JPH041648A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH041648A JPH041648A JP2102713A JP10271390A JPH041648A JP H041648 A JPH041648 A JP H041648A JP 2102713 A JP2102713 A JP 2102713A JP 10271390 A JP10271390 A JP 10271390A JP H041648 A JPH041648 A JP H041648A
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- JP
- Japan
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- pattern
- shielding film
- size
- photomask
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造に用いるフォトマスク及び
その製造方法に関し、特に高精度８高品質の転写パター
ンを得ることができるフォトマスク及びその製造方法に
関する。
その製造方法に関し、特に高精度８高品質の転写パター
ンを得ることができるフォトマスク及びその製造方法に
関する。
第５図は、例えば特開昭６１−１７３２５１号公報に掲
載されている従来のフ第１・マスクを示す断面図である
。図示のように、透明ガラス基板１上には所定のパター
ンにバターニングされた遮蔽膜２が形成されている。
載されている従来のフ第１・マスクを示す断面図である
。図示のように、透明ガラス基板１上には所定のパター
ンにバターニングされた遮蔽膜２が形成されている。
第６八図ないし第６Ｃ図は第５図に示されたフォトマス
クの製造方法を示す断面工程図である。
クの製造方法を示す断面工程図である。
クロム等の金属又はモリブデン等の金属シリサイドのタ
ーゲットをスパッタすることにより、約１１００ｎ程度
の遮蔽膜２を石英等の透明ガラス基板１上に形成する（
第６Ａ図）。次に遮蔽膜２上にレジストを塗布し、光又
は電子ビームにより、レジストに所望のパターンを描画
し、その後、レジストに現像処理及びベーキングを施す
と、レジストパターン３が形成される（第６８１ｆｆｌ
）。次にレジストパターン３をマスクとして遮蔽膜２に
工ッチングを施すと、遮蔽膜２は第６Ｃ図に示すように
所望のパターンにバターニングされる。その後、レジス
トパターン３を除去すると第５図に示すようなフォトマ
スクが得られる。
ーゲットをスパッタすることにより、約１１００ｎ程度
の遮蔽膜２を石英等の透明ガラス基板１上に形成する（
第６Ａ図）。次に遮蔽膜２上にレジストを塗布し、光又
は電子ビームにより、レジストに所望のパターンを描画
し、その後、レジストに現像処理及びベーキングを施す
と、レジストパターン３が形成される（第６８１ｆｆｌ
）。次にレジストパターン３をマスクとして遮蔽膜２に
工ッチングを施すと、遮蔽膜２は第６Ｃ図に示すように
所望のパターンにバターニングされる。その後、レジス
トパターン３を除去すると第５図に示すようなフォトマ
スクが得られる。
第７図（ａ）はこのようにして得られたフォトマスクを
用いて半導体基板６上にノくターンを転写する際のフォ
トマスク通過直後の光学強度の強度分布を示す図、第７
図（ｂ）は該フォトマスクを用いて半導体基板６上に形
成されたレジストパターン７を示す図である。フォトマ
スクの遮蔽膜２のＡ部は開口部が０．５μｍ以下のサブ
ミクロンノくターン部、Ｂ部はＡ部より少し開口部が大
きい中間パターン部、０部は開口部が数μｍ程度の大、
（ターン部である。
用いて半導体基板６上にノくターンを転写する際のフォ
トマスク通過直後の光学強度の強度分布を示す図、第７
図（ｂ）は該フォトマスクを用いて半導体基板６上に形
成されたレジストパターン７を示す図である。フォトマ
スクの遮蔽膜２のＡ部は開口部が０．５μｍ以下のサブ
ミクロンノくターン部、Ｂ部はＡ部より少し開口部が大
きい中間パターン部、０部は開口部が数μｍ程度の大、
（ターン部である。
第７（ａ）図に示すように、光学強度は、０部。
Ｂ部、Ａ部の順に小さくなる。つまり、遮蔽膜２の開口
部が大きい程通過光の光学強度が大きい。
部が大きい程通過光の光学強度が大きい。
