JPH0416954B2 - - Google Patents
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- JPH0416954B2 JPH0416954B2 JP58216130A JP21613083A JPH0416954B2 JP H0416954 B2 JPH0416954 B2 JP H0416954B2 JP 58216130 A JP58216130 A JP 58216130A JP 21613083 A JP21613083 A JP 21613083A JP H0416954 B2 JPH0416954 B2 JP H0416954B2
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- electrostrictive
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- electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/503—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view
Landscapes
- Fuel-Injection Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電歪素子を用いた電歪式アクチユエー
タに関する。本発明の電歪式アクチユエータは、
例えば、内燃機関の燃料噴射装置の燃料制御弁や
燃料噴射弁を駆動するために用いることができ
る。
タに関する。本発明の電歪式アクチユエータは、
例えば、内燃機関の燃料噴射装置の燃料制御弁や
燃料噴射弁を駆動するために用いることができ
る。
内燃機関用燃料噴射装置の燃料制御弁や燃料噴
射弁を駆動するための高速アクチユエータの駆動
源として、電歪素子を用いることが提案されてい
る。電歪素子は電圧を印加すると殆んど瞬間的に
変位を生じるので、機械的アクチユエータに較べ
電歪式アクチユエータはより精密なタイミングで
燃料噴射弁又は燃料噴射装置を制御することがで
きるからである。又、電歪式アクチユエータはマ
イクロコンピユータを用いて電子制御できるか
ら、機関の作動条件に応じて燃料噴射量を自在に
調節できるという利点もある。
射弁を駆動するための高速アクチユエータの駆動
源として、電歪素子を用いることが提案されてい
る。電歪素子は電圧を印加すると殆んど瞬間的に
変位を生じるので、機械的アクチユエータに較べ
電歪式アクチユエータはより精密なタイミングで
燃料噴射弁又は燃料噴射装置を制御することがで
きるからである。又、電歪式アクチユエータはマ
イクロコンピユータを用いて電子制御できるか
ら、機関の作動条件に応じて燃料噴射量を自在に
調節できるという利点もある。
最も簡単な構成においては、電歪式アクチユエ
ータの中空のケーシングを備えて成り、その中に
は一般に円柱状の電歪素子が配置されている。こ
の電歪素子は、一般に、電歪性材料から成る例え
ば100枚程度の複数の薄い円盤を積層して構成さ
れる。各円盤の間には金属箔等から成る円形の薄
い層間電極が挟まれる。これらの電極は一つおき
にプラスリード線とマイナスリード線に接続され
る。プラス電極とマイナス電極との間に例えば約
500Vの電圧を印加することにより各電歪性円盤
に電場をかければ、各円盤は厚さ方向に伸長し、
円柱状電歪素子の端部に軸方向変位が生じる。こ
の変位は出力ロツド又はピストンの様な出力手段
によつて外部に取り出される様になつている。
ータの中空のケーシングを備えて成り、その中に
は一般に円柱状の電歪素子が配置されている。こ
の電歪素子は、一般に、電歪性材料から成る例え
ば100枚程度の複数の薄い円盤を積層して構成さ
れる。各円盤の間には金属箔等から成る円形の薄
い層間電極が挟まれる。これらの電極は一つおき
にプラスリード線とマイナスリード線に接続され
る。プラス電極とマイナス電極との間に例えば約
500Vの電圧を印加することにより各電歪性円盤
