JPS61245100A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換ノ（ネルに関するものであ
る。

【従来技術］ Ｘ線両像のような放射線画像は病気診断用″などに多く
用いられる。このＸ＃！画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生しでもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良（、し
かも高鮮親性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μ曽程度の粒子状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高（
するには第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体層の層
厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
−のときに輝尽性蛍光体の附着意は５０ｍｇ／ｃ誼２で
あり、層厚が３５０μ鋤までは放射線感度°は直線的に
増大して４５０μ−以上で飽和する。尚、放射線感度が
飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝
尽性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光体層の散乱のため輝尽
性蛍光体層内部での輝尽発光が外部に出てこなくなるた
めである。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化
が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱れ
が顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を
生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝尽
性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射ｌｌＡｌ像変換パネル
は放射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭
性とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向
を示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対す
る感度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成
されできた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではな（、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射＃ｉｉ［像変換方法においでは
、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は
時系列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に
照射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て
採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネ
ル上のある画素（に１ｅｙｉ）からの出力として記録さ
れるが、もし輝尽励起光が該パネル内で飲乱茅により広
がり、照射画素（ｘｉｗＦりの外側に存在する輝尽性蛍
光体をも励起してしまうと、上記（ｘｉ＊ｙｉ）なる画
素からの出力としてその画素よりも広い領域からの出力
が記録されてしまうからである。従って、ある時間（ｔ
ｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、その時
間（ｔｉ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パネル
上の画素（ｘＬｙｉ）からの発光のみであれば、その発
光がいかなる広がりを持つものであろうと得られる画像
の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されで未だ。例えば特開昭５５−１４
６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３５
００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝
尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光体
の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下してし
まい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放
射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しない放射線画像変換パネルを提案している。これ
によれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が着しく向
上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上するので、
前記放射＃ｌ［像変換パネルの放射線に対する感度と画
像の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も改善
される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。 【発明の目的１ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。 【発明の構成］ 前記した本発明の目的は、支持体１少なくとも一層の微
粒子層の上部に輝尽性蛍光体の柱状ブロック層を少なく
とも一層有することを特徴とする放射性画像変換パネル
によって達成される。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図は本発明の放射線画像変換パネル（以後意味明晰
