JPH07295204A

JPH07295204A - 位相シフトマスクの修正方法

Info

Publication number: JPH07295204A
Application number: JP9188394A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Matsubara; 大介松原; Kazumasa Doi; 一正土井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体製造における位相シフト
マスクの修正方法、特に位相反転膜や遮光膜等の遮光パ
ターンの欠け（白欠陥) の修正方法に関し、位相シフト
マスクのピンホール処理とともに、パターンエッジ部の
欠けパターンの修正を行ない、位相シフトマスク製作に
おける品質の向上、歩留りの低下を防ぐ。【構成】位相シフトマスクのハーフトーン位相反転膜
の開口パターンの少なくとも欠け欠陥を含む領域をレー
ザーショットで開口し、レジスト膜を被覆し、正常な開
口パターンを再開口する。また、位相シフトマスクの遮
光膜の開口パターンの少なくとも欠け欠陥を含む領域を
レジスト膜で覆ってマスク基板にメインパターンをエッ
チング形成し、続いてシフターパターンの欠け欠陥を遮
蔽膜で被覆する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造における位
相シフトマスクの修正方法、特に遮光パターンの欠け
（白欠陥) の修正方法に関するものである。

【０００２】近年、主流となりつつあるハーフトーン基
調の位相シフトマスクを初め、種々の位相シフトマスク
が開発されている。今後のデバイスパターンの高密度化
に伴い、高微細で無欠陥のマスクが要求され、高精度な
パターン形成技術とパターン修正技術とが必要となって
いる。

【０００３】

【従来の技術】図７〜９は従来例の説明図である。図に
おいて、31は位相シフトマスク、32は透明基板、33は遮
光膜、34は電子ビームレジスト膜、35は開口パターン、
36はメインパターン、37はポジ型レジスト膜、38は紫外
光、39はレジスト膜のアッシング減少分、40はシフター
パターン、41は開口パターンの欠け欠陥、42は遮蔽膜、
43はシフターパターンの欠け欠陥、44は隣接するシフタ
ーパターンの近接効果により生じたパターンである。

【０００４】従来の種々の位相シフトマスク（またはレ
チクル）の修正では、開口パターンのエッジに対する欠
け等の修正をすることが出来ず、ピンホール（孔）のみ
の修正を行っていた。

【０００５】しかし、近年、高精度の位相シフトマスク
が要求されるようになってきた為に開口パターンのエッ
ジの欠け等の欠陥修正が必要となってきた。１例とし
て、エッジ強調型の自己整合プロセスを使用した位相シ
フトマスクは次のような工程で形成される。

【０００６】すなわち、図７（ａ）に示すように、石英
等の透明基板32に遮光膜33を被覆したあと、電子ビーム
レジスト膜34を塗布し、露光現像を行ってパターニング
し、電子ビームレジスト膜34をマスクとして遮光膜33を
エッチングして、図７（ｂ）に示すように、開口パター
ン35を形成する。

【０００７】続いて、図７（ｃ）に示すように、遮光膜
33をマスクとして透明基板32をエッチングし、メインパ
ターン36を形成する。次に、図７（ｄ）に示すように、
透明基板32上にポジ型レジスト膜37を塗布し、透明基板
32の裏面から遮光膜33をマスクとして、紫外光38により
背面露光して、図７（ｅ）に示すように、ポジ型レジス
ト膜37をパターニングした後、ポジ型レジスト膜37の表
面を一部アッシングして、遮光膜33上のポジ型レジスト
膜37をメインパターン36より後退させ、図７（ｆ）に示
すように、遮光膜33の一部を露出し、図７（ｇ）に示す
ように、残ったポジ型レジスト膜37をマスクとして露出
しているた遮光膜33をエッチング除去してメインパター
ン36の周縁にシフターパターン40を形成し、ポジ型レジ
スト膜37を剥離除去して、図７（ｈ）に示すように、位
相シフトマスク31を得る。

