JPS6239800A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野１ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくはｆＦ鋭性の高い放射
線画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法
に関するものである。 【従来技術】 Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸＲ画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体Ｎ（蛍光スクリー’）Ｘｌ−Ｍｆｌ＃１
−ｈｌ−１−ｎ’７４丁４ｎ、〜Ｖ、Ｌｊ４・Ｉ−Ｊユ
μｍｒ”の可視光を通常の写真をとるときと同じように
銀塩を使用したフィルムに照射して現像した、いわゆる
放射線写真が利用されている。しかし、近年銀塩を塗布
したフィルムを使用しないで蛍光体層から直接画像を取
り出す方法が工夫されるようになった。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし、
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許３　ｒ　８５９　＋　５２７号及
び特開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可
視光線又は赤外線をＸ＋ｌＩ尽励起光励起光放射線画像
変換方法が示されている。この方法は支持体上に１１１
尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用す
るもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射ａ
透過度に対応する放射線エネルギーをＷｖｔさせて潜像
を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光
で走査することによって各部の蓄積された放射線エネル
ギーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱によ
る光信号により画像を得るものである。この最終的な画
像はハードコピーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上に
再生してもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μＩＩＩ程度の粒子状の輝尽性
蛍光体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保
護層上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体
の充填密度が低く（充填率５０９６）、放射線感度を充
分高くするには第５図（、）に示すように輝尽性蛍光体
層の層厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
ｍのときに輝尽性蛍光体の耐着量は５０＋ａｇ／ｃ＋ｏ
’であり、層厚が３５０μ「ｎまでは放射線感度は直線
的に増大して４５０μｍ以上で飽和する。尚、放射線感
度が飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると
、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光体層の故ＳＬのた
め輝尽性蛍光体層内部での輝尽発光が外部に出てこなく
なるためでりる。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における′画
像の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変
換パーネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向
にあり、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄
層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射ｉｎ量子数場所的ゆらぎ（１子七トル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、１１Ｉ尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して量子モトルが増加したす構造的
乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
（、輝尽ｖＪｈ起尤の該パネル内での広がりに依存して
決まる。なぜならばこの放射線画像変換方法においては
、放射線画像変換パネルにＩＩ積された放射線画像情報
は時系列化されて取り出されるので、ある時間（シｉ）
に照射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全
て採光されその時間に輝Ｉ？−励起光が照射されていた
該パネル上のある画素（ｘｉ、ｙｉ）からの出力として
記録されるが、もしＸ１ｌｌ尽励起光が該パネル内で散
乱等により広がり、照射画素（に１ｅｙｉ）の外側に存
在する輝尽性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘｉ
、ｙｉ）なる画素からの出力としてその画素よりも広い
領域からの出力が記録されてしまうからである。従って
、ある時間（ｔｉ）に照射された輝Ｆ！、励起尤による
輝尽発光が、その時間（ｔｉ）忙輝尽励起光が真に照射
されていた該パネル上の画素（ｘｉ＋ｙｉ）からの発光
のみであれば、゛その発光がいかなる広がりを持つもの
であろうと得られる画像の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつが考案されて米だ。例えば特開昭５５−１４
６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３５
００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝
尽励起波艮頒域における平均反射率が前記輝尽性蛍光体
の輝尽発光波長頚城における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が者しく低下してし
まい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既にｖｊ願昭５９−１９６３
６５号において前述のような１４１尽性蛍光体を用いた
放射線画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新
規な放射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しない放射線画像変換パネルを提案している
。これによれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層が結着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が者
しく向上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上する
ので、（肖記放射線画像変換パネルの放射線に対する感
度と画像の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性
も改善される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。

【発明の目的］ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向」−すると共に
鮮鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供
することにある。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換バネノーを提供する
ことにある。 【発明の構成及び作用１ 前記した本発明の目的は、支ｔ、ｒ本上に少なくとも輝
尽性蛍光体層を有針る放射、線画像変換パネルにおいて
、前記輝尽性蛍光体層中に空孔率が３〜３０％となるよ
うに微細な空隙を設けたことを特徴とする放射線画像変
換パネルによって達成される。 次に本発明を貝１本的に説明する。 第１図は本発明の放射線画像変換パネル（以後意味明晰
な場合には単にパネルと略称することがある）の厚み方
向の断面図である。 同図に於いて１０は本発明のパネルの形態を示す。 １１は支持体であり、１２は支持体上に気相堆積法によ
り形成された輝尽性蛍光体層を表す。支持体１１と輝尽
性蛍光体層１２どの間には、必要に応じ各層間の接着性
をよくするための接着層を設けてもよいし、あるいは輝
尽励起光および／または輝尽発光の反射層もしくは吸収
層を設けてもよい。 前記輝尽性蛍光体層１２中には、微細な空隙１３が多数
設けられている。前記空隙１３は、光の横方向散乱を防
止することから、支持体表面に対しほぼ垂直方向に伸び
た細長い形状を有することが好ましく、空隙１３の間隔
は好ましくは１００μｍｏ以下、より好ましくは４０μ
百以下とするのがよい。 また、前記輝尽性蛍光体層１２の空孔率は３〜３０％と
なるように空隙１３を設ける。より好ましくは前記空孔
率は１０〜２５％となるようにする。この空孔率は３％
以下になると次第に密な輝尽性蛍光体層となり、十分な
鮮年性が賛ちｈ六・（な７．−　Φｔ・３０％以上とな
ると、ト分な放射線感度を得るな、めに必要な輝尽性蛍
光体層の層厚が厚くなり、逆に鮮鋭性の低下を招くこと
になる。 前記輝尽性蛍光体層１２の上部には、保護層１４を設け
ることが好ましい。 第２図に、本発明のパネルの別の一例を厚み方向の断面
図として示す。２１は支持体、２２は前記支持体面にほ
ぼ垂直方向に延びた微細柱状ブロック構造を有する輝尽
性蛍光体層であり、２２ｉｊは一つ一つの微細柱状ブロ
ック構造を表し、（２２ｉｊ）は２２ｉｊ間の亀裂、１
１があるいは窪み等の形態の間隙を表している。さらに
前記微細柱状ブロック構造中には、空孔率が３％〜３０
％となるように微細な２隙２３が多数設けられている。 空隙２３の好ましい形状については、第１図の説明にお
いて述べたものと同様である。また、２４は設けられる
ことが好ましい保護層である。 ｍ２図に示した如き構造の本発明のパネルにおいて、支
持体２１は、例えば特願昭５９−２６６９］３号に述べ
られているような表面に多数の微細な凹凸バターンを有
する支持体であってもよいし、特願昭５９−２６６９１
４号に述べられているような多数の微少タイル状板が微
細な間隙により互いに隔絶されて敷きつめられたごとき
表面構造を有する支持体であってもよいし、ｖｆ願昭５
９−２６６９１５号に述べられているような表面に多数
の微少タイル状板を該微少タイル状板夫々取り囲んでな
り夫々区画する細線網を有する支持体であってもよい。 前記微細柱状ブロック２２ｉｊの平均的径は１シ４００
μｍが好ましく、また前記微細柱状ブロック間の間隙（
２２ｉｊ）は、前記微細柱状ブロック２２ｉｊが互いに
光学的に独立していればいかなる間隔でもよいが、平均
的には０〜２０μｍが好ましい。 前記した微細な空隙を有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起
光が入射すると、該励起光は空隙面で内部に反射を繰り
返しながら輝尽性蛍光体層の底面まで到達する。したが
って輝尽発光による画像の鮮鋭性を者しく増大すること
ができる。 前記空隙に加えて、第２図に示すような微細柱状ブロッ
ク構造を有する輝尽性蛍光体層においても、同様に前述
の効果が得られるが、より効果的である。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層の厚みはパネルの放射
線に対する感度、輝尽性蛍光体のｆ！ｌ１ｗｔ等によっ
て異なる力弓０〜８００μ鎗の範囲であることが好まし
く、５０〜５００μｍ烏の範囲であることが更に好まし
い。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、光学的または電気・的等の
刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギ
ーの放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を
言うが、実泪的な面から好ましくは５００　ｎ　ｍ以上
のＶ＄尽励起尤によって輝尽発光を示す蛍光体である。 本発明の放射線画像変換パネルに用いられるｌｌｌ［尽
性蛍光体としては、例えば特開昭４８−８０４８７号に
記載されているＢ　ａＳ　Ｏ４：Ａ　ｘ（但しＡはＤｙ
１Ｔｂ及びＴ　Ｔｌ＋のうち少なくとも１種であり、Ｘ
は０．００１≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光
体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳ　Ｏ、：Ａ
直但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいずれかであｒ＋　、
ｏ、ｏｏｔ≦Ｘ≦１モル％である）で表される蛍光体、
特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳ　ｒＳ　
Ｏ＝：Ａ　ｘ（但しＡはＤｙｗＴｂ及びＴｍのうち少な
くとも１種であり×は０．００１≦ｘ＜１モル％ある。 ）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８８９号
に記載されているＮａ２５Ｏ，、Ｃａ５Ｏ，及ｖＢａＳ
Ｏ４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添
加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されて
いるＢ　ｅ　Ｏｖ　Ｌ　ｉ　Ｆ　ｖ　Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４
及びＣａ　Ｆ　２等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７
号に記載されているＬ　ｉ２Ｂ　、０７：ＣｕｙＡｇ等
の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されている
Ｌ　ｉ２０　・（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕ（但しＸは２〈
×≦３）、及びＬ　ｉ２０　・（８２０２）Ｘ：Ｃｕ、
Ａｇ（但しＸは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３゜
８５９．５２７号に記載されているＳ　ｒＳ　：Ｃｅ、
Ｓ　ｎ＋％Ｓ　ｒＳ；Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌ　１１２０２Ｓ　
：Ｅ　ｕｔｓ　ｖｎ及１／（ＺｎｔＣｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘ
（但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる
。また、特開昭５５−１２１４２号に記載・にＡ１□Ｏ
ｓ：Ｅｑ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミ
ン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭ”Ｏ・Ｘ５ｉＯｚ
：Ａ（但しＭ！ＩはＭ　ｇ　＊　Ｃａ　ｔ　Ｓ　ｒ　ｔ
　Ｚ　ｎ　＊　Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅ
ｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ　１．Ｂ　ｉ及びＭｎのうち少なく
とも１種であり、Ｘは０．５≦Ｘ≦２．５である。）で
表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられ
る。また、一般式が（Ｂａ　　　　　Ｍｇ　　Ｃａ　　
）ＦＸ：　ｅＥｕ”」−に−ｙ　　　　　Ｘ　　　　　
ｙ （但しＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであり、
ｘ、ｙ及びＣはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠０
及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２なる条件を満たす数で
ある。）で表される蛍光体が挙げられる。また、一般式
が Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、ＸはＯ＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ（Ｂ
　ｎ　　　　　Ｍ　”ｘ）Ｆ　Ｘ　：ｙＡ、−Ｘ （但しＭ”は、ＭＨ＋Ｃａ＋Ｓ　ｒ、Ｚｎ及びＣｄのう
ちの少なくとも１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び工のうち少
なくと？Ｊ１つを、ＡはＥ　ｕ　＋　Ｔ　ｂ　ｒ　Ｃｅ
　ｒ　Ｔ　ＩＩＩ　＋　Ｄ　ｙ　ｒ　Ｐ　ｒ　。 Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくとも１つを、
Ｘ及Ｃ／’ｙは０≦×≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる
条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５
５−８４３８９号に記載されている一般式がＢ　ａＦ　
Ｘ　：ｘＣｅ。 ｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び■のうちの少なくとも
１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　Ｉ、Ｇｄ、Ｓ＋ｎ及Ｖ　Ｚ　ｒ
のうちの少なくとも１つであり、に及びｙはそれぞれＯ
＜ｘ≦２　Ｘ　１０−’及びＯ＜ｙ≦５Ｘ１０−２であ
る。）で表される蛍光体、特開昭５５−１１３００７８
号に記載されでいる一般式が Ｍ　”Ｆ　Ｘ　、ｘＡ　：ｙＬ　ｎ （但しＭｌはＭ　ｇ　＋　Ｃａ　＋　Ｂ　ａ　＋　Ｓ　