な場合には単にパ夷ルと略称することがある）の厚み方
向の断面図である。 同図に於いて１０は本発明のパネルの形態を示す。 １２ｉｊは支持体面から垂直方向（厚み方向）に伸びた
輝尽性蛍光体の一つ一つの微細柱状ブロックであり、（
１２ｉｊ）は１２ｉｊ開の亀裂、溝或は窪み等の形態の
間隙である。前記１２ｉｊ及び（１２ｉｊ）によって本
発明に関る微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層１が
形成される。 微細柱状ブロック１２ｉｊの平均的径は１〜４００μ−
が好ましく、また間隙（１２ｉｊ＞は前記微細柱状ブロ
ック１２ｉｊが互いに光学的に独立していれば、いかな
る間隔でもよいが平均的にはθ〜２０μ霞が好ましい、
２は支持体、３は設けられることが好ましい保護層、４
は必要に応じて設けてもよい輝尽性蛍光体層と支持体と
の接着性をよ（する接着層である。１１は全体の膜厚の
１７２以下の厚さで、好ましくは１７１０以下の厚さの
粒子より成る層であり、この粒子が少なくとも１層敷き
つめられはでいればよい。 この粒子の平均粒径は５０μ論以下のものが用いられ、
好ましくは１５μ論以下である。この層１１は真空蒸着
、スパッタリング等の気相堆積法により得ることができ
る。 この粒子を形成する材料としては、各種金属、ＺｎＯ１
Ｔｉ０２、＾Ｑ２０．などの金属化物、ＺｎＳなどの金
属硫化物さらには結晶性Ｓｉ１アモル７７スシリコン、
ＳｉＣ，５ｉＮＳＳｉＯｚ等の化合物の他にアルカリハ
ライド結晶、後述の輝尽性蛍光体を用いることができる
。 この中で特にアルカリハライド結晶が輝尽性蛍光体の微
細柱状ブロック構造１２ｉｊをこの粒子上に得る上で好
ましい。 第２図に示す様な層１１はたとえば１０−’Ｔｏｒｒ程
度の真空度でアルカリハライド結晶等を蒸着することに
より得られる。 この層１１を得た後、この粒子上に輝尽性蛍光体の微細
柱状ブロック１２ｉ　ｊを気拍堆積法によって成長させ
ることができる。Ｙの際、（層１１は１２ｉｊと支持体
との接着性を高める効果も有しでいる。）このようにし
て得た微細柱状ブロックは特Ｗ４誓５９−２６６９１２
号〜２６６９１１号に記載されている方法で得たものよ
りその径が微細な柱状のブロックとなる。 支持体上に前記の如き構成を複数層積重ねるには前記の
層構成操作を必要な複数回数重ねればよ１、％　。 前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入射すると該励起
光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状ブロ
ック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロック外に散逸
することなく柱状ブロックの底まで到着する。従って輝
尽発光による画像の鮮鋭性を着しく増大することができ
る。 尚支持体表面には前記接着層の外に輝尽励起光及び／又
は輝尽発光の反射層或は吸収層を適用してもよい。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層１の厚みはパネルの放
射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが１０〜８００μｌの範囲であることが好ましく、５
０〜５００μｌの範囲であることが更に好ましい。 前記微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層の形成には
、表面が均質な平滑面を有する支持体及び輝尽性蛍光体
が付着若しくは堆積して柱状ブロック構造を形成するの
に好都合な素地パターンを有する支持体を共に用いるこ
とができる。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、光学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
の放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは５００ｎ＋＊以上の輝
尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明
の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体とし
ては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されでい
るＢａ５Ｑ、：Ａｘ（但しＡはＤｙ５Ｔｂ及びＴｌｌの
うち少なくとも１種であり、にはｏ、ｏｏｉ≦ｘ＜１モ
ル％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４
８８号記載のＭ。 Ｓ　Ｏ４：Ａ　Ｘ（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいず
れかであり、０．００１≦×≦１モル％である）で表さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されてい
る５ｒＳＱ、：Ａｘ（但しＡはＤｙ＊Ｔｂ及びＴｍのう
ち少なくとも１種でありＸはｏ、ｏｏｉ≦にく１モル％
ある。）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８
８９号に記載されているＮａ２Ｓ　Ｏｎ−Ｃａ５０４及
びＢ　ａＳ　Ｏ４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なく
とも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号
に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ　ＭｇＳ　Ｏ、及びＣ
ａＦｚ等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載さ
れているＬ　＋　ｘ　Ｂ　４０　ｔ　：　ＣｕｔＡｇ等
の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されている
Ｌ　ｉ２０　・（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕ（但しＸは２＜
ｘＳ３）、及びＬ　ｉ２０　・（Ｂ　ｔｏ　２）Ｘ：Ｃ
ｕｔＡ　ｇ（但しＸは２＜ｘＳ３）等の蛍光体、米国特
許３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ
