JPH0416437B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416437B2 JPH0416437B2 JP57208481A JP20848182A JPH0416437B2 JP H0416437 B2 JPH0416437 B2 JP H0416437B2 JP 57208481 A JP57208481 A JP 57208481A JP 20848182 A JP20848182 A JP 20848182A JP H0416437 B2 JPH0416437 B2 JP H0416437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- shape
- shoulder
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はチヨクラルスキー法による単結晶を所
定の形状に制御する方法に関する。
定の形状に制御する方法に関する。
チヨクラルスキー法による単結晶の製造におい
て、良好な単結晶を得るためには結晶の胴体部の
直径が一定であることのほか、結晶の肩部が望ま
しい形状をしていることが必要である。特に結晶
の肩部は歪や転位及び双晶の発生、伝播を防止す
るうえで、その形状の制御は重要な問題である。
とりわけ、閃亜鉛鉱型構造を有する−族化合
物半導体単結晶では、肩部の形状、特に肩形成角
度と双晶発生の関連について多くの報告がなされ
ている。例えばW.A.Bonner；Mat.Res.Bull.15
（1980）、63に記載されている。
て、良好な単結晶を得るためには結晶の胴体部の
直径が一定であることのほか、結晶の肩部が望ま
しい形状をしていることが必要である。特に結晶
の肩部は歪や転位及び双晶の発生、伝播を防止す
るうえで、その形状の制御は重要な問題である。
とりわけ、閃亜鉛鉱型構造を有する−族化合
物半導体単結晶では、肩部の形状、特に肩形成角
度と双晶発生の関連について多くの報告がなされ
ている。例えばW.A.Bonner；Mat.Res.Bull.15
（1980）、63に記載されている。
肩部での結晶重量はその時間変化量が一定でな
く、時間と共に変化することから、従来重量法に
よる単結晶の形状制御方法では次のような方法が
行なわれていた。例えば第１図ａに示すような形
状の単結晶を製造する場合、その重量変化は第１
図ｂのグラフに示す曲線部と直線部からなる変化
をする。この曲線部は時間の３次関数、直線部は
時間の１次関数である。そこで、この基準重量に
対応する形状の板にそつて摺動抵抗を直接動かし
て基準重量信号を得るか、または基準重量の時間
微分値に対応する形状の板にそつて摺動抵抗を動
かすプログラマーでモータを回転させてヘリオー
ムを動かし、基準重量信号を得ていた（特公昭54
−4345号公報参照）。また他の方法としてコンピ
ユータを用いて肩部での基準重量の時間微分値を
時間の一次関数として演算により求め、ソフト的
に処理することも行なわれていた。この方法は、
例えば、A.E.Zinnes、etal：J.Cryst.Growth19
（1973）187.に記載されている。そして、これら
のいずれの方法においても、基準となる信号は時
間の関数として定められており酸化物単結晶へ適
用されていた。
く、時間と共に変化することから、従来重量法に
よる単結晶の形状制御方法では次のような方法が
行なわれていた。例えば第１図ａに示すような形
状の単結晶を製造する場合、その重量変化は第１
図ｂのグラフに示す曲線部と直線部からなる変化
をする。この曲線部は時間の３次関数、直線部は
時間の１次関数である。そこで、この基準重量に
対応する形状の板にそつて摺動抵抗を直接動かし
て基準重量信号を得るか、または基準重量の時間
微分値に対応する形状の板にそつて摺動抵抗を動
かすプログラマーでモータを回転させてヘリオー
ムを動かし、基準重量信号を得ていた（特公昭54
−4345号公報参照）。また他の方法としてコンピ
ユータを用いて肩部での基準重量の時間微分値を
時間の一次関数として演算により求め、ソフト的
に処理することも行なわれていた。この方法は、
例えば、A.E.Zinnes、etal：J.Cryst.Growth19
（1973）187.に記載されている。そして、これら
のいずれの方法においても、基準となる信号は時
間の関数として定められており酸化物単結晶へ適
用されていた。
ところで、実際に単結晶の製造を行なう場合、
種付け後引上げを開始してからいつも同じように
肩部が成長するとは限らず、例えば種付け温度が
高いあるいは低いと引上げても結晶がなかなか太
つてこなかつたりあるいは急激に太つてしまう時
がある。そのため従来方法により単結晶の形状制
御を行なう場合、大きなオフセツトを生じやすい
という問題がある。このオフセツトを消すために
制御を強くすると肩部では局部的に凹凸して滑ら