このように遮蔽膜２の開口部の大きさによって、フォト
マスクを通過する光の光学強度が異なってしまう。従っ
て、半導体基板６上のレジストにフォトマスクの遮蔽膜
２のパターンを転写し、その後現像すると、現像速度に
差ができ、Ａ部のような微細なパターン部はど現像速度
が小さくなる。
マスクを通過する光の光学強度が異なってしまう。従っ
て、半導体基板６上のレジストにフォトマスクの遮蔽膜
２のパターンを転写し、その後現像すると、現像速度に
差ができ、Ａ部のような微細なパターン部はど現像速度
が小さくなる。
そのため、Ａ部に対応する部分において遮蔽膜２のパタ
ーンとレジストパターン７とが寸法的に一致するように
現像時間を制御すると、第７図（ｂ）に示すようにＢ部
、０部に対応する部分では遮蔽膜２のパターンの寸法よ
りもレジストパターン７の寸法の方が大きくなってしま
う。一方、０部に対応する部分での寸法を一致させると
、Ａ部、Ｂ部に対応する部分でのレジストパターン７の
寸法が小さくなってしまう。
ーンとレジストパターン７とが寸法的に一致するように
現像時間を制御すると、第７図（ｂ）に示すようにＢ部
、０部に対応する部分では遮蔽膜２のパターンの寸法よ
りもレジストパターン７の寸法の方が大きくなってしま
う。一方、０部に対応する部分での寸法を一致させると
、Ａ部、Ｂ部に対応する部分でのレジストパターン７の
寸法が小さくなってしまう。
従来のフォトマスクは以上のように構成されているので
、所望寸法どおりの遮蔽膜パターンを有するフォトマス
クでは、その遮蔽膜パターンを半導体基板上に精度よく
転写することができない。
、所望寸法どおりの遮蔽膜パターンを有するフォトマス
クでは、その遮蔽膜パターンを半導体基板上に精度よく
転写することができない。
そのため、例えばＡ部に対応する部分でレジストパター
ン７の寸法を遮蔽膜２のパターン寸法に一致させる場合
には、遮蔽膜２のＢ部及び０部のパターン寸法を所望の
パターン寸法より小さくしたり、逆に０部に対応する部
分てレジストノくターン７の寸法を遮蔽膜２のパターン
寸法に一致させる場合には、遮蔽膜２のＡ部及びＢ部の
パターン寸法を所望のパターン寸法より大きくしなけれ
ばならないという問題点があった。
ン７の寸法を遮蔽膜２のパターン寸法に一致させる場合
には、遮蔽膜２のＢ部及び０部のパターン寸法を所望の
パターン寸法より小さくしたり、逆に０部に対応する部
分てレジストノくターン７の寸法を遮蔽膜２のパターン
寸法に一致させる場合には、遮蔽膜２のＡ部及びＢ部の
パターン寸法を所望のパターン寸法より大きくしなけれ
ばならないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、フォトマスク上のマスクツくターンの寸法
を設計寸法に対し変更することなくそのマスクパターン
を精度よく転写することができるフォトマスク及びその
製造方法を得ることを目的とする 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るフォトマスクは、透明な基板と、前記基
板上に形成されたマスクパターンと、前記マスクパター
ンの開口部に対応する前記基板表面に形成され、前記マ
スクパターンの開口部の大きさに応じたイオン濃度を有
するイオン注入領域とを備えている。
れたもので、フォトマスク上のマスクツくターンの寸法
を設計寸法に対し変更することなくそのマスクパターン
を精度よく転写することができるフォトマスク及びその
製造方法を得ることを目的とする 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るフォトマスクは、透明な基板と、前記基
板上に形成されたマスクパターンと、前記マスクパター
ンの開口部に対応する前記基板表面に形成され、前記マ
スクパターンの開口部の大きさに応じたイオン濃度を有
するイオン注入領域とを備えている。
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明な基板
を準備する工程と、前記基板上にマスクパターンを形成
する工程とを備えたフォトマスクの製造方法において、
前記マスクパターンの開口部に対応する前記基板表面に
該開口部の大きさに応じたイオン濃度を有するイオン注
入領域を形成する工程を設けたことを特徴とする。