、Ｓｍ、ＳｒＳ；Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌ　ａ　２０２Ｓ：Ｅｕ
、Ｓｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ（但しＸはハ
ロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開
昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｐｂ蛍光体、一般式がＢ　ａｏ　・ＸＡ　１２０３：Ｅ
　Ｌｌ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン
酸バリウム蛍光体、及び一般式力Ｍ”　０−ｘＳ　ｉｏ
　２：Ａ　（但Ｌ　ＭｘｘＭｇｔＣａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ又はＢａでありＡはＣｅ、　Ｔ　ｂ、　Ｅ　ｕ。 Ｔｍ、Ｐｂ＝ＴＩ、Ｂａ及（／　Ｍ　ｎのうち少なくと
も１種であり、Ｘは０．５≦Ｘ≦２．５である。）で表
わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる
。また、一般式が （Ｂａ　　　　　Ｍｇ　　Ｃａ　　）ＦＸ：　ｅＥｕ”
１−に−ｙｘｙ （但しＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであり、
ｘ、ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠０
及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２なる条件を満たす数で
ある。）で表される蛍光体が挙げられる。また一般式が
Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されて
いる一般式が （Ｂ　ａ＋　−ｘＭ　”ｘ）Ｆ　Ｘ　：ｙＡ（但しＭＸ
は、Ｍｇ＊Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及１／Ｉのうち少なくとも１
つを、ＡはＥｕ、ＴｂｔｃｅｔＴｍ、ＤｙｔＰｒｔＨｏ
ｔＮｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ及
びｙは０≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる条件を満
たす数を表す、）で表される蛍光体、特開昭５５−８４
３８９号に記載されている一般式がＢ　ａＦ　Ｘ　：ｘ
ＣｅｔｙＡ　（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩのうちの少
な（とも１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　Ｉ、Ｇｄ、Ｓ瞳及びＺ
ｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及１ｙはそれぞれ
０＜ｘ≦２Ｘ１０−’及びｏ＜ｙ≦５ｘｉｏ−”である
。）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に
記載されている一般式がＭｌＦＸ、ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭｌはＭ　ｇｔ　Ｃａｌ　Ｂ　ａｙ　Ｓ　ｒｔ　
Ｚ　ｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯ、
ＭｇＯｖｃａＯ＊ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ，Ａｔ２０ｉ
、Ｙ、Ｏ，、Ｌａ２０ｉ。 Ｉ　ｎ２０＊ｖｓ　１ｏ２ｔ’ｒ　ｉＯｚ、Ｚｒ０ｚ、
ＧｅＯ２，５ｎＯｚ−Ｎ　ｂ２０　ｓ−Ｔ　ａ２０　ｓ
及びＴｈｅ２のうちの少なくとも１種、ＬｎはＥｕ、Ｔ
ｂｔｃｅｔＴｍｔＤｙｖＰｒｔＨｏｔＮｄｔＹｂ、Ｅｒ
、Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくとも１種であり、ＸはＣ
Ｉ、Ｂｒ及び■のうちの少なくとも１種であり、Ｘ及び
ｙはそれぞれ５Ｘ１０−’≦Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０
．２なる条件を満たす数である。）で表される希土類元
素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がＺｎ
Ｓ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：
Ａ、Ｘ及びＣｄＳ　：Ａ　、Ｘ　（但しＡはＣｕ。 ＡｇｖＡＬｌｗ又はＭｎであり、Ｘは））ロゲンである
。）で表される蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号に
記載されている一般式（１）又は（ＩＩ）、 一般式（１）　　　ＸＭ　３（Ｐ　Ｏ４）２　・Ｎ　Ｘ
　２：ｙＡＲ式（ＩＩ　）　　　　Ｍｓ（Ｐ　Ｏ４）２
　”　ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇｖ　Ｃａ
＠　Ｓ　ｒ＋　Ｂ　ａｌＺｎ及びＣｄのうち少なくとも
１種、ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒ、及（／Ｉのうち少なくとも１種、ＡはＥ　ｕｖ　
Ｔ　ｂ。 ＣｅｔＴｍｔＤｙｔＰｒ＊ＨｏｔＮｄｔＥｒｔＳｂｔＴ
ＬＭｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表す。また、Ｘ
及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条件を満たす数で
ある。）で表される蛍光体、一般式ＣＩ［［］又は（Ｉ
Ｖ）一般式（Ｉ［［］　　　ｎ’ＲｅＸ　３　・ｍＡ　
Ｘ　’　ｚ：ｘＥ　ｕ一般式（Ｎ　）　　　ｎＲｅＸ３
・ｍＡＸ’　ｔ：ｘＥｕｖｙｓｍ（式中、ＲｅはＬａ＝
Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはアルカリ土
類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はＦｔＣｌｔＢｒのうち少なくとも１種を表わす