【０００８】以上の工程で、初期の遮光膜33の開口パタ
ーン35の形成において、図８（ａ）に示すような、通常
レチクルの状態（シフター加工前）で遮光膜33の開口パ
ターン35に発生した開口パターンの欠け欠陥（白欠陥）
41を修正する場合には、図８（ｂ）に示すように、ＦＩ
Ｂ修正装置によりカーボン膜等からなる遮蔽膜42を開口
パターンの欠け欠陥41を覆って形成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の図７
（ｇ）の工程でシフターパターン形成用の遮光膜33のエ
ッチングを行った場合に、図８（ｃ）に示すように、カ
ーボン膜等からなる遮蔽膜42がエッチングされずシフタ
ーパターン40上に欠陥として残ってしまう。

【００１０】従って、従来はこの通常レチクル時の開口
パターンの欠け欠陥41は或る程度小さければ、この位相
シフトマスク31を用いたウェハ露光時に、ウェハに与え
る影響は少なく、シミュレーションの結果では０.7μｍ
以下の欠け欠陥がウェハに与える寸法変化は５％以下で
あるため、そのままシフターパターン40の加工を行って
いた。

【００１１】そのため、シフターパターン40の加工後は
図９（ａ）に示すような正常なシフターパターン40が得
られず、図９（ｂ）に示すように、シフターパターン40
がメインパターン36の出っ張りに沿って湾曲した形で形
成され、遮光膜33のパターンにシフターパターンの欠け
欠陥43が形成されてしまう。

【００１２】また、図９（ｃ）に示すように、シフター
パターン40の間隔が十分大きければシフターパターンの
欠け欠陥43の影響は比較的少ないが、半導体装置の高速
化、高集積化によって図９（ｄ）に示すように、シフタ
ーパターン40の隣接するシフターパターン40との間隔が
狭くなってくると隣接するパターン同士に影響が出て来
る。

【００１３】例えば、図９（ｅ）に示すように、シフタ
ーパターン40の出っ張りにより突出したシフターパター
ン40と隣接したシフターパターン40同士が干渉し、隣接
するシフターパターン40の近接効果により生じたパター
ン44が異常開口して形成される。従って、この様なシフ
ターパターンの欠け欠陥43が発生すると、シフター加工
が出来なくなり、ウェハの歩留りが低下する。

【００１４】本発明は位相シフトマスクのピンホール処
理とともに、開口パターンのエッジ部分の欠けパターン
の修正を行ない、位相シフトマスク或いはレチクルの製
作における品質の向上、歩留りの低下を防ぐことを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は位相シフトマスク、２は透
明基板、３はハーフトーン基調の位相反転膜、４は開口
パターン、５は開口パターンの欠け欠陥、６は修正用開
口パターン、７はレジスト膜、11は位相シフトマスク、
12は透明基板、13は遮光膜、14は開口パターン、15は開
口パターンの欠け欠陥、16はネガ型レジスト膜、17はメ
インパターン、18はシフターパターン、19はシフターパ
ターンの欠け欠陥、20は遮蔽膜である。

【００１６】図１は本発明の原理説明図で、左側の図１
（ａ）〜（ｅ）はハーフトーン基調の位相シフトマス
ク、また、右側の図１（ｆ）〜（ｊ）は自己整合プロセ
スを用いたエッジ強調型位相シフトマスクにおける欠け
欠陥の修正手順を示したものである。

【００１７】先ず、本発明の第１の発明であるハーフト
ーン基調の位相シフトマスクの欠け欠陥の修正方法を説
明する。図１（ａ）に示すように、透明基板２上に被覆
したハーフトーン基調の位相反転膜３にフォトリソグラ
フィ工程により開口パターン４を形成した場合、そのパ
ターンエッジに発生した開口パターンの欠け欠陥５の修
正方法として、図１（ｂ）に示すように、まず開口パタ
ーン４と少なくとも開口パターンの欠け欠陥５を含む領
域をレーザ照射により、ハーフトーン基調の位相反転膜
３に、正規の開口パターン４より大きめの欠けパターン
修正用開口パターン６を開口する。

【００１８】その後、図１（ｃ）に示すように、透明基
板２上全面にレジスト膜７を塗布し、修正用開口パター
ン６より大きめにワンショット露光を行い、現像し開口
後、その部分にハーフトーン基調の位相反転膜３をスパ
ッタする。

【００１９】その後、図１（ｄ）に示すように、開口パ
ターン４と同じ大きさの開口パターン４をレーザ照射に
より形成し、ハーフトーン基調の位相反転膜３を有する
位相シフトマスク１を形成する。

