JPH04164863A - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法

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JPH04164863A
JPH04164863A JP2288570A JP28857090A JPH04164863A JP H04164863 A JPH04164863 A JP H04164863A JP 2288570 A JP2288570 A JP 2288570A JP 28857090 A JP28857090 A JP 28857090A JP H04164863 A JPH04164863 A JP H04164863A
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JP
Japan
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aluminum nitride
compound
atmosphere
sintered body
sintered material
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JP2288570A
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Inventor
Akira Yamakawa
晃 山川
Koichi Sogabe
浩一 曽我部
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法に
関し、さらに詳しくはTiO化合物を含み黒色を呈する
高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
に関する。
[従来の技術] 最近のLSIの進歩はめざましく、集積度の向上が著し
い。これにはICチップサイズの向上も寄与しており、
ICチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発熱
量が増大している。
このため基板材料の放熱性が重要視されるようになって
きた。また、従来IC基板として用いられていたアルミ
ナ焼結体の熱伝導率では放熱性が不十分であり、ICチ
ップの発熱量の増大に対応できなくなりつつある。この
ためアルミナ基板に代わるものとして、光熱伝導性のベ
リリア基板が検討されているが、ベリリアは毒性が強く
取扱いが難しいという欠点がある。
一方、窒化アルミニウム焼結体は、本来、材質的に高熱
伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、半導体工業
において回路基板材料あるいはパッケージ材料として注
目を集めている。
上述のように窒化アルミニウムは理論的には単結晶とし
ては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。しかし
ながら、窒化アルミニウム粉末から焼結体を製造する場
合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性が良くないため
、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウム焼結
体の相対密度(窒化アルミニウムの理論密度3.26g
/cm’を基準とする)は、焼結条件にもよるが、高々
70〜80%しか示さず、多量の気孔を包含する。
一方、窒化アルミニウム焼結体の如き絶縁性セラミック
スの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔
、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は
低レベルのものしか得られない。これらの状況に対し、
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得るために種々の
提案がなされている。
しかしながら、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を
製造するためには、高純度の原料を使用し、又工程中の
不純物の混合も極力防ぐことが必要とされており、この
ようにして得られた窒化アルミニウムは白色透明もしく
は薄く着色したものに限られ、光の透過を問題とする用
途等には使用できなかった。そこで光の透過を問題とす
る用途等に着色窒化アルミニウムの開発が望まれていた
。
本発明者らはすでに特開平2−124772号にて遮光
性をもった高熱伝導AJN焼結体を提案した。
[発明が解決しようとする課題〕 しかしながら従来の遮光性窒化アルミニウム焼結体は、
遷移金属化合物を分布させ、光を吸収させて遮光を得て
いたが、添加する化合物によっては焼結体の特性が十分
に得られない場合があった。これは焼結体中の遷移金属
化合物を十分に制御するに至っていないためであると考
えられた。
[1ffiを解決するための手段] 本発者には窒化アルミニウム焼結体の遮光は、熱伝導性
を安定してるために詳細な検討を行った結果、特にTi
化合物の添加において安定した特性が得られ、更にTi
化合物をTiO化合物とすることによって優れた特性が
得られることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、窒化アルミニウムを主成分とし、
TI  OなるTi化合物を含み、n    2n−1 黒色を呈することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体
である。
本発明においてTi化合物はT10   で存在n−1 するが、このnは広範囲にとることが可能で、n−1の
場合はTiOとなり、例えばnm1Oであれば、”10
019となる。TiO2でなければ本発明の目的が達成
される。Tl  OはNをn  2n−1 固溶していると考えられるが、その固溶量については分
析が困難である。
Tl  Oは窒化アルミニウム中にTiでn  2n−
1 0,05〜5.0重量%好ましくは0.05〜1.0重
量%含む。0.05重量%未満では遮光性が不十分であ
り、また、5.0重量%を越えると絶縁性が劣化する。
また、本発明の好ましい態様によれば、50011の光
の透過率が5%以下、熱伝導率が120v/−に以上で
ある。
本発明は又、AIN粉末にTi換算で0.05〜5.0
重量%のTi化合物と焼結助剤化合物を添加混合して成
形した成形体を大気中又は窒素ガス、水素ガス又はこれ
らの混合雰囲気中で加熱し、残留炭素が0.2%以下と
して、1600”C以上の窒素含有非酸化雰囲気で焼結
することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方
法である。
かかる製造方法において、AIN粉末は純度の高いもの
が好ましく、特に酸素、炭素等の固溶が少なく、金属元
素不純物の少ないものが必要である。また、その粒度は
2.0μ−以下の微粒が好ましい。
Ti化合物は加熱により金属TiあるいはTiOに変換
するものが必要であり、特に有機化合物、アルコキシド
化合物、ステアリン酸化合物等が好ましい。その量はT
i換算で0.05〜5.0重量%、好ましくは0.05
〜1,0重量%の範囲がよい。この量範囲の規定は前述
の理由による。
焼結助剤としては希土類元素あるいはアルカリ土類元素
の化合物が用いられ、酸化物換算で0.01〜10重量
%添加する。かかる焼結助剤の添加によれば、容品に高
密度の焼結体が得られ、本発明の目的が達せられる。
以上の各原料を混合して成形し、これを大気中又は窒化
ガス、水素ガスまたはこれらの混合雰囲気中で200℃
〜800℃に加熱し、残留遊離炭素が0.2%以下とす
る。雰囲気を上記のように限定するのは、AIN粉末が
極端な酸化を受けず、かつ、残留炭素を0.2%以下と
するためである。ここでいう残留炭素は炭素として遊離
したものである。また、残留炭素の量を0.2%以下と
するのは0.2%を越えるとTL/C1TiNの生成が
みられるためである。
このようにした成形体を1600℃以上の窒素含有非酸
化雰囲気で焼結し焼結体とする。
[実施例] 以下具体的実施例を挙げて説明する。
実施例1 平均粒径0,8μmのAIN粉末(酸素1.5%、炭素
0.03%、金属不純物合計0.1%以下)にY2O3
粉末(粒径0,5μm)とTi化合物を表1に示した種
類と量とで添加し、アルコール中に混合後乾燥し、乾式
プレスにより直径15m5厚さ 31■の成形体を得た
。400℃の大気中で30分加熱し、脱バインダーした
後、表1に示す各焼成条件でN2ガスフロー中で焼結し
た。
得られた焼結体の特性も表1に示した。その結果、本発
明によれば遮光性に優れ、高い熱電導率のAIN焼結体
が得られることがわかる。
表1 注)yl・・・比較例 実施例2 平均粒径0.8μ−のAIN粉末(酸素1.5%、炭素
0.03%、金属不純物合計0.1%以下)にTi化合
物をTijlで0.2重量%、表2に示す焼結助剤を添
加し、アルコール中で充分混合したのち、乾燥し、1軸
プレスによって直径15■l厚さ3mmの成形体を得た
。700”Cの水素気流中で30分間加熱脱バインダー
した後、表2に示す各焼成条件でN2ガスフロー中で焼
成した。得られた焼結体の特性も表2に示した。
その結果、本発明によれば遮光性に優れ、高い熱電導率
のAIN焼結体が得られることがわかる。
表2 [発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば遮光性、熱伝導性
に優れ、しかもその特性が安定して得られる窒化アルミ
ニウム焼結体を提供することができる。このものは、I
C基板、パッケージ等高放熱基板材料あるいは高放熱部
品として用いられ、光の透過をきらう用途、光学式セン
サーにかけられ、自動化ラインへの適用が必要な用途等
にも適用可能なものである。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)AlNを主成分とし、Ti_nO_2_n_−_
    1なるTi化合物を含み、黒色を呈することを特徴とす
    る窒化アルミニウム焼結体。
  2. (2)Ti_nO_2_n_−_1にNを固溶し、また
    nが1以上である請求項(1)記載の窒化アルミニウム
    焼結体。
  3. (3)波長が500nm光の透過率が5%以下、熱伝導
    率が120w/mk以上である請求項(1)又は(2)
    記載の窒化アルミニウム焼結体。
  4. (4)AlN粉末にTi換算で0.05〜5.0重量%
    のTi化合物と焼結助剤化合物を添加混合して成形した
    成形体を大気中又は窒素ガス、水素ガス又はこれらの混
    合雰囲気中で加熱し、残留炭素が0.2%以下として、
    1800℃以上の窒素含有非酸化雰囲気で焼結すること
    を特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
JP2288570A 1990-10-29 1990-10-29 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 Pending JPH04164863A (ja)

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EP91918635A EP0507961B1 (en) 1990-10-29 1991-10-29 Aluminum nitride sintered body and process for producing the same
DE69128709T DE69128709T2 (de) 1990-10-29 1991-10-29 Aluminiumnitrid-sinterkörper und seine herstellung
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