JPH01179765A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法Info
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- JPH01179765A JPH01179765A JP63002184A JP218488A JPH01179765A JP H01179765 A JPH01179765 A JP H01179765A JP 63002184 A JP63002184 A JP 63002184A JP 218488 A JP218488 A JP 218488A JP H01179765 A JPH01179765 A JP H01179765A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法に
係り、更に詳しくは緻密質で熱伝導性、絶縁性、誘電率
などの実用」二の諸特性に秀れている窒化アルミニウム
焼結体の製造方法に関する。
係り、更に詳しくは緻密質で熱伝導性、絶縁性、誘電率
などの実用」二の諸特性に秀れている窒化アルミニウム
焼結体の製造方法に関する。
［従来の技術］
最近のＬＳＩの進歩はめざましく、集積度の向上が著し
い。これには、ＩＣチップサイズの向上も寄与しており
、ＩＣチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発
熱量か増大している。このため基板材料の放熱性か重要
視されるようになってきた。また、従来ＩＣ基板として
用いられていたアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱性が
不十分てあり、ＩＣチップの発熱量の増大に対応できな
くなりつつある。このためアルミナ基板に代わるものと
して、高熱伝導性のベリリア側板が検討されているが、
へりリアは毒性か強く取扱いか難しいという欠点かある
。
い。これには、ＩＣチップサイズの向上も寄与しており
、ＩＣチップサイズの向上に伴ってパッケージ当りの発
熱量か増大している。このため基板材料の放熱性か重要
視されるようになってきた。また、従来ＩＣ基板として
用いられていたアルミナ焼結体の熱伝導率では放熱性が
不十分てあり、ＩＣチップの発熱量の増大に対応できな
くなりつつある。このためアルミナ基板に代わるものと
して、高熱伝導性のベリリア側板が検討されているが、
へりリアは毒性か強く取扱いか難しいという欠点かある
。
窒化アルミニウム（Ａ １ Ｎ）は、本来、材質的に高
熱伝導性、薗絶縁性を有し、毒性もないため、半導体工
業において絶縁材料あるいはパッケージ飼料として注目
を集めている。
熱伝導性、薗絶縁性を有し、毒性もないため、半導体工
業において絶縁材料あるいはパッケージ飼料として注目
を集めている。
［発明が解決しようとする問題点］
上述のように窒化アルミニウムは理論的には１１１、結
晶としては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。
晶としては高熱伝導性、高絶縁性を有する材料である。
しかしながら、窒化アルミニウム粉末から焼結体を製造
する場合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性か良くな
いため、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウ
ム焼結体の相対密度（窒化アルミニウムの理論密度３．
２６ｇ／ｃｍ３を基準とする）は、焼結条件にも依るが
、高々７０〜８０％しか示さず、多量の気孔を包含する
。
する場合、窒化アルミニウム粉末自体の焼結性か良くな
いため、粉末成形後、焼結して得られる窒化アルミニウ
ム焼結体の相対密度（窒化アルミニウムの理論密度３．
２６ｇ／ｃｍ３を基準とする）は、焼結条件にも依るが
、高々７０〜８０％しか示さず、多量の気孔を包含する
。
一方、窒化アルミニウム焼結体の如き絶縁性セラミック
スの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔
、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は
低レベルのものしか得られない。
スの熱伝導機構は、フォノン伝導を主体とするため気孔
、不純物等の欠陥はフォノン散乱を起こし、熱伝導性は
低レベルのものしか得られない。
緻密質で、良好な熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を
得るため窒化アルミニウム粉末に種々の焼結助剤を添加
し、ホットプレスあるいは常圧焼結することか試みられ
ており、かなり良質の焼結体が得られている。たとえば
、酸化カルシウム（Ｃａｂ）、酸化バリウム（Ｂ ａ
Ｏ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などを窒化アルミ
ニウム粉末に添加して焼結する方法（特公昭５８−４９
５１０号）かある。この方法によれば相対密度９８％以
上で、熱伝導率０．１０〜０．１３ｃａｌ ７ｃｍ・ｓ
ｅｅ −ｄｅｇ（４２〜５４Ｗ／ｍ、ｋ） （室温）の
ものが得られている。しかし、この程度の値の熱伝導率
では今後のＩＣ，ＬＳＩの集積度向上による発熱量の増
大に対応するには十分とはいえない。
得るため窒化アルミニウム粉末に種々の焼結助剤を添加
し、ホットプレスあるいは常圧焼結することか試みられ
ており、かなり良質の焼結体が得られている。たとえば
、酸化カルシウム（Ｃａｂ）、酸化バリウム（Ｂ ａ
Ｏ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などを窒化アルミ
ニウム粉末に添加して焼結する方法（特公昭５８−４９
５１０号）かある。この方法によれば相対密度９８％以
上で、熱伝導率０．１０〜０．１３ｃａｌ ７ｃｍ・ｓ
ｅｅ −ｄｅｇ（４２〜５４Ｗ／ｍ、ｋ） （室温）の
ものが得られている。しかし、この程度の値の熱伝導率
では今後のＩＣ，ＬＳＩの集積度向上による発熱量の増
大に対応するには十分とはいえない。
一方、緻密質で高強度の窒化アルミニウム焼結体を得る
ことを目的として、窒化アルミニウム粉末にＹ２Ｏ３及
びＳｉＯ２等を添加する試みもなされており（特公昭５
（ｉ−９４７５号）、９８％以上の相対密度を得ている