に電場をかければ、各円盤は厚さ方向に伸長し、
円柱状電歪素子の端部に軸方向変位が生じる。こ
の変位は出力ロツド又はピストンの様な出力手段
によつて外部に取り出される様になつている。
しかして、従来の電歪式アクチユエータでは、
各円盤に隣接する上下２枚の層間電極間の表面漏
れ距離をなるべく大きくして電極間の漏電を防止
するため、図面を参照して後述する様に、円形の
層間電極の外径は円盤の外径より若干小さくして
層間電極の外側に逃げが設けてある。このため、
電圧印加により電歪素子が伸長して軸方向荷重を
受ける時には、各円盤は層間電極の端部のところ
で集中応力を受ける。この円盤は一般にチタン酸
ジルコン酸鉛（PZT）を主成分とするセラミツ
クで形成されているため、繰り返し集中応力を受
けると円盤の端部に割れが生じるという問題があ
つた。また、円盤の破損により、円盤の絶縁性が
低下し、隣接する一対の層間電極のシヨートを透
発するという不具合も生じる。
各円盤に隣接する上下２枚の層間電極間の表面漏
れ距離をなるべく大きくして電極間の漏電を防止
するため、図面を参照して後述する様に、円形の
層間電極の外径は円盤の外径より若干小さくして
層間電極の外側に逃げが設けてある。このため、
電圧印加により電歪素子が伸長して軸方向荷重を
受ける時には、各円盤は層間電極の端部のところ
で集中応力を受ける。この円盤は一般にチタン酸
ジルコン酸鉛（PZT）を主成分とするセラミツ
クで形成されているため、繰り返し集中応力を受
けると円盤の端部に割れが生じるという問題があ
つた。また、円盤の破損により、円盤の絶縁性が
低下し、隣接する一対の層間電極のシヨートを透
発するという不具合も生じる。
そこで、本発明の目的は、電歪素子を構成する
円盤の特定部分に応力が集中することが無く、し
かも、層間電極間の表面漏れ距離を大きく確保し
得るような電歪式アクチユエータを提供すること
である。
円盤の特定部分に応力が集中することが無く、し
かも、層間電極間の表面漏れ距離を大きく確保し
得るような電歪式アクチユエータを提供すること
である。
このため、本発明は、電歪性材料から成る複数
の薄い円盤を薄い円形のプラス側層間電極とマイ
ナス側層間電極とを１枚おきに夾在させながら円
柱状に堆積して成る電歪素子を中空のケーシング
内に収蔵し、前記プラス側層間電極とマイナス側
層間電極との間に電圧を印加して電歪素子を軸方
向に伸長させ該電歪素子の一端の変位を出力部材
により外部に取り出すようにした型式の電歪式ア
クチユエータにおいて、前記各円盤の軸方向両端
面の直径は前記層間電極の直径に等しくなし、も
つて、該各端面がその全表面積にわたつて層間電
極に接触するようになすと共に、前記各円盤の形
状はその軸方向両端面から外周に向つて円盤の肉
厚が減少するようになし、もつて、各円盤に隣接
する一対の層間電極間の表面漏れ距離を増大させ
たことを特徴とする。
の薄い円盤を薄い円形のプラス側層間電極とマイ
ナス側層間電極とを１枚おきに夾在させながら円
柱状に堆積して成る電歪素子を中空のケーシング
内に収蔵し、前記プラス側層間電極とマイナス側
層間電極との間に電圧を印加して電歪素子を軸方
向に伸長させ該電歪素子の一端の変位を出力部材
により外部に取り出すようにした型式の電歪式ア
クチユエータにおいて、前記各円盤の軸方向両端
面の直径は前記層間電極の直径に等しくなし、も
つて、該各端面がその全表面積にわたつて層間電
極に接触するようになすと共に、前記各円盤の形
状はその軸方向両端面から外周に向つて円盤の肉
厚が減少するようになし、もつて、各円盤に隣接
する一対の層間電極間の表面漏れ距離を増大させ
たことを特徴とする。
この様に、各円盤の端面がその全表面積にわた
つて層間電極に当接する様にしたので、円盤には
局部的に応力が集中することが無くなり、割れの
問題が解消されるのである。又、電極間の表面漏
れ距離も十分大きく確保されるので電極間漏電の
惧れもない。
つて層間電極に当接する様にしたので、円盤には
局部的に応力が集中することが無くなり、割れの
