JPH04164661A - 静電記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は静電記録装置に係り、特にイオン流により記
録μ体上に静電潜像を形成する静電記録装置に関する。

（従来の技術） 従来、レーザプリンタなどの光プリンタに用いられてい
る電子写真記録装置では、記録媒体として暗中で高い体
積抵抗率（〜１０１４Ω・ａｍ）を示し、光照射で４桁
から５桁体積抵抗が減少する感光体が使用されている。

このような感光体を用いて記録紙上に可視像を形成する
には、まず感光体上にコロナチャージャで発生させたコ
ロナイオン電荷により表面電位を与えた後、記録すべき
信号に応じて変調されたレーザ光などの光を回転ミラー
光学系を介して照射し、表面電位を選択的に消去して反
転した静電潜像を形成する。この電荷が消去されて形成
された静電潜像を表面電位と同極性の電荷を有する着色
微粒子（トナー）を含んだ現像剤で反転現像し、感光体
上にトナー像を形成する１次いで、トナー画像をトナー
とは逆極性の静電気力で記録紙に転写し、記録紙上に可
視像を得る。

こうして得られたトナー画像の階調特性は、感光体に照
射する光強度と光照射時間の積で表す光量に対し、感光
体の表面電位減衰特性を示すγ特性のγ値と、静電潜像
コントラストに対するトナー現像剤の現像特性で決まる
。記録速度を上昇させるために感光体感度を上げると、
感光体のγ値が大きくなり、少ない光量で感光体上の表
面電位７が減衰する。従って、照射光量の微小変化また
は漏洩光により感光体の表面電位が大きく変動するため
、光プリンタでは２値記録が行なわれ１階調記録を必要
とする場合にはデイザ法が用いられている。デイザ法で
は、いくつかの記録ドツトの集合でｌｊ１点を形成し、
そのドツト数を変えることで疑似階調表現を行なう、従
って、多Ｎｔｌｊ記録を行なうには１画点に割り当てら
九るドツト数を増やす必要があるため、より高解像度の
光プリンタが必要となる。また、多階調記録を容易にす
るため、感光体感度を減少させてγ値を小さくすると。

記録速度が低下する。このように電子写真記録における
階調特性は、感光体材料のγ値と、現像剤トナー材料の
現像特性に依存し、任意に階調特性をコントロールする
ことができないという困難さがある。

また感光体の材料上の制約によって、連続記録時の光疲
労による暗中での感光体の体積抵抗率の減少、コロナイ
オン電荷を保持する感光体表面のオゾンによる劣化、現
像によるトナーの表面粘着汚染による光透過率の減少な
どが生じ、高感度でかつ長寿命の記録媒体が得がたい、
さらに光入力のレーザ走査系である機械的回転鏡の速度
が対応できないために速度限界が生ずることになる。こ
の回転鏡の速度については、　８００ｄｐｉ　（約３２
ドツト／鵬■相当）の解像度で１０枚／分（Ａ４）の記
録速度を持たせるには１０面鏡の回転ミラーにより１ｏ
ｏｏ。

ｒｐｍ、３０枚／分（Ａ４）では３００００ｒｐｍの高
速回転が必要となる。そのため通常の高精度ベアリング
軸受けから超高精度でかつ高価な空気ベアリングを使用
した軸受けに移行する必要がある。この空気ベアリング
も解像度８００ｄｐｉ、４０枚／分（Ａ４）に相当する
４００００ｒｐｍ回転速度が上限である。

これに対し、イオン流を用いた記録方式が、特開昭５４
−５３５３７号公報、米国特許第５５０９３号公報など
に開示されている。これは、イオン流を絶縁性記録媒体
上に照射して静電潜像を形成し、それを現像して画像を
形成する記録方式である。イオン流を用いた記録方式は
、高速性とメインテナンス性の点で、レーザプリンタの
などのような光入力を用いた電子写真記録よりも優れて
いる。速度の点ではイオン流を用いた方式では３３０毎
／分（Ａ４）の発表（ＳＰＳＥ　、Ｔｈｅ　４ｔｈ　１
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｇｒｅｓｓｏｎ　ａ
ｄｖａｎｃｅｓ　ｊｎ　ｎｏｎｉｍｐａｃｔ　ｐｒｉｎ
ｔｉｎｇ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　：　Ｍａｒｃｈ
　２０−２５．１９８８．　ｐ３９４−３９７）もあり
、通常の市販レーザプリンタ（６〜８枚／分（Ａ　４　
））の数十倍の速度に達する。

一方、イオン流を用いた記録方式では、高い体積抵抗率
（１０′４〜１０″Ω・ｃｍ）を有する絶縁体を記録媒
体に使用でき、その材料選択範囲が広い。

無機絶縁体では高硬度ＡＱ２０３、有機絶縁体ではイオ
ン発生時に生ずるオゾンに強い有機絶縁材料を使用でき
、感光体のように長期使用時の体積抵抗率の減少、オゾ
ンによる表面劣化、トナー表面粘着による材質劣化など
が少なく、安定した記録が長時間可能となる。またイオ
ンを記録ドツトごとに制御し絶縁体である記録媒体に直
接電荷を与えて記録するため、記録速度はこのイオンを
制御する記録ヘッドの性能で決まり、レーザプリンタの
ように記録媒体特性の影響を受けずに記録が可能となる
。

この様にイオン流を用いた記録方式は、高速性。

記録媒体の安定性と長寿命化、さらに装置コストの低下
などの利点を有しているが、まだ多くの改良すべき点が
ある。その主な点はイオンを制御する制御電圧が数１０
０ｖの高電圧であること、高速駆動可能なイオン流ヘッ
ドはアナログ記録ができず階調表面はデジタル記録のデ
イザ法で行なう必要がある。そのため多階調表現を行な
うには、記録ヘッドの高解像度化が必要でヘッド製造技
術上の制約が生ずる。またイオンの発生量が環境湿度・
環境湿度などにより変動し記録画像に不安定が生ずるな
どである。

従来のイオン流を制御して静電潜像を得る固体イオン流
ヘッドを用いた記録装置は、イオン発生器の前方に記録
画点に対応するイオン流通過孔を有する加速電極を設け
、静電潜像コントラストと同程度の高いバイアス電圧を
記録信号に応じてイオン発生器に印加し、イオン流をオ
ン・オフ制御して誘電性記録媒体上に静電潜像を形成す
る。固体イオン発生器は、誘電性基板上にイオン発生電
極と誘導電極とを近接配置して構成されている。

