JPH0416551A - 低温焼結磁器組成物 - Google Patents
低温焼結磁器組成物Info
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- JPH0416551A JPH0416551A JP2118001A JP11800190A JPH0416551A JP H0416551 A JPH0416551 A JP H0416551A JP 2118001 A JP2118001 A JP 2118001A JP 11800190 A JP11800190 A JP 11800190A JP H0416551 A JPH0416551 A JP H0416551A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 22
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、低温焼結磁器組成物に関し、特に、電気回
路基板、たとえば、複数のシート状磁器を積層し、磁器
間に回路を形成してなる多層電気回路基板に適した低温
焼結磁器組成物に関する。
路基板、たとえば、複数のシート状磁器を積層し、磁器
間に回路を形成してなる多層電気回路基板に適した低温
焼結磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、この発明の発明者らは、低温で焼成でき、しかも
絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得ることができる、
数種の磁器組成物を提案した。これらの磁器組成物は、
たとえば特開昭62−128964号公報および特開昭
62−226855号公報に開示されている。なお、特
開昭62−128964号公報には、5iCh25〜8
0重量%、Bad、SrOのうち1種または2種が15
〜70重量%およびBz Os 1.5〜5重量%さら
に必要に応じてAlzOx30重量%以下からなる主成
分に、Cr、0.、Cub、Nip、CotO3および
Feze3のいずれか1種が添加含有された磁器組成物
であって、添加物がCr z O3またはCuOの場合
には0.2〜lO重量%の範囲で添加され、添加物がN
Z O+ C’ z OsおよびFe、0.の場合
には1〜10重量%の範囲で添加される、磁器組成物が
開示されている。
絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得ることができる、
数種の磁器組成物を提案した。これらの磁器組成物は、
たとえば特開昭62−128964号公報および特開昭
62−226855号公報に開示されている。なお、特
開昭62−128964号公報には、5iCh25〜8
0重量%、Bad、SrOのうち1種または2種が15
〜70重量%およびBz Os 1.5〜5重量%さら
に必要に応じてAlzOx30重量%以下からなる主成
分に、Cr、0.、Cub、Nip、CotO3および
Feze3のいずれか1種が添加含有された磁器組成物
であって、添加物がCr z O3またはCuOの場合
には0.2〜lO重量%の範囲で添加され、添加物がN
Z O+ C’ z OsおよびFe、0.の場合
には1〜10重量%の範囲で添加される、磁器組成物が
開示されている。
これらの従来の磁器組成物では、非酸化性雰囲気で10
00℃以下の低温で焼結することが可能であり、たとえ
ば内部電極などの導体材料として銅を用いることができ
る。
00℃以下の低温で焼結することが可能であり、たとえ
ば内部電極などの導体材料として銅を用いることができ
る。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、これらの従来の磁器組成物では、その最
適焼成温度範囲が15℃以下と狭く、それから得られる
磁器の歩留りが低いという欠点があった。
適焼成温度範囲が15℃以下と狭く、それから得られる
磁器の歩留りが低いという欠点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低温で焼成でき
、最適焼成温度範囲が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電
率が低い磁器を得ることができる、低温焼結磁器組成物
を提供することである。
、最適焼成温度範囲が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電
率が低い磁器を得ることができる、低温焼結磁器組成物
を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、Si成分をS i Ozに換算して40.