かな結晶が得られず、歪の増大や双晶が発生する
などの欠点があつた。逆にこのオフセツトを残し
ておくと所定の形状からのずれが大きくなり精度
が悪いという欠点があつた。とくに−族単結
晶ではこの影響が大きく従来の形状制御方法では
高品質な−族単結晶の肩部を再現性よく安定
して育成することはできなかつた。そのため、近
年、赤外線CCD、超高速IC、FET用として注目
されている大口径、大容量のInSb、GaAS、InP
などの−族単結晶の製造には適用できない欠
点がある。
種付け後引上げを開始してからいつも同じように
肩部が成長するとは限らず、例えば種付け温度が
高いあるいは低いと引上げても結晶がなかなか太
つてこなかつたりあるいは急激に太つてしまう時
がある。そのため従来方法により単結晶の形状制
御を行なう場合、大きなオフセツトを生じやすい
という問題がある。このオフセツトを消すために
制御を強くすると肩部では局部的に凹凸して滑ら
かな結晶が得られず、歪の増大や双晶が発生する
などの欠点があつた。逆にこのオフセツトを残し
ておくと所定の形状からのずれが大きくなり精度
が悪いという欠点があつた。とくに−族単結
晶ではこの影響が大きく従来の形状制御方法では
高品質な−族単結晶の肩部を再現性よく安定
して育成することはできなかつた。そのため、近
年、赤外線CCD、超高速IC、FET用として注目
されている大口径、大容量のInSb、GaAS、InP
などの−族単結晶の製造には適用できない欠
点がある。
この発明は上記した点に鑑みなされたもので、
単結晶を製造する際に上記欠点を取り除き、所定
の形状に制御された高品質単結晶を再現性よく安
定して製造できる方法を提供するものである。
単結晶を製造する際に上記欠点を取り除き、所定
の形状に制御された高品質単結晶を再現性よく安
定して製造できる方法を提供するものである。
本発明者等は前記制御方法の欠点は基準となる
信号を時間の関数として一義的に定めているため
であり、実際の単結晶の成長状態に応じて定める
必要があると考えた。直径2γで成長している結
晶の重量の時間微分値（dw／dt）は次式で表わ
される。
信号を時間の関数として一義的に定めているため
であり、実際の単結晶の成長状態に応じて定める
必要があると考えた。直径2γで成長している結
晶の重量の時間微分値（dw／dt）は次式で表わ
される。
dw／dt＝πρsγ2υ＝
πρsγ2H／（１−ρsγ2／ρlR2） ……(1)
ここで、ρs、ρlはそれぞれ結晶、融液の密度、
Ｈは引上げ速度、Ｒはルツボの半径でありυは結
晶成長速度を示している。(1)式を時間で微分して
整理すると(2)式が得られる。
Ｈは引上げ速度、Ｒはルツボの半径でありυは結
晶成長速度を示している。(1)式を時間で微分して
整理すると(2)式が得られる。
d2w／dt2＝dw／dt
（２／γ・dγ／dt＋１／υ・dυ／dt）
……(2) この式は結晶重量の時間の２回微分値（d2w／
dt2）はdw／dtと結晶直径の変化率および成長速
度の変化率で表わされることを示している。肩部
での直線的な広がり角度をθとして(1)、(2)式より
時間を消去したd2w／dt2とdw／dtの関係を求め
たところ、直径のごく小さい部分を除いて次の(3)
式でよく近似できることを見い出した。
……(2) この式は結晶重量の時間の２回微分値（d2w／
dt2）はdw／dtと結晶直径の変化率および成長速
度の変化率で表わされることを示している。肩部
での直線的な広がり角度をθとして(1)、(2)式より
時間を消去したd2w／dt2とdw／dtの関係を求め
たところ、直径のごく小さい部分を除いて次の(3)
式でよく近似できることを見い出した。
d2w／dt2＝（Ａ・dw／dt＋Ｂ）θ ……(3)
ここで、Ａ、Ｂはρs、ρl、Ｈ、Ｒから定まる定
数である。すなわち、(3)式は現在の直径から肩形
成角度を一定にするために次に取るべき設定値の
変化率を与える式であることが分つた。このこと
から、引上げ中にdw／dtを測定して(3)式から定
まるd2w／dt2を積分していくことにより時間に
無関係に実際の単結晶の成長状態に応じて基準と
なるdw／dtを自動的に定めることができる。こ
の基準信号を用いて結晶の肩部形状の制御を行な
つたところ、オフセツトは生ごず精度が向上する
という大きな効果があることが分つた。そこで、
本発明の単結晶の形状制御方法では引き上げられ
た単結晶の重量を検出し、前記単結晶の重量信号
を時間微分する微分回路と、該微分回路の出力で
ある微分値dw／dtより(3)式に基づいて演算する
演算回路と、該演算回路の出力である演算値
d2w／dt2を時間積分する積分回路と、該積分回
路の出力である積分値と前記微分値の偏差を求め
る偏差検出回路とを備え、前記偏差を加熱電力に
帰還制御して単結晶の形状制御することを特徴と
するものである。
数である。すなわち、(3)式は現在の直径から肩形
成角度を一定にするために次に取るべき設定値の