を準備する工程と、前記基板上にマスクパターンを形成
する工程とを備えたフォトマスクの製造方法において、
前記マスクパターンの開口部に対応する前記基板表面に
該開口部の大きさに応じたイオン濃度を有するイオン注
入領域を形成する工程を設けたことを特徴とする。
この発明においては、マスクパターンの開口部に対応す
る基板表面に開口部の大きさに応じたイオン濃度を有す
るイオン注入領域を形成するようにしたので、基板を通
過する光の透過率を開口部の大きさに応じて変化させる
ことができる。
る基板表面に開口部の大きさに応じたイオン濃度を有す
るイオン注入領域を形成するようにしたので、基板を通
過する光の透過率を開口部の大きさに応じて変化させる
ことができる。
第１図はこの発明に係るフォトマスクの一実施例を示す
断面図である。石英等の透明ガラス基板１上には従来と
同様の所定のパターンにバターニングされた遮蔽膜２が
形成されている。遮蔽膜２のＢ部及び０部に対応する基
板１の表面には各々濃度の異なるイオン注入領域４．４
１が形成されている。
断面図である。石英等の透明ガラス基板１上には従来と
同様の所定のパターンにバターニングされた遮蔽膜２が
形成されている。遮蔽膜２のＢ部及び０部に対応する基
板１の表面には各々濃度の異なるイオン注入領域４．４
１が形成されている。
第２Ａ図ないし第２Ｅ図は、この発明に係るフォトマス
クの製造方法の一実施例を示す断面工程図である。石英
等の透明ガラス基板１上にクロム等の金属膜又はモリブ
デン等の金属シリサイド膜より成る厚さ約１００ｎｉ＋
の遮蔽膜２をスパッタ堆積法により形成する（第２Ａ図
）。次に、遮蔽膜２上にレジストを塗布し、光又は電子
ビームにより所定のパターン描画を行い、その後、現像
、ポストベークを行うと第２Ｂ図に示すようにレジスト
パターン３が形成される。
クの製造方法の一実施例を示す断面工程図である。石英
等の透明ガラス基板１上にクロム等の金属膜又はモリブ
デン等の金属シリサイド膜より成る厚さ約１００ｎｉ＋
の遮蔽膜２をスパッタ堆積法により形成する（第２Ａ図
）。次に、遮蔽膜２上にレジストを塗布し、光又は電子
ビームにより所定のパターン描画を行い、その後、現像
、ポストベークを行うと第２Ｂ図に示すようにレジスト
パターン３が形成される。
次に、レジストパターン３をマスクとして遮蔽膜２にエ
ツチングを施すと、第２Ｃ図に示すように遮蔽膜２は所
定のパターン（設計パターン）にバターニングされる。
ツチングを施すと、第２Ｃ図に示すように遮蔽膜２は所
定のパターン（設計パターン）にバターニングされる。
その後、酸素プラズマあるいはレジスト剥離液によりレ
ジストパターン３を除去する（第２Ｄ図）。
ジストパターン３を除去する（第２Ｄ図）。
次に、集束イオンビーム８によりＢ部、０部に濃度の異
なるイオンを注入し、イオン注入領域４４１を形成する
。イオン注入領域４，４１はイオン濃度に応じて光の透
過率が異なる。フォトマスクに光を照射した場合、例え
ばサブミクロンパターン部であるＡ部での出射光の光学
強度が第４図（ａ）に示すように０．８であるとすると
、イオン注入領域４，４１のイオン濃度を調整して、Ｂ
部Ｃ部の照射光の光学強度も０．８になるようにする。
なるイオンを注入し、イオン注入領域４４１を形成する
。イオン注入領域４，４１はイオン濃度に応じて光の透
過率が異なる。フォトマスクに光を照射した場合、例え
ばサブミクロンパターン部であるＡ部での出射光の光学
強度が第４図（ａ）に示すように０．８であるとすると
、イオン注入領域４，４１のイオン濃度を調整して、Ｂ
部Ｃ部の照射光の光学強度も０．８になるようにする。
イオン注入領域４．４１を設けない場合のＢ部、０部の
出射光の光学強度は第７図に示すように各々０．９，１
．０である。例えば、イオン注入領域４，４１にＳｉ２
＋を注入する場合、Ｓｉ””濃度と転写に用いる照射線
の基板１に対する透過率の関係を示した第３図から考え
ると、波長が３６５ｎｍのｉ線（点線）により遮蔽膜２
のパターンを転写する場合、Ｂ部にはＳ１２＋を約５×
１０１６個／Ｃシ、０部には約７．５Ｘ１０１６個／
ｃｄ注入すればよいことになる。なお、第３図において
、実線はＳｉ２＋濃度とｇ線（波長が４３６ ｒ＋ｍ）
の透過率との関係を示している。
出射光の光学強度は第７図に示すように各々０．９，１
．０である。例えば、イオン注入領域４，４１にＳｉ２
