JPH0416950B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜発明の背景＞ この発明は、フイールド・レジスタおよび出力
レジスタを使用する電荷結合装置（CCD）影像
器（以下ではイメージヤと称す）に関するもので
あり、さらに詳しく言えば、フイールド・レジス
タ中で生ずる縁効果がイメージヤの出力信号から
除去されたCCDイメージヤに関するものである。

別々の像（イメージ）および出力レジスタを使
用したCCDイメージヤでは、出力レジスタは一
般に電荷転送チヤンネルからなつている。選択さ
れた時間期間中、出力チヤンネルの段はフイール
ド・レジスタの並列に配列された電荷転送チヤン
ネルの出力から並列にローデイングされる。この
発明が実施されるCCDイーメージヤの形式では、
このフイールド・レジスタは(a)光の検出が行なわ
れるイメージ・レジスタあるいは(b)イメージ・レ
ジスタと出力レジスタとの間に挿入されるフイー
ルド蓄積レジスタである。電荷の束（以下では電
荷パケツトと称す）が出力レジスタ段に並列にロ
ーデイングされた後は、電荷パケツトは出力レジ
スタの出力から並列的に供給される。

イメージヤが形成される半導体基板内では電荷
キヤリヤの寿命は、(a)イメージ・レジスタ中の電
荷の積分、(b)イメージ・レジスタから出力レジス
タへの電荷の転送、および(c)出力レジスタ中の並
列−直列変換に要する時間に比して長い。電圧を
イメージ・レジスタのゲート電極に供給すること
によつて誘導される空乏領域中よりもむしろ基板
バルク中に発生する電荷キヤリヤは、１つの電荷
転送チヤンネルが横切つて伸びるイメージ・レジ
スタの一部から隣接する電荷転送チヤンネル内に
拡散し、こゝでこのように拡散した電荷キヤリヤ
は空乏領域に集められる。イメージ・レジスタ中
の２つの隣接する電荷転送チヤンネル間で生ずる
場合と同様に、この拡散によつて隣接チヤンネル
中で蓄積される電荷パケツトによつて画定される
べきイメージの部分の空間解像度がある程度低下
する。この解像度の低下は電荷転送チヤンネルに
直角な方向にある。しかしながらこの過程はチヤ
ンネル中に集められた電荷の全量に影響を与えな
い。

一方、(a)イメージ・レジスタの各側部にある
各々の電荷転送チヤンネルと、(b)これらのチヤン
ネルの近傍にあるがイメージ・レジスタの外にあ
る場合の半導体材料との間の上記の拡散は、これ
らの電荷転送チヤンネルのいずれかによつて集め
られる電荷量にかなり大きな影響を与える。その
結果、拡散は、このような電荷転送チヤンネル中
に蓄積される電荷パケツトによつて画定されるイ
メージ部分に好ましくない縁効果を生じさせる。

イメージ・レジスタの側部がドレン構造（例え
ばアンチブルーミング・ドレン）によつて拘束さ
れていると、幾らかの電荷キヤリヤはドレン中に
入り込んで通過し、このため電荷キヤリヤが集め
られることはない。これはイメージヤによつて集
められる電荷の量を減少させるという好ましくな
い結果を生じさせる。フイールド・レジスタ（イ
メージ・レジスタあるいはフイールド蓄積レジス
タ）の側部がバルク基板であると、暗電流発生効
果あるいは浮遊光に応答する光発生によりバルク
の部分に発生する別の電荷キヤリヤは、(a)フイー
ルド・レジスタの側部にある電荷転送レジスタに
移動し、(b)その結果イメージヤによつて集められ
る電荷を増加させるという好ましくない現象が生
ずる。

この問題を取扱う１つの方法は、CCDイメー
ジヤのフイールド・レジスタ中に、隣接するチヤ
ンネル中の縁効果を防止するために、イメージヤ
の各側部にフイールド・レジスタの電荷転送チヤ
ンネルと同じように光が照射される別の電荷転送
チヤンネルを設けることである。そうすると、縁
効果によつて悪影響を受けたこれらの追加された
チヤンネル中に蓄積される電荷パケツトは棄てら
れる。