0〜70.0重量%、Ba成分をBaCO3に換算して
20.0〜50.0重量%、At’成分をAIto3に
換算して2.0〜10.0重量%、B成分をBtusに
換算して1.0〜3.0重量%、Cr成分をCr2O3
に換算して0.3〜3O重量%、およびCa成分をCa
C01に換算して0.3〜3.0重量%含む、低温焼結
磁器組成物である。
0〜70.0重量%、Ba成分をBaCO3に換算して
20.0〜50.0重量%、At’成分をAIto3に
換算して2.0〜10.0重量%、B成分をBtusに
換算して1.0〜3.0重量%、Cr成分をCr2O3
に換算して0.3〜3O重量%、およびCa成分をCa
C01に換算して0.3〜3.0重量%含む、低温焼結
磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、低温で焼成でき、最適焼成温度範囲
が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得る
ことができる、低温焼結磁器組成物が得られる。そのた
め、この発明にかかる低温焼結磁器組成物は、それをた
とえばバ・7チ炉や連続焼成炉にフルチャージで焼成す
ることができる。
が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得る
ことができる、低温焼結磁器組成物が得られる。そのた
め、この発明にかかる低温焼結磁器組成物は、それをた
とえばバ・7チ炉や連続焼成炉にフルチャージで焼成す
ることができる。
したがって、この発明にかかる低温焼結磁器組成物は、
それから得られる磁器の歩留りが高くなり、たとえば多
層電気回路基板などの電気回路基板の量産実用化に大き
く寄与することができる。
それから得られる磁器の歩留りが高くなり、たとえば多
層電気回路基板などの電気回路基板の量産実用化に大き
く寄与することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
S iOz 、BaC01、Alz 03 、B203
Cr、0.およびCa COsを別表に示す組成比率の
磁器が得られるように秤量し混合した。この原料混合物
を850〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バイン
ダーを加えて混練し、ドクターブレード法によって厚さ
1削のシート状に成形し、グリーンシートとした。
Cr、0.およびCa COsを別表に示す組成比率の
磁器が得られるように秤量し混合した。この原料混合物
を850〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バイン
ダーを加えて混練し、ドクターブレード法によって厚さ
1削のシート状に成形し、グリーンシートとした。
このグリーンシートを縦30鶴、横10mmの角板状に
カットし、その表面上に銅電極となるべき銅粉末と有機
質ビヒクルとを重量比80 : 20の割合で混合した
銅ペーストを印刷した。そして、これを窒素−水蒸気の
還元性もしくは非酸化性雰囲気の中で、900〜104
0℃で1時間焼成して試験試料とした。
カットし、その表面上に銅電極となるべき銅粉末と有機
質ビヒクルとを重量比80 : 20の割合で混合した
銅ペーストを印刷した。そして、これを窒素−水蒸気の
還元性もしくは非酸化性雰囲気の中で、900〜104
0℃で1時間焼成して試験試料とした。
焼成する温度の上昇にともなっである温度までは試料の
収縮率が大きくなってい(が、その収縮率が最大となっ
た場合の温度を試料の最適な焼成温度として第1表に示
した。
収縮率が大きくなってい(が、その収縮率が最大となっ
た場合の温度を試料の最適な焼成温度として第1表に示
した。
さらに、第1表には、試料の最適焼成温度範囲を示した
。この最適焼成温度範囲は、表中の焼成温度を中心とし
てその下限を試料が0.5%大きくなる温度とし、その
上限をはんだ付は性が不良となる温度として、それらの
差から求めた。なお、試料のはんだ付は性を調べるため
には、試料について、予め150℃で20秒予熱し、銅
電極の表面に塩素系のフラックスを付けた後、230−
1:10℃の鉛−錫はんだ槽に5秒間浸漬し、はんだ付
けを行った。そして、目視で銅電極の表面を見たとき、
銅電極の表面の90%以上がはんだで覆われているもの
をはんだ付は性がよいものとし、90%未満しか覆われ
れていないものをはんだ付は性が不良であるものとした
。
。この最適焼成温度範囲は、表中の焼成温度を中心とし
てその下限を試料が0.5%大きくなる温度とし、その
上限をはんだ付は性が不良となる温度として、それらの
差から求めた。なお、試料のはんだ付は性を調べるため
には、試料について、予め150℃で20秒予熱し、銅
電極の表面に塩素系のフラックスを付けた後、230−
1:10℃の鉛−錫はんだ槽に5秒間浸漬し、はんだ付
けを行った。そして、目視で銅電極の表面を見たとき、
銅電極の表面の90%以上がはんだで覆われているもの
をはんだ付は性がよいものとし、90%未満しか覆われ
れていないものをはんだ付は性が不良であるものとした
。
さらに、これらの試料について、絶縁抵抗および誘電率
を測定した。それらの特性はすべて良好なものであった
が、特に、誘電率について第1表に示した。
を測定した。それらの特性はすべて良好なものであった
が、特に、誘電率について第1表に示した。
なお、表で番号に率を付した試料は、この発明の範囲外
のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のものであ
る。
のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のものであ
る。
この発明の低温焼結磁器組成物における組成範囲を限定
した理由はつぎの通りである。
した理由はつぎの通りである。
(1)S iOxが40重量%未満では、誘電率が9.