【００２０】図１（ｅ）は完成した位相シフトマスク１
の断面図を示す。次に、本発明の第２の発明である自己
整合プロセスで形成されたエッジ強調型位相シフトマス
クの欠け欠陥の修正方法を説明する。

【００２１】図１（ｆ）に示すように、透明基板12上に
被覆した遮光膜13にフォトリソグラフィ工程により開口
パターン14を形成した場合、そのパターンエッジに発生
した開口パターンの欠け欠陥15の修正方法として、図１
（ｇ）に示すように、透明基板12上全面にネガ型レジス
ト膜16を塗布し、スポット露光により開口パターンの欠
け欠陥15の部分を覆う様に紫外線露光し、続いて現像を
行って、開口パターンの欠け欠陥15をネガ型レジスト膜
16で覆う。

【００２２】この時、メインパターンを形成するべき正
規の開口パターン14の領域は露光しないようにする。続
いて、遮光膜13、ネガ型レジスト膜16をマスクとして、
透明基板12のエッチングを行いメインパターン17を形成
する。

【００２３】この方法によりメインパターン17に開口パ
ターンの欠け欠陥15に起因する出っ張りは発生せず、開
口パターンの欠け欠陥15のみが残る。次に、開口パター
ンの欠け欠陥15を覆っていたネガ型レジスト膜16を除去
した後、ポジ型レジスト膜を塗布し、遮光膜13をマスク
として、透明基板12の裏面より背面露光を行い、現像を
行うと、メインパターン17及び開口パターンの欠け欠陥
15の領域のポジ型レジスト膜が除去される。

【００２４】続いて、ポジ型レジスト膜の表面をアッシ
ング処理して、図１（ｈ）に示すように、メインパター
ン17の周縁にシフターパターン18を形成すが、この時、
同時にシフターパターンの欠け欠陥19も形成される。

【００２５】そこで、図１（ｉ）に示すように、シフタ
ーパターンの欠け欠陥19をなくすように、従来の方法で
カーボン膜等からなる遮蔽膜20をシフターパターンの欠
け欠陥19を覆うようにスパッタ及びパターニングを行っ
て、エッジ強調型位相シフトマスクを完成する。

【００２６】図１（ｊ）は完成したエッジ強調型位相シ
フトマスク11の断面図を示す。即ち、本発明の目的は、
図１に示すように、位相シフトマスク１の透明基板２上
のハーフトーン基調の位相反転膜３に開口した開口パタ
ーン４と少なくとも開口パターンの欠け欠陥５とを含む
領域にレーザーショットで修正用開口パターン６を開口
し、続いてレジスト膜７を該透明基板２上全面に被覆
し、該ハーフトーン基調の位相反転膜３に該開口パター
ンの欠け欠陥５を修正した該開口パターン４を再開口す
ることにより、また、位相シフトマスク11の透明基板12
上の遮光膜13に開口した開口パターン14の領域を除き、
少なくとも開口パターンの欠け欠陥15を含む領域のみを
ネガ型レジスト膜16で被覆し、該遮光膜13と該ネガ型レ
ジスト膜16をマスクとして、該透明基板12をエッチング
してメインパターン17を形成し、続いて該メインパター
ン17周縁の該遮光膜13をエッチングしてシフターパター
ン18を形成し、同時に形成されたシフターパターンの欠
け欠陥19を含む領域のみを遮蔽膜20で被覆することによ
り達成される。

【００２７】

【作用】上記のように、本発明の第１の修正方法は、位
相反転効果を有するハーフトーン膜を使用した位相シフ
トマスクに関する。

【００２８】近年、多用されるようになったハーフトー
ン基調の位相シフトマスクは従来の透明な位相シフトマ
スクに対して、次のような特徴がある。すなわち、微細
なコンタクトホール等を開口する場合に、従来の透明な
シフターではハーフトーン膜がなく、シフターパターン
のみ形成した場合には、開口部のメインパターンのエッ
ジのみにレジスト膜が残って、開口部周縁の枠のみレジ
スト膜があり、その外縁にはレジスト膜がなくなるた
め、コンタクトホールが形成できない。

【００２９】シフターにハーフトーン膜を用いた場合に
は、酸化クロムのハーフトーン膜では例えばｉ線（635n
m)で50％以上の光が減小するために、開口部の外側のポ
ジ型レジスト膜が残り、開口部のみが後工程のエッチン
グにより開口されることとなり、位相シフトマスクを用
いた０．３５μｍ以下の微細なコンタクトホールの開口
が可能となる。