固体イオン発生器は、高密度のイオンが発生でき、レー
ザプリンタの記録速度以上の高速記録が可能である。

従来考えられてきたイオン流による静電記録装置を第１
３図を用いて簡単に説明する。第１３図は特開昭６１．
−１８４５６２号公報で示されている固体放電デバイス
を用いた静電記録装置の模式的′断面図である。同図に
おいて、誘電性基板１０１の両面には、イオン発生用の
イオン発生電極１０３と誘導電極１０２とが設けられて
いる。イオン発生電極１０３にはイオンを容易に発生さ
せるための電界集中用の孔】０４が設けられている。両
電極１０２，１０３間に交流電圧１０５を印加すると、
電界集中用の孔１０４に高い交番電界が発生し、正負の
高密度のイオンが発生する。このようにして発生した正
負のイオンは。

イオン発生電極１０３に制御用のバイアス電圧１０６を
印加することで負極性のイオンのみが選択され、記録媒
体１０７方向に移動する。このイオンは、記録媒体１０
７とイオン発生電極１０３間に設けられた加速電極１０
８に印加された高電圧１０９で加速され誘電性記録媒体
１０７上に達し静電潜像が形成される。

固体放電デバイスでは、放電ワイヤを用いたときよりも
放電電極付近の電界が強いためより激しい放電が起こり
、生成されるイオン量も多い、しかし、放電が強いので
誘電性基板１０１が放電により侵されこの基板材料が微
粒子化もしくはガス化してイオン発生電極周辺に漂う。

これがイオン発生電極表面に付着すると１次第に放電が
弱まりイオンの生成量が減ってくる。

また、放電が強いため誘電性基板に電子、イオン等の荷
電粒子が打ち込まれ誘電性基板が、一方の極性に帯電す
るもしくは抵抗率が低下するなどの現象が起こり、イオ
ン発生電極１０３と孔１０４の接合部に高い交番電界が
発生しなくなり１次第に放電が弱まりイオンの生成量が
減ってくる。

また、放電で空気中の酸素がオゾンに変化し、このオゾ
ンが空気中の窒素を酸化し窒素酸化物（ＮＯ，ＮＯ，）
を生成する。二九らの窒素酸化物は放電により侵された
誘電性基板材料と反応し、安定な硝酸塩を生成する。こ
の硝酸塩が誘電性基板上に付着すると、電界集中用の孔
１０４の表面抵抗が減少し、イオン発生電極１０３と孔
１０４の接合部に高い交番電界が発生しなくなり、次第
に放電が弱まりイオンの生成量が減ってくる。

この様に、固体放電デバイスは単位体積当たりのイオン
生成量が多い利漉はあるが、強電界での放電に耐えるよ
うな誘電性基板が得ることが困難であるため、安定性に
劣る。また１強電界でのオゾンの生成により硝酸塩がで
き、二九が誘電性基板に付着することで次第に放電が弱
まりイオンの生成量が減る。

（発明が解決しようとする課題） このように、＠体放電デバイスはワイヤを用いた放電デ
バイスよりも放電領域の電界を強くできるために単位体
積当りのイオン発生量が多く。

静電記録装置に用いた場合高速記録に有利と考えられる
が、反面その強い放電により誘電性基板が侵され微粒子
化またはガス化してイオン発生電極周辺に浮遊するとい
う問題がある。これら基板材料がイオン発生電極に付着
するとイオン生成効率が低下し、その結果記録媒体に静
電潜像を形成するのに必要なイオン量が得られなくなる
。また。

強い放電により誘電性基板の物性が変化し、イオン発生
電極と誘電性基板の境界で強い電界がかからなくなり、
放電が次第に弱くなる。その他にも、放電により生成さ
れたオゾンにより硝酸塩が出来。

これらが誘電性基板に付着すると誘電性基板の表面抵抗
が低下し放電が次第に弱まり、その結果記録媒体に静電
潜像を形成するのに必要なイオン量が得られなくなる。

この発明は、上述の問題に鑑みて成されたものであり、
その目的とするところは長時間、安定にイオンを発生で
きるイオン発生器を提供することにある。

〔発明の構成〕

（１１題を解決するための手段） この発明では、上記の目的を達成するために。

誘電性基板の材料に表面抵抗が高いもの（表面抵抗率１
０■Ω以上）を使用する。

更に、イオンを発生させるための交流電圧と、イオンを
記録媒体に移動させるための直流電界を画点を記録する
ときだけ印加する。

更に、誘電性基板の表面をポリイミド、ポリアミド、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂等の放電により物性が変化し
ない樹脂でコートする。

更に、誘電性基板表面を加熱して付着した硝酸塩を分解
させ、誘電性基板の表面抵抗の低下を防ぐ。

更に、イオン発生電極に沿って絶縁性基板に穴を開け、
イオン発生器からイオン流通過孔の方向に使用環境温度
以上の風を流す。

（作用） この発明によれば、誘電性基板の表面をポリイミド、ポ
リアミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の放電により
物性が変化しない樹脂でコートすることにより、誘電性
基板の表面抵抗値が低下しないので放電が弱まらずイオ
ンが連続して安定に得られる。

また、誘電性基板の材料に表面抵抗が高いもの（表面抵
抗率１０■Ω以上）を使用することにより、使用中に誘
電性基板の表面抵抗が低下しても弱電が弱まらずイオン
が連続して安定に得られる。

また、イオンを発生させるための交流電圧と、イオンを
記録媒体に移動させるための直流電界を画点を記録する
ときだけ印加することにより、誘電性基板を放電にさら
す時間が短縮でき、それだけイオン発生器を長時間使用
できる。

また、誘電性基板表面を加熱すること、もしくはイオン
発生電極に沿って絶縁性基板に穴を開はイオン発生器か
らイオン流通過孔の方向に使用環境温度以上の風を流す
ことにより、誘電性基板やイオン発生電極に硝酸塩や帯
電された浮遊物が付着することを防げ、その結果放電が
弱まらずイオンが連続して安定に得られる。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の１実施例について詳細に説
明する。第１図（ａ）は本発明のイオン発生装置とイオ
ン流制御ヘッドを用いた静電記録装置の゛実施例である
。記録ドラム１はＡρトドラム上数１０．　（〜２０−
）程度の厚みのフッソ系樹脂からなる絶縁性誘電体を被
覆したものである。この記録ドラム１の周辺に一様帯電
を行なう負極性のイオン発生器２を配置し、記録ドラム
を一６００ｖに一様に帯電する。次に本発明のイオン発
生器を用いた低電圧駆動可能なイオン流制御ヘッド３を
用い、各記録ドツト毎にアナログ的に制御された正極性
のイオン流によって記録ドラム１上に反転した静電潜像
を形成する。次に負極性トナーを有する一成分接触現像
器４を用い一３００νの現像バイアス電圧で反転現像を
行ないトナー像５を記録ドラム１上に形成する。このト
ナー像５を特願昭６３−１４０４２３号に示される環境
変動にも安定で高い転写効率を与える機能分離型ソフト
ローラー転写装置６を用いて、普通紙７上にトナー像５
を転写する。

