JPH04170520A - 液晶表示用基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH04170520A JPH04170520A JP2297978A JP29797890A JPH04170520A JP H04170520 A JPH04170520 A JP H04170520A JP 2297978 A JP2297978 A JP 2297978A JP 29797890 A JP29797890 A JP 29797890A JP H04170520 A JPH04170520 A JP H04170520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- thin film
- crystal display
- substrate
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示パネルに関するもので特にそれに用い
る液晶表示用基板とその製造方法に関する。
る液晶表示用基板とその製造方法に関する。
従来の技術
最近、液晶表示技術が大きく進展し、画像の美しさでは
従来の陰極線管に匹敵するようになってきた。その上に
、薄い、軽いなどの特徴とあいまって、期待される表示
装置の座を占めるようになってきた。
従来の陰極線管に匹敵するようになってきた。その上に
、薄い、軽いなどの特徴とあいまって、期待される表示
装置の座を占めるようになってきた。
従来の液晶表示装置のパネルは2枚の透明電極を備えた
ガラヌ基板を液晶を挟んで対向させ、張り合わせたもの
である。透明電極をストライプ状に形成し、対向電極同
志クロスするようにしたものを単純マトリクスパネルと
いい、薄膜トランジスタを絵素毎に形成したものをT
F T (ThineFilm Transistor
)パネルという。単純マドリクヌパネルは構造が簡単
であシ、また、ドライノく−の数が少なく安価である。
ガラヌ基板を液晶を挟んで対向させ、張り合わせたもの
である。透明電極をストライプ状に形成し、対向電極同
志クロスするようにしたものを単純マトリクスパネルと
いい、薄膜トランジスタを絵素毎に形成したものをT
F T (ThineFilm Transistor
)パネルという。単純マドリクヌパネルは構造が簡単
であシ、また、ドライノく−の数が少なく安価である。
しかし、画質においては遠(’TPTパネルには及ばな
い。T P T 、クネルは画質はよいが、薄膜装置を
用いて、絵素毎にトランジスタを付けねばならず、歩留
まりが悪く、大変高価なものになってし1つている。
い。T P T 、クネルは画質はよいが、薄膜装置を
用いて、絵素毎にトランジスタを付けねばならず、歩留
まりが悪く、大変高価なものになってし1つている。
発明が解決しようとする課題
上記に説明したように、従来ある液晶)(ネルはその構
造並びに製造方法から、価格において制約がある。
造並びに製造方法から、価格において制約がある。
本発明は低価格化を可能にすると共に、従来のパネル構
造並びに製造方法では不可能であった大画面(例えば6
0インチ)の製造を不可能とするものである。
造並びに製造方法では不可能であった大画面(例えば6
0インチ)の製造を不可能とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明においては、液晶表示
用箔状回路を樹脂層を介在させて透明支持体に張りつけ
た液晶表示用基板を液晶ノくネルの一方の基板の構成要
素とするようにしている。
用箔状回路を樹脂層を介在させて透明支持体に張りつけ
た液晶表示用基板を液晶ノくネルの一方の基板の構成要
素とするようにしている。
作 用 −
本発明を用いれば、パネルの歩留まりが上がシ、容易に
大画面化が可能である。且つ、画質も良好のものが得ら
れる。
大画面化が可能である。且つ、画質も良好のものが得ら
れる。
実施例
以下、本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示基板の
構造について、実施例に沿って、図面を参照しながら説
明する。
構造について、実施例に沿って、図面を参照しながら説
明する。
第1図は本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示基板
の一例の断面図を示す。一般に良く知られているTN液
晶を用いた液晶表示パネルはこの基板と対向電極とを間
隙をあけて向かい合わせ、間に液晶を注入し、外側に偏
光板を配置して構成する。
の一例の断面図を示す。一般に良く知られているTN液
晶を用いた液晶表示パネルはこの基板と対向電極とを間
隙をあけて向かい合わせ、間に液晶を注入し、外側に偏
光板を配置して構成する。
液晶と触れる基板と対向電極の表面には液晶分子配向層
を設は配向処理を行うのが通常である。
を設は配向処理を行うのが通常である。
本発明において、重要であるのは第1図のような構成の
ものが液晶表示パネルの一方の基板の構成要素となって
いることである。この基板の上に種々の処理をしたり、
あるいは別の構成物を付加していっても良い。以下にお
いては、基本構成についてのみ記述する。101は透明
絶縁体薄膜108上に形成した液晶駆動用薄膜回路から
なる液晶駆動用箔状回路である。図においては薄膜回路