問題が解消されるのである。又、電極間の表面漏
れ距離も十分大きく確保されるので電極間漏電の
惧れもない。
本発明の他の構成では、前記各円盤は一枚の大
径の円盤要素の両側に２枚の小径の円盤要素を同
心的に積層して成り、前記小径の円盤要素の直径
は前記層間電極の直径に等しくなし、もつて、該
小径円盤要素の端面がその全表面積にわたつて前
記層間電極に接触するようになつている。
径の円盤要素の両側に２枚の小径の円盤要素を同
心的に積層して成り、前記小径の円盤要素の直径
は前記層間電極の直径に等しくなし、もつて、該
小径円盤要素の端面がその全表面積にわたつて前
記層間電極に接触するようになつている。
以下、添附図面を参照して説明するに従い、本
発明の前記課題ならびに本発明の特徴を明らかに
する。
発明の前記課題ならびに本発明の特徴を明らかに
する。
第１図は、本発明の電歪式アクチユエータを用
いて燃料噴射弁を構成した例を示す。
いて燃料噴射弁を構成した例を示す。
この燃料噴射弁１０には電歪式アクチユエータ
１２が一体的に組込まれている。噴射弁１０は、
ねじ部１４によつて互いに螺合されたアツパケー
シング１６とロアケーシング１８を有する。これ
らのケーシング１６，１８は電歪式アクチユエー
タ１２のケーシングを兼ねている。
１２が一体的に組込まれている。噴射弁１０は、
ねじ部１４によつて互いに螺合されたアツパケー
シング１６とロアケーシング１８を有する。これ
らのケーシング１６，１８は電歪式アクチユエー
タ１２のケーシングを兼ねている。
アツパケーシング１６には円柱状ボア２０が形
成されている。アツパケーシング１６の内部に
は、上から順に、電気絶縁プレート２２、円柱状
の電歪素子２４、電気絶縁プレート２６が配置さ
れている。プレート２６の下側において、アツパ
ケーシング１６のボア２０にはピストン２８が摺
動自在に精密嵌合されている。ピストン２８の外
周に設けた溝にはＯリング３０が嵌合してあり、
ピストン２８の外周とボア２０との間をシールし
ている。ピストン２８はアツパケーシング１６と
ロアケーシング１８と協働してポンプ室３２を画
成している。このピストン２８はポンプ室３２内
の燃料を加圧する加圧用ピストンとして作用する
と共に、電歪式アクチユエータ１２の出力部材を
構成するものである。
成されている。アツパケーシング１６の内部に
は、上から順に、電気絶縁プレート２２、円柱状
の電歪素子２４、電気絶縁プレート２６が配置さ
れている。プレート２６の下側において、アツパ
ケーシング１６のボア２０にはピストン２８が摺
動自在に精密嵌合されている。ピストン２８の外
周に設けた溝にはＯリング３０が嵌合してあり、
ピストン２８の外周とボア２０との間をシールし
ている。ピストン２８はアツパケーシング１６と
ロアケーシング１８と協働してポンプ室３２を画
成している。このピストン２８はポンプ室３２内
の燃料を加圧する加圧用ピストンとして作用する
と共に、電歪式アクチユエータ１２の出力部材を
構成するものである。
絶縁プレート２２と電歪素子２４と絶縁プレー
ト２６とピストン２８は、ロアケーシング１８に
支承された皿ばね３４によつて、所定の軸方向予
荷重をもつてアツパケーシング１６の頂壁１６ａ
に向つて押し付けられている。
ト２６とピストン２８は、ロアケーシング１８に
支承された皿ばね３４によつて、所定の軸方向予
荷重をもつてアツパケーシング１６の頂壁１６ａ
に向つて押し付けられている。
ロアケーシング１８には、燃料入口３６、それ
に連通するチエツク弁座３８、燃料出口４０、ノ
ズルセツト取付部４２が形成され、チエツク弁座
３８にはチエツクボール４４が配置され、ノズル
セツト取付部４２にはノズルセツト４６がフクロ
ナツト４８により締結してある。ポンプ室３２は
ノズルセツト４６の開弁圧以下のフイード圧の燃
料で満たされる。
に連通するチエツク弁座３８、燃料出口４０、ノ
ズルセツト取付部４２が形成され、チエツク弁座
３８にはチエツクボール４４が配置され、ノズル
セツト取付部４２にはノズルセツト４６がフクロ
ナツト４８により締結してある。ポンプ室３２は