変化率を与える式であることが分つた。このこと
から、引上げ中にdw／dtを測定して(3)式から定
まるd2w／dt2を積分していくことにより時間に
無関係に実際の単結晶の成長状態に応じて基準と
なるdw／dtを自動的に定めることができる。こ
の基準信号を用いて結晶の肩部形状の制御を行な
つたところ、オフセツトは生ごず精度が向上する
という大きな効果があることが分つた。そこで、
本発明の単結晶の形状制御方法では引き上げられ
た単結晶の重量を検出し、前記単結晶の重量信号
を時間微分する微分回路と、該微分回路の出力で
ある微分値dw／dtより(3)式に基づいて演算する
演算回路と、該演算回路の出力である演算値
d2w／dt2を時間積分する積分回路と、該積分回
路の出力である積分値と前記微分値の偏差を求め
る偏差検出回路とを備え、前記偏差を加熱電力に
帰還制御して単結晶の形状制御することを特徴と
するものである。
以上説明したように本発明の形状制御方法によ
れば、 (1) 単結晶の肩部育成においてきわめて高精度な
肩形状制御を再現性よく安定して行なうことが
できる。
れば、 (1) 単結晶の肩部育成においてきわめて高精度な
肩形状制御を再現性よく安定して行なうことが
できる。
(2) 従来の制御方法に比べて結晶成長条件の変化
によく追従できるので、所定の形状からのオフ
セツトが少なく約1/5に減少し、肩部での直線
的な広がり角度からのずれは±1°以内にするこ
とができる。
によく追従できるので、所定の形状からのオフ
セツトが少なく約1/5に減少し、肩部での直線
的な広がり角度からのずれは±1°以内にするこ
とができる。
(3) 特に−族単結晶に適用したところ肩部で
の双晶発生はほとんど見られず、70％以上の高
い結晶作成歩留りが得られた。
の双晶発生はほとんど見られず、70％以上の高
い結晶作成歩留りが得られた。
(4) 本発明によれば完全自動で所定の形状の単結
晶を製造でき、しかも良質の結晶が得られるこ
とから工業的に適用することにより生産性が向
上する。
晶を製造でき、しかも良質の結晶が得られるこ
とから工業的に適用することにより生産性が向
上する。
等の効果がある。
以下本発明の一実施例を図面に基づきより詳細
に説明する。第２図は本発明による機能を具備し
た単結晶製造装置の一例である。図において、１
は容器、２は加熱ヒータ、３はルツボ、４は融
液、５は結晶、６は引上げ軸、７は重量検出器、
８は微分回路、９は演算回路、１０は積分回路、
１１は偏差検出回路、１２は調節計、１３は温調
器、１４は加熱装置である。ルツボ３内の融液４
から引上げつつある結晶５の重量を重量検出器７
により測定し、微分回路８により微分する。この
信号を次の演算回路９に入力し基準信号の変化率
を算出する。次に積分回路１０により積分を行な
い基準信号を自動的に設定する。この基準値と前
記微分回路８の出力を偏差検出回路１１に入力し
偏差信号を得る。この偏差信号を調節形１２に入
力してルツボ加熱電力制御信号を得る。この制御
信号を温調器１３に入力して加熱装置１４を駆動
し、加熱電力を制御することにより形状の制御を
行なう。本発明の機能である微分回路８から偏差
検出回路１１までは例えば、第３図に示すように
構成することができる。図においてＲ１からＲ１
４は抵抗器、Ｃ１からＣ２はコンデンサ、VR１
からVR３は可変抵抗器、OP１からOP７はオペ
アンプ、Ｅ１は固定電池、Ｓ１はスイツチであ
る。OP１は微分回路８、OP２からOP４は演算
回路９、OP５とOP６は積分回路１０、OP７は
偏差検出回路１１を構成している。ここで、VR
１からVR３は演算回路９が(3)式で定めた入出力
特性を持つように調整するためのものである。Ｓ
１は積分回路１０の動作を停止し出力を一定に保
持するためのもので、肩部から胴体部に制御を移
すときに使用する。
に説明する。第２図は本発明による機能を具備し
た単結晶製造装置の一例である。図において、１
は容器、２は加熱ヒータ、３はルツボ、４は融
液、５は結晶、６は引上げ軸、７は重量検出器、
８は微分回路、９は演算回路、１０は積分回路、
１１は偏差検出回路、１２は調節計、１３は温調
器、１４は加熱装置である。ルツボ３内の融液４
から引上げつつある結晶５の重量を重量検出器７
により測定し、微分回路８により微分する。この
信号を次の演算回路９に入力し基準信号の変化率
を算出する。次に積分回路１０により積分を行な
い基準信号を自動的に設定する。この基準値と前
記微分回路８の出力を偏差検出回路１１に入力し
偏差信号を得る。この偏差信号を調節形１２に入
力してルツボ加熱電力制御信号を得る。この制御
信号を温調器１３に入力して加熱装置１４を駆動
し、加熱電力を制御することにより形状の制御を
行なう。本発明の機能である微分回路８から偏差
検出回路１１までは例えば、第３図に示すように
構成することができる。図においてＲ１からＲ１
４は抵抗器、Ｃ１からＣ２はコンデンサ、VR１