を簡単に省略して描いている。104はゲート電極、1
05は半導体薄膜、106はソースあるいはドレインで
あり、簿膜トランジスタを構成している。
ものが液晶表示パネルの一方の基板の構成要素となって
いることである。この基板の上に種々の処理をしたり、
あるいは別の構成物を付加していっても良い。以下にお
いては、基本構成についてのみ記述する。101は透明
絶縁体薄膜108上に形成した液晶駆動用薄膜回路から
なる液晶駆動用箔状回路である。図においては薄膜回路
を簡単に省略して描いている。104はゲート電極、1
05は半導体薄膜、106はソースあるいはドレインで
あり、簿膜トランジスタを構成している。
107は透明電極である。埃実には、種々の付加的な膜
を含むものである。これらは本発明の要点において重要
でないので省略する。液晶駆動用薄膜回路はアモロファ
スシリコン薄膜を用いたものとポリシリコン薄膜を用い
たものが現在使われている。薄膜素子がアクチブでない
ものでは、チタンの陽極酸化膜を利用した非直線素子も
ある。
を含むものである。これらは本発明の要点において重要
でないので省略する。液晶駆動用薄膜回路はアモロファ
スシリコン薄膜を用いたものとポリシリコン薄膜を用い
たものが現在使われている。薄膜素子がアクチブでない
ものでは、チタンの陽極酸化膜を利用した非直線素子も
ある。
103は透明支持体であり、102は透明支持体と液晶
駆動用箔状回路とを張り付ける樹脂層である。
駆動用箔状回路とを張り付ける樹脂層である。
第1図のような構成を取ることにより多くの利点が生ず
る。第1の利点は後述するように、複数枚の液晶駆動用
箔状回路を一枚の透明支持体上に平面的に配列接続し、
継ぎ目のない画像が得られることである。第2の利点は
液晶駆動用箔状回路を形成する際に、その基板が透明で
なくともよいことであり、特製の良いトランジスタを得
ることができる高温プロセスが使えることである(後述
するように、液晶駆動用箔状回路作成プロセスにおいて
、後に取り除かれる液晶駆動用箔状回路を形成する基板
に透明性が要求されず、耐熱性のある安価な基板が使え
る)。特にポリシリコンの液晶駆動用薄膜回路の製造に
有効である。第3の利点は透明支持体に軽い樹脂が利用
できることであり、大型になったときに有利になる。
る。第1の利点は後述するように、複数枚の液晶駆動用
箔状回路を一枚の透明支持体上に平面的に配列接続し、
継ぎ目のない画像が得られることである。第2の利点は
液晶駆動用箔状回路を形成する際に、その基板が透明で
なくともよいことであり、特製の良いトランジスタを得
ることができる高温プロセスが使えることである(後述
するように、液晶駆動用箔状回路作成プロセスにおいて
、後に取り除かれる液晶駆動用箔状回路を形成する基板
に透明性が要求されず、耐熱性のある安価な基板が使え
る)。特にポリシリコンの液晶駆動用薄膜回路の製造に
有効である。第3の利点は透明支持体に軽い樹脂が利用
できることであり、大型になったときに有利になる。
第2図は第1図の液晶表示用基板の一つの製造方法を説
明する工程図である。第2図(a)は腐食性基板202
上の透明絶縁体薄膜108の上に作成した薄膜トランジ
スタ201を含む液晶駆動用箔状回路101を表してい
る。腐食性基板202は例えばシリコンウェハーがある
。透明絶縁体薄膜はシリコンウェハー上に形成した酸化
シリコン膜がある。
明する工程図である。第2図(a)は腐食性基板202
上の透明絶縁体薄膜108の上に作成した薄膜トランジ
スタ201を含む液晶駆動用箔状回路101を表してい
る。腐食性基板202は例えばシリコンウェハーがある
。透明絶縁体薄膜はシリコンウェハー上に形成した酸化
シリコン膜がある。
このようなものは市販されている。薄膜トランジスタを
含む液晶駆動用薄膜回路はアモロファスシリコン薄膜あ
るいはポリシリコン薄膜を用いて作成可能である。
含む液晶駆動用薄膜回路はアモロファスシリコン薄膜あ
るいはポリシリコン薄膜を用いて作成可能である。
第2図(b)は作成した腐食性基板付き液晶駆動用箔状
回路の上に硝子あるいはプラスチック等の透明支持体2
03を樹脂層204で張り付けだところを示している。
回路の上に硝子あるいはプラスチック等の透明支持体2
03を樹脂層204で張り付けだところを示している。
第2図(C)は腐食性基板202を腐食して取υ除いた
結果で、液晶表示用基板205を示している。
結果で、液晶表示用基板205を示している。
腐食性基板202がシリコンで透明絶縁体薄膜108が
酸化シリコンの場合は、これをストッパーとして化学エ
ツチングで容易に実現できる。半導体プロセスに馴染み
のある技術者には周知のことである。腐食性基板を金属
にすることも容易に考えられる。
酸化シリコンの場合は、これをストッパーとして化学エ
ツチングで容易に実現できる。半導体プロセスに馴染み
のある技術者には周知のことである。腐食性基板を金属
にすることも容易に考えられる。
第3図第4図は別の一例を示す。液晶表示用基板205
と対向電極の間に液晶を挟んで駆動する場合、透明絶縁
体薄膜10Bが厚いと高い駆動電圧を必要とする。この
ような場合は、第3図の様に絵素の部分だけ掘シ込み3
01を作ることが可能である。あるいは、第4図のよう
に透明絶縁体薄膜にコンタクト窓401を明けて、透明
電極402を形成することも可能である。この場合第1