＜発明の概要＞ この発明によれば、悪影響を受けた電荷パケツ
トをイメージヤ出力レジスタに導入し、その後に
クロツクされたときそれらの悪影響を受けた電荷
パケツトを出力レジスタから棄てる代りに、上記
の悪影響を受けた電荷パケツトをドレンを経由し
てこれらの追加チヤンネルの出力から棄てるのが
望ましい。追加チヤンネルの出力において悪影響
を受けた電荷パケツトを棄てることにより、イメ
ージヤの出力レジスタから出力信号を選択的に阻
止しなければならないという煩しさを避けること
ができる。

この発明によつて構成されたCCDイメージヤ
の好ましい形式では、レジスタの各々の側部にあ
る側部電荷転送チヤンネルを除くイメージ・レジ
スタの電荷転送チヤンネルの各々において入力電
荷パケツトが生ずる場合に限つて、上記入力電荷
パケツトが出力レジスタ段の各々に供給されるよ
うに上記出力レジスタ段は動作する。これはイメ
ージ・レジスタの側部電荷転送チヤンネルから電
荷パケツトを棄てることによつて生ずる縁効果を
抑制する方法を提供するものである。

＜詳細な説明＞ 第１図に示す電気−光学信号プロセツサの一般
形式については、SPIE Vol.118−「光信号および
イメージ処理（Optical Signal and Image
Processing）」（IOCC 1977）の第118頁乃至第123
頁のブロムレー（K.Bromley）氏他の論文
「Incoherent Optical Signal Processing Using
Charge−Coupled Devices（CCD′S）」中に述べ
られている。このプロセツサは、光マスク７を照
射するための強度変調された強度の規則的閃光源
となる発光ダイオード（LED）５からなつてい
る。マスク７は電荷結合装置（CCD）イメージ
ヤ１０のイメージ・レジスタ１１と接触してい
る。イメージ・レジスタの表面から離れた状態で
示されているマスクは、イメージヤ１０の表面に
クロムの薄い層を蒸着によつて形成し、次いで選
択的にエツチングすることによつて形成されるの
が好ましい。

イメージ・レジスタ１１はフイールド・レジス
タである。それは複数個Ｍ＋２＞３の平行に配列
された電荷転送チヤンネルからなる。電荷転送チ
ヤンネルは、左から右へ０番から（Ｍ＋１）番へ
連続番号が付されており、観察者に対面するイメ
ージヤ１０の表面上に列によつて表わされてい
る。各チヤンネルは同じ番号のイメージ積分位置
すなわち画素（ピクセル）を含んでいる。画素を
示す４角は観察者に対面するCCDの表面上に行
列に配列されている。

この発明によれば、イメージヤ１０は、イメー
ジ・レジスタの左側および右側における０番およ
び（Ｍ＋１）番で積分された電荷パケツトがドレ
ン電圧V_DD源に接続されたドレンに周期的に順方
向（上向き）にクロツクされるという点で通常の
構成のものと異つている。イメージ・レジスタ１
１の他の電荷転送チヤンネル（すなわち１番乃至
Ｍ番）で積分された電荷パケツトは、サンプルさ
れた出力アナログ・データ列gmの連続サンプル
を供給するために並列−直列変換を行なう出力レ
ジスタ１２の各段に周期的に順方向（上向き）に
クロツクされる。

この発明に関する限り、第１図のプロセツサの
重要な部分は、第１番目および第Ｍ番目の列にお
ける積分誤差が隣接する０番およびＭ＋１番の列
の動作によつて減少されることである。０番およ
びＭ＋１番のクロツクによる上方への出力は、出
力レジスタ１２に入り込む代りにドレン電源に棄
てられる。この技術は、出力レジスタ１２の出力
信号を選択的に無効にすることによつて後でこれ
らのサンプルを廃棄する複雑さを軽減することが
できる。

