JPH04170103A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPH04170103A JPH04170103A JP29770290A JP29770290A JPH04170103A JP H04170103 A JPH04170103 A JP H04170103A JP 29770290 A JP29770290 A JP 29770290A JP 29770290 A JP29770290 A JP 29770290A JP H04170103 A JPH04170103 A JP H04170103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- microwave oscillator
- line
- terminating resistor
- negative resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、誘電体共振器型のマイクロ波発振器に関し、
部品点数製造工程を少なくすることのできるものである
。
部品点数製造工程を少なくすることのできるものである
。
〈従来の技術〉
第２図は従来の誘電体共振器型マイクロ波発振器の１例
を示す構成図である。１０は電界効果トランジスタ（以
下ＦＥＴと略す）、１１はＦＥＴのドレイン電極に接続
された直列帰還素子として動作する第１の線路、１２は
概ね発振周波数の】／４波長に相当する長さを有する高
周波カット用の第２の線路、】３は出力整合をとるため
の線路、１４は出力整合及び直流阻止用の容量、１５．
１６は直流阻止用の容量、１７．１８は直流バイアス用
の抵抗、１９は発振周波数以外の周波数の電力を吸収す
るための終端抵抗、２０は線路、２】は誘電体共振器、
２２は直流電源端子、２８は高周波出力端子、２４は半
導体チップによる負性抵抗回路と共振回路とを接続する
ための端子であり、破線で囲った２５は半導体チップで
ある。
を示す構成図である。１０は電界効果トランジスタ（以
下ＦＥＴと略す）、１１はＦＥＴのドレイン電極に接続
された直列帰還素子として動作する第１の線路、１２は
概ね発振周波数の】／４波長に相当する長さを有する高
周波カット用の第２の線路、】３は出力整合をとるため
の線路、１４は出力整合及び直流阻止用の容量、１５．
１６は直流阻止用の容量、１７．１８は直流バイアス用
の抵抗、１９は発振周波数以外の周波数の電力を吸収す
るための終端抵抗、２０は線路、２】は誘電体共振器、
２２は直流電源端子、２８は高周波出力端子、２４は半
導体チップによる負性抵抗回路と共振回路とを接続する
ための端子であり、破線で囲った２５は半導体チップで
ある。
本回路の設計・作成手順は以下の通りである。
まず、端子２４からみて、所望の周波数において十分な
負性抵抗を生じるように、ＦＥＴ １０に対して適当な
整合回路（線路１３及び容量１４）と帰還素子となる第
１の線路１１の初期頃を決定し、次に、バイアス用抵抗
１７．１８、直流駆出用の容量１５．１６、高周波阻止
用の第２の線路１２を考慮して、回路の最適化を行う。
負性抵抗を生じるように、ＦＥＴ １０に対して適当な
整合回路（線路１３及び容量１４）と帰還素子となる第
１の線路１１の初期頃を決定し、次に、バイアス用抵抗
１７．１８、直流駆出用の容量１５．１６、高周波阻止
用の第２の線路１２を考慮して、回路の最適化を行う。
このようにして得られた素子値を実現するために、それ
らの回路素子とＦＥＴとを半導体プロセスにより半導体
基板上に一体的に形成する。一方、共振回路は、テフロ
ン等の誘電体基板とに、特性インピーダンスＺｏ（通常
は５０Ω）の伝送線路２０をエツチングにより形成し、
その一端をＺｏの終端抵抗１９で終端する。負性抵抗回
路である半導体チップ２５は、上記テフロン基板にのせ
られ、端子２４で線路２０と接続される。最後に誘電体
共振器２１を、発振位相条件を満たしかつ適度な発振ス
ペクトルの得られる、線路２０の近傍位置に配置する。
らの回路素子とＦＥＴとを半導体プロセスにより半導体
基板上に一体的に形成する。一方、共振回路は、テフロ
ン等の誘電体基板とに、特性インピーダンスＺｏ（通常
は５０Ω）の伝送線路２０をエツチングにより形成し、
その一端をＺｏの終端抵抗１９で終端する。負性抵抗回
路である半導体チップ２５は、上記テフロン基板にのせ
られ、端子２４で線路２０と接続される。最後に誘電体
共振器２１を、発振位相条件を満たしかつ適度な発振ス
ペクトルの得られる、線路２０の近傍位置に配置する。
このようにすることにより、負性抵抗回路で増幅された
波は、共振条件を満たす周波数のものだけが共振回路で
反射され、その他の周波数の波は終端抵抗１９に吸収さ
れ反射しない。
波は、共振条件を満たす周波数のものだけが共振回路で
反射され、その他の周波数の波は終端抵抗１９に吸収さ
れ反射しない。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記の誘電体共振器型マイクロ波発振器においては、誘
電体基板上の共振回路作成時に、伝送線路を形成する金
属のエツチング以外に、終端抵抗用の部品と、その半田
付けの作業が必要となり、部品点数と製造工程が多く、
マイクロ波発振器の低価格化の妨げとなっていた。
電体基板上の共振回路作成時に、伝送線路を形成する金
属のエツチング以外に、終端抵抗用の部品と、その半田
付けの作業が必要となり、部品点数と製造工程が多く、
マイクロ波発振器の低価格化の妨げとなっていた。
そこで、本発明は部品点数と製造工程とを少なくし、製
造が容易で安価なマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
造が容易で安価なマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明のマイクロ波発振器は、誘電体共振器型発振器で
あって、半導体基板上にトランジスタと帰還回路とから
なる負性抵抗回路と発振周波数以外の周波数の信号の反
射を押さえるための終端抵□抗とが一体的に形成され、
誘電体基板上に誘電体共振器と伝送線路とからなる共振