ｒ　ｒ　Ｚ　ｎ及びＣｄのうちの少なくともｉｆ！ｌ、
ＡはＢ　ｅ　Ｏ＋　Ｍ　ｇ　Ｏ、Ｃａ　Ｏ＋Ｓｒ○、Ｂ
ａ○、ＺｎＯ，Ａｌ２Ｏ２、Ｙ　２０　ｓ　ｒ　Ｌ　ａ
　２０３゜１１１２０３、Ｓ　ｉ０２．Ｔｉ０ｚ、Ｚｒ
Ｏ２，ＧｅＯ２，Ｓｎ○２゜Ｎｂ２０ｇ、Ｔａ２０５及
ｔＦ　Ｔ　ｈ　Ｏ２Ｆ）うチノ少すくトモ１種、Ｌ　ｎ
はＥｕ、１’ｂ＋Ｃｃ＋Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ＋Ｐｒ、ＩＩｏ＋
Ｎｄ。 Ｙｌ＋、ＩＥ、ｒ、Ｓ＋ｏ及びＧ　ｄのうちの少なくと
６１種であり、ＸはＣＩ、［３ｒ及び■のうちの少なく
とも１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５Ｘ１０−５≦Ｘ
≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である
。）で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライ
ド蛍光体、一般式がＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ
、ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ　：Ａ　、Ｘ
　（但しＡはＣｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋又はＭ　ｎであり、Ｘ
はハＯデンである。）で表される蛍光体、特開昭５７−
１４８２８５号に記載されている一般式ＣＩ）又はＣＩ
［）、一般式（１）　　　ＸＭ　３（Ｐ　Ｏ４）２　・
Ｎ　Ｘ　２：ｙＡ一般式（Ｈ）　　　　Ｍ３（ＰＯ，＞
２・ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇ　ＨＣａ　
Ｉ　Ｓ　ｒ　ｒ　Ｉ３　ａ　＋Ｚ　ｎ及びＣｄのうち少
なくとも１種、ＸはＦ、ＣＩ’。 Ｂｒ＋及び工のうち少なくとも１種、Ａ　１．ｔＥ　１
＋、Ｔ　Ｉ）。 Ｃｅ＊Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ＋Ｎｄ＋Ｅｒ＋ＳＩ＋
＋Ｔ　Ｉ＋Ｍｎ及びＳ　ｎのうち少なくとも１種を表す
。また、×及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条件を
満たす数である。）で表される蛍光体、一般式（Ｉ［Ｉ
）又は〔■〕一般式（ＩＩＩ　）　　　ｎＲｅＸ−・ｍ
ＡＸ’　２：ｘＥｕ一般式（ＩＩＩ’　３　　　ｎＲｅ
Ｘ＊・ＩＩＩＡＸ’　ｚ：ｘＥｕ、ｙｓｍ（式中、Ｒｅ
はＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１
種、Ｘ及ｖｘ’はＦ、ＣＩ、Ｂｒのうち少なくとも１種
を表わす。また、Ｘ及びｙは、ＩＸ　１０−→＜ｘ＜　
３　Ｘｌ０−’、　　Ｉ　Ｘｌ０−１’＜ｙ＜　１　ｘ
ｉｏ−’なる条件を満たす数であり、ｎ／＋ｎはＩ　Ｘ
　１０−’　＜　ｎ／　Ｉｍ＜　７　Ｘ　１０−’なる
条件を満たす。）で表される蛍光体、及１ 一般式 ％式％： （但し、ＭｘはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭｌはＢ
　ｅ　ｖ　Ｍ　ｇ　ｒ　Ｃａ　Ｔ　Ｓ　ｒ　、Ｂ　ａ　
ｒ　Ｚ　ｎ　＋　Ｃｄ　、Ｃｕ及びＮｉから選ぼれる少
なくとも一種の二価金属である。Ｍ”はＳｃ、Ｙ　、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ＋ａ、Ｓ＋ｎ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ。 ＤｙｔＨｏ＋Ｅｒ、Ｔｍ＋Ｙｂ、Ｌｕ＋ＡＬＧａ＋及び
Ｉ　ｎから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。 ’ｖ’　　　Ｖ　　’　　　ＲｔｔＶ”　　　Ｉ−）　
　Ｔ’：”　　　／”　　Ｉ　　　ｎ　　＋’Ｒｊｒ　
　Ｔ　　！％／−：％Ｉ４’れる少なくとも一種のハロ
ゲンである。Ａ１．ｔＥｕ。 Ｔ　ｂｔＣｅ＋Ｔ＋ａ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ、Ｎｄ＋Ｙｂ
ｔＥｒ＋Ｇｄ、Ｌｕ。 ｓ　ＩＩＩ＋Ｙ　ｔ’ｒ’　ｌｔＮ　ａｔＡ　ｇ＋ｃ　
ｕ及びＭ８がら選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａｌ、ｔＯ≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂはＯ
≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２
の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍
光体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は真
空蒸着、スパッタ等の方法で輝尽ｆｔ、蛍光体層を形成
させやすく好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルにｍい、られる
輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよ
い。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも−ｍ類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を有してもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、用いられる支
持体としでは各種高分子材料、ガラス金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。 また、これら支持体の層〃は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μＩ１１〜１０００μ噛
であり、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０μ＋