図にある透明電極107は要らない。このようなことは
、本発明から逸脱するものではない。第4図のものの作
成は、第2図の工程の第2図(C)の後、透明絶縁体薄
膜にコンタクト窓を明け、透明電極を形成すれば良い。
と対向電極の間に液晶を挟んで駆動する場合、透明絶縁
体薄膜10Bが厚いと高い駆動電圧を必要とする。この
ような場合は、第3図の様に絵素の部分だけ掘シ込み3
01を作ることが可能である。あるいは、第4図のよう
に透明絶縁体薄膜にコンタクト窓401を明けて、透明
電極402を形成することも可能である。この場合第1
図にある透明電極107は要らない。このようなことは
、本発明から逸脱するものではない。第4図のものの作
成は、第2図の工程の第2図(C)の後、透明絶縁体薄
膜にコンタクト窓を明け、透明電極を形成すれば良い。
使用する液晶によっては液晶表示用基板205上透明絶
縁体薄膜108上に配向膜を設け、配向処理を行うが、
これも本発明の範囲外ではない。
縁体薄膜108上に配向膜を設け、配向処理を行うが、
これも本発明の範囲外ではない。
第6図は本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示用基
板の別の一例の断面図を示す。樹脂層がカラーフィルタ
を含むように構成したものである。
板の別の一例の断面図を示す。樹脂層がカラーフィルタ
を含むように構成したものである。
カラーフイA#’ノ各色RGB502,503,504
とプラック501を樹脂層102に埋め込んである。透
明支持体103とカラーフィルタ層との間に接着のため
の樹脂層があっても構わない。
とプラック501を樹脂層102に埋め込んである。透
明支持体103とカラーフィルタ層との間に接着のため
の樹脂層があっても構わない。
第6図は別の液晶表示用基板の構成を示すものである。
この構成においては、−枚ではなく、複数枚の液晶駆動
用箔状回路を平面的に配列し、−枚の透明支持体で保持
している。そのために、−枚の液晶駆動用箔状回路の大
きさに拘らず、サイズの大きい液晶表示用基板ができる
。接合部があっても接合部の厚みが薄いために視覚的に
見えない。図において、液晶駆動用箔状回路は接合部6
01で途切れている。薄膜トランジスタ201は省略し
てえかいである。一つの液晶駆動用箔状回路と隣の液晶
駆動用箔状回路とは結線603(ゲート電極あるいはソ
ーヌ電嘩)により、コンタクト窓602を通して接続し
ている。後述するように、接続は透明絶縁体108の薄
膜トランジスタのある面で行うこともできる。
用箔状回路を平面的に配列し、−枚の透明支持体で保持
している。そのために、−枚の液晶駆動用箔状回路の大
きさに拘らず、サイズの大きい液晶表示用基板ができる
。接合部があっても接合部の厚みが薄いために視覚的に
見えない。図において、液晶駆動用箔状回路は接合部6
01で途切れている。薄膜トランジスタ201は省略し
てえかいである。一つの液晶駆動用箔状回路と隣の液晶
駆動用箔状回路とは結線603(ゲート電極あるいはソ
ーヌ電嘩)により、コンタクト窓602を通して接続し
ている。後述するように、接続は透明絶縁体108の薄
膜トランジスタのある面で行うこともできる。
複数の液晶駆動用箔状回路を用いた第6図の液晶表示用
基板の製造方法は、液晶駆動用箔状回路を形成した腐食
性基板を複数枚用意し、−枚の透明支持体上に並べ接着
すればよく、工程は第2図と同じである。腐食性基板を
取り除いた後、コンタクト窓をあけ、配線すれば良い。
基板の製造方法は、液晶駆動用箔状回路を形成した腐食
性基板を複数枚用意し、−枚の透明支持体上に並べ接着
すればよく、工程は第2図と同じである。腐食性基板を
取り除いた後、コンタクト窓をあけ、配線すれば良い。
第7図は本発明の液晶表示パネルに使う液晶表示用基板
の別の例の断面図を示す。ここでは、第1図のものとは
液晶駆動用箔状回路が上下逆さまになっている。透明絶
縁体薄膜10B側を透明支持体103に樹脂層102に
よって接着している。
の別の例の断面図を示す。ここでは、第1図のものとは
液晶駆動用箔状回路が上下逆さまになっている。透明絶
縁体薄膜10B側を透明支持体103に樹脂層102に
よって接着している。
第8図は第7図の構成のγ在高表示用基板の作成方法を
説明する工程図をしめす。第8図(a)は第2図(a)
と同じ工程で腐食性基板202上に、透明絶縁体薄膜1
08とその上の液晶駆動用簿膜回路からなる液晶駆動用
箔状回路101を設ける。201は薄膜トランジスタで
ある。第8図(b)の工程において、この液晶駆動用箔
状回路の上に除去可能な樹脂(例えば、ワックス等の熱
可塑性の樹脂あるいは溶剤に可溶性の樹脂等)8Q2を
介在させて仮の補強材801をつける。次に、第8図(
C)にあるように電食性基板202を腐食して取り除く
。
説明する工程図をしめす。第8図(a)は第2図(a)
と同じ工程で腐食性基板202上に、透明絶縁体薄膜1
08とその上の液晶駆動用簿膜回路からなる液晶駆動用
箔状回路101を設ける。201は薄膜トランジスタで
ある。第8図(b)の工程において、この液晶駆動用箔
状回路の上に除去可能な樹脂(例えば、ワックス等の熱
可塑性の樹脂あるいは溶剤に可溶性の樹脂等)8Q2を
介在させて仮の補強材801をつける。次に、第8図(
C)にあるように電食性基板202を腐食して取り除く
。