回路が形成され、上記負性抵抗回路と上記終端抵抗に上
記共振回路が接続されていることを特徴とする。
あって、半導体基板上にトランジスタと帰還回路とから
なる負性抵抗回路と発振周波数以外の周波数の信号の反
射を押さえるための終端抵□抗とが一体的に形成され、
誘電体基板上に誘電体共振器と伝送線路とからなる共振
回路が形成され、上記負性抵抗回路と上記終端抵抗に上
記共振回路が接続されていることを特徴とする。
〈作 用〉
負性抵抗回路を半導体基板上に形成するプロセスにおい
ては、必要な抵抗の数が増してもプロセス上の工程や製
造コストはまったく同じである。
ては、必要な抵抗の数が増してもプロセス上の工程や製
造コストはまったく同じである。
よって、誘電体共振器型発振器において必要となる終端
抵抗を負性抵抗回路の形成される半導体基板上に一体的
に形成することで、負性抵抗回路と終端抵抗とを同時に
形成できる。
抵抗を負性抵抗回路の形成される半導体基板上に一体的
に形成することで、負性抵抗回路と終端抵抗とを同時に
形成できる。
く実施例〉
第１図は本発明の実施例であるマイクロ波発振器の構成
図である。本マイクロ波発振器は先に示した従来のもの
と比べて、誘電体基板上に終端抵抗１９を形成するがわ
りに半導体チップ２５内に終端抵抗２９を形成した点が
異なり、半導体チップ２５には終端抵抗２９と共振回路
とを接続するための端子３０が新たに設けられている。
図である。本マイクロ波発振器は先に示した従来のもの
と比べて、誘電体基板上に終端抵抗１９を形成するがわ
りに半導体チップ２５内に終端抵抗２９を形成した点が
異なり、半導体チップ２５には終端抵抗２９と共振回路
とを接続するための端子３０が新たに設けられている。
回路設計は従来例と同様に行い、共振回路と半導体チッ
プ２５を接続する際に、線路２ｏの両端をそれぞれ端子
２４．３０に接続し、誘電体共振器２１を、発振位相条
件を満たす位置でかつ適度な発振スペクトルの得られる
位置に配置する。
プ２５を接続する際に、線路２ｏの両端をそれぞれ端子
２４．３０に接続し、誘電体共振器２１を、発振位相条
件を満たす位置でかつ適度な発振スペクトルの得られる
位置に配置する。
負性抵抗回路と終端抵抗２９とは半導体チップ２５上に
同一工程で形成される。
同一工程で形成される。
〈発明の効果〉
本発明のマイクロ波発振器は、誘電体基板上にエツチン
グにより伝送線路を形成する金属パタンを形成し、誘電
体共振器を配置して共振回路を形成し、この共振回路に
負性抵抗回路と終端抵抗との形成された半導体チップを
接続するだけで作製されるので、終端抵抗部品が削減さ
れ、この抵抗部品を接続するための半田付は工程が不要
となって、部品点数と製造工程の少ない、製造が容易で
安価なマイクロ波発振器となる。
グにより伝送線路を形成する金属パタンを形成し、誘電
体共振器を配置して共振回路を形成し、この共振回路に
負性抵抗回路と終端抵抗との形成された半導体チップを
接続するだけで作製されるので、終端抵抗部品が削減さ
れ、この抵抗部品を接続するための半田付は工程が不要
となって、部品点数と製造工程の少ない、製造が容易で
安価なマイクロ波発振器となる。
第１図は本発明の実施例であるマイクロ波発振器の構成
図、 第２図は従来例のマイクロ波発振器の構成図である。 ＩＯ・・・電界効果トランジスタ １１・・・第１の
線路 １２・・・第２の線路 １３・・・線路１４
．１５，１６・・・容量 １７．１８・・・抵抗１９
・・・終端抵抗 ２０・・・線路 ２１・・・誘電
体基板上 ２２・・・直流電源端子 ２３・・・高
周波出力端子 ２４・・・端子 ２５・・・半導体
チップ ２９・・・終端抵抗 ３０・・・端子代理
人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）埒 幻
図、 第２図は従来例のマイクロ波発振器の構成図である。 ＩＯ・・・電界効果トランジスタ １１・・・第１の
線路 １２・・・第２の線路 １３・・・線路１４
．１５，１６・・・容量 １７．１８・・・抵抗１９
・・・終端抵抗 ２０・・・線路 ２１・・・誘電
体基板上 ２２・・・直流電源端子 ２３・・・高
周波出力端子 ２４・・・端子 ２５・・・半導体
チップ ２９・・・終端抵抗 ３０・・・端子代理
人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）埒 幻
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、誘電体共振器型発振器であって、 半導体基板上にトランジスタと帰還回路とからなる負性
抵抗回路と発振周波数以外の周波数の信号の反射を押さ
えるための終端抵抗とが一体的に形成され、 誘電体基板上に誘電体共振器と伝送線路とからなる共振
回路が形成され、 上記負性抵抗回路と上記終端抵抗に上記共振回路が接続
されていることを特徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29770290A JPH04170103A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29770290A JPH04170103A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170103A true JPH04170103A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17850055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29770290A Pending JPH04170103A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170103A (ja) |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29770290A patent/JPH04170103A/ja active Pending
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