ａ−５００μｍである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するだめの保護層を設け
ることが好ましい。この、保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層
上に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート。 ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン１．ポリ塩化ビニリ
デン、ナイロン、ポリ四７・／化エチレン、ポリ三７ツ
化−塩化エチレン、四７ツ化エチレンー六７フ化プロピ
レン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、
塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の保護層
用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ、Ｓ　ｉｏ　２．Ｓ　ｉＮ　、Ａ　１２０３な
トノ無機物質を積層して形成してもよい。 次に前記輝尽性蛍光体層の気相堆積法について説明する
。 第１の方法として不活性ガス雰囲気における蒸着法があ
る。該方法に於いては、まず支持体を蒸着装置内に設置
した後装置内を排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度
とする。 次いで、支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００°
Ｃに加熱して支持体表面を清浄にした後、支持体の温度
を１００〜２００℃、好ましくは１５０℃前後に設定し
、不活性ガスを導入して圧力Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
程度の低真空度とする。不活性がスとしてはヘリウムガ
ス、窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられるがアルゴン
ガスが特に好ましい。 次にボートまたはルツボに通電し、抵抗加熱法によりボ
ートまたはルツボ中の輝尽性蛍光体例えばタリウムを付
活剤とした臭化ルビノウム蛍光体を蒸発させる。すると
、輝尽性蛍光体は支持体上に堆積されると同時に結晶成
長し、支持体面から垂直方向に柱状晶が形成されてゆく
。 この際、雰囲気ガスの吸着により、蒸着過程において結
晶成長が促進される結晶面と抑制される面がルで７１−
従。ｆ、７のＩＣＩ　Ｚ汁π聞γ１」がズ圧が多いほど
顕著である。結晶成長が促進される面は蒸発分子または
原子が付着する方向にどんどんｒ＆艮する。このように
して支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着形成されるが、こ
のとき該輝尽性蛍光体層中に、支持体面に対しほぼ垂直
方向に延びた多数の微細な空隙が形成される。 前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロ
ンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である。 ７！に着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支
持体側とは反対の側に好ましくは保護層を設は本発明の
放射線画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上にＸｌ１ｌＦ性蛍光体層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 また、前記不活性ガス雰囲気における蒸着法においては
、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器あるいはエレク
トロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする
輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成
することも可能である。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着終了後輝尽性蛍
光体層を加熱処理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスバンタｉ置内に設置した後
装置内を一旦排気して１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｈｅ等の不活
性ガスをスパッタ装置内に導入しで１０−’Ｔｏｒｒ程
度のガス圧とする。この際Ａｒガスが特に好ましい。 次に支持体を１００〜２００℃、好ましくは１５０℃前
後に加熱し、輝尽性蛍光体例えばタリウムを不活剤とし
た臭化ルビジウムをターデッドとしてスパッタリングす
ることにより、支持体面に対しほぼ垂直方向に延びた多
数の微細な空隙を有する輝尽性蛍光体層を形成すること
ができる。 前記スバツタ工程では不活性ガス雰囲気における蒸着法
と同様に複数回に分けで輝尽性蛍光体層を形成すること
ら可能であるし、またそれぞれ異なった輝尽性蛍光体か
らなる複数のターデッドを用いて、同時あるいは順次、
前記ターデッドをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を
形成することも可能である。 スパッタ終了後、不活性ガス雰囲気における蒸着法と同
様に必要に応じてｉｆ記輝尽性蛍光体層の支持体側とは
反対の側に好ましくは保護層を設は本発明の放射線画像
変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドして用いこれを同時あるいは順次スバ・／タ
リングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成
すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０
２．　Ｔ−１２等のガスを導入して反応性スパッタを行
ってもよい。 さらに前記スパッタ法においては、必要に応じてスパン