ここまでの工程は、除去可能な樹脂と仮の補強材を除い
て、第2図の工程と同じである。腐食性基板を取り除い
た後、第8図(d)のように、透明支持体803を樹脂
層804にて接着する。その後、第8図(e)のように
、仮の補強材801を除去可能な樹脂とともに取り除き
、液晶表示用基板を完成する。
て、第2図の工程と同じである。腐食性基板を取り除い
た後、第8図(d)のように、透明支持体803を樹脂
層804にて接着する。その後、第8図(e)のように
、仮の補強材801を除去可能な樹脂とともに取り除き
、液晶表示用基板を完成する。
第9図は本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示用基
板の別の一例の断面図を示す。箔状の単結晶シリコンに
窓をあけた液晶駆動用箔状回路901を透明支持体90
2に樹脂層903を介して張v付けた液晶表示用基板で
ある。907は単結晶シリコンであり905がトランジ
スタである。
板の別の一例の断面図を示す。箔状の単結晶シリコンに
窓をあけた液晶駆動用箔状回路901を透明支持体90
2に樹脂層903を介して張v付けた液晶表示用基板で
ある。907は単結晶シリコンであり905がトランジ
スタである。
904は窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどの透明
絶縁体薄膜である。906は透明電極である。
絶縁体薄膜である。906は透明電極である。
第10図は第9図の構成の液晶表示用基板の作成方法を
説明する工程図をしめす。第10図(、)はトランジス
タを含む液晶駆動回路を形成したシリコンウェファ−で
ある。シリコンウェファ−907の表面に回路905が
あシ、その上に酸化膜あるいは窒化膜904があシ、こ
れにコンタクト窓を明けて、その上に形成した透明電F
M’aoeと回路906を繋いでいる。回路905は大
きく省略して描いである。このシリコンウェファに仮の
補強材1oo1を除去可能な接着剤1oo2(例えばワ
ックス)で第10図Φ)のように取りつける。シリコン
ウェファ−は通常400〜700μあり、これに液晶表
示パネルの絵素に対応する穴(〜30μ口)をあけるこ
とは難しい。特殊なプラズマエツチング(ECR)によ
りアヌベクト比の大きいエンチングが可能になっている
が、今のニーズには届かない。将来は可能になるかもし
れない。
説明する工程図をしめす。第10図(、)はトランジス
タを含む液晶駆動回路を形成したシリコンウェファ−で
ある。シリコンウェファ−907の表面に回路905が
あシ、その上に酸化膜あるいは窒化膜904があシ、こ
れにコンタクト窓を明けて、その上に形成した透明電F
M’aoeと回路906を繋いでいる。回路905は大
きく省略して描いである。このシリコンウェファに仮の
補強材1oo1を除去可能な接着剤1oo2(例えばワ
ックス)で第10図Φ)のように取りつける。シリコン
ウェファ−は通常400〜700μあり、これに液晶表
示パネルの絵素に対応する穴(〜30μ口)をあけるこ
とは難しい。特殊なプラズマエツチング(ECR)によ
りアヌベクト比の大きいエンチングが可能になっている
が、今のニーズには届かない。将来は可能になるかもし
れない。
厚さ50μまで機械研磨する。このような技術はずいぶ
ん進歩していて、ディスクIJ −トF E Tの製造
に多く利用されている。その液フォトリソにより第10
図(C)のように透明な窓1003をあける。つぎに、
透明支持体902を樹脂層903を接着剤として第10
図(d)のように張9付ける。次に、仮の補強材を取り
除けば第10図(8)のような液晶表示用基板ができあ
がる。接着剤1o○2がワックスの場合は加熱すれば、
溶融して簡単に取れる。
ん進歩していて、ディスクIJ −トF E Tの製造
に多く利用されている。その液フォトリソにより第10
図(C)のように透明な窓1003をあける。つぎに、
透明支持体902を樹脂層903を接着剤として第10
図(d)のように張9付ける。次に、仮の補強材を取り
除けば第10図(8)のような液晶表示用基板ができあ
がる。接着剤1o○2がワックスの場合は加熱すれば、
溶融して簡単に取れる。
発明の効果
以上の説明かち明らかなように、本発明を用いれば、駆
動回路を透明支持体上に歩留まりの良い小さいサイズの
駆動回路のアレイを転写するようにしているために、歩
留まやよく液晶表示用基板を製造できるばかりでなく、
また、超大型液晶表水用基板の製造も可能である。
動回路を透明支持体上に歩留まりの良い小さいサイズの
駆動回路のアレイを転写するようにしているために、歩
留まやよく液晶表示用基板を製造できるばかりでなく、
また、超大型液晶表水用基板の製造も可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における液晶表示パネルに用
いる液晶表示用基板の断面図、第2図は第1図の液晶表
示用基板の一つの製造方法を説明する工程図、第3図〜
第7図は本発明の他の実施例における液晶表示パネルに
用いる液晶表示用基板の断面図、第8図は第7図の構成
の液晶表示用基板の製造方法を説明する工程図、第9図
は本発明のτ在島表示パネルに用いる液晶表示用基板の
別の一例の断面図、第10図は第7図の構成の液晶表示
用基板の製造方法を説明する工程図である。 101.901・・・・・・液晶駆動用箔状回路、10