この普通紙７上に転写されたトナー像８はヒートローラ
９により定着され普通紙７上に固定される。

一方記録ドラム１上に残った残留トナーｌＯはクリーニ
ング装！１１によって拭き取られ、清掃された記録ドラ
ム１は再び使用される。この様なイオン流制御ヘッド３
を用い、かつ−成分接触現像器４とソフトローラー転写
装置１６とを導入した静電記録方式は、静電記録方式の
ラインプリンタでは行なわれていなかった新しい概念の
ステップ送り、間欠駆動が可能となる。この方式を用い
るとＦＡＸなどの信号圧縮によって伝送された信号もリ
アルタイムで記録することもできる。ステップ送りが可
能になる理由はイオン流制御ヘッド３がレーザプリンタ
の様な回転光学系を使用していないため、任意の信号に
対応できること、−成分接触現像器４により現像される
画像濃度は、主に記録ドラム１の表面電位に依存し記録
ドラムの周速に依存しないこと、ローラ転写効率は転写
用印加電圧が加わる転写時間に依存するが、この転写時
間はローラに加える転写電圧が８００ｖと低く（従来の
チャージャー転写では６ＫＶ）　、電圧印加時間が容易
に制御できるためである。

なお本発明のイオン発生器２とイオン流制御ヘッド３を
、クリーナレスの静電記録装置に搭載した実施例を第１
図（ｂ）に示す、残留トナー１０の存在する記録ドラム
１はイオン発生器２により一６００ｖに残留トナー１０
上から帯電が行われる。前記機能分離型ソフトローラ転
写により８５％以上のトナーが普通紙７上に転写してい
るため残留トナー量は１５％程度の量であり、この様な
場合には記録ドラム１上の帯電がトナーで阻止されるこ
とがなく一様に帯電される。この様にして帯電された記
録ドラム１上にイオン流制御ヘッド３からの正極性のイ
オンにより記録ドツト対応部分の電位が消去され、−成
分接触現像器４で現像される。このとき非画像部の残留
トナー１０が存在する記録媒体の表面電位は現像器４の
負極性のバイアス電位よりも大きくなり、現像器４の拭
き取り作用により容易に拭き取られる。一方イオン流制
御ヘッド３で正極性になった画像部にある残留トナーは
、その画像部の電位もゼロ電位方向に高くなるため逆に
この正極性のトナーも現像器に静電力で引き付けられ、
拭き取られる。この様に現像されたトナー像５は普通紙
７に転写され、定着される。転写後の記録ドラム１は残
留トナー１０を残したまま使用される。

以上−成分現像器、ローラ転写、クリーナレスなどの技
術を用いた静電記録装置について説明してきたが、当然
従来の電子写真系のプロセスやトナー現像材料などを使
用することができる。

次に本発明の静電記録装置の主要部であるイオン発生器
を用いたイオン流制御ヘッド３について第１図（ｃ）の
模式図を用いて説明する。上述した内容も同様であるが
、以下の説明では全て記録ドラム１の表面は負極性のイ
オンで予め帯電され。

その後イオン流制御ヘッド３で正極性のイオンを照射し
静電潜像を形成する場合を考える。

イオン流制御ヘッド３はセラミック基板２０上に形成さ
れた厚さ数ＩＭ（２〜３−）の誘導電極２工と厚さ数１
０−（〜２０ｐ）程度の誘電層２２、更に厚さ数１０ｐ
（〜１８−）のイオン発生電極２３、イオン発生電極２
３と同電位と遮蔽電極２４（イオン発生電極２３と遮蔽
電極２４の間のスリット幅は約４０Ｊ）とから構成され
るイオン発生器２５と、絶縁性基板２６の両面に形成さ
れた第１制御電極２７と第２制御電極２８とから構成さ
れ、多数のイオン貫通用の孔２９が配設された制御基板
３０とを、スペーサ部材３１を介してこのイオン発生器
２５と制御基板３０を適当な距離（１００〜５００．ｘ
）だけ離して接着・一体上することで、イオン流制御ヘ
ッド３が作成される。記録ドラム１はＡＱドラム３２上
に１０〜５０．の厚さに形成されたフッソ系樹脂からな
る絶縁性誘電体３３で構成されている。ここでＡＩドラ
ム３２が基準電位（アース電位）になっている、また第
２制御電極２８とＡＱドラム３２と同電位であり、第１
制御電極２７は非記録時には第２制御電極２８と同電位
、記録時には第２制御電極２８に対して正の制御電圧Ｖ
ｃ３４が印加されるように電気的なスイッチング回路５
Ｖ１（３５）で制御される。イオン発生電極２３と遮蔽
型＃ｉ２４とは非記録時には第１制御電極２７に対して
負のバイアス電圧Ｖｂ−３６が、記録時には第１制御電
極２７に対して正のバイアス電圧Ｖｂ＋３７が与えられ
るように、電気的なスイッチング回路Ｓｗｚ（３８）で
制御される。更に誘導電極２１とイオン発生電極２３お
よび遮蔽電極ｚ４との間には記録時には交流電圧３９が
加えられるように、電気的なスイッチング回路５ｗ３（
４０）で制御される。誘電層２２は放電により周辺部４
１の物性が変わりやすいので、この様に静電潜像の形成
時のみ交流電圧３９を印加すると放電回数が最小限で済
み、イオン発生器のイオン発生効率の劣化を抑制できる
。

この様な記録装置で画点を記録している場合には、この
図に示すように第１制御電極２７には制御電圧Ｖｃ３４
、イオン発生電極２３と遮蔽電極２４には第１制御電極
２７に対して正のバイアス電圧Ｖｂ＋　３７、そしてイ
オン発生電極２３および遮蔽電極２４と誘導電極２１と
の間には交流電圧３９が印加されている。

誘電層２２を挟んでイオン発生電極２３および遮蔽電極
２４と誘導電極２１との間に交流電圧３９を印加するこ
とによって、これらの電極の周辺部４１でコロナ放電が
起こり、これによってイオンが発生する。

つまり誘電層２２で絶縁された電極間の交流電圧３９を
大きくすると、周辺部４１の気体分子の電離が盛んに起
こる。すなわち、空気中には常に微量のイオンが存在し
ているが電界が大きくなるとこれらのイオンは加速され
て、気体分子と衝突しこれを電離する。この電離作用が
ある程度以上大きくなると気体の絶縁性が失われて放電
が起こる。この放電により周辺部４１の誘電体表面が荷
電していくため、やがて放電は止まる。一方途の電界が
作用したときも同様なことが起こる。今度は誘電体表面
が上記とは逆極性のイオンで荷電される。この繰り返し
によって、周辺部４１には正負のイオンが発生する０発
生するイオンの密度は交流電圧３９の電圧・周波数に依
存するが、従来のコロナチャージャとは比較できないほ
どの高密度のイオン電流は（１０−’〜１０−”Ａ／ｃ
ｍ）が発生する１本実施例ではこの交流電源３９の電圧
としては１〜３　ＫＶｐｐ、周波数は〜５０ＫＨｚとし
た。