。また、Ｘ及びｙは、１ＸＩＯ−’＜ｘ＜　３　Ｘｌ０
−　　’、Ｉ　Ｘｌ０−　　’＜ｙ＜　Ｉ　Ｘｌ０−’
なる条件を満たす数であり、ｎ７ｍはＩ　Ｘ　１０−’
　＜　ｎ／ｖａ＜　７　Ｘ　１０−’なる条件を満たす
。）で表される蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し　Ｍｌ　はＬｉｔＮａｔＫ、Ｒｈ、及びＣｓから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍｌは
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒｗＢａｗＺｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及び
Ｎｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。Ｍ
ｌはＳｃ、Ｙ　、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ＠、Ｓ＋
＊、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。 Ｄｙ＊ＨｏｔＥｒ＋ＴｍｔＹｂｔＬｕｔＡＩｔＧａｔ及
びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属である。 、　Ｘ。 Ｘ″及びＸ″はＦ、ＣＩ、Ｂｒ及びＩから選ばれる少な
くとも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ。 ＴｍｔＤｙｔＰｒｔＨｏｔＮｄｔＹｂ＋ＥｒｔＧｄｔＬ
ｕｔＳｍｔＹｔＴ　ｌｙＮ　ａ、Ａ　ｇｖｃ　ｕ及びＭ
ｇから選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａはＯ≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂはＯ≦ｂ
＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリパライト蛍光体は真空蒸
着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよ
い。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、用いられる支
持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いら
れる。特に情報記録材料としての取り扱い上回視性のあ
るシートあるいはウェブに加工できるものが好適であり
、この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリ
アセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプ
ラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等
の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シ
ートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ−〜１０００μｌであ
り、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０μ−〜５
００μｍである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス。 ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が眉いちれる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等ニヨ’）
、Ｓ　１Ｃ−Ｓ　ｉｏ　２−８　ｉＮ　−Ａ　Ｉ２０　
ｓなトノ無機物質を積層して形成してもよい。 次に前記輝尽性蛍光体層の気相堆積法について説明する
。 ｔＩＩｉｌの方法として真空蒸着法がある。該方法に於
いては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を
排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００℃に
加熱して支持体表面を清浄した後、支持体を１００℃に
設定し、アルゴンがスを導入して４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ
程度の真空度とする。 次にボートまたはルツボに通電し、抵抗加熱法によりボ
ートまたはルツボ中のアルカリハライド例えば臭化ルビ
ジウムを蒸発させる。臭化ルビジウムの結晶粒子層が第
２図のように蒸着できたら蒸着を止める。この時、抵抗
加熱のかわりに電子ビーム法を用いてもよい。そして真
空度を５×１０−’Ｔｏｒｒ程度にし、かつ支持体の温
度を１００℃になるように設定した後、タリウムを付活
剤とした臭化ルビリジウム蛍光体を膜厚が約２５０μ鐘
になるまで蒸着する。その結果、第２図の結晶粒子上に
微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体が堆積する。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームな用いて共蒸着を行うことも可能である
。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好しくは保護層を設は本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい、また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のがスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活
性〃スをスパッタ装置内に導入して１０−３Ｔ　ｏｒｒ
程度のガス圧とする。 次に第１図における層１１を得る為に、たとえばアルカ
リハライド結晶Ｒｂｌをターデッドとして、スパッタリ
ング、第２図の様にスパッタリングできたら止める。そ
してさらにこの層１１上にたとえばタリウムを付活剤と
した臭化ルビジウムをターデッドとしてバッタリングす
ることにより微細柱状グロック構造の輝尽性蛍光体を所