2゜204.804.903・・−・・樹脂層、103
,203゜803.902・・・・・透明支持体、10
4・・・・ゲート電極、105・・・・・半導体薄膜、
108・・・ソースあるいはドレイン、10了、9o6
・・・・・・透明電極、108.904・・・・・透明
絶縁体薄膜、201・・・・・・薄膜トランジスタ、2
02・・・・・腐食性基板、205・・・・・・液晶表
示用基板、301・・・・・堀込み、401.602・
・・ ・コンタクト空、501 ・ ブラック、502
・ ・R(赤)、503 ・・・・G(緑)、504・
・B(青)、601 ・・・接合部、603・・・
結線、801,10Q1 仮の補強材、802゜10
02 ・・・除去可能な樹脂、905 ・トランジ
スタ、9Q7・・・・単結晶ンリコンウエファー、10
03・・・・・・窓。
いる液晶表示用基板の断面図、第2図は第1図の液晶表
示用基板の一つの製造方法を説明する工程図、第3図〜
第7図は本発明の他の実施例における液晶表示パネルに
用いる液晶表示用基板の断面図、第8図は第7図の構成
の液晶表示用基板の製造方法を説明する工程図、第9図
は本発明のτ在島表示パネルに用いる液晶表示用基板の
別の一例の断面図、第10図は第7図の構成の液晶表示
用基板の製造方法を説明する工程図である。 101.901・・・・・・液晶駆動用箔状回路、10
2゜204.804.903・・−・・樹脂層、103
,203゜803.902・・・・・透明支持体、10
4・・・・ゲート電極、105・・・・・半導体薄膜、
108・・・ソースあるいはドレイン、10了、9o6
・・・・・・透明電極、108.904・・・・・透明
絶縁体薄膜、201・・・・・・薄膜トランジスタ、2
02・・・・・腐食性基板、205・・・・・・液晶表
示用基板、301・・・・・堀込み、401.602・
・・ ・コンタクト空、501 ・ ブラック、502
・ ・R(赤)、503 ・・・・G(緑)、504・
・B(青)、601 ・・・接合部、603・・・
結線、801,10Q1 仮の補強材、802゜10
02 ・・・除去可能な樹脂、905 ・トランジ
スタ、9Q7・・・・単結晶ンリコンウエファー、10
03・・・・・・窓。
Claims (10)
- (1)液晶駆動用箔状回路を樹脂層を介在させて透明支
持体に張りつけた液晶表示用基板を液晶パネルの一方の
基板の構成要素とすることを特徴とする液晶表示パネル
。 - (2)少なくとも複数の液晶駆動用箔状回路を樹脂層を
介在させて透明支持体に平面的に配列張りつけた液晶表
示用基板を液晶パネルの一方の基板の構成要素とするこ
とを特徴とする液晶表示パネル。 - (3)樹脂層がカラーフィルタを含むことを特徴とする
請求項1又は2記載の液晶表示パネル。 - (4)液晶駆動用箔状回路が透明絶縁体薄膜とその上に
形成した薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路か
らなり、液晶表示用基板の構成が少なくとも透明支持体
、樹脂層、透明絶縁体薄膜、薄膜トランジスタを含む液
晶駆動用薄膜回路の順に積層されていることを特徴とす
る請求項1、2または3記載の液晶表示パネル。 - (5)液晶駆動用箔状回路が透明絶縁体薄膜とその上に
形成した薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路か
らなり、液晶表示用基板の構成が少なくとも透明支持体
、樹脂層、薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路
、透明絶縁体薄膜の順に積層されていることを特徴とす
る請求項1、2または3記載の液晶表示パネル。 - (6)液晶表示用箔状回路が箔状の部分的に透明窓を有
する単結晶シリコンからなっていて、液晶表示用基板の
構成が透明支持体、樹脂層、箔状単結晶シリコンの順に
積層されていることを特徴とする請求項1、2または3
記載の液晶表示パネル。 - (7)腐食性基材上に設けた透明絶縁体薄膜上に薄膜ト
ランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路を設け、この上に
透明支持体を接着樹脂で張りつけて補強した後、腐食基
材をエッチングにて除去して作ることを特徴とする液晶
表示基板の製造方法。 - (8)腐食性基材上に設けた透明絶縁体薄膜上に薄膜ト
ランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路を設け、この上に
透明支持体を接着樹脂で張りつけて補強した後、腐食性
基材をエッチングにて除去し、然る後、絶縁体膜にコン
タクト窓をあけ透明電極を形成したことを特徴とする液
晶表示基板の製造方法。 - (9)腐食性基材上に設けた透明絶縁体薄膜上に薄膜ト
ランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路を設け、この上に
仮の補強材を接着樹脂で張りつけて補強した後、腐食性
基材をエッチングにて除去し、その跡に透明支持体を張
り付け、仮の補強材を除去して作ることを特徴とする液
晶表示基板の製造方法。 - (10)駆動回路を表面に形成した単結晶シリコン基板
の表面に仮の補強材を付けて補強し、単結晶シリコンを
裏側から研削して薄くし、部分的にエッチングにより窓