ここで第１制御電極２７には制御電圧Ｖｅ３４として約
６０Ｖ、イオン発生電極２３には正のバイアス電圧Ｖｂ
”３７として約２４０ｖが印加されているので、これら
の電極の間に形成される電界Ｅ工によって、正極性のイ
オンだけが第１制御電極２７の側に移動する。次に第１
制御電極２７と第２制御電極２８の間に加えられている
約６０Ｖの制御電圧Ｖｃ３４によって形成される電界Ｅ
２によって、この正極性のイオンが多数のイオン貫通用
の孔２９を通過することが可能となる。更に予め負極性
のイオン発生器２によって、記録ドラムｌの絶縁性誘電
体３３が表面が約−６００Ｖに一様に帯電されているの
で、この負極性のイオンによって形成される電界Ｅ３に
よって。

イオン貫通用の孔２９を通過した正極性のイオンは記録
ドラム方向に加速される。この様にして絶縁性誘電体３
３の表面に到達した正極性のイオンにより、静電潜像が
形成される０画点を記録しないときは、正極性のイオン
がイオン通過孔２９を通過しないようにスイッチング回
路５Ｖ１（３５）の接点を■側に切替えて、第１制御電
極２７と第２制御電極２８を同電位（アース電位）にし
電界Ｅ２を０に設定する。この様にすることで正極性の
イオンの通過が遮断される。この様にイオン流の制御は
、第１制御電極２７と第２制御電極２８の間に印加され
る電圧をスイッチング回路５ｗ１（３５）で０と制御電
圧Ｖｃ３４の間で切替えることによって行なわれる。

また、画点を記録しない場合に第１制御電圧２７と第２
電極２８を同電位にしておくだけだと、微量ではあるが
エネルギーの高いイオンがイオン貫通用の孔２９を通過
することがある。これを防ぐために、画点を記録しない
ときに第２制御電極の方が第１制御電極より電位が高く
なるように、第２制御電極に５〜２０Ｖ程の正極性の電
位を与えておくと良い。

以上述べてきた様に、本発明の静電記録装置では、従来
数１００Ｖの制御電圧が必要であったものが数１０Ｖの
電圧で制御可能となった。この様な低電圧制御が可能と
なった理由としては、この発明ではイオン発生電極２３
の間に更に遮蔽電極２４を設けることによってスリット
部分を約４０．と小さくし、イオン発生用の交流高電圧
３９が制御電極間の電界に影響を与えないようにしたこ
とが第１にあげられる６更に予め記録媒体３３の表面を
、本実施例の場合には負極性のイオンでまず一様帯電さ
せておき、逆極性の正極性のイオンを、負極性イオンで
形成される電界で記録媒体３３側に加速するような構成
としたためである。

なおイオン発生器２５と制御基板３０を一体化する場合
には、スペーサ３１によってこれらの間の距離を最適化
する必要がある。制御基板３０をイオン発生器２５に近
付けることにより発生したイオンは効率良く取り出すこ
とができる。しかしイオン発生器２５に印加される交流
電圧３９の漏れによる電界は、イオン発生器２５に近付
くほど大きくなる。制御基板３０を近付は過ぎると漏れ
電界の大きさは空気のイオン化電界（３ｏＫｖ／ｃｍ）
以上になり、イオン発生器２５と第１制御電極２７の間
で火花放電を開始する。従って漏れ電界の大きさが火花
放電開始電界以上になる距離より近くに第１制御電極２
７を近付けてはならない。

更に各電界Ｅ１、Ｅ２、Ｅ、の間に、Ｅ、＞Ｅ、＞Ｅｌ
の条件が成立する状態で使用する場合には、電界のレン
ズ効果が生じ、より効率良く周辺のイオンを記録媒体上
に取り呂すことや、イオンビームが絞り込まれてより高
精細な画点を形成することができるようになる。以上が
本発明の静電記録装置の概要である。

第２図は実際に使用したイオン流制御ヘッド３の斜視図
である。イオン流制御ヘッド３は上述したように、イオ
ン発生器２５と制御基板３０．２つのスペース部材３１
、そして制御基板３ｏの各ドツトを制御するための制御
信号を図示しない制御回路から供給するための２本のフ
レキシブル・プリント・ケーブル５０とから構成されて
おり、これらは全て図示しないヘッドホルダ上に搭載さ
れている。同図は記録ドラム１側から見た図であるので
、制御基板３０は第２制御電極２８が見えている。第２
制御電極２８は一面の金属でありこの上にイオン貫通用
の孔２９が図の様に斜めに４個ずつ配設されている。

本実施例の静電記録装置では全部で１０２４個の画点を
記録できるようになっているので、４個ずつ２５６組の
イオン通過孔２９が形成されている。なお記録の解像度
は主走査・副走査とも１０ドツト／ｍｍの場合と２０ド
ツト／鳳■の場合のイオン流制御ヘッドを作製したが、
これらの解像度を維持するためにイオン通過孔２９がこ
の様な配置になっている。

また各イオン貫通用の孔２９の延長線上で制御基板３０
の端部には位置合わせ用のパターン５１が形成されてお
り、更に制御基板３０の所々には接着剤浸透用の孔５２
が設けられており、制御基板３ｏとイオン発生器２５が
接着剤で接着され一体化されている。

イオン発生器２５上には、誘導電極２１に接続されてい
る第１メタル層の端子５３と、イオン発生電極２３、遮
蔽電極２４に接続されている第２メタル層の端子５４が
見られる。

以下イオン流制御ヘッド３を構成する各要素について詳
細に説明する。まず第３図、第４図を用いてイオン発生
器２５について説明する。第３図（ａ）はイオン発生器
２５の全体図である。セラミックスの絶縁性基板２０の
上にまず誘導電極２１に接続されている第１メタル層５
５が数−の厚さに形成される。

次に、ガラスで構成される誘電層２２が形成され。

その上に更にイオン発生電極２３．遮蔽電極２４に接続
されている第２メタル層５６が形成される。この時、誘
電層の材料として表面抵抗率が１０■Ω以上のものを選
んだ、ここで表面抵抗率の測定方法を第３１！（ｂ）を
用いて説明する。第３図（ｂ）は誘電層２２の表面抵抗
率を測定するために製作したイオン発生器２５を示して
おり、イオン発生電極２３、遮蔽電極２４が分離されて
おり、それぞれに端子２３′。