か、熱伝導率は０．０７ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ −ｄｃ
ｇ（２９Ｗ／ｍ、ｋ）に満たない程の低レベルである。
ことを目的として、窒化アルミニウム粉末にＹ２Ｏ３及
びＳｉＯ２等を添加する試みもなされており（特公昭５
（ｉ−９４７５号）、９８％以上の相対密度を得ている
か、熱伝導率は０．０７ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｅ −ｄｃ
ｇ（２９Ｗ／ｍ、ｋ）に満たない程の低レベルである。
本発明の目的は、今後の半導体用絶縁材料あるいはパッ
ケージ飼料として好適に使用できるような緻密質で且つ
熱伝導性、絶縁性、誘電率などの実用上の緒特性に優れ
ている窒化アルミニウム焼結体とその製造方法を提供す
ることにある。
ケージ飼料として好適に使用できるような緻密質で且つ
熱伝導性、絶縁性、誘電率などの実用上の緒特性に優れ
ている窒化アルミニウム焼結体とその製造方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明の構成は、炭素を０，
１〜０．２重量％含有し、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍｋ以
上である窒化アルミニウム焼結体である。特にＩＩａ族
およびＩＩｒａ族金属の何れがを酸化物換算で０．０１
〜１０重量％、酸素を０．００１〜１．０重量％含有す
るものは熱伝導率が１８０Ｗ／ｍｋ以上である。
１〜０．２重量％含有し、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍｋ以
上である窒化アルミニウム焼結体である。特にＩＩａ族
およびＩＩｒａ族金属の何れがを酸化物換算で０．０１
〜１０重量％、酸素を０．００１〜１．０重量％含有す
るものは熱伝導率が１８０Ｗ／ｍｋ以上である。
このような窒素アルミニウム焼結体の製造法は、ＩＩａ
族および■ａ族金属の何れがの脂肪酸塩を酸化物換算で
０．０１〜１．０重量％混合した後成形し、非酸化性雰
囲気中、１５００〜２２００ ℃で焼結するものである
。
族および■ａ族金属の何れがの脂肪酸塩を酸化物換算で
０．０１〜１．０重量％混合した後成形し、非酸化性雰
囲気中、１５００〜２２００ ℃で焼結するものである
。
本発明の焼結体においては、炭素の含有量が０．００１
〜０．２重足％とする。 ０．００１重量％未満では、
熱伝導率か低くなるし、０．２重量％を越えると、焼結
体の緻密化か不十分である。炭素の残留のために窒化ア
ルミニウム成形体には、炭素源となる物質を含有せしめ
る必要がある。
〜０．２重足％とする。 ０．００１重量％未満では、
熱伝導率か低くなるし、０．２重量％を越えると、焼結
体の緻密化か不十分である。炭素の残留のために窒化ア
ルミニウム成形体には、炭素源となる物質を含有せしめ
る必要がある。
炭素の供給源としては成形助剤、添加炭素、雰囲気から
の侵入炭素、焼結助剤として与えることか可能である。
の侵入炭素、焼結助剤として与えることか可能である。
発明者らは炭素源として、焼結助剤となるＵａ、■ａ族
元索の脂肪酸化合物を用いることが特に好ましい結果を
得ることを見出した。
元索の脂肪酸化合物を用いることが特に好ましい結果を
得ることを見出した。
炭素の効果は明らかではないが、ＡＩＮ中の酸素量を低
減させるに効果的なものと考えられる。
減させるに効果的なものと考えられる。
Ｕａ、ｍａ族元素は酸化物換算で０．０１〜１．０重量
％とする０、０１重量％未満では緻密化が不十分であり
、１０重量％を越えると熱伝導率が低下する。焼結体中
の酸素量はｏ、ｏｏｉ〜１，０重量％である。 １．０
重量％を越えると熱伝導率が低く、０．０口重量％未満
に制御することは困難である。
％とする０、０１重量％未満では緻密化が不十分であり
、１０重量％を越えると熱伝導率が低下する。焼結体中
の酸素量はｏ、ｏｏｉ〜１，０重量％である。 １．０
重量％を越えると熱伝導率が低く、０．０口重量％未満
に制御することは困難である。
焼結助剤としてのｎａ、Ｈａ族元素は、酸化物をはじめ
、水酸化物、炭酸塩等を用いることができるか、特に脂
肪酸塩か好ましく、発明者らはステアリン酸、パルミチ
ン酸等種々の脂肪酸塩を用いて良好な結果を得た。焼結
体の製法は常法の窒化アルミニウムの製法に準すること
か可能である。
、水酸化物、炭酸塩等を用いることができるか、特に脂
肪酸塩か好ましく、発明者らはステアリン酸、パルミチ
ン酸等種々の脂肪酸塩を用いて良好な結果を得た。焼結
体の製法は常法の窒化アルミニウムの製法に準すること
か可能である。
［実施例］
以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。
実施例１
平均粒径か１．０μ以下で酸素含量が１．０重量パーセ
ントの高純度ＡＩＮ粉末（比表面積２ｍ’／ｇ）に、酸
化物換算で表１に示す配合量のＩＩａ。
ントの高純度ＡＩＮ粉末（比表面積２ｍ’／ｇ）に、酸
化物換算で表１に示す配合量のＩＩａ。
ｍａ族ステアリン酸化合物と ５重量％のＰＶＢを添加
し、エタノール中で１０時間ボールミルで混合後、成形
し、１９００℃の窒素気流中で２時間焼結した。
し、エタノール中で１０時間ボールミルで混合後、成形
し、１９００℃の窒素気流中で２時間焼結した。
得られた焼結体の相対密度と熱伝導率、ＰＣＴによる重
量増加率（１２０℃、１００％ＲＨ。
量増加率（１２０℃、１００％ＲＨ。
１．００Ｈ）を下記第１表に示す。
この表に示す結果から本発明の窒化アルミニウム焼結体
の特性がすぐれていることが判る。
の特性がすぐれていることが判る。
実施例２
実施例１を示した第１表３の組成によりステアリン酸に
かわって、パルミチン酸を用いたところ、同様の効果が
確認された。
かわって、パルミチン酸を用いたところ、同様の効果が
確認された。
表１
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は高熱伝導で信頼性の高い
窒化アルミニウム焼結体であって、比較的容易に製造す
ることができる。そして、本発明の窒化アルミニウム焼
結体は、ＩＣ基板、放熱板、構造材料等に適した特性を
もち、実用性の高いものである。
窒化アルミニウム焼結体であって、比較的容易に製造す
ることができる。そして、本発明の窒化アルミニウム焼
結体は、ＩＣ基板、放熱板、構造材料等に適した特性を
もち、実用性の高いものである。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (3)