を明けて後、透明基板を張り付け、仮の補強材を除去し
て作ることを特徴とする液晶表示基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797890A JP2929704B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29797890A JP2929704B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170520A true JPH04170520A (ja) | 1992-06-18 |
| JP2929704B2 JP2929704B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=17853558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29797890A Expired - Fee Related JP2929704B2 (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 液晶表示用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2929704B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08254686A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JPH08264796A (ja) * | 1995-03-18 | 1996-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JPH10125930A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 剥離方法 |
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JP2001125138A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの剥離方法、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
| JP2004119991A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2004153290A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路の作製方法 |
| JP2005005724A (ja) * | 2004-07-06 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| US6998282B1 (en) | 1995-02-16 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2006072372A (ja) * | 2005-09-02 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板及び液晶パネル |
| US7050138B1 (en) | 1995-03-10 | 2006-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device having a driver circuit attached to a display substrate |
| US7094665B2 (en) | 1996-08-27 | 2006-08-22 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
| US7214555B2 (en) | 1995-03-18 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
| JP2007311827A (ja) * | 2007-08-16 | 2007-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
| USRE40601E1 (en) | 1996-11-12 | 2008-12-09 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US7462519B2 (en) | 1994-12-27 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of fabricating same, and, electrooptical device |
| US7820495B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7972910B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29797890A patent/JP2929704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7462519B2 (en) | 1994-12-27 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of fabricating same, and, electrooptical device |