２４′がつけである。表面抵抗を測定するときは一方の
端子をアースに、他方の端子を抵抗測定器に接続する。

ここではＫｅｉｔｈｌｅｙのａｌｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ
６１０ｃを使用した０表面抵抗率ρは、抵抗測定器で求
めた抵抗値Ｒより、ρ＝ＲＸＱ÷ｄ　（Ｑは電極長、ｄ
は２つの電極の間隔）と定義する。イオンを発生させる
ときは、２つの端子２３′、２４′とも第１図（ｃ）の
交流電圧３９、スイッチング回路ＳＷ２（３ｇ）に接続
する。この様にして、イオン発生器の使用開始時の表面
抵抗値と、ある一定時間使用した後の表面抵抗値を測定
した。ここで誘電層２２に使用したガラス材料は、使用
開始時の表面抵抗率ρは１．２　Ｘ　１０１ＳΩで、８
時間連続放電後のは３Ｘ１０”Ωであった。今回使用し
たガラスの他に数種類の誘電性材料を使ってみたが１表
面抵抗率ρが１０゜Ωより小さくなると放電が弱くなり
イオンが発生されなくなるにの様に誘電層２２の表面抵
抗率はイオンの発生に大きく影響することが分かった。

また、第３図の説明を続けると、第１メタル層５５には
バイアス電圧（Ｖｂ＋（３７）、Ｖｂ−（３６）　）が
接続されるための端子５３と、第２メタル層５６には交
流電圧３９が接続される端子５６が形成される。この様
なイオン発生器２５は全て厚膜印刷技術で作ることが可
能である。なおセラミックスの絶縁性基板２０にはレー
ザー加工などによって、送風用の孔５７がイオン発生電
極２３に沿って多数個形成されている６本実施例では直
径１１厘、ピッチ２厘■で送風用の孔５７が２列、イオ
ン発生部の両側に形成されている。

誘電層２２にも送風用の孔５７′　が形成されているの
はもちろんである。この送風用の孔５７にはイオン発生
器背面（セラミックス基板側）から風が供給されるよう
になっており、これによってイオン発生器の動作が安定
する。送風が無い状態ではイオン発生器での放電は３０
分程度ると起こらなくなるが、風を送ると放電は安定す
る。

また、この風にはイオン流制御ヘッド３をトナーによる
汚れから防ぐ効果がある０本実施例では記録ドラムｌと
イオン流制御ヘッド３の間の空間にトナーが漂うと、負
極性のトナーは電位の高い第２制御電極２８へ引き寄せ
られる。このときトナーがイオン貫通用の孔２９を塞ぐ
、もしくはトナーがイオン貫通用の孔２９よりイオン流
制御ヘッド３の内部に入りイオン発生電極２３に付着す
ると、静電潜像を形成するイオン流が減ってしまう０本
実施例のように空気流をイオン貫通用の孔２９がら呂て
記録ドラム１の方向へ流れるようにするとトナーはイオ
ン貫通孔２９に付着もしくは通過出来ず、トナーによる
イオン流制御ヘッド３の汚れを防ぐことができる。また
１本実施例のようにイオン発生器２５と制御基板３０の
間にスペーサ部材３１があると、イオン発生器２５の送
風用の孔５７から入った空気流が全てイオン貫通用の孔
２９から流出するので、さらにトナーによる汚れの防止
に効果がある。

このイオン発生器２５について第４図を用いて更に詳し
く説明する。第４図（ａ）には、イオン発生器２５のＡ
−Ａ’断面図を示す、第１図（ｃ）の記録原理図に示し
た様に、セラミック基板２０の上に誘導電極２１が形成
され、次に誘電層２２、最後にイオン発生電極２３と遮
蔽電極２４が形成される。第１図（ｃ）の原理図と実際
の実施例で異なっている点は、イオンを発生する場所が
Ａ−Ａ’力方向４か所あることである。これは第２図に
示したように、本実施例のイオン流制御ヘッドでは、副
走査方向に４ドツトずつ制御電極にイオン通過孔が形成
されているためであり、第２図に示されたイオン発生器
の基本パターンが４つ繰り返されているのである。

第４図（ａ）のイオン発生部の副走査方向のピッチは制
御電極のイオン通過孔の副走査方向のピッチと等しくな
っている。制御電極上のイオン通過孔はθ＝　ｔａｎ−
１４の角度で斜めに並んでいるので、本実施例の解像度
１０　ｄｐｍの場合にはイオン発生部のピッチは３００
ｐ、　２０　ｄｐｍの場合には１５０１１ｍとなってい
る。また本実施例の場合には遮蔽電極２４の幅は約４０
．、遮蔽電極２４とイオン発生電極２３の間のスペース
も約４０−にした。なおセラミック基板２０と誘電層２
２には送風用の孔５７．５７’　が形成されており、基
板２０側から風が流される構造となっている。

第４図（ｂ）はイオン発生器２５の他の実施例のＡ−Ａ
’断面図である。これは第４図（ａ）で４つに分割され
ていた誘導電極２１を１つにした例である。

この様にすることで第１メタル層である誘導電極２１と
第２メタル層であるイオン発生電極２３、遮蔽電極２４
との位置合わせ精度をラフにすることができる利点を持
っている。しかしその代わりこれらの電極間の静電容量
も大きくなるので、交流電圧としては電流容量の大きい
ものが必要となる。

第４図（ＯＬ　（ｄ）はそれぞれ第３図に示したイオン
発生器のＢ部、０部の拡大図である。これらの図では、
２点鎖線でセラミックス基板２０．破線で第１メタル層
５５である誘導電極２１．１点鎖線で誘電層２２、実線
で第２メタル層５６であるイオン発生電極２３と遮蔽電
極２４のパターンをそれぞれ現している。送風用の孔５
７が形成されたセラミック基板２０上にまず第１メタル
層５５である誘導電極２１が形成される。これらの図で
は説明を簡単にするために、誘導電極２１は第４図（ｂ
）に示される４つに分割されてないタイプの誘導電極２
１の例を示しである１次にこの上に送風用の孔５７′　
のある誘電層２２を形成する。なお誘電層２２の送風用
の孔５７′はセラミック基板２０の送風用の孔５７より
もやや大きくなっているので、パターンの位置精度が少
し変化しても確実に風が通過できるようになっている。

更にこの誘電層２２の上に第２メタル層５６が厚膜印刷
技術によって形成される。最後にエツチングによってイ
オン発生電極２３と遮蔽電極２４のパターンが形成され
てイオン発生電極が完成する。なお第４図（Ｑ）の第２
メタル層５６には４本の切り欠き５８が、また第４図（
ｄ）の第２メタル層５６には４本のバーパターン５９が
形成されている。これらはこの上に乗せられる制御電極
との位置合わせ用のパターンである。位置合わせ用の切
り欠きパターン５８は本実施例では約４０．の幅で、ピ
ッチは３００゜（２０ｄｐｍの場合には１５０．）、ま
た位置合わせ用のバーパターン５９はバーの幅約４０μ
ｓの幅で、ピッチは３００趨（２０ｄｐ脂の場合には１
５０．）である、つまりこれら位置合わせパターン５８
．５９と制御基板上のイオン通過孔が一致するように位
置合わせすることにより、どのイオン通過孔からも一定
量のイオンを安定して取り出すことが可能となる。なお
本実施例の場合これらの位置合わせパターンは、遮蔽電
極２４の延長線上に形成されている。従って位置合わせ
された状態では第１図（ｃ）に示したように、遮蔽電極
２４の真上にイオン通過孔が来ることになる。