望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時あるいは順次、前記ターデッドをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングしで、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０ｘ
＝Ｈｚ等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。 その他の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とす
る輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解す
ることにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍
光体層を得る。 また、スパッタリング法やＣＶＤ法により層１１を得た
後、真空蒸着法により微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍
光体を所望の厚さに堆積してもよい。この場合、層１１
が薄く均一に得られ、微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍
光体の堆積が速くできる利点がある。 第３図（ａ）は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層厚及び該層厚に対
応する輝尽性蛍光体耐着量と放射線感度の関係の一例を
表している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が
向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒
状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗設法による輝尽性蛍光体層上り層厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第３
図（ｂ）の３１に示す。 本発明のパネルは特願昭５９−２６６９１２号〜２６６
９１６号に記載されている微細柱状ブロック構造よりそ
の構造が微細であって、光誘導効果により、輝尽励起光
が柱状ブロック内面で反射を繰り返し、柱状ブロック外
に散逸することが少ないので、たとえば、特願昭５９−
２６６９１４に示されるタイル状構造を引き継いだもの
特性を示す第３図（ｂ）の３２と比較すると明らかなよ
うに、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光体の層
厚の増大にともなう鮮鋭性をより向上することが可能で
ある。 また、輝尽性蛍光体粒子を結着剤に分散塗布して得られ
た従来のパネルの特性を第３図の３３に示す、これより
明らかに画像の鮮鋭性が優れていることがわかる。 本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れてた鮮
鋭性粒状性及び感度を与える。すなわち、第４図におい
て、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は本発
明の放射線画像変換パネル、４４は輝尽励起光源、４５
は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、４′６は４５で検出された信号を
画像として再生する装置４７は再生された画像を表示す
る装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽
発光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降は
４３からの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線発生装置４１からの放射
線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換パネル
４３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換
パネル４３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギ
ーが蓄積され放射線透過像の蓄積像が形成される。次に
この蓄積像を輝尽励起光源４４からのｌＩＩ尽励起光で
励起して１１！！尽発光として放出せしめる。本発明の
放射線画像変換パネル４３は、輝尽性蛍光体層が微細柱
状ブロック構造を有しでいるため、上記輝、８ＨＪ起尤
による走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡
散するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。 【実施例】 次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 支持体として０９５ｍｍ厚のアルミニウム板を蒸着器中
に設置した。次に抵抗加熱のアルミナルツボ中にＲｂＢ
ｒ結晶を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着
器を排気してＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの真空度とした
。次いで支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００℃
に加熱して支持体表面を清浄にした後、支持体を１００
℃に設定し、アルゴンガスを導入して４×１０−’Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度とした。 次にアルミナルツボに通電し、抵抗加熱法によ１）　Ｒ
ｂＢｒを蒸発させ約１０μｍの粒子層を得た。その後、
真空度５Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ程度にし、かつ支持体の
温度を１００℃になるように設定した後、輝尽性蛍光体
ＲｂＢｒ：０．００４ＴΩを抵抗加熱法により蒸発させ
、膜厚が約２５０μ輸の本発明の放射線画像変換パネル
＾を得た。　このようにして得られた本発明の放射線画
像変換パネル＾に管電圧８０ＫＶ、のＸＡＩを１０ｍＲ
照射した後、半導体レーザー光（７８０℃ｍ）で輝尽励