タ終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。 その池の方法としてＣＶ　Ｄ法がある。該方法は目的と
する輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する
有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解
することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性
蛍光体層を得る。 また、特願昭５９−２６６９１２号〜２６８９１６号に
記載されている柱状ブロック溝道形成方法を併用すれば
、第２図に示すように微細柱状ブロック構造と微細な空
隙の双方を有する輝尽性蛍光体層を形成することができ
る。 ！＠３図（、）は気相堆積法によってえられた本発明の
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対
応する輝尽性蛍光体耐着量と放射線感度の関係の一例を
表している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないのでＸ［ｊ尽性蛍光体の耐着量（充填率
）が従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約
２倍あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収
率が向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像
の粒状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び郡尽発尤の透過性が高く、従
来の塗膜状による輝β性蛍光体層上り層厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細な空隙を有する輝尽性蛍
光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第３図（
＋３）の３１によって示す。 本発明のパネルは特願昭５９−２１３６９１２号〜２６
６９１６号に記＄１されている微細柱状プロンク構遺よ
りその＋１が造が微細であって、光誘導効果により、輝
尽励起光が空隙面で内部に反射を繰り返すので、例えば
特願昭５９−２Ｇ６９１４号に指名されるタイル状描造
を引き継いだものの特性を示す第３図（１〕）の３２と
比較すると明らかなように、画像の鮮鋭性が向上すると
共に輝尽性蛍光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性をより
向上することが可能である。 また輝尽性蛍光体粒子を結着剤に分散塗布して得られる
従来のパネルの特性を第３図の３３に示す。 これより明らかに画像の鮮鋭性が優れていることがわか
る。 本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性粒状性及び感度を与える。すなわち、ｆ：ｒＳＪ図に
おいて、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は
本発明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、
４５は訊放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光
を検出する光電変換装置、４６は４５で検出された信号
を画像として再生する装置４７は再生された画像を表示
する装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝
尽発光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降
は４３からの光情報を何らかの形で画像として再生でき
るものであればよく、上記に限定されるものではない。 １４図に示されるように放射線発生装置４１がらの放射
線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換放射線
画像変換パネル４３に入射する。この入射した放射線は
パネル４３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギ
ーが蓄積され放射線透過像の蓄積像が形成される。次に
この蓄積像を１ｆｔ尽励起光源４４からのｆ！ｌ［尽励
旭光で励起して輝尽発光として放出せしめる。本発明の
放射線画像変換パネル４３は、ＸＩＩＩ尽性蛍尤本層が
ｆ＠綱な空隙を有しているため、上記輝尽励起光による
走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散する
のが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。 ｒ実施例］ 次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 支持体として０．５＋ｎ＋ｎ厚のアルミニウム板を用い
、蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用のモリブデンル
ツボ中にＲＩ）Ｂ　ｒ：ｏ、ｏ０４Ｔ　Ｑを入れ、抵抗
加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排気して１×１
０−’　Ｔ　ｏｒｒの真空度とした。次いで支持体加熱
用ヒーターにより３００〜５００　’（：に加熱して支
持体表面を清浄した後、支持体を１５０℃に設置し、フ
ルゴンガスを導入してＩ　Ｘ　１０””　Ｔ　ｏｒｒ程
度の真空度とした。 次に輝尽性蛍光体ＲｂＢ　ｒ：ｏ、ｏ０４Ｔ　Ｑを抵抗
加熱法により蒸発させ輝尽性蛍光体層の層厚が約２５０
μ伯で空孔率が約２０％の微細な空隙を有する本発明の
放射線画像変換パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明のパネルＡに管電圧８０
Ｋ　Ｖ　ｐ）Ｘ　＃ｉｌを１（ｌａ　Ｒ照射した後、半
導体レーザ光（７８０ｎｍ）で輝尽励起し、輝尽性蛍光
体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電子増信管