次に制御基板について第５図乃至第８図を用いて説明す
る。第５図は制御基板を表側、すなわち第１図（ｃ）で
いえば記録ドラム側から見た図である。従って第５図（
ａ）に示すように第２制御電極２８が見えることになる
。第２制御電極２８は１面金体がベタの電極になってお
り、第１図（ｃ）に示したようにアース電位に接続され
ている。制御基板３０にはイオン通過孔２９が斜めに４
個づつ多数（１０２４個）並んでいる。更に位置合わせ
用の孔５１゜制御基板３０とイオン発生器２５を接着す
るために接着剤を流し込む孔５２も形成されている。な
お第２制御電極２８は実際にはイオン通過孔２９の周辺
にだけあれば充分である。第５図（ｂ）はこの様な１例
であり、１面がベタの第２制御電極２８になっているの
ではなく、イオン通過孔２９の周辺だけを第２制御電極
２８になっているのではなく、イオン通過孔２９の周辺
だけを第２制御電極２８′　とした例である。全面ベタ
のパターンをエツチングすることでこの様なパターンを
形成する。この様に第２制御電極２８の面積を小さくす
ることで、第１制御電極２７と第２制御電極２８の間に
形成されるコンデンサの容量が小さくなるため、駆動回
路・駆動電源の容量が小さくても良い利点が生ずる。な
お第２制御電極２８′は両側（＃Ｉ走査方向）に端子を
取り出せるように長く伸ばしである。また第２　＊Ｊ御
電極２８′　から分離された部分２８′は全部取り去る
ことも可能であるが、本実施例では強度を持たせるため
にそのまま電気的には浮かした状態で残して使用した。

更に第２制御電極２８′　と分離された部分２８′とは
電気的に１点を接続することで第５図（ａ）とほぼ同様
の機能を持つこともできる。

第６図は制御基板３０を裏側（第１制御電極２７側）か
ら見た全体図である。第２制御電極２８側から見た場合
と同様にイオン通過孔２９、位置合わせ用の孔５１、接
着剤流し込み用の孔５２が見えるのは勿論である。最も
大きな違いは第２制御電極２８は各イオン通過孔２９に
対して共通の電位が与えられる様になっていたのに対し
、第１制御電極２７は各イオン通過孔２９に対して異な
った電位を時間的にも独立に印加できるように、各第１
制御電極２７が独立していることである。そのために第
１制御電極２７はこの図のように細かくパターンニング
されているのである。各第１制御電極２７の先端は制御
基板の端部でフレキシブル・ケーブル接続用端子６０に
繋がっており、ここでフレキシブル・ケーブルから制御
電圧が与えられる。なお第６図は１０ｄｐｍの場合のを
示しており、この場合には制御電極２つ毎に上下に配線
が引き出されているので、配線間のピッチは２００．（
５本／ａｍ）となる、また接着剤流し込み用の孔５２は
、直径１００７ｍ　、ピッチ４００−で副走査方向に５
個づつ形成されており、配線１０本にこれらの接着剤流
し込み用の孔５２群が配設されている。従って制御電極
の配線はイオン通過孔２９付近とフレキシブル・ケーブ
ル接続用端子６０付近では＠ＸＯＯμｓ、ピッチ２００
．であるのに対し、接着剤流し込み用の孔５２の付近で
は幅９２ｕｍ、ピッチ１８４ｐとしである。なおイオン
通過孔２９の極近傍では配線幅６６、であるが、これに
ついては第７図で説明する。フレキシブル・ケーブル接
続用端子６０は１本毎に長さを変化させであるが、これ
はフレキシブル・ケーブルと接続する場合の位置合わせ
を簡単にするためである。解像度１０ｄｐｍの場合には
イオン通過孔２９付近で解像度５ｄｐｍ、フレキシブル
・ケーブル接続用端子６０付近でも解像度は５ｄｐｍで
ある。これに対し、解像度２０ｄＰ園の場合には、やは
り配線は２本づつ上下に分割するので、イオン通過孔２
９付近で解像度１０ｄｐｍである。ところがフレキシブ
ル・ケーブルは解像度の高いものでも８ｄｐ−程度であ
ることや、解像度が高くなるとフレキシブル・ケーブル
との接続がむづかしくなることなどから、フレキシブル
・ケーブル接続用端子６０付近ではａｄＰ園としている
。従って第６図に示したような単純な平行な配線にはな
らず、イオン通過孔２９付近の１０ｄＰ■の配線から、
フレキシブル・ケーブル接続用端子６０付近での８ｄｐ
■にまで広がる配線となっている。

第７図はイオン通過孔２９付近の拡大図である。

多数のイオン通過孔２９が斜めに形成されており、この
イオン通過孔２９のまわりを第１制御電極２７で囲まれ
ている。隣り合うイオン通過孔２９の主走査方向のピッ
チをＰ、副走査方向の距離を１とする。

するとＰと１の間には１＝４Ｘｐの関係が成立している
。すなわち主走査方向とイオン通過孔２９の並んでいる
方向のなす角度をθとすると、θ＝ｔａｎ”−’　４　
　となる、この様なイオン通過孔２９の配置になった理
由を次に説明する。イオン通過孔２９の直径が５０．で
あり、解像度２０ｄｐｍの場合を考える。

主走査方向に１列に並べるとイオン通過孔２９が連続し
てしまい第１制御電極２７が形成できなくなる。

従って斜めにイオン通過孔２９を並べる必要性が生ずる
。斜めに並べる場合にも副走査方向の解像度の整数倍の
位置に配置しなければならない。本実施例の場合には主
走査・副走査ともに２０ｄｐｒａで等しいため、θ＝　
ｔａｎ””　Ｎ　（Ｎは整数）となる角度に、イオン通
過孔２９を並べる必要がある。

まず　θ＝ｔａｎ−”　１　＝４５’の場合を考える。

この場合に隣り合うイオン通過孔２９の中心間距離は７
１−であり、従って最も近い部分は２１μｓとなってし
まう、このイオン通過孔２９の周辺に第１制御電極２７
を形成する必要がある。現在エツチングなどで安定して
形成できるのは、線幅・スペースとも３０ｐ程度が限界
である。従って隣り合うイオン通過孔２９の間には最低
９０．は必要となり、Ｎ＝１は不適当となる。同様な理
由からＮ＝２も不適当である。Ｎ＝３以上であればこの
条件はクリアできる。