【００３０】従って、本発明のハーフトーン基調の位相
反転膜は、減光された露光において、ポジ型レジスト膜
が少なくとも残留する濃度のハーフトーン基調を有する
必要がある。従って、例えば、ハーフトーン基調の位相
反転膜に薄いクロム膜（約200 Å程度) を用いた場合に
は、シフター膜（透明ガラス膜) に積層して用い、酸化
クロム膜（約1,300 Å程度) を用いた場合には独自でハ
ーフトーン基調の位相反転膜として使用する。（透過率
約15％）本発明の第１の修正方法では、このように、ハーフトー
ン基調の位相反転膜を用いた場合に、収束イオンビーム
（ＦＩＢ：Focus Ion Beam) の様な装置を用いたカーボ
ン膜の析出による開口部のエッジの欠陥修正は、ハーフ
トーン膜の透過率を極端に悪化させるために好ましくな
い。

【００３１】そのため、コンタクトホール等の微細なパ
ターン開口部の欠陥（欠け）修正においては、レーザー
照射における孔の開口の大きさを規定し、かつパターン
欠陥部への再デポするハーフトーン膜が他の開口部のパ
ターンエッジに対して光特性における干渉光が影響しな
いように修正する。それを行うことにより、開口部欠陥
（欠け）修正をすることができる。

【００３２】また本発明の第２の修正方法によれば、位
相シフトレチクルのシフター加工の欠け欠陥上にネガレ
ジストを用いて一次的に覆うことにより、石英基板のエ
ッチングの際に、メインパターンの出っ張りを防ぐこと
ができる。また、メインパターンが正常に形成できるの
で、シフター加工前の欠け欠陥によるシフターパターン
の湾曲がなくなり、遮光膜の欠けをＦＩＢにより修正す
るだけで、正常なシフターパターンに修正可能となる。

【００３３】

【実施例】図２〜図３は本発明の第１の実施例の工程順
模式説明図、図４は本発明の第１の実施例の説明図、図
５〜図６は本発明の第２の実施例の工程順模式説明図で
ある。

【００３４】図において、１は位相シフトマスク、２は
透明基板、３はハーフトーン基調の位相反転膜、４は開
口パターン、５は開口パターンの欠け欠陥、６は修正用
開口パターン、７はレジスト膜、11は位相シフトマス
ク、12は透明基板、13は遮光膜、14は開口パターン、15
は開口パターンの欠け欠陥、16はネガ型レジスト膜、17
はメインパターン、18はシフターパターン、19はシフタ
ーパターンの欠け欠陥、20は遮蔽膜、21は開口パターン
の領域、22は修正用開口パターンの領域、23はレーザ
光、24はポジ型レジスト膜、25はワンショット露光領
域、26は紫外光、27はポジ型レジスト膜の感光領域、28
はレーザ光、29は紫外光、30はレジスト膜のアッシング
減少分である。

【００３５】図２〜図４により、ハーフトーン基調の位
相反転膜を有する位相シフトマスク１に本発明を適用し
た第１の実施例を説明する。図２〜図３において、右側
は位相シフター形成領域の平面図、左側は位相シフター
形成領域を右側の図のＡ−Ａ’ラインでカットした断面
図を示す。

【００３６】図２（ａ）に透明基板２上に被着した薄い
酸化クロム膜からなるハーフトーン基調の位相反転膜３
の開口パターン４を示すが、正規の開口パターン４の一
部周縁に開口パターンの欠け欠陥（白欠陥）５を有して
いる。

【００３７】本発明の修正方法では、先ず、図２（ｂ）
に示すように、少なくとも開口パターン４を含み、且つ
開口パターンの欠け欠陥５を包含するような修正用開口
パターンの領域22を、レーザ光23による１回のスポット
照射により、図２（ｃ）に示すように、開口パターンの
欠け欠陥５を含み、且つ開口パターン４より大きめに修
正用の開口パターン６をハーフトーン基調の位相反転膜
３に開口する。

