に入射する。この入射した放射線Ｒ１は放射線
画像変換パネル５の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエ
ネルギーか蓄積され、放射線透過像の蓄積像か形成され
る。次に、この蓄積像を輝尽励起光源６からの輝尽励起
光て励起して輝尽発光として放射させる。

放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネル
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置７て光電変換し、再生装置８によっ
て画像として再生し、表示装置９によって表示すること
により、被写体４の放射線透過像を観察することができ
る。

以上のように本発明の製造方法では、支持体の表面に当
該支持体の表面物質とは熱伝導率か異なる物質からなる
パターン層を設け、このパターン層側の面上に輝尽性蛍
光体を気相堆積法により堆積させて輝尽性蛍光体層を形
成するので、簡単にかつ確実に微細柱状構造の輝尽性蛍
光体層が得られる。従って、得られた変換パネルによれ
ば、放射線感度および画像の粒状性のみならず、画像の
鮮鋭性をも十分に満足する放射線画像を形成することか
できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例と共に説明するか、本発
明はこれらの態様に限定されるものではない。

〔実施例１〕 第４図に示すように、厚さが１．ｏｍｍで表面か平滑な
結晶化ガラス板からなる支持体１の表面に、厚さか３０
００人のアルミニウム膜からなり、第１図（ａ）に示す
ようなパターン形状において、間隔ａか５０μｍ、線幅
すが５μｍの格子状のパターン層２を蒸着法により形成
した。

なお、支持体１の表面物質（結晶化ガラス板）の熱伝導
率Ｋｓは１．５Ｗ／ｍ−にてあり、パターン層２の熱伝
導率Ｋｐは２３７Ｗ／ｍ　−Ｋである。

パターン層２か設けられた支持体１を蒸着装置内に配置
し、蒸着源容器内にＲｂＢｒ　：ＴＩ２　（輝尽性蛍光
体の材料）を充填して、この蒸着源容器を蒸着装置内に
配置した。

蒸着装置内を排気し、パターン層２を有する支持体１の
全体をその裏面側に配置されたヒータにより加熱して、
支持体１の全体の温度を１００°Ｃに設定し、蒸着装置
内にＡｒガスを導入して、雰囲気圧力を１　ｘ　ｔｏ−
６Ｔｏｒｒに設定した。

以上の条件下において、抵抗加熱により蒸着源容器内の
輝尽性蛍光体を蒸発させてこれを支持体１のパターン層
２側の表面に堆積させて、微細柱状構造からなる層厚か
１００μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、変換パネル八を
製造した。

なお、輝尽性蛍光体層の堆積速度は２μｍ／分となるよ
うに制御した。

以上のようにして得られた変換パネルＡの輝尽性蛍光体
層の断面および表面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）
により観察したところ、支持体上に設けた微細なパター
ン層２に沿って輝尽性蛍光体層の層厚方向にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層か形
成されていた。

また、変換パネル八に管電圧８０ｋＶのＸ線を１０ｍＲ
照射した後、半導体レーザ光（波長７８０ｎｍ）で輝尽
励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検
出器（光電子増倍管）て光電変換し、この信号を再生装
置によって画像として再生し、得られた画像により、画
像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、画像の鮮鋭性を評
価したところ、後述する比較例１の場合を１００とする
とき１２０（相対値）と高い値を示し、画像の鮮鋭性か
高いことか確認された。なお、変調伝達関数（ＭＴＦ）
は、空間周波数か２サイクル／ｍｍの時の値である。

〔実施例２〕 実施例１において、支持体１を、厚さか１．　Ｏｍｍの
アルミニウム板からなる支持体に変更し、パターン層２
を、厚さか３０００人の金（Ａｕ）膜からなり、間隔ａ
か３０μｍ１線幅すか１０μｍの格子状のパターン層に
変更したほかは、実施例１と同様にして変換パネルＢを
製造した。

なお、支持体ｌの表面物質（アルミニウム板）の熱伝導
率Ｋ　ｓは３６Ｗ／ｍ−にてあり、パターン層２の熱伝
導率■＜ｐは３１５Ｗ／ｍ−にである。

この変換パネルＢについて、実施例Ｉと同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層か形
成されていた。

また、変換パネルＢについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１１０　（相対値）と高い値
を示し、鮮鋭性か高いことが確認された。

〔実施例３〕 実施例１において、支持体１を、厚さが０．３ｍｍのＣ
−ＰＥＴ（カーホンポリエチレンテレフタレート）から
なる支持体に変更し、パターン層２を、厚さか３００Ｏ
Ａのアルミニウム膜からなり、間隔ａか３０μｍ、線幅
すか１０μｍの格子状のパターン層に変更したほかは、
実施例１と同様にして変換パネルＣを製造した。