しかし電気回路で信号を遅延させる関係からＮは偶数の
方が、回路が簡単になる。したがってＮ２４以上の偶数
ということになる。

Ｎ＝４の場合に副走査方向に何列並べたら良いかを次に
考える。まず２列の場合には各列でも最もイオン通過孔
２９の近付いている距離は５０−であり、上述した理由
から不適当である。ここで第１制御電極２７からの配線
の取りだし方について考えてみる。いま全ての配線を１
方向に取り出すとすると、エツチングが線幅・スペース
とも３０−で限界とすると１Ｍ列ある場合には（６０Ｘ
Ｍ＋３０）　ｔｒｙｓの幅が各列の隣り合うイオン通過
孔２９の間に必要である。これに対して各列の隣り合う
イオン通過孔２９の間の距離は（５０ＸＭ−５０）４で
ある。っまりＭ≧１では常に（６０Ｘ　Ｍ　＋３０）＞
（５０Ｘ　Ｍ　＋５０）が成立しており、そのため配線
を１方向に取り出すことは不可能である。つまり配線は
上下に振り分けなければならない。このことを考慮する
と３列では配線の取りだし、信号の並べ替えが複雑にな
るので、４列を採用することにした。

以上の理由から第７図に示すようなイオン通過孔２９の
配列、第１制御電極２７の配線の取り呂しが決定された
。

また第７図に示されるようにイオン通過孔２９の各列の
延長線上には位置合わせ用のパターン５１が形成されて
いる０本実施例の場合には孔を開けである。この図のよ
うに制御基板の端面になる所付近に各列３つの位置合わ
せ用の孔５１を開けておく。

そして真ん中の孔を狙って切断し、制御基板の端面６１
を形成する。この切断して形成された制御基板の端面６
１は必ずしも位置合わせパターン５Ｉの真ん中の孔の更
に中心を通る線で切断する必要はない。例えば制御基板
上に位置合わせパターン５１が１つしかなく、しかもそ
の孔も一部分しかないように端面６１′が形成されても
、また制御基板上に位置合わせパターン５】が３つある
ように端面６ビが形成されても、位置合わせの機能は失
われることはない。この様に制御基板端面６１の位置が
少しずれてもその機能を失わないために、３つの孔を開
け、真ん中の孔の中心を狙って切断し、制御基板端面６
１を形成しているのである。

第８図（ａ）〜（ｅ）には制御基板の具体的な作成方法
について説明する。まず第８図（ａ）に示すよに約１８
虜の銅ｆｆ１７０と約２５．のポリイミド樹脂７１がら
構成される片面銅貼り基板７２を２枚使用して、銅箔７
０面が外側になるよう接着剤７３（厚さ約１５ｐ）で接
着する。次に第８図（ｂ）に示すように片面の銅箔だけ
エツチングして第１制御電極２７を形成する。次に第８
図（ｃ）に示すようにポリイミド樹脂７１層、接着剤７
３層、ポリイミド樹脂７１層とエツチングしてイオン通
過孔２９を開けて行く。次に第２層目の銅箔７０をエツ
チングすることでイオン通過孔２９が完成するが、第１
層目の第１制御電極２７も同時にエツチングされてしま
うので、まず第８図（ｄ）に示すようにすでに形成され
ている第制御御電極２７を金７４でメツキしておく、こ
の様にして銅箔７０のエツチングを行うことで、第８図
（ｅ）に示されるようなイオン通過孔２９が完成する。

以上述べてきた様な方法でイオン発生器２５と制御基板
３０が作成される。最後にこれらとスペーサ部材３１、
フレキシブル・ケーブル５ｏとを一体化することで第２
図に示したようなイオン流制御ヘッド３が作成される。

第９図はイオン発生器２５の上にスペーサ部材３１を載
せ、更にその上に制御基板３０を載せて、イオン発生器
２５と制御基板３０の位置合わせを行った図である。制
御基板３０上の位置合わせ用の孔５１とイオン発生器２
５に形成された位置合わせ用の切り欠きパターン５８お
よびバーパターン５９が図のように一致している。この
状態でイオン発生器２５と制御基板３０を、制御基板３
０に開いた接着剤注入用の孔から接着剤を注入して接着
することで一体化することができる。

なお制御基板３０とフレキシブル・ケーブル５ｏの接続
は圧接で行った。第１０図に第２図のＤ−Ｄ’断面を示
す、制御基板３０とフレキシブル・ケーブル５０のそれ
ぞれの電極は位置合わせされた状態でゴム７５と押さえ
板７６で押さえられ、互いの電極を圧接するためにネジ
７７でヘッドホルダ７８に留められる。この様にして制
御基板３０とフレキシブル・ケーブル５０の接続を実現
している。

以上本発明の１実施例について詳細に説明した。

凍に第１１図を参照して本発明の第２の実施例を説明す
る。第１の実施例で説明したイオン発生器では誘電層２
２は一種類の材料より形成されていたが、誘電層２２に
必要な性質を全て兼ね備えている材料は少ない６例えば
、アクリル樹脂は表面抵抗はガラスよりも２桁程大きい
が、体積抵抗が逆に２〜３桁小さいため高電圧が印加さ
れる誘電層２２には用いることが出来なかった。そこで
、ここでは誘電層２２を２層にして放電の起こる周辺部
４１に接するところ２２′は表面抵抗が大きく放電によ
り物性が変化しないアクリル樹脂を、その他の部分２２
′は絶縁破壊が起こらぬよう体積抵抗が大きいガラスを
用いている。

次にこのイオン発生器２３の製法について簡単に説明す
る。まず誘導電極２１の上に厚膜製法で誘電層２２′を
形成している。次に、その上で樹脂でコートし乾燥して
、誘電層２２′　を作る。さらにその上で銅薄膜を接着
し、エツチングにより、イオン発生電極２３、遮蔽電極
２４を形成するにのように、誘電層２２を多層に機能分
離してそれぞれの機能に適した材料を使うことで、放電
が長時間安定に起こるイオン発生器を作ることができる
。

また、ここでは表面抵抗が大きく、放電により物性が変
化しないものとしてアクリル樹脂を使ったが、これに限
定されるものではない０表面抵抗率が１０”　Ω以上あ
るテフロン、ポリスチレン、ポリイミド等でもよい。

また、ここまで体積抵抗の大きな誘電性材料としてガラ
スを挙げてきたが、これに限定されるものではない、マ
イカやセラミックスでもよい。また、ガラスは表面の物
性が放電によって変化しやすいので、力学的、熱的に強
いＳ工、Ｎ４．ＯＮ、　ＳｉＣ等をガラスに混合すると
イオン発生器に適した誘電性材料となる。