第２図は第１図に示すようなプロセツサで使用
するためのCCDイメージヤの前面の概略平面図
を示す。画素位置の列は図の上部に普通の連続番
号０番乃至（Ｍ＋１）番で番号を付されており、
画素位置の行は図の左側に普通の連続番号１番乃
至Ｋ番で番号が付されている。第２図のイメージ
ヤは、２レベル・ポリシリコン・ゲート構造で構
成された埋込みチヤンネル型イメージ・レジスタ
１１と出力レジスタ１２の２相クロツキングを使
用している。第２図のイメージヤは、クロムの光
マスク７（第２図では下にあるCCD構成を現わ
すために示されていない）の開孔を通して前面照
射されるように設計されている。金属酸化物電界
効果トランジスタ（MOSFET）１３は、出力レ
ジスタ１２の出力端における浮動拡散領域１４の
電位に応答するソース・ホロワ出力を与えてい
る。浮動拡散領域１４は、対をなす中間のリセツ
ト・ゲートの連続するものに供給される適当に調
時されたφ_R1およびφ_R2リセツト・パルスを使用し
て、ドレン拡散領域１５に供給される直流ドレン
電位V_DRに周期的にクランプされる。出力レジス
タ１２の入力端において直流電源電圧V_Sがソー
ス領域１６に供給され、バイアス電荷（例えば
“フアツト・ゼロ（fat zero）”電荷が、出力レジ
スタ１２の開始点におけるゲートに適当な位相を
もつたV_INおよびV_Gを供給することによつて入力
される。

CCDイメージヤの動作を制御するための２相
クロツク信号およびパルスは通常の設計による発
生器によつて発生され、従つてこれらの通常の動
作電圧を発生するためのタイミング発生器は図示
されていない。２相動作を実行するために使用さ
れる通常の特徴（例えば、所定の方向の電荷転送
を行なわせるためのゲート電極構成の後縁の下に
イオン埋込み障壁を使用する）は第２図では図を
簡潔にするために示されていない。ゲート対を第
２図の上から１番よりＫ番へと順番に番号を付け
ると、イメージ・レジスタすなわちＩレジスタ１
１は２種の直流バイアス・レベルで供給される
φ_1Iクロツク位相を持つており、奇数番号の伝送
ゲートおよび奇数番号の蓄積ゲートにそれぞれ
φ_1I-T、φ_1I-Sとして供給される。イメージ・レジ
スタ１１の偶数番号伝送ゲートおよび偶数番号蓄
積ゲートに対して第２のクロツク位相φ_2Iが２種
の直流バイアス・レベルをもつたφ_2I-T、φ_2I-Sと
して供給される。これらのクロツク位相信号はr₁
のくり返し率を持つている。４個の連続するゲー
ト電極構成が各像積分領域すなわち画素に関連し
ており、従つて、第１図のイメージヤ１０が列当
り５個の画素を持つているのに比べて、第２図の
イメージヤ構造は列当り３個の画素と垂直方向に
短縮されている。この発明に関する限り上記の短
縮は、動作に影響を与えず、また概略図は重要な
特徴となる寸法を過度に縮小することなく標準寸
法の紙面内に収まるようにされたものである。マ
トリツクス処理を行なうための電気一光学信号プ
ロセツサは、当然、実際に使用されるＭ個の列と
Ｋ個の画素行とを有し、これらは両方共第１図に
それぞれ示されている５個よりも大である。

側部負荷サイドローデイング出力レジスタ１２
はφ₁₀およびφ₂₀の位相のr₂′の率でクロツクされ
る。レジスタ１２の残りの蓄積ゲートおよび残り
の伝送ゲートにはそれぞれφ_20-S、φ_20-Tとして２
通りの直流バイアス・レベルをもつたφ₂₀位相が
供給される。１番乃至Ｍ番の列からの電荷パケツ
トは、r₂′のクロツク率で直列に浮動拡散領域１
４に供給され、また浮動拡散領域１４の下の電荷
に比例する電圧はソース・ホロワ・トランジスタ
１３の電源によつて与えられる。

第２図のイメージヤは、追加電荷転送チヤンネ
ル０番および（Ｍ＋１）番が像を造るために使用
されるフイールド・レジスタと並んで配置された
この発明の実施例を示す。この発明によれば、こ
のイメージ・レジスタ１１の左側の０番チヤンネ
ルと右側の（Ｍ＋１）番チヤンネルは出力レジス
タ１２中の段への出力を持つておらず、代りにド
レン領域２０および２１においてそれぞれ終端し
ている。各ドレン領域２０および２１はV_DRのド
レン電位に維持されている。縁効果によつて悪影
響を受けた電荷パケツトは出力レジスタ１２に供
給されずにドレン領域２０および２１に棄てられ
る。これによつて、浮動拡散領域１４あるいはソ
ース・ホロウ１３からの出力中でこれらの悪影響
を受けた電荷パケツトに応答するのを選択的に阻
止する必要はない。