【００３８】そして、図２（ｄ）に示すように、透明基
板２上全面にポジ型レジスト膜24を塗布する。続いて、
図３（ｅ）に示すように、修正用開口パターン６より周
縁が少し大きめのワンショット露光領域25に紫外光26の
スポット露光を行って、ポジ型レジスト膜24の感光領域
を現像により開口し、図３（ｆ）に示すように、修正用
開口パターン６より周縁を少し大き目にポジ型レジスト
膜24を開口する。

【００３９】次に、図３（ｇ）に示すように、透明基板
２上全面に修正用ハーフトーン基調の位相反転膜９を被
覆した後、ポジ型レジスト膜24を剥離除去し、図３
（ｈ）に示すように、修正用開口パターン６内とその周
縁のハーフトーン基調の位相反転膜３に少し重複させ
て、修正用ハーフトーン基調の位相反転膜９を形成す
る。

【００４０】続いて、図３（ｉ）に示すように、レーザ
光28の照射により、修正用ハーフトーン基調の位相反転
膜９内の開口パターンの領域21に正規の開口パターン４
を再開口して、欠け欠陥のない位相シフトマスク１を完
成する。

【００４１】上記のような本発明のハーフトーン基調の
位相反転膜３の開口パターン４の修正方法において、開
口パターン４の距離が近いと光の干渉により開口パター
ン４の形状が崩れたり、レーザ光照射の影響を受けるの
で、図４（ａ）に図４（ｂ）のＢ−Ｂ’ラインでカット
した位相シフトマスク１の模式断面図、図４（ｂ）に位
相シフトマスク１の平面図で示すように、開口パターン
４の周縁とハーフトーン基調の位相反転膜３の内周との
間隔ａ、及び修正用ハーフトーン基調の位相反転膜９の
外周と隣接する開口パターン４との間隔ｂは最小０.5μ
ｍを維持する必要がある。

【００４２】次に、図５〜図６により、自己整合プロセ
スで形成されたエッジ強調型位相シフトマスク11に本発
明を適用した第２の実施例を説明する。図５〜図６にお
いて、右側は位相シフター形成領域の平面図、左側は位
相シフター形成領域を右側の図のＣ−Ｃ’ラインでカッ
トした断面図を示す。

【００４３】先ず、図５（ａ）に示すように、自己整合
プロセスを使用してシフターパターンを形成するエッジ
強調型位相シフトマスク（或いはマスク）11において、
先ず石英等の透明基板12上にスパッタリングによりクロ
ム及び酸化クロム膜を積層した遮光膜13を形成する。

【００４４】そして、遮光膜13上に図示しない電子ビー
ムレジスト膜を塗布し、電子ビーム描画によりレジスト
膜のパターンを描画し、現像を行って開口パターン14の
領域を開口する。このレジスト膜をマスクとしてドライ
或いはウエットエッチングにより遮光膜13をエッチング
して開口パターン14を形成する。

【００４５】この遮光膜13の開口パターン14の形成時
に、開口パターン14のエッジに開口パターンの欠け欠陥
（白欠陥）15が生じた時は、以下の方法で修正する。本
発明の修正方法では、先ず、図５（ｂ）に示すように、
透明基板12上にネガ型レジスト膜16を全面に塗布し、ス
ポット露光により開口パターンの欠け欠陥15を覆う様に
紫外線露光する。この時、後述するメインパターン17を
形成するべき正規の開口パターン14の領域は露光しない
ようにする。

【００４６】続いて現像を行うと、図５（ｃ）に示すよ
うに、開口パターンの欠け欠陥15の領域を含む小領域の
みネガ型レジスト膜16のパターンが形成される。次に、
遮光膜13、及びネガ型レジスト膜16のをマスクとして図
５（ｄ）に示すように、透明基板12を四弗化炭素（ＣＦ
₄）等の反応性ガスを用いて約 3,900Åの深さにエッチ
ングを行い、透明基板12にメインパターン17を形成す
る。

【００４７】本発明の上記修正方法により、位相シフト
マスク11に開口パターンの欠け欠陥15に起因するメイン
パターン17の欠け不良は発生せず、遮光膜13のみにパタ
ーンの欠けのみが残る。図５（ｅ）はネガ型レジスト膜
16を除去したところである。