なお、支持体１の表面物質（Ｃ−ＰＥＴ）の熱伝導率Ｋ
ｓは０．２Ｗ／ｍ−にであり、パターン層２の熱伝導率
Ｋｐは２３７Ｗ／＋ｎ−にである。

この変換パネルＣについて、実施例１と同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層か形
成されていた。

また、変換パネルＣについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１２０（相対値）と高い値を
示し、鮮鋭性か高いことが確認された。

〔実施例４〕 実施例１において、支持体１を、厚さか０．３ｍｍのア
ルミニウム板からなる支持体に変更し、パターン層２を
、厚さが５．０００人のフォトレジスト材料からなり、
間隔ａか５μｍ、線幅すが５０μｍの島状のパターン層
に変更したほかは、実施例１と同様にして変換パネルＤ
を製造した。

なお、支持体１の表面物質（アルミニウム）の熱伝導率
Ｋｓは２３７Ｗ／ｍ・■（てあり、パターン層２の熱伝
導率ｒ＜　ｐは０．２Ｗ／ｍ・■〈である。

この変換パネルＤについて、実施例１と同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層か形
成されていた。

また、変換パネルＤについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１１５（相対値）と高い値を
示し、鮮鋭性か高いことか確認された。

〔実施例５〕 実施例１において、パターン層を第１図（ｂ）に示すよ
うな六角形状のパターン形状に変更したほかは、実施例
１と同様にして変換パネルＥを製造した。

この変換パネルＥについて、実施例１と同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例Ｉと同様にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層が形
成されていた。

また、変換パネルＥについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１２ｏ（相対値）と高い値を
示し、鮮鋭性が高いことか確認された。

〔実施例６〕 実施例１において、パターン層を第１図（Ｃ）に示すよ
うな格子状のパターン形状に変更したほかは、実施例１
と同様にして変換パネルＦを製造した。

この変換パネルＦについて、実施例１と同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様にクラックか
存在していて良好な微細柱状構造の輝尽性蛍光体層か形
成されていた。

また、変換パネルＦについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１２０（相対値）と高い値を
示し、鮮鋭性か高いことか確認された。

〔比較例１〕 実施例１において、パターン層２を設けないほかは、実
施例１と同様にして比較用の変換パネルａを製造した。

この変換パ京ルａについて、実施例１と同様にしてＳＥ
Ｍにより観察したところ、クラックが発生しておらず、
微細柱状構造か不十分であった。

また、変換パネルａについて、実施例１と同様にして鮮
鋭性を評価したところ、　１００（相対値）と実施例１
の変換パネル八よりも劣っていた。

以上の実施例および比較例の内容を第１表にまとめて示
す。

以」二の第１表より明らかなように、実施例で得られた
変換パネルＡ−Ｆは、比較例で得られた菱換パネルａに
比較して、鮮鋭性が格段に優れている。

また、実施例で得られた変換パネルＡ−Ｆについて、放
射線感度および粒状性を評価したところ、いずれも十分
なものであった。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明の製造方法によれば
、支持体の表面に当該支持体の表面物質とは熱伝導率か
異なる物質からなるパターン層を設け、このパターン層
側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆積させて
輝尽性蛍光体層を形成するので、熱伝導率の相対的に低
い部分に選択的に輝尽性蛍光体か堆積するようになり、
その結果、クラック（亀裂）か輝尽性蛍光体層の層厚方
向に生じるようになり、優れた微細柱状構造からなる輝
尽性蛍光体層か得られる。従−って、放射線感度および
画像の粒状性のめならす、画像の鮮鋭性をも十分に満足
する放射線画像を形成できる放射線画像変換パネルを比
較的簡単に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａＬ　（ｂ）、　（Ｃ）はそれぞれ支持体の表
面にパターン層が設けられた状態を示す平面図、第２図
は第１図（ａ）の縦断端面図、 第３図は放射線画像変換装置の概略を示す説明図、 第４図は実施例に係る支持体およびパターン層の端面図
である。 １・・支持体　　　　　　２・パターン層３・・・放射
線発生装置　　４・被写体５　放射線画像変換パネル ６　・輝尽励起光源　　　７・・光電変換装置８・・再
生装置　　　　　９　表示装置１０−フィルタニ 十２図 士３図 ；＋−１図（Ｃ） 矛４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体上に輝尽性蛍光体層を備えた放射線画像変換パネ
   ルの製造方法において、 支持体の表面に当該支持体の表面物質とは熱伝導率が異
   なる物質からなる微細なパターン層を設け、このパター
   ン層側の面上に輝尽性蛍光体を気相堆積法により堆積さ
   せて輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする放射線
   画像変換パネルの製造方法。