起し、輝尽蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器
（光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画像再生装
置によって画像として再生し、銀塩フィルム上に記録し
た。信号の大きさより、放射線画像変換パネル＾のＸ線
に対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変
調伝達関数（１４ＴＦ）及び粒状性を調べ第１表に示す
。 第１表において、Ｘ＃Ｘに対する感度は本発明の放射線
画像変換パネル八を１００として相対値で示しである。 また、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サイ
クル／ｍｖｎの時の値である。 実施例２゜ 支持体として０．５ｍｍ度のアルミニウム板をスパッタ
装置中に設置した。次にスパッタリングターデッドとし
てＣｓＩ結晶をスパッタ装置中に設置し、続いて１×１
０−Ｔｏｒｒの真空度まで排気した。スパフタγスとし
て＾ｒ〃スを導入し、スパッタを行い約１０μｍのＣｓ
Ｉの粒子層を得た。その後、蒸着器中にＣｓ１粒子層を
設けた支持体を設置し、真空度をＩＸ　１０−’Ｔｏｒ
ｒにし、かつ支持体の温度を１００℃になるように設定
した後、輝尽性蛍光体ＲｂＢ：０，００４Ｔ　Ｑを抵抗
加熱法により蒸発させ、膜厚が２５０μ閣の本発明の放
射線画像変換パネルＢは、実施例１と同様にして評価し
、結果を第１表に併記する。 比較例１゜ 輝尽性蛍光体、ＲｂＢｒ：０，００４ＴＱ　８重量部と
ポリビニルブチラール樹脂１重ＩＬ部と溶剤（シクロヘ
キサノン）５重量部を用いて混合、分散し、輝尽性蛍光
体層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平に置い
た３００μ輸厚の支持体としての黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて
２５０μｌ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
１．を実施例１と同様にして評価し、結果をＩＩｆＪ１
表より明らかなように本発明の放射線画像変換パネルＡ
、Ｂは、比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感
度が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れていた。これ
は本発明の放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光体層中に
結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が比較のパ
ネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ、Ｂは比較の放
射線画像変換パネルＰに比々てＸ線感度が高いにもかか
わらず鮮鋭性の点でも優れてしまた。 これは、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層は微細柱状ブロック構造を有しているので、輝尽励起
光である半導体レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減
少するためである。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明によれぽ輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が着しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である６ また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）（ｂ）は、本発明の一例の放射線画像変換
パネルの一部を示す断面図である第２図は本発明の一例
の放射線画像変換パネルの一部を示す平面図である。第
３図（ａ）は本発明の一例に関する放射線画像変換パネ
ルにおける輝尽性蛍光体層厚及び付着量と放射線に対す
る感度とを示す図であり、（ｂ）は空間周波数と変調伝
達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）との関係を示す図である。第４
図は本発明のパネルが用いられる放射線画像変換装置の
概略図である。 第５図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにおける輝
尽性蛍光体層及び附着量と放射線に対する感度とを示す
図であり、（ｂ）は前記従来の放射線画像変換パネルに
おける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と空間周波数が２サ
イクル／Ｉにおける変調伝達関数（ＭＴＦ）とを示す図
である。 １・・・輝尽性蛍光体層 １１・・・粒子層 １２・・・微細柱状ブロック ２・・・支持体 ３・・・保護層 ４・・・接着層 ３１・・・本発明の放射線画像変換パネルの特性３２・
・・微細柱状ブロック構造を有する放射線変換パネルの
特性 ３３・・・従来の放射線画像変換パネルの特性４１・・
・放射線発生装置 ４２・・・被写体 ４３・・・放射線画像変換パネル ４４・・・輝尽励起光源 ４５・・・光電変換装置 ４６・・・画像再生装置 ４７・・・画像表示装置 ４８−・・・フィルター 出願人　　小西六写真工業株式会社 第１図 第３図 （ｂ） 空間周５皮教（１シ丑□） 第４図 第５図 （ｂ） 手続補正書 昭和６０年１０月１４　　日 特許庁長官　　宇　買　道　部　　殿　　　　　　繕覧
１、事件の表示 昭和６０年特許願第８８３２６号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネル 連絡先 小西六写真工業株式会社（電話０４２５−８３−１５２
１）特　　許　　部 ４、補正命令の日付 自　　発 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の欄 ６、補正の内容

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上に少なくとも一層の微粒子層を有し、該微粒子
   層の上部に輝尽性蛍光体の柱状ブロック層を少なくとも
   一層有することを特徴とする放射線画像変換パネル。