JPH0416831A - 非線形光学素子の作製方法 - Google Patents
非線形光学素子の作製方法Info
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- JPH0416831A JPH0416831A JP11977690A JP11977690A JPH0416831A JP H0416831 A JPH0416831 A JP H0416831A JP 11977690 A JP11977690 A JP 11977690A JP 11977690 A JP11977690 A JP 11977690A JP H0416831 A JPH0416831 A JP H0416831A
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
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- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は非線形光学素子の作製方法に関し、さらに詳し
くは直接引上法で得られたＢ−バリウムボレイト（β−
ＢａＢ２０４ ：以下、ＢＢＯと略記する。）を用いた
第２高調波発生（以下、ＳＨＧと略記する。）素子の作
製方法に関する。
くは直接引上法で得られたＢ−バリウムボレイト（β−
ＢａＢ２０４ ：以下、ＢＢＯと略記する。）を用いた
第２高調波発生（以下、ＳＨＧと略記する。）素子の作
製方法に関する。
［従来の技術］
ＢＢＯはＳＨＧ素子として非常に重要な結晶でおる。こ
の結晶は従来フラックス法で育成され、育成される結晶
は横に平たい円盤状をしていたため、素子に加工するの
にまずブロック状に切り出したあと、Ｘ線により結晶方
位を定め、レーザ光を照射してＳＨＧ方位を定めるとい
う非常に多くの工数を要していた。また、この結晶は近
年出現した新しい結晶のため、ＳＨＧ素子の作製方法か
完全に確立していなかった。
の結晶は従来フラックス法で育成され、育成される結晶
は横に平たい円盤状をしていたため、素子に加工するの
にまずブロック状に切り出したあと、Ｘ線により結晶方
位を定め、レーザ光を照射してＳＨＧ方位を定めるとい
う非常に多くの工数を要していた。また、この結晶は近
年出現した新しい結晶のため、ＳＨＧ素子の作製方法か
完全に確立していなかった。
［発明が解決しようとする課題］
近年、ＢＢＯを直接引上法で育成する方法か発明された
（特願昭６３−３２５２０２号）。この育成方法ではＣ
軸方向に長さ５０ ｍｍ、直径１０ ｍｍ程度の単結晶
か得られる。このＢＢＯ単結晶から、使用するレーザの
波長に合わせて正確な方位に加工して、歩留まり良＜Ｓ
ＨＧ素子を作製する必要があった。
（特願昭６３−３２５２０２号）。この育成方法ではＣ
軸方向に長さ５０ ｍｍ、直径１０ ｍｍ程度の単結晶
か得られる。このＢＢＯ単結晶から、使用するレーザの
波長に合わせて正確な方位に加工して、歩留まり良＜Ｓ
ＨＧ素子を作製する必要があった。
本発明はこのような従来の事情に対処してなされたもの
で、素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよく加工す
ることのできる非線形光学素子の作製方法を提供するこ
とを目的とする。
で、素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよく加工す
ることのできる非線形光学素子の作製方法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、β−バリウムボレイト（β−Ｂａ８２０４
）単結晶を用いた第２高調波発生（ＳＨＧ）素子の作製
方法において、偏光したレーザ光を用いて、ｈロエする
結晶方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の
作製方法である。
）単結晶を用いた第２高調波発生（ＳＨＧ）素子の作製
方法において、偏光したレーザ光を用いて、ｈロエする
結晶方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の
作製方法である。
［作用Ｉ
ＢＢＯは一軸性の結晶であり、通常、位相整合は励起光
の常光線から異常光線の第２高調波を得るＴＶｐｅ Ｉ
の方法をとる。無偏光の光を結晶中に入射すると、結晶
中で光は常光と異常光に別れてしまう。そこでカットす
るために使用するレーザ光を縦方向に偏光させ、予め仮
に表面を研磨した結晶に入射してゴニオメータ上で移動
、回転させて結晶中に入った光を常光成分だけとし、第
２高調波出力が最大になるように方位を定める。こうし
て素子に加工することで、最大の波長変換効率か得られ
る結晶方位を迅速に、かつ簡単に捜すことかできる。
の常光線から異常光線の第２高調波を得るＴＶｐｅ Ｉ
の方法をとる。無偏光の光を結晶中に入射すると、結晶
中で光は常光と異常光に別れてしまう。そこでカットす
るために使用するレーザ光を縦方向に偏光させ、予め仮
に表面を研磨した結晶に入射してゴニオメータ上で移動
、回転させて結晶中に入った光を常光成分だけとし、第
２高調波出力が最大になるように方位を定める。こうし
て素子に加工することで、最大の波長変換効率か得られ
る結晶方位を迅速に、かつ簡単に捜すことかできる。
［実施例］
次に本発明の実施例について説明する。
直接引上法により得られたＢＢＯを、ＹＡＧレザの発振
する１、０６Ｉｌ！ｎに対するＳＨＧ素子に加工する方
法について）ボベる。まずＣ軸方向に引き上げられた結
晶をＣ軸に垂直にカットしてその面を仮に研磨する。Ｃ
軸から約２２°傾けたところが位相整合の方向なので、
ゴニオメータ上に横方向に２２°に傾けて固定する。縦
方向に偏光したＬＤ助起パルスＹＡＧレーザを結晶に入
射し、結晶を回転、移動させて出力される第２高調波出
力が最大になるように結晶の方位を定め、ＳＨＧ素子を
作製した。この方法により、作製効率よく、また結晶の
無駄がなく、ＳＨＧ素子を得ることができた。
する１、０６Ｉｌ！ｎに対するＳＨＧ素子に加工する方
法について）ボベる。まずＣ軸方向に引き上げられた結
晶をＣ軸に垂直にカットしてその面を仮に研磨する。Ｃ
軸から約２２°傾けたところが位相整合の方向なので、
ゴニオメータ上に横方向に２２°に傾けて固定する。縦
方向に偏光したＬＤ助起パルスＹＡＧレーザを結晶に入
射し、結晶を回転、移動させて出力される第２高調波出
力が最大になるように結晶の方位を定め、ＳＨＧ素子を
作製した。この方法により、作製効率よく、また結晶の
無駄がなく、ＳＨＧ素子を得ることができた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によれば、非線形光
学素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよくｈロエす
ることができる。
学素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよくｈロエす
ることができる。
Claims (1)
- （１）β−バリウムボレイト（β−ＢａＢ＿２Ｏ＿４）
単結晶を用いた第２高調波発生（ＳＨＧ）素子の作製方
法において、偏光したレーザ光を用いて、加工する結晶
方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11977690A JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11977690A JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416831A true JPH0416831A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14769937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11977690A Pending JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612532A (en) * | 1993-09-01 | 1997-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin IC card and method for producing the same |
| US5710458A (en) * | 1993-12-20 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Card like semiconductor device |
| EP2065833A1 (en) | 1998-03-24 | 2009-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable electronic device with contacting and noncontacting interfaces |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP11977690A patent/JPH0416831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612532A (en) * | 1993-09-01 | 1997-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin IC card and method for producing the same |
| US5710458A (en) * | 1993-12-20 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Card like semiconductor device |
| EP2065833A1 (en) | 1998-03-24 | 2009-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable electronic device with contacting and noncontacting interfaces |
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