ノズルセツト４６の開弁圧以下のフイード圧の燃
料で満たされる。
電歪素子２４はチタン酸ジルコン酸鉛を主成分
とする電歪性セラミツクから成る厚さ約0.5mm以
下の円盤を約100枚程堆積して構成されている。
各円盤の間には円形の薄い層間電極が夾持され、
これらの電極は１つおきにプラスリード５０とマ
イナスリード線５２に接続されている。これらの
リード線５０と５２の間に約500Vの電圧を印加
し又は解除すれば、電歪素子２４が軸方向に伸縮
してピストン２８を往復動させ、燃料の加圧と吸
込みが行われる。加圧された燃料はノズルセツト
４６から噴射される。
とする電歪性セラミツクから成る厚さ約0.5mm以
下の円盤を約100枚程堆積して構成されている。
各円盤の間には円形の薄い層間電極が夾持され、
これらの電極は１つおきにプラスリード５０とマ
イナスリード線５２に接続されている。これらの
リード線５０と５２の間に約500Vの電圧を印加
し又は解除すれば、電歪素子２４が軸方向に伸縮
してピストン２８を往復動させ、燃料の加圧と吸
込みが行われる。加圧された燃料はノズルセツト
４６から噴射される。
次に、第２図と第３図を参照して、従来技術に
おける電歪素子および層間電極の配置を説明す
る。第２図は従来の電歪式アクチユエータの一部
の断面図、第３図は第２図の円内部分の拡大図で
ある。円柱状電歪素子を構成する各円盤６０の両
側にはプラス側電極６２とマイナス側電極６４が
配置されている。これらの電極６２，６４は円形
であり、夫々の側方には一体の舌状片が突出して
おり、これらの舌状片を一つおきにプラスリード
線６６またはマイナスリード線６８にはんだ付け
またはろう付けすることにより電極６２，６４が
リード線６６，６８に電気接続される。しかし
て、電歪性円盤６０の厚さは0.5mm以下と薄く、
しかも約500Vの高電圧が円盤を横切つて印加さ
れるため、従来の電歪式アクチユエータでは、第
２図に示す様に、電極６２，６４の外径を円盤６
０の外径より約２mm程度小さくして隣接円盤間に
逃げ７０を設け、これにより、表面漏れ距離を大
きくして電極間の漏電を防いでいた。この様な構
成では、各円盤が軸方向荷重を受けながら伸長し
た持には、各電極の外周７２のところで各円盤に
局部的に応力が集中し、第３図に示した様に円盤
に割れ７４が生じる。これが従来の電歪式アクチ
ユエータの問題点である。
おける電歪素子および層間電極の配置を説明す
る。第２図は従来の電歪式アクチユエータの一部
の断面図、第３図は第２図の円内部分の拡大図で
ある。円柱状電歪素子を構成する各円盤６０の両
側にはプラス側電極６２とマイナス側電極６４が
配置されている。これらの電極６２，６４は円形
であり、夫々の側方には一体の舌状片が突出して
おり、これらの舌状片を一つおきにプラスリード
線６６またはマイナスリード線６８にはんだ付け
またはろう付けすることにより電極６２，６４が
リード線６６，６８に電気接続される。しかし
て、電歪性円盤６０の厚さは0.5mm以下と薄く、
しかも約500Vの高電圧が円盤を横切つて印加さ
れるため、従来の電歪式アクチユエータでは、第
２図に示す様に、電極６２，６４の外径を円盤６
０の外径より約２mm程度小さくして隣接円盤間に
逃げ７０を設け、これにより、表面漏れ距離を大
きくして電極間の漏電を防いでいた。この様な構
成では、各円盤が軸方向荷重を受けながら伸長し
た持には、各電極の外周７２のところで各円盤に
局部的に応力が集中し、第３図に示した様に円盤
に割れ７４が生じる。これが従来の電歪式アクチ
ユエータの問題点である。
第４図は第１図に示した本発明の電歪式アクチ
ユエータ１２の電歪素子２４と層間電極との組合
体の側面図である。電歪素子２４を構成する各円
盤１００は上下両端面１０２，１０４と側面によ
つて画定されている。各円盤１００の側面は、中
央の円柱形部分１０６と、その両側に配置された
面取り部分１０８，１１０から成る。従つて、各
円盤１００の中央には環状の突起１１２が形成さ
れ、円盤１００の肉厚は端面１０２，１０４から
外周に向つて減少している。又、各端面１０２，