＋を注入する場合、Ｓｉ””濃度と転写に用いる照射線
の基板１に対する透過率の関係を示した第３図から考え
ると、波長が３６５ｎｍのｉ線（点線）により遮蔽膜２
のパターンを転写する場合、Ｂ部にはＳ１２＋を約５×
１０１６個／Ｃシ、０部には約７．５Ｘ１０１６個／
ｃｄ注入すればよいことになる。なお、第３図において
、実線はＳｉ２＋濃度とｇ線（波長が４３６ ｒ＋ｍ）
の透過率との関係を示している。
なお、上記実施例では遮蔽膜２を金属膜や金属シリサイ
ド膜としたが、表面に反射が少ない金属酸化膜や金属シ
リサイド酸化膜が形成された多層膜を用いてもよい。
ド膜としたが、表面に反射が少ない金属酸化膜や金属シ
リサイド酸化膜が形成された多層膜を用いてもよい。
また、上記実施例では集束イオンビーム８を用いてイオ
ン注入領域４．４１を形成したが、遮蔽膜２を所定のパ
ターン（設計パターン）にパターニングした後、遮蔽膜
２上にＢ部あるいは０部にのみ開口を有するレジストを
形成し、全面イオン注入によりイオン注入領域４，４１
を形成してもよい。この場合、イオン注入領域４．４１
のイオン濃度を異ならせるため、上記工程を２．３回繰
返す必要がある。
ン注入領域４．４１を形成したが、遮蔽膜２を所定のパ
ターン（設計パターン）にパターニングした後、遮蔽膜
２上にＢ部あるいは０部にのみ開口を有するレジストを
形成し、全面イオン注入によりイオン注入領域４，４１
を形成してもよい。この場合、イオン注入領域４．４１
のイオン濃度を異ならせるため、上記工程を２．３回繰
返す必要がある。
さらに、上記実施例では遮蔽膜２を所定のパターンにバ
ターニングした後、集束イオンビーム８によりイオンを
注入したが、遮蔽膜２のパターニング工程と集束イオン
ビームによるイオン注入工程とを同時に行ってもよい。
ターニングした後、集束イオンビーム８によりイオンを
注入したが、遮蔽膜２のパターニング工程と集束イオン
ビームによるイオン注入工程とを同時に行ってもよい。
すなわち、第２Ａ図の工程の後、遮蔽膜２上全面にポジ
レジストを塗布する。そして、集束イオンビームにより
所定のパターン（設計パターン）を描画し、現像、ボス
トベークを行うことにより第２Ｂ図に示すようなレジス
トパターン３を得る。このとき、集束イオンビームがポ
ジレジスト及びその下の遮蔽膜２を通過して基板１に打
ち込まれることにより、イオン注入領域４，４１が形成
される。集束イオンビームのエネルギーを基板１にまで
届かないものとしておけば、イオン注入領域は形成され
ない。しかる後、第２Ｃ図及び第２Ｄ図と同様の工程を
行うことにより、上記実施例と同様のフォトマスクが得
られる。
レジストを塗布する。そして、集束イオンビームにより
所定のパターン（設計パターン）を描画し、現像、ボス
トベークを行うことにより第２Ｂ図に示すようなレジス
トパターン３を得る。このとき、集束イオンビームがポ
ジレジスト及びその下の遮蔽膜２を通過して基板１に打
ち込まれることにより、イオン注入領域４，４１が形成
される。集束イオンビームのエネルギーを基板１にまで
届かないものとしておけば、イオン注入領域は形成され
ない。しかる後、第２Ｃ図及び第２Ｄ図と同様の工程を
行うことにより、上記実施例と同様のフォトマスクが得
られる。
尚、先にイオン注入領域４，４１を形成し、しかる後遮
蔽膜２のパターンを形成するように順序を変更してもよ
いのは勿論である。
蔽膜２のパターンを形成するように順序を変更してもよ
いのは勿論である。
以上のようにこの発明によれば、マスクパターンの開口
部に対応する基板表面に該開口部の大きさに応じたイオ
ン濃度を有するイオン注入領域を形成するようにしたの
で、基板を通過する光の透過率を開口部の大きさに応し
て変化させることができる。その結果、開口部の大きさ
による通過光学強度の違いを、イオン注入領域のイオン
濃度による光透過率の違いで相殺して、マスクパターン
の開口部から出射する光の強度を均一にすることができ
、フォトマスクのマスクパターンの寸法ヲ設計寸法と異
ならせることなく、マスクパターンを精度よく転写する
ことができるという効果がある。
部に対応する基板表面に該開口部の大きさに応じたイオ
ン濃度を有するイオン注入領域を形成するようにしたの
で、基板を通過する光の透過率を開口部の大きさに応し
て変化させることができる。その結果、開口部の大きさ
による通過光学強度の違いを、イオン注入領域のイオン