からVR３は可変抵抗器、OP１からOP７はオペ
アンプ、Ｅ１は固定電池、Ｓ１はスイツチであ
る。OP１は微分回路８、OP２からOP４は演算
回路９、OP５とOP６は積分回路１０、OP７は
偏差検出回路１１を構成している。ここで、VR
１からVR３は演算回路９が(3)式で定めた入出力
特性を持つように調整するためのものである。Ｓ
１は積分回路１０の動作を停止し出力を一定に保
持するためのもので、肩部から胴体部に制御を移
すときに使用する。
次に具体的な例として本発明の機能を具備した
単結晶製造装置により、−族単結晶である
InSb単結晶を製造する場合について詳しく説明
する。第２図において直径75mmのルツボ３に
InSb多結晶原料を500ｇ入れ、〜650℃まで加熱
融解した。次に（211）軸の種結晶を10rpmで回
転させながら融液４に接触させたのち10mm／ｈの
速度で引上げを開始した。この時の(3)式の定数
Ａ、Ｂの値はそれぞれ、Ａ＝4.77×10-4／min・
deg、Ｂ＝6.65×10-5ｇ／min・degとなつた。そ
こで肩形成角度θを15°に設定して肩部の形状制
御を開始した。所定径35mmになつたところでスイ
ツチＳ１を開いて積分回路１０の出力を固定し、
連続して胴体部の引上げを行ない、重さ〜450ｇ
のInSb単結晶を得た。得られた単結晶は肩部の
直線的な広がり角度は〜14.5°であり、結晶表面
も滑らかで双晶なしの良質な結晶であつた。
単結晶製造装置により、−族単結晶である
InSb単結晶を製造する場合について詳しく説明
する。第２図において直径75mmのルツボ３に
InSb多結晶原料を500ｇ入れ、〜650℃まで加熱
融解した。次に（211）軸の種結晶を10rpmで回
転させながら融液４に接触させたのち10mm／ｈの
速度で引上げを開始した。この時の(3)式の定数
Ａ、Ｂの値はそれぞれ、Ａ＝4.77×10-4／min・
deg、Ｂ＝6.65×10-5ｇ／min・degとなつた。そ
こで肩形成角度θを15°に設定して肩部の形状制
御を開始した。所定径35mmになつたところでスイ
ツチＳ１を開いて積分回路１０の出力を固定し、
連続して胴体部の引上げを行ない、重さ〜450ｇ
のInSb単結晶を得た。得られた単結晶は肩部の
直線的な広がり角度は〜14.5°であり、結晶表面
も滑らかで双晶なしの良質な結晶であつた。
以上の制御方法によりInSb単結晶の製造を連
続して10回行なつたところ、肩部の角度のずれは
すべて±1°以内であり、そのうち８本は双晶なし
の良質の単結晶であつた。
続して10回行なつたところ、肩部の角度のずれは
すべて±1°以内であり、そのうち８本は双晶なし
の良質の単結晶であつた。
なお、他の発明の実施例として第４図に示すよ
うにコンピユータを利用して本発明の一連の機能
をソフト的に実施した。図において、１５はAD
変換器、１６はコンピユータ、１７はDA変換器
である。
うにコンピユータを利用して本発明の一連の機能
をソフト的に実施した。図において、１５はAD
変換器、１６はコンピユータ、１７はDA変換器
である。
以上説明したように本発明の方法によれば単結
晶の形状を極めて高精度に制御できることから、
良質な単結晶を歩留りよく製造することができ
る。
晶の形状を極めて高精度に制御できることから、
良質な単結晶を歩留りよく製造することができ
る。
さらに、本実施例では述べていないが単結晶の
尾部の形状も同様に自動的に制御することができ
る。また、本発明の方法は他の−族単結晶、
例えば、GaAs、GaSb、InP、GaP等や、酸化物
単結晶においても(3)式の定数Ａ、Ｂを引上げ条件
に応じて定めることにより同様に適用できるもの
であり、その得る効果も大きい。
尾部の形状も同様に自動的に制御することができ
る。また、本発明の方法は他の−族単結晶、
例えば、GaAs、GaSb、InP、GaP等や、酸化物
単結晶においても(3)式の定数Ａ、Ｂを引上げ条件
に応じて定めることにより同様に適用できるもの
であり、その得る効果も大きい。
第１図は単結晶の形状と結晶重量の関係を説明
するための図、第２図は本発明の一実施例を説明
するための図、第３図は本発明の機能の一構成例
を説明するための図、第４図は本発明の他の実施
例を説明するための図である。 １……容器、２……加熱ヒータ、３……ルツ
ボ、４……融液、５……結晶、６……引上げ軸、
７……重量検出器、８……微分回路、９……演算
回路、１０……積分回路、１１……偏差検出回
路、１２……調節形、１３……温調器、１４……
加熱装置、１５……AD変換器、１６……コンピ
ユータ、１７……DA変換器。
するための図、第２図は本発明の一実施例を説明
するための図、第３図は本発明の機能の一構成例
を説明するための図、第４図は本発明の他の実施
例を説明するための図である。 １……容器、２……加熱ヒータ、３……ルツ
ボ、４……融液、５……結晶、６……引上げ軸、
７……重量検出器、８……微分回路、９……演算