第３図はこの発明が使用されたCCD白黒テレ
ビジヨン・カメラの概略図である。フイールド転
送形式のCCDイメージヤ３０のＡレジスタすな
わちイメージ・レジスタ３１上に像を投影するた
めに通常のカメラ・レンズおよび絞り機構が使用
されている。像がＡレジスタ３１の１番乃至Ｍ番
の列を過走査して、その端部がＡレジスタ３１の
０番および（Ｍ＋１）番の列上に達するように、
上記の像が投影されることが望ましい。Ａレジス
タ３１へのクロツクが停止される期間中、影像の
積分がフイールド走査期全体にわたつて行なわれ
る。（予め積分され、フイールド蓄積すなわちＢ
レジスタ３２に転送された）イメージをサンプル
して生じた電荷パケツトは、そのときの影像積分
期間中、Ｂレジスタ３２中を、線リトレース期間
中一度に一行ずつ順方向にクロツクされる。Ｂレ
ジスタ３２の１番乃至Ｍ番の列からクロツクされ
た電荷パケツトのサンプルは、並列−直列変換用
として使用される出力レジスタすなわちＣレジス
タ３３内へ側方ローデイングされる。およびＭ＋
１番の列中で、影像の端縁部をサンプルし、縁効
果により変形した電荷パケツトは、この発明に従
つて、V_DDドレン電圧源に流出される。線トレー
ス期間中、Ｃレジスタ３３は画素走査率でクロツ
クされて処理増幅器３５にビデオ・サンプルの線
を供給し、増幅器３５は同期パルスを挿入してカ
メラの出力信号を発生する。処理増幅器３５は、
イメージヤ３０のＡレジスタ３１、Ｂレジスタ３
２およびＣレジスタ３３に供給されたクロツク信
号を調時するために使用された同じタイミング発
生器（図示せず）に応答する。

影像の積分はＡレジスタ３１においてのみ行な
われる。マスク３４（レジスタ３１，３２，３３
の接続関係を示すために一部を切取つて示してあ
る）がＢレジスタ３２およびＣレジスタ３３を光
から遮蔽するために使用されている。CCDイメ
ージヤの表面に直接蒸着され、最終的な寸法に光
エツチングされたマスク３４は、光がマスクを迂
回してＢレジスタ３２に入り込むのを防止するた
めに、Ａレジスタの最終の２〜３の行と重畳して
いてもよい。

影像の積分時間の間、フイールド・リトレース
と一致して、Ａレジスタ３１およびＢレジスタ３
２の双方は、Ａレジスタ３１で積分された影像フ
イールドをサンプリングする電荷パケツトをその
Ａレジスタ３１からＢレジスタ３２に転送するた
めにクロツクされる。第３図において、Ａレジス
タ３１の０番および（Ｍ＋１）番の列からクロツ
クされた電荷パケツトはドレンで終端しているＢ
レジスタ３２の対応する列に送られる。このよう
な構造によると、カメラが高温の場所で動作する
ときに特に顕著に現われる映像の縁効果を解消す
ることができる。この縁効果は、Ｂレジスタ３２
の両端に配置された各列の電荷転送チヤンネル・
ウエル中の暗電流レベルが、このＢレジスタ３２
の中央部に配置された列の電荷転送チヤンネル・
ウエル中の暗電流レベルと異つていることにより
生ずるものである。第３図に示すこの発明の
CCDイメージヤの構造によれば、Ｂレジスタ３
２中の１番乃至Ｍ番の各列中の対応するウエルの
暗電流レベルを実質的に均一にすることができ
る。以下その理由を簡単に説明する。

一般に電荷キヤリヤはＢレジスタ３２の下にあ
る基板のバルク材料中で熱的に発生され、この電
荷キヤリヤはレジスタ３２の列中の電荷転送ウエ
ル中に暗電流として集められる。レジスタ３２の
下のバルク材料は、０番乃至Ｍ＋１番の列の各々
の下にある一連の条帯（ストリツプ）からなると
考えることができ、従つて上記熱的に発生された
電荷キヤリヤについては上記条帯毎にその動きを
考察することができる。