濃度による光透過率の違いで相殺して、マスクパターン
の開口部から出射する光の強度を均一にすることができ
、フォトマスクのマスクパターンの寸法ヲ設計寸法と異
ならせることなく、マスクパターンを精度よく転写する
ことができるという効果がある。
第１図はこの発明にな係るフォトマスクの一実施例を示
す断面図、第２八図ないし第２Ｅ図はこの発明に係るフ
ォトマスクの製造方法の一実施例を示す断面工程図、第
３図はＳｊ２＋濃度と照射線の透過率との関係を示す図
、第４図は第１図に示したフォトマスクを用いてパター
ンを転写する場合の説明図、第５図は従来のフォトマス
クの断面図、第６八図ないし第６Ｃ図は第５図に示した
フォトマスクの製造方法を示す断面工程図、第７図は第
５図に示したフォトマスクを用いてパターンを転写する
場合の説明図である。 図において、１は透明ガラス基板、２は遮蔽膜、４及び
４１はイオン注入領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第 図 ４．４１：イオン注入領域 第２８ｖ！Ｊ 第２０ｙ？ｉ
す断面図、第２八図ないし第２Ｅ図はこの発明に係るフ
ォトマスクの製造方法の一実施例を示す断面工程図、第
３図はＳｊ２＋濃度と照射線の透過率との関係を示す図
、第４図は第１図に示したフォトマスクを用いてパター
ンを転写する場合の説明図、第５図は従来のフォトマス
クの断面図、第６八図ないし第６Ｃ図は第５図に示した
フォトマスクの製造方法を示す断面工程図、第７図は第
５図に示したフォトマスクを用いてパターンを転写する
場合の説明図である。 図において、１は透明ガラス基板、２は遮蔽膜、４及び
４１はイオン注入領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第 図 ４．４１：イオン注入領域 第２８ｖ！Ｊ 第２０ｙ？ｉ
Claims (2)
- （１）透明な基板と、 前記基板上に形成されたマスクパターンと、前記マスク
パターンの開口部に対応する前記基板表面に形成され、
前記マスクパターンの開口部の大きさに応じたイオン濃
度を有するイオン注入領域とを備えたフォトマスク。 - （２）透明な基板を準備する工程と、前記基板上にマス
クパターンを形成する工程とを備えたフォトマスクの製
造方法において、 前記マスクパターンの開口部に対応する前記基板表面に
該開口部の大きさに応じたイオン濃度を有するイオン注
入領域を形成する工程を設けたことを特徴とするフォト
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102713A JPH041648A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102713A JPH041648A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041648A true JPH041648A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14334910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102713A Pending JPH041648A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012237869A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Fujitsu Semiconductor Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2102713A patent/JPH041648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012237869A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Fujitsu Semiconductor Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
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