回路、１０……積分回路、１１……偏差検出回
路、１２……調節形、１３……温調器、１４……
加熱装置、１５……AD変換器、１６……コンピ
ユータ、１７……DA変換器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヨクラルスキー法によつて引上げられた単
結晶の重量を検出し、その単結晶の形状制御を行
なうのに際し、前記単結晶の重量信号を時間微分
し、次いでこの微分値dw／dtを下記関係式に代
入し演算することにより演算値d2w／dt2を得、
この演算値の積分値を基準値として前記微分量と
の偏差を求め、この偏差を加熱電力に帰還制御し
て単結晶の肩部の形状を制御することを特徴とす
る単結晶の形状制御方法。 記 d2w／dt2＝（Ａ・dw／dt＋Ｂ）・θ ただし、Ａ、Ｂは結晶及び融液の密度、引上げ
速度及びルツボの半径から定まる定数、θは予め
設定された肩部形成角度である。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208481A JPS59102896A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 単結晶の形状制御方法 |
| US06/543,046 US4591994A (en) | 1982-11-30 | 1983-10-18 | Method and apparatus for controlling shape of single crystal |
| DE8383306467T DE3380932D1 (de) | 1982-11-30 | 1983-10-25 | Verfahren und vorrichtung zum regeln der form eines einkristalls. |
| EP83306467A EP0115121B1 (en) | 1982-11-30 | 1983-10-25 | Method and apparatus for controlling shape of single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208481A JPS59102896A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 単結晶の形状制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59102896A JPS59102896A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0416437B2 true JPH0416437B2 (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16556875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208481A Granted JPS59102896A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 単結晶の形状制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4591994A (ja) |
| EP (1) | EP0115121B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59102896A (ja) |
| DE (1) | DE3380932D1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184798A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Agency Of Ind Science & Technol | ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
| IT1207055B (it) * | 1985-05-28 | 1989-05-17 | Montedison Spa | Microprocessore per programmatori di rampe di tensioni per ottenere incrementi minimi di tensione programmabile dell'ordine del millivolt. |
| JPH078754B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1995-02-01 | 株式会社東芝 | 単結晶の製造方法 |
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