）で充電変換し、この信号を画像再生装置によって画像
として再生し、銀塩フィルム上に記録した。 信号の大ささより、放射線画像変換パネルＡのＸ線に対
する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変調伝
達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）及び粒状性を調べ第１表に示す
。 ！＃１表において、Ｘ線に対する感度は、本発明の放射
線画像変換パネルＡを１００として相対値で示しである
。また、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サ
イクル／■の時の値である。 実施例２゜ 支持体として０．５ｍｍ厚のアルミニウム板を用い、８
％ａ　ａ　溶１中テ４’Ｊ　２１１．？　間、Ｉ　Ａ　
／　ｄｍ２ノ１ｆｆｌ　Ｍｌ　ヲ行ってアルミニウム板
の片面に陽極酸化被膜層を形成した後、沸騰水中で約１
時開封孔処理を施し、さらに４００℃の加熱処理を行っ
て、タイル状板が微細な間隙により隔離されて敷きつめ
られたごとき表面構造を有する支持体を生成した。 次に前記支持体を蒸着中に設置し、実施例１と同様の蒸
着方法によりＲｂＢ　ｒ：ｏ、ｏ０４Ｔ　’ｌを蒸着し
て、輝尽性蛍光体層の層厚が約２５０μｌｆｉで空孔率
が約２０％の微細柱状ブロック構造と量細な空隙との両
方を有する本発明のパネルＢを得た。 この本発明のパネルＢは、実施例１と同様にして評価し
、結果を第１表に併記する。 比較例１゜ 輝尽性蛍光体ＲｂＢｒ：０．００４Ｔ見８重量部とポリ
ビニルブチラール樹脂１重量部と溶剤（シクロヘキサノ
ン）５重量部を用いて混合、分散し、輝尽性蛍光体層用
塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平に置いた３０
０μＩ１１厚の支持体としての、黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて
２５０μτ０厚のｔ＋ｌＩ尽性蛍光性蛍光体層した。 このようにして得られた比較のパネルＰは実施例１と同
様にして評価し、結果をＰｌ＆１表に併記する。 第１表 第１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パネ
ルＡ、Ｂは、比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸ
ｉ感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れていた。 これは本発明の放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光体層
中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が比較
のパネルに比べて高＜ｘｍの吸収率が良いためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ％Ｂは比較の放
射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が高いにもかか
わらず鮮鋭性の点でも優れていた。 これは、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層は？Ｉｔｍな空隙を多数有しているので、輝尽励起光
である半導体レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減少
するためである。 【発明の効果】 以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が多数の微細な空隙を有するため、輝尽ｒｌｊＪ起光の
旭光ＩＩ尽性蛍光性蛍光体層中乱が者しく減少し、その
結果画像の鮮鋭性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一例の放射線画像変換パネルの一部を
示す断面図である。第２図は本発明の一例の別の一例の
放射線画像変換パネルの一部を示す断面図である。第３
図（ａ）は本発明の一例に図する放射線画像変換パネル
における１！１１尽性蛍光性蛍光及ゾ付看量と放射線に
対する感度とを示す図であり、（ｂ）は空間周波数と変
調伝達１１ＪＷＬ（ＭＴＦ）との関係を示す図である。 第４図は本発明のパネルが用いられる放射＃Ｉ画像変換
装置の概略図である。ＭＳ５図（ａ）は従来の放射線画
像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層及び付着量と放射
線に対する感度とを示す図であり、（ｂ）は前記従来の
放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び付
着量と空間周波数が２サイクル／ｍａｎにおける変調伝
達関数（ＭＴＦ）とを示す図である。 １１・・・・・・支持体 １２・・・・・・輝尽性蛍光体層 １３・・・・・・空隙 １４・・・・・・保護層 ２１・・・・・・支持体 ２２・・・・・・微細柱状ブロックも１造を有する輝尽
性蛍光体層 ２３・・・・・・空隙 ２４・・・・・・保？ａ層 ３１・・・・・・本発明の放射線画像変換パネルの特性
３２・・・・・・微細柱状ブロック栢造を有する放射線
画像変換パネルの特性 ３３・・・・・・従来の放射線画像変換パネルの特性４
１・・・・・・放射線発生装置 ４２・・・・・・被写体 ４３・・・・・・放射線画像変換パネル４４・・・・・
・輝尽励起光源 ４５・・・・・・光電変換装置 ４６・・・・・・画像再生装置 ４７・・・・・・画像表示装置 ４８・・・・・・フィルター 出願人　小西六写真工業株式会社 第１図 第２図 く 第３図 ’ＲＰＡｌｌ　５ＬＳり：（電町シ’ｒｙ＋ｒｎ）第４
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上に少なくとも輝尽性蛍光体層を有する放射線画
   像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層中に空孔率
   が３〜３０％となるように微細な空隙を設けたことを特
   徴とする放射線画像変換パネル。