１０４の直径Ｄは円形層間電極１１４，１１６の
直径に等しい。従つて、各円盤の端面１０２，１
０４はその全表面積にわたつて電極１１４，１１
６とピツタリと接触する。各電極１１４，１１６
から一体の舌状片が側方に突出しており、対応す
るいずれかのリード線５０または５２に接続され
る。
ユエータ１２の電歪素子２４と層間電極との組合
体の側面図である。電歪素子２４を構成する各円
盤１００は上下両端面１０２，１０４と側面によ
つて画定されている。各円盤１００の側面は、中
央の円柱形部分１０６と、その両側に配置された
面取り部分１０８，１１０から成る。従つて、各
円盤１００の中央には環状の突起１１２が形成さ
れ、円盤１００の肉厚は端面１０２，１０４から
外周に向つて減少している。又、各端面１０２，
１０４の直径Ｄは円形層間電極１１４，１１６の
直径に等しい。従つて、各円盤の端面１０２，１
０４はその全表面積にわたつて電極１１４，１１
６とピツタリと接触する。各電極１１４，１１６
から一体の舌状片が側方に突出しており、対応す
るいずれかのリード線５０または５２に接続され
る。
このような構成であるから、電圧印加に応じて
各円盤１００が軸方向に伸長する時には各円盤１
００は軸方向荷重を受けるが、各円盤１００の端
面１０２，１０４と電極１１４，１１６の表面は
全表面積にわたり密着しているので、従来の様な
応力集中部が無く、又曲げ応力も加わらない。従
つて、円盤が割れる事がない。再に、円周方向に
環状突起１１２が在るため、十分な表面漏れ距離
が確保されるので、放電することもない。
各円盤１００が軸方向に伸長する時には各円盤１
００は軸方向荷重を受けるが、各円盤１００の端
面１０２，１０４と電極１１４，１１６の表面は
全表面積にわたり密着しているので、従来の様な
応力集中部が無く、又曲げ応力も加わらない。従
つて、円盤が割れる事がない。再に、円周方向に
環状突起１１２が在るため、十分な表面漏れ距離
が確保されるので、放電することもない。
第５図および第６図は第４図の実施例の変化形
を示すもので、類似の構成部材は類似の参照番号
で表す。第５図の実施例では、各円盤１００の側
面は、円柱形の中央部分１０６ａと、その両側に
配置された円錐形部分１０８ａ，１１０ａから成
る。第６図の実施例では、円盤１００の側面１２
０は半円形断面形状を有する。いずれの実施例に
おいても、各円盤の端面の直径は電極の直径に等
しい。
を示すもので、類似の構成部材は類似の参照番号
で表す。第５図の実施例では、各円盤１００の側
面は、円柱形の中央部分１０６ａと、その両側に
配置された円錐形部分１０８ａ，１１０ａから成
る。第６図の実施例では、円盤１００の側面１２
０は半円形断面形状を有する。いずれの実施例に
おいても、各円盤の端面の直径は電極の直径に等
しい。
第４図から第６図に示した円盤１００の端面の
直径は約10mmとすることができ、端面の周縁から
の側方突起の高さは２〜３mm程度にするのが好ま
しい。
直径は約10mmとすることができ、端面の周縁から
の側方突起の高さは２〜３mm程度にするのが好ま
しい。
第４図から第６図に示した夫々の円盤は次の様
に製造することができる。即ち、チタン酸ジルコ
ン酸鉛を主成分とする粉末を棒状に焼成し、
夫々、第７図から第８図に示した形状に切削加工
を行い、その後スライサーで一枚ずつ薄切りして
夫々の形状の円盤を得る。その後、各種類の円盤
に一枚ずつ電極を焼付け、円柱状に積層すれば、
層間電極付きの電歪素子組合体が得られる。
に製造することができる。即ち、チタン酸ジルコ
ン酸鉛を主成分とする粉末を棒状に焼成し、
夫々、第７図から第８図に示した形状に切削加工
を行い、その後スライサーで一枚ずつ薄切りして
夫々の形状の円盤を得る。その後、各種類の円盤
に一枚ずつ電極を焼付け、円柱状に積層すれば、
層間電極付きの電歪素子組合体が得られる。
次に、第１０図を参照して電歪素子の他の構成
例を説明する。この実施例では、各円盤２００は
層間電極１１４，１１６と同径の円盤要素２００
ａ，２００ｂと、大径の円盤要素２００ｃから成
る。各円盤要素２００ａ，２００ｂ，２００ｃの