２番目の列を例にとると、この２番目の列の下
のバルク材料条帯中で所定数の電荷キヤリヤが熱
的に発生され、この所定数の電荷キヤリヤのうち
第１の部分は当該２番目の列中の電荷転送ウエル
中に集められ、残りの電荷キヤリヤは隣接する列
すなわち１番目と３番目の列中の電荷転送ウエル
中に集められる。一方、２番目の列中の電荷転送
ウエル中には隣接する上記１番目、３番目の列の
下のバルク材料条帯中で熱的に発生された電荷キ
ヤリヤのうちの一部が集められる。上記２番目の
列の下の条帯中で発生された電荷キヤリヤのうち
隣接する列の電荷転送ウエルで集められる上記
“残り”の電荷キヤリヤの量は、上記１番目と３
番目の列の下の条帯中で熱的に発生された電荷キ
ヤリヤのうち２番目の列の電荷転送ウエルで集め
られる上記“一部”の電荷キヤリヤの量と実質的
に等しいと見ることができる。上記の理論は１番
乃至Ｍ番のすべての列の下の条帯中で発生される
電荷キヤリヤについてもそのまま当嵌まる。

こゝで、もし０番目およびＭ＋１番目の列が無
ければ、１番目およびＭ番目の下の条帯中で熱的
に発生された電荷のうち、隣接するチヤンネルあ
るいは基板に流出して失なわれた電荷キヤリヤを
上記のように隣接する列から完全に補なうことが
出来ず、このため前記縁効果が現われる。この発
明のCCDイメージヤでは、上記０番およびＭ＋
１番目の列が存在しているから上記“失なわれた
電荷”の補充が完全に行なわれ、上記縁効果を防
止することができる。

しかしながら、Ｂレジスタ３２中の電荷パケツ
トの大部分はＡレジスタから送り出され、従つ
て、それらは既に空乏領域で集められているか
ら、それらの電荷はそこからバルク中に戻ること
はできない。Ａレジスタ中の０番および（Ｍ＋
１）番の列の出力をＢレジスタ中の対応する列に
送る代りに上記の列をドレンで終端させるように
してもよい。他の変形例としてＢレジスタ３２中
の０番および（Ｍ＋１）番の列を省略してもよ
い。さらに他の変形例として、Ｂレジスタ中の０
番および（Ｍ＋１）番の列を残し、その一方、他
方、あるいは双方を、暗電流によるフイールド・
シエーデイングを減少させるために上記暗電流の
積分用として使用することもできる。

この発明を利用したカラー・テレビジヨン用カ
メラも勿論可能である。第３図のカメラをカラー
動作用に修正するために、カメラのレンズおよび
絞り機構２５とＡレジスタ３１との間にカラー・
パターン・フイルタが挿入される。これは所謂
“単一チツプ”カラー・カメラと呼ばれる方法で
ある。カメラ・レンズおよび絞り機構２５の後に
色分離ビーム分割器を使用し、分離された色を
CCDイメージヤ３０および同様な形式の他の
CCDイメージヤのＡレジスタに投影することに
よつて、さらに良好なカラー・テレビジヨン・カ
メラを構成することができる。分離された色は例
えば加色３原色でよく、イメージヤはＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）のビデオ出力信号を処理増幅器中
でマトリツクスするために供給する。あるいは他
の例として、分離された色は加算補色であるシア
ン、マゼンタおよび黄であつてもよい。

第４図は、第３図に示す形式のテレビジヨン・
カメラで使用するのに適した背面照射フイールド
転送形式のCCDイメージヤの前面を示す概略図
である。Ａレジスタ３１およびＢレジスタ３２は
７列３行からなるものとして示されている。行方
向および列方向に短縮して示したのは単なる図面
のスペース上の制限によるものである。一般には
これらのレジスタでは実際には300乃至500の列
と、200乃至600の行が使用され、Ｃレジスタ３３
として適当な長さのものが使用される。第４図
は、またテレビジヨン・カメラで使用される
CCDイメージヤの或る種の標準の構成要素、例
えばアンチブルーミング・ドレン構造を省略して
簡単に示されている。この省略もまたスペース上
の制限によるものである。