【００４８】この後、図６（ｆ）に示すように、透明基
板12上にポジ型レジスト膜21を全面被覆し、遮光膜13を
マスクとして、透明基板12の裏面から紫外光29を照射し
て背面露光を行ない、ポジ型レジスト膜24を現像して、
図６（ｇ）に示すように、光透過領域のポジ型レジスト
膜24を除去し、メインパターン17及び開口パターンの欠
け欠陥15の領域を露出する。

【００４９】続いて、反応性ガス（酸素）によりポジ型
レジスト膜24の表面及を一部アッシングして、ポジ型レ
ジスト膜24をメインパターン17のエッジから後退させ、
遮光膜13の一部を露出させる。

【００５０】その後、図６（ｉ）に示すように、遮光膜
13の露出した領域をポジ型レジスト膜24をマスクとして
ドライエッチングし、約０.5μｍ巾のシフターパターン
18を得る。

【００５１】続いて、図６（ｊ）に示すように、シフタ
ーパターンの欠け欠陥19のところを修正するため、透明
基板12上全面にカーボン膜からなる遮蔽膜20を全面に被
覆し、パターニングして、シフターパターンの欠け欠陥
19の領域のみを遮蔽して、自己整合プロセスで形成され
たエッジ強調型の位相シフトマスク11を完成する。

【００５２】尚、本発明の開口パターンの欠け欠陥の修
正方法の実施例は透明基板をシフターとしているが、透
明基板上にストッパ層を設けて、シリコン酸化膜等を蒸
着、或いはＣＶＤ法により成膜して、シフター層とした
ものにも適用できる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
位相シフトマスクの加工前に発生する遮光パターンの欠
け欠陥によるシフターパターン加工に及ぼす種々の弊害
を取り除き、正常なシフターパターンに修正が可能とな
り、半導体装置の微細化、高速化、高密度化に対応した
位相シフトマスク、或いはレチクルを高品質で供給する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図

【図２】本発明の第１の実施例の工程順模式説明図
（その１）

【図３】本発明の第１の実施例の工程順模式説明図
（その２）

【図４】本発明の第１の実施例の説明図

【図５】本発明の第２の実施例の工程順模式説明図
（その１）

【図６】本発明の第２の実施例の工程順模式説明図
（その２）

【図７】従来例の説明図（その１）

【図８】従来例の説明図（その２）

【図９】従来例の説明図（その３）

【符号の説明】

図において１位相シフトマスク２透明基板３ハーフトーン基調の位相反転膜４開口パターン５開口パターンの欠け欠陥６修正用開口パターン７レジスト膜 11 位相シフトマスク 12 透明基板 13 遮光膜 14 開口パターン 15 開口パターンの欠け欠陥 16 ネガ型レジスト膜 17 メインパターン 18 シフターパターン 19 シフターパターンの欠け欠陥 20 遮蔽膜 21 開口パターンの領域 22 修正用開口パターンの領域 23 レーザ光 24 ポジ型レジスト膜 25 ワンショット露光領域 26 紫外光 27 ポジ型レジスト膜の感光領域 28 レーザ光 29 紫外光 30 レジスト膜のアッシング減少分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】位相シフトマスク(1) の透明基板(2) 上の
ハーフトーン基調の位相反転膜(3)に開口した開口パタ
ーン(4) と少なくとも開口パターンの欠け欠陥(5) とを
含む領域にレーザーショットで修正用開口パターン(6)
を開口し、続いてレジスト膜(7) を該透明基板(2) 上全
面に被覆し、該ハーフトーン基調の位相反転膜(3) に該
開口パターンの欠け欠陥(5) を修正した該開口パターン
(4) を再開口することを特徴とする位相シフトマスクの
修正方法。
【請求項２】位相シフトマスク(11)の透明基板(12)上の
遮光膜(13)に開口した開口パターン(14)の領域を除き、
少なくとも開口パターンの欠け欠陥(15)を含む領域のみ
をネガ型レジスト膜(16)で被覆し、該遮光膜(13)と該ネ
ガ型レジスト膜(16)をマスクとして、該透明基板(12)を
エッチングしてメインパターン(17)を形成し、続いて該
メインパターン(17)周縁の該遮光膜(13)をエッチングし
てシフターパターン(18)を形成し、同時に形成されたシ
フターパターンの欠け欠陥(19)を含む領域のみを遮蔽膜
(20)で被覆することを特徴とする位相シフトマスクの修
正方法。