焼成前の素材は第１１図ａに示した様に別々にシ
ート状に成形される。次に、第１１図ｂに示す様
に、大径円盤要素２００ｃを小径円盤要素２００
ａ，２００ｂで同心状に挟み、一体焼成して円盤
２００を得る。この実施例でも、円盤２００はそ
の全端面にわたり電極と接するので、円盤の割れ
および電極間放電が防止される。電歪性セラミツ
クは硬度が大きく、一般に切削加工が困難である
が、この実施例では第４図から第６図の実施例と
異なり切削加工を要しないので、円盤の製造が容
易である。
例を説明する。この実施例では、各円盤２００は
層間電極１１４，１１６と同径の円盤要素２００
ａ，２００ｂと、大径の円盤要素２００ｃから成
る。各円盤要素２００ａ，２００ｂ，２００ｃの
焼成前の素材は第１１図ａに示した様に別々にシ
ート状に成形される。次に、第１１図ｂに示す様
に、大径円盤要素２００ｃを小径円盤要素２００
ａ，２００ｂで同心状に挟み、一体焼成して円盤
２００を得る。この実施例でも、円盤２００はそ
の全端面にわたり電極と接するので、円盤の割れ
および電極間放電が防止される。電歪性セラミツ
クは硬度が大きく、一般に切削加工が困難である
が、この実施例では第４図から第６図の実施例と
異なり切削加工を要しないので、円盤の製造が容
易である。
以上に述べた様に、本発明の構成によれば、電
歪素子の各円盤の端面がその全表面積にわり層間
電極と接触するので、円盤に局部的応力が集中せ
ず、円盤の割れが防止される。又、電極間の表面
漏れ距離も十分確保できるので、漏電の惧れがな
い。従つて、電歪式アクチユエータの耐久性が著
しく向上すると共に、長期にわたり安定した出力
を得ることができる。
歪素子の各円盤の端面がその全表面積にわり層間
電極と接触するので、円盤に局部的応力が集中せ
ず、円盤の割れが防止される。又、電極間の表面
漏れ距離も十分確保できるので、漏電の惧れがな
い。従つて、電歪式アクチユエータの耐久性が著
しく向上すると共に、長期にわたり安定した出力
を得ることができる。
第１図は本発明の電歪式アクチユエータを組込
んで成る燃料噴射弁の模式的断面図、第２図は従
来の電歪式アクチユエータの一部の断面図、第３
図は第２図の円内部分の拡大図、第４図は第１図
の電歪式アクチユエータの一部の拡大側面図、第
５図および第６図は第４図の実施例の変化形を示
す側面図、第７図から第９図は、夫々、第４図か
ら第６図の実施例の円盤の製造方法を示す図、第
１０図は更に別の実施例の側面図、第１１図は第
１０図の実施例の円盤の製造方法を図解したもの
である。 １０……燃料噴射弁、１２……電歪式アクチユ
エータ、１６……アツパケーシング、１８……ロ
アケーシング、２４……電歪素子、２８……ピス
トン（出力部材）、５０……プラスリード線、５
２……マイナスリード線、１００，２００……電
歪性円盤、１０２，１０４……円盤の端面、１０
６，１０６ａ，１０８，１０８ａ，１１０，１１
０ａ，１２０……円盤の側面、１１２……円盤の
側方突起、１１４……マイナス側層間電極、１１
６……プラス側層間電極、２００ａ，２００ｂ…
…小径円盤要素、２００ｃ……大径円盤要素。
んで成る燃料噴射弁の模式的断面図、第２図は従
来の電歪式アクチユエータの一部の断面図、第３
図は第２図の円内部分の拡大図、第４図は第１図
の電歪式アクチユエータの一部の拡大側面図、第
５図および第６図は第４図の実施例の変化形を示
す側面図、第７図から第９図は、夫々、第４図か
ら第６図の実施例の円盤の製造方法を示す図、第
１０図は更に別の実施例の側面図、第１１図は第
１０図の実施例の円盤の製造方法を図解したもの
である。 １０……燃料噴射弁、１２……電歪式アクチユ
エータ、１６……アツパケーシング、１８……ロ
アケーシング、２４……電歪素子、２８……ピス
トン（出力部材）、５０……プラスリード線、５
２……マイナスリード線、１００，２００……電
歪性円盤、１０２，１０４……円盤の端面、１０
６，１０６ａ，１０８，１０８ａ，１１０，１１
０ａ，１２０……円盤の側面、１１２……円盤の
側方突起、１１４……マイナス側層間電極、１１