第４図において、Ａレジスタ３１およびＢレジ
スタ３２の列（点線で示すチヤンネル・ストツプ
によつて分離されている）は図面の頂部に示す０
番乃至（Ｍ＋１）番の連続番号で示されており、
また各レジスタの行は１番乃至Ｋ番の連続番号で
示されている。３層のポリシリコン・ゲート電極
構造が使用され、Ａ；Ｂ、Ｃレジスタはすべて３
相クロツクされる。電荷転送用チヤンネルは点彩
法によつて示されており、チヤンネル・ストツプ
は点彩にされていない。イメージヤはインタレー
ス・フイールド動作をするように設計されてお
り、３相Ａレジスタ用クロツクの第１相φ_A1が供
給されるＡレジスタ３１のゲート電極は、上記Ａ
レジスタ用クロツクの第２相φ_A2およびφ_A3が供給
されるゲートの２倍の幅になつている。これによ
つて完全なインタレースが行なわれ、フイールド
のフリツカが無く、電荷の集収は１組の交互のフ
イールドの期間中はφ_A1ゲートの下で、交互のフ
イールドの相互間ではφ_A2ゲートおよびφ_A3ゲート
の下で行なわれる。ＡおよびＢレジスタのクロツ
クおよびＣレジスタのクロツクに異つた相数を使
用したイメージヤも勿論この発明で使用すること
ができる。浮動拡散領域３７から供給されるゲー
トを具備したMOSトランジスタ３６からのソー
ス・ホロワ出力が示されているが、Ｃレジスタ３
３から信号を取出すための他の周知の方法を使用
することもできる。

この発明に特に重要な第４図のCCDイメージ
ヤの第１の点は、ドレン３８がＢレジスタ３２の
後の０番の列の電荷転送チヤンネルを終端してい
る点であり、第２の点はドレン３９がＢレジスタ
３２の後の（Ｍ＋１）番の列の電荷転送チヤンネ
ルを終端している点である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を具体化するように修正され
た電気−光学信号プロセツサの機能図、第２図は
第１図に示す形式の電気−光学プロセツサで使用
するためのこの発明によつて構成されたCCDイ
メージヤの平面図、第３図はこの発明を具体化す
るように修正されたテレビジヨン・カメラの機能
図、第４図は第３図に示す形式のテレビジヨン・
カメラで使用するためのこの発明によつて構成さ
れたフイールド転送形式のCCDイメージヤの概
略平面図である。 １１……イメージ・レジスタ、１２……出力レ
ジスタ、１４……浮動拡散領域、２０，２１……
ドレン領域、３１……Ａレジスタ、３３……Ｃレ
ジスタ、３７……浮動拡散領域、３８，３９……
ドレン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体材料の基板上に構成されたCCDイメ
   ージヤであつて、 複数の並列電荷転送チヤンネル用の動作ゲー
   ト電極を有し、各電荷転送チヤンネルにおい
   て、上記電荷転送チヤンネルの各々の少なくと
   も一部を照射するためにCCDイメージ・レジ
   スタに投影された光学的映像の各部分に応答す
   る光電変換によつて電荷キヤリヤが発生される
   上記CCDイメージ・レジスタと、 電荷転送チヤンネルを有し、その各段に上記
   並列電荷転送チヤンネルのそれぞれのものから
   の出力電荷パケツトが選択された時間間隔で転
   送されるCCD出力レジスタであつて、その電
   荷転送チヤンネルは、その段に転送された電荷
   パケツトの並列−直列変換を他の時間間隔で行
   なうように動作する、上記CCD出力レジスタ
   と、 上記出力レジスタの出力から供給された電荷
   パケツトに応答して出力信号を発生する手段と
   からなり、 さらに上記イメージ・レジスタ中の正規の電
   荷転送チヤンネルの各側部のものに隣接し、そ
   の正規の電荷転送チヤンネルと実質的に同じ光
   電変換応答を生じさせる照射を受けるように配
   列されていて、上記イメージ・レジスタのゲー
   ト電極によつて動作させられる１対の別の電荷
   転送チヤンネルと、該１対の別の電荷転送チヤ
   ンネルの出力からの電荷パケツトを棄てる手段
   とを有し、それによつて上記別の電荷転送チヤ
   ンネルはそれが隣接する上記正規の電荷転送チ
   ヤンネルとの間で相互に電荷の遺取りを行な
   い、さらに上記イメージ・レジスタの外側の半
   導体基板の部分からの電荷を受入れて、上記出
   力レジスタからの並列−直列変換された出力信
   号中の縁効果の除去効果が改善された、上記
   CCDイメージヤ。