0より高くなり使用周波数が高い場合に電子回路の特性
が低下する。5iQ2が70重量%を超えると、焼成温
度が1000’C以上となり、たとえば内部電極などの
導体材料として銅を使用できなくなり好ましくない。
0より高くなり使用周波数が高い場合に電子回路の特性
が低下する。5iQ2が70重量%を超えると、焼成温
度が1000’C以上となり、たとえば内部電極などの
導体材料として銅を使用できなくなり好ましくない。
(2)BaCO=が2o重量%未満では、抗折強度が1
500kg/Jとやや低く焼成温度も高くなりがちで好
ましくない。BaCO5が50重量%を超えると、誘電
率が9より大きくなり好ましくない。
500kg/Jとやや低く焼成温度も高くなりがちで好
ましくない。BaCO5が50重量%を超えると、誘電
率が9より大きくなり好ましくない。
(3)Aj!z o2が2重量%未満あるいは10重量
%を趨える場合には、焼成温度が上昇する傾向にあり好
ましくない。
%を趨える場合には、焼成温度が上昇する傾向にあり好
ましくない。
(4)B203がII量%未満でば焼成温度が1000
℃以上になり、3重量%を超えると最適焼成温度範囲が
15℃以下となって、それぞれ好ましくない。
℃以上になり、3重量%を超えると最適焼成温度範囲が
15℃以下となって、それぞれ好ましくない。
(5)Crz 03が0.3重量%未満でははんだ付は
性が悪くなり、3重量%を超えると絶縁抵抗が下がる場
合があって、それぞれ好ましくない。
性が悪くなり、3重量%を超えると絶縁抵抗が下がる場
合があって、それぞれ好ましくない。
(6) Ca COxが0.3重量%未満では最適焼成
温度範囲が15℃以下と狭く、また、3重量%を超える
と焼成温度が1000℃を超えて、それぞれ好ましくな
い。
温度範囲が15℃以下と狭く、また、3重量%を超える
と焼成温度が1000℃を超えて、それぞれ好ましくな
い。
それに対して、この発明の範囲内の低温焼結磁器組成物
では、低温で焼成でき、絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁
器を得ることができるとともに、最適焼成温度範囲が2
0℃前後となり、バッチ炉あるいは連続焼成炉ともフル
チャージで焼成することができる。そのため、この発明
にかかる低温焼結磁器組成物は、それから得られる磁器
の歩留りが高くなり、たとえば多層電気回路基板などの
電気回路基板の量産実用化に大きく寄与することができ
る。
では、低温で焼成でき、絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁
器を得ることができるとともに、最適焼成温度範囲が2
0℃前後となり、バッチ炉あるいは連続焼成炉ともフル
チャージで焼成することができる。そのため、この発明
にかかる低温焼結磁器組成物は、それから得られる磁器
の歩留りが高くなり、たとえば多層電気回路基板などの
電気回路基板の量産実用化に大きく寄与することができ
る。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Si成分をSiO_2に換算して40.0〜70.0
重量%、 Ba成分をBaCO_3に換算して20.0〜50.0
重量%、 Al成分をAl_2O_3に換算して2.0〜10.0
重量%、 B成分をB_2O_3に換算して1.0〜3.0重量%
、 Cr成分をCr_2O_3に換算して0.3〜3.0重
量%、および Ca成分をCaCO_3に換算して0.3〜3.0重量
%含む、低温焼結磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118001A JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118001A JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416551A true JPH0416551A (ja) | 1992-01-21 |
| JPH0798679B2 JPH0798679B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=14725596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118001A Expired - Lifetime JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798679B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0861816A3 (en) * | 1997-02-28 | 1998-11-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| EP1022264A3 (en) * | 1999-01-22 | 2000-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| JP2002173362A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた多層基板 |
| KR100621195B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-09-13 | 주식회사 아이엠텍 | 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법 |
| US7211533B2 (en) | 2005-04-28 | 2007-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component |
| WO2011093489A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2118001A patent/JPH0798679B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0861816A3 (en) * | 1997-02-28 | 1998-11-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| US6080693A (en) * | 1997-02-28 | 2000-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| EP1022264A3 (en) * | 1999-01-22 | 2000-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| US6379805B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-04-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| JP2002173362A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた多層基板 |
| KR100621195B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-09-13 | 주식회사 아이엠텍 | 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법 |
| US7211533B2 (en) | 2005-04-28 | 2007-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component |
| WO2011093489A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| CN102741956A (zh) * | 2010-02-01 | 2012-10-17 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法 |
| US8590123B2 (en) | 2010-02-01 | 2013-11-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing electronic component |
| JP5382144B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-01-08 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0798679B2 (ja) | 1995-10-25 |
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