６……プラス側層間電極、２００ａ，２００ｂ…
…小径円盤要素、２００ｃ……大径円盤要素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電歪性材料から成る複数の薄い円盤を薄い円
形のプラス側層間電極とマイナス側層間電極とを
１枚おきに夾在させながら円柱状に堆積して成る
電歪素子を中空のケーシング内に収蔵し、前記プ
ラス側層間電極とマイナス側層間電極との間に電
圧を印加して電歪素子を軸方向に伸長させ該電歪
素子の一端の変位を出力部材により外部に取り出
すようにした型式の電歪式アクチユエータにおい
て、 前記各円盤の軸方向両端面の直径は前記層間電
極の直径に等しくなし、もつて、該各端面がその
全表面積にわたつて層間電極に接触するようにな
すと共に、前記各円盤の形状はその軸方向両端面
から外周に向つて円盤の肉厚が減少するようにな
し、もつて、各円盤に隣接する一対の層間電極間
の表面漏れ距離を増大させたことを特徴とする電
歪式アクチユエータ。 ２ 電歪性材料から成る複数の薄い円盤を薄い円
形のプラス側層間電極とマイナス側層間電極とを
１枚おきに夾在させながら円柱状に堆積して成る
電歪素子を中空のケーシング内に収蔵し、前記プ
ラス側層間電極とマイナス側層間電極との間に電
圧を印加して電歪素子を軸方向に伸長させ該電歪
素子の一端の変位を出力部材により外部に取り出
すようにした型式の電歪式アクチユエータにおい
て、 前記各円盤は一枚の大径の円盤要素の両側に２
枚の小径の円盤要素を同心的に積層して成り、前
記小径の円盤要素の直径は前記層間電極の直径に
等しくなし、もつて、該小径円盤要素の端面がそ
の全表面積にわたつて前記層間電極に接触するよ
うにしたことを特徴とする電歪式アクチユエー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216130A JPS60111056A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 電歪式アクチュエ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216130A JPS60111056A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 電歪式アクチュエ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111056A JPS60111056A (ja) | 1985-06-17 |
| JPH0416954B2 true JPH0416954B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16683727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216130A Granted JPS60111056A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 電歪式アクチュエ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111056A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170481A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Toto Ltd | 圧電素子 |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58216130A patent/JPS60111056A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60111056A (ja) | 1985-06-17 |
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