| US7504660B2 (en) | 1994-12-27 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of fabricating same, and, electrooptical device |
| US7468526B2 (en) | 1994-12-27 | 2008-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of fabricating same, and electrooptical device |
| US7361519B2 (en) | 1995-02-16 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8497509B2 (en) | 1995-02-16 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6998282B1 (en) | 1995-02-16 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7375782B2 (en) | 1995-02-16 | 2008-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7425931B1 (en) | 1995-02-16 | 2008-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Display unit of a helmet or a vehicle or an airplane |
| US8547516B2 (en) | 1995-03-10 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US8013972B2 (en) | 1995-03-10 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US7050138B1 (en) | 1995-03-10 | 2006-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device having a driver circuit attached to a display substrate |
| US7446843B2 (en) | 1995-03-10 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| JPH08254686A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
| JPH08264796A (ja) * | 1995-03-18 | 1996-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| US8012782B2 (en) | 1995-03-18 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
| US7483091B1 (en) | 1995-03-18 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display devices |
| US7271858B2 (en) | 1995-03-18 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display-device |
| US7214555B2 (en) | 1995-03-18 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
| US7285476B2 (en) | 1996-08-27 | 2007-10-23 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
| US7094665B2 (en) | 1996-08-27 | 2006-08-22 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| US7468308B2 (en) | 1996-08-27 | 2008-12-23 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
| JPH10125930A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 剥離方法 |
| USRE40601E1 (en) | 1996-11-12 | 2008-12-09 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| JP2001125138A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの剥離方法、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