次に第１２図を参照して本発明の第３の実施例を説明す
る。硝酸塩の誘電層２２への付着を考えると、硝酸塩は
約６０℃で分解するので誘電層２２を６０℃に加熱する
と、硝酸塩による誘電層２２の表面抵抗低下を防止でき
る。実際には発熱抵抗体であるニッケルクロムを厚膜製
法でイオン発生器に第１２図（ａ）の８０のように印刷
する。そしてその上を断熱材８１で覆った。この様にす
ることで、イオン発生器に交流電圧として２　ｋＶＰ−
Ｐ、　３　ｋＨｚを印加したとき。

２０℃では３０分で放電が停止してしまったが、６０℃
にすることで３０時間連続して放電させることが可能に
なった。

また、第１の実施例ではイオン発生器の絶縁性基板に孔
を開は送風を行ったが、この時温風を送っても上述した
加熱と同じ効果が得られる。第１２図（ｂ）がそれを説
明する図である。空気流を導く送風ダクト８２に発熱抵
抗体８０をっけ、空気流自体を６０℃にしている。

以上本発明の実施例の幾つかに、特にイオン発生器を中
心について説明してきたが１本発明はこれらに限定され
るものではない６例えば本発明の実施例は全て、まず負
極性のイオンで一様帯電させておき、その後正極性のイ
オンで静電潜像を形成し、更に反転現像して画像を形成
する方法に限って説明してきたが、これに限定されるこ
とはない、逆に正極性のイオンで一様帯電させておき、
その後負極性のイオンで静電潜像を形成する場合なども
含まれる。ただしこの場合には、例えば第１図（ｃ）に
示される直流電源は全て正負の極性を反対にする必要が
ある。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなようにこの発明によれば、誘電
性基板の表面をポリイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂等の放電により物性が変化しない樹脂で
コートすること、誘電性基板の材料に表面抵抗が高いも
の（表面抵抗率１０■Ω以上）を使用すること、イオン
を発生させるための交流電圧とイオンを記録媒体に移動
させるための直流電界を画点を記録するときだけ印加す
ること、誘電性基板表面を加熱すること、イオン発生電
極に沿って絶縁性基板に穴を開はイオン発生源からイオ
ン流通過孔の方向に使用環境温度以上の風を流すことに
より放電が弱まらずイオンが連続して安定に得られるこ
とが達成できた。

また、イオン流通過孔より空気流を出すことにより、ト
ナーによるイオン流制御ヘッドの汚れを防止できる。

また、イオン発生器の誘電層を多数層に機能分離しそれ
ぞれの層に適した材料を使うことで、多数の材料が使用
できるようになった。

このようにすることで、ワイヤを用いた放電デバイスよ
りも単位体積当りのイオン発生量が多い固体放電デバイ
スが安定に長時間使うことができ、高速記録に有利な静
電記録装置が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の静電記録装置の説明するための図、第
２図はイオン流制御ヘッドの斜視図。 第３図はイオン発生器の全体及び誘電層の表面低力及び
他方を示した図、第７図は制御基板のイオン通過孔付近
の拡大図、第８図は制御基板の製造方法を示した図、第
９図はイオン発生器と制御基板を一体化するための位置
合わせ方法について説明した図、第１０図は完成したイ
オン流制御ヘッドの断面図、第１１図は第２の実施例の
イオン発生器の他なる構造を説明するための図、第１２
図は第３の実施例のイオン発生器を説明するための図、
第１３図は従来のイオン流を制御した静電記録装置のイ
オン流制御ヘッドを説明するための図である。 ３・・・イオン流制御ヘッド　２Ｊ・・・誘導電極２３
・・・イオン発生電極　　　２４・・・遮蔽電極２５・
・・イオン発生器　　　　２７・・・第１制御電極２８
・・・第２制御電極　　　　２９・・・イオン通過孔３
０・・・制御基板　　　　　　３１・・・スペーサ部材
３２・・・金属ドラム　　　　　３３・・・絶縁性基録
媒体３４・・・制御電圧　　　　　　３７・・・バイア
ス電圧３９・・・交流電圧 ５０・・・フレキシブル・ケーブル ５１・・・位置合せパターン　　５２・・・接着剤注入
用孔５８・・・位置合せ用切り欠きパターン５９・・・
位置合せ用バーパターン 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 （ａ） 第１図 （ｂ） 第１図 （Ｃ） 策１図 （ａ） 第３図 （ｂ） 第３図 く　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　くく　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　く同感さ ■　−−−−」 （ａ） ２８”　　（ｔ）） 第５図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第８図 （ｄ） 第８図 第１１図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性基板上に誘電体を挟んでなる誘導電極とイ
   オン発生電極により構成されるイオン発生器を持ち、前
   記誘導電極と前記イオン発生電極との間に交流電圧を印
   加してイオンを発生させ、記録画像データに従ってイオ
   ン発生器と誘電性記録媒体との間の電界を制御すること
   によって前記イオンを各記録画点に対応する複数のイオ
   ン流通過孔から前記誘電性記録媒体上に移動させ、前記
   誘電性記録媒体上に静電潜像を形成する静電記録装置に
   おいて、前記誘電体の表面抵抗率を１０＾■Ω以上とす
   ることを特徴とする静電記録装置。
2. （２）前記誘電性記録媒体上に静電潜像を形成する時だ
   け前記電界を印加することを特徴とする請求項１記載の
   静電記録装置。
3. （３）前記誘電性記録媒体上に静電潜像を形成する時だ
   け前記交流電圧と前記電界を印加することを特徴とする
   請求項１記載の静電記録装置。
4. （４）前記誘電体が多数の誘電性材料により多層構造に
   なっており、イオン発生電極と接する層はポリイミド、
   ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
   ポリエステル、メラミン樹脂、アクリル樹脂、ポリアク
   リルイミド、ポリウレタン、ウレタンアクリレート樹脂
   、シリコーン樹脂、シリコーンポリイミド樹脂、エポキ
   シ樹脂。 イミドエポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリ
   ビニルホルマール、ポリメチルタクリレーチのうち少な
   くとも１種の樹脂で形成され、他の層はガラス、マイカ
   、セラミック、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４で構成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の静電記録装置
   。
5. （５）前記絶縁性基板にイオン発生電極に沿って複数個
   の穴を開けたことを特徴とする請求項１記載の静電記録
   装置。
6. （６）空気を前記イオン発生器から前記イオン流通過孔
   の方向へ流す手段を有することを特徴とする請求項５記
   載の静電記録装置。
7. （７）前記空気が使用環境温度以上であることを特徴と
   する請求項６記載の静電記録装置。
8. （８）前記イオン発生器から前記イオン流通過孔の方向
   へ流れた空気流が前記イオン流通過孔を通して前記誘電
   性記録媒体へ流れることを特徴とする請求項５記載の静
   電記録装置。
9. （９）前記空気が使用環境温度以上であることを特徴と
   する請求項８記載の静電記録装置。
10. （１０）前記穴にフィルターを有し、前記フィルターが
    空気流から塵など微粒子を除くようにしたことを特徴と
    する請求項５記載の静電記録装置。