- （１）炭素を０．００１〜０．２重量％含有し、熱伝導
率が１５０Ｗ／ｍｋ以上であることを特徴とする窒化ア
ルミニウム焼結体。 - （２）IIａ族およびIIIａ族金属の何れかを酸化物換算
で０．０１〜１．０重量％、酸素を０．００１〜１．０
重量％含有し、熱伝導率が１８０Ｗ／ｍｋ以上である特
許請求の範囲第（１）項記載の窒化アルミニウム焼結体
。 - （３）窒化アルミニウム粉末に、IIａ族およびIIIａ族
金属の何れかの脂肪酸塩を前記金属の酸化物換算で０．
０１〜１．０重量％混合した後成形し、非酸化性雰囲気
中、１５００〜２２００℃で焼結することを特徴とする
窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002184A JPH01179765A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002184A JPH01179765A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179765A true JPH01179765A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11522277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002184A Pending JPH01179765A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001047831A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact, and ceramic substrate for use in apparatus for manufacturing and inspecting semiconductor |
| US6719931B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-04-13 | Basf Aktiengesellschaft | Low-viscosity, melamine-formaldehyde resin microcapsule dispersions with reduced formaldehyde content |
| US6900149B1 (en) | 1999-09-06 | 2005-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62246866A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-28 | 株式会社村田製作所 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS632860A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS6317263A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63182260A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63270361A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-08 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP63002184A patent/JPH01179765A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62246866A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-28 | 株式会社村田製作所 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS632860A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS6317263A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63182260A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63270361A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-08 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900149B1 (en) | 1999-09-06 | 2005-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| US6964812B2 (en) | 1999-09-06 | 2005-11-15 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| US7015166B2 (en) | 1999-09-06 | 2006-03-21 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| WO2001047831A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact, and ceramic substrate for use in apparatus for manufacturing and inspecting semiconductor |
| US6719931B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-04-13 | Basf Aktiengesellschaft | Low-viscosity, melamine-formaldehyde resin microcapsule dispersions with reduced formaldehyde content |
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