| JP2004153290A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路の作製方法 |
| JP2004119991A (ja) * | 2003-12-12 | 2004-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2005005724A (ja) * | 2004-07-06 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路およびその製造方法 |
| US7972910B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor |
| US8492246B2 (en) | 2005-06-03 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated circuit device |
| US7820495B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8361845B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2006072372A (ja) * | 2005-09-02 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板及び液晶パネル |
| JP2007311827A (ja) * | 2007-08-16 | 2007-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2929704B2 (ja) | 1999-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2929704B2 (ja) | 液晶表示用基板の製造方法 | |
| JP3447619B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法、中間転写基板 | |
| JPH0567208B2 (ja) | ||
| JP4814873B2 (ja) | 可撓性電気光学装置及びその製造方法 | |
| JP2000039622A (ja) | パッド部を有する平版表示装置及びその製造方法 | |
| JPH11212116A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS6247623A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20080079874A1 (en) | Image display device and manufacturing method of the same | |
| TWI382220B (zh) | 一種用於液晶顯示裝置中之夾具 | |
| JP2000338454A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2914559B2 (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
| JPH0618926A (ja) | 液晶表示用大型基板およびその製造方法 | |
| JPH11231329A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPH10105086A (ja) | マルチ液晶表示装置 | |
| JP3805754B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
| KR19990041103A (ko) | 플라스틱 기판 액정표시장치 제조방법 | |
| JPH07175088A (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
| JP3941401B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPS63101830A (ja) | アクテイブ・マトリクス液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH05127605A (ja) | 大画面液晶表示装置 | |
| JP2004252296A (ja) | 薄膜トランジスタディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPH07248508A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0370209B2 (ja) | ||
| JPS6145221A (ja) | 画像表示用装置及びその製造方法 | |
| JPH1010505A (ja) | 平面型表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |