JPH0417095B2 - - Google Patents
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- JPH0417095B2 JPH0417095B2 JP57173234A JP17323482A JPH0417095B2 JP H0417095 B2 JPH0417095 B2 JP H0417095B2 JP 57173234 A JP57173234 A JP 57173234A JP 17323482 A JP17323482 A JP 17323482A JP H0417095 B2 JPH0417095 B2 JP H0417095B2
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- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- gel
- rate
- gel mixture
- solution
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P30/00—Technologies relating to oil refining and petrochemical industry
- Y02P30/20—Technologies relating to oil refining and petrochemical industry using bio-feedstock
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
本発明はゲル組成およびゲル粒子の形状が均一
な高シリカゼオライト触媒の製法に関するもので
ある。通常の高シリカゼオライト触媒の合成に際
し、従来は、例えばモービル社の特許（英国特許
第1042981号）に記載されているようにアルミニ
ウムイオンとシリケートイオンとを反応させてア
ルミノシリケートゲルを生成させる方法として、
アルミニウムイオン源として硫酸アルミニウム、
含窒素有機カチオンとして臭化テトラプロピルア
ンモニウム（TPAB）、イオン調整剤として塩化
ナトリウム水溶液（Ａ液）とケイ酸ソーダ水溶液
（Ｂ液）とを混合してゲルを生成させる方法が採
用された。結晶化の過程において反応混合物は高
速で撹拌し、これによつて物質移動速度をすみや
かにする方法が採用された。 この方法によるとゲル生成の初期の結晶母液組
成と末期の結晶母液組成とが著しく異なる。 その結果、生成するゲルの組成および形状が不
均一になることはさけられない。 上記欠点を補うため八嶋（触媒第23巻、第３
号）等は上記Ａ液中のイオン調整剤（Nacl）を
とり出してｃ液を調整し、Ａ液とＢ液とをＣ液に
添加する方法を採用しているが、この方法におい
てもイオン調整剤（Nacl）以外の液組成につい
てはゲル生成反応の初期と末期では著しい差異が
生ずることはさけがたい。 本発明では、ゲル生成反応にともなつて結晶母
液の各成分に濃度変化が起るのをできるだけ少な
くしてゲル生成の沈澱条件を均一にするため次の
ような方法を試みた。すなわち、アルミニウム
塩、含窒素有機カチオンおよび無機酸を含む水溶
液をＡ液とし、ケイ酸塩水溶液をＢ液とし、イオ
ン調整剤水溶液をＣ液とし、Ａ液およびＢ液をそ
れぞれ一定速度でＣ液に添加混合するに際し、 (1) Ａ液にもイオン調整剤（Nacl）を添加し、 (2) Ｃ液はその容量を２倍にしてイオン調整剤の
みならずＡ液中のTPABの一部および無機酸
（H2CO4）の一部を予じめＣ液に添加し、さら
に水酸化アルカリによりPHを９ないし11に調整
する（第１工程）。 上記方法を採用することによつて第１図に示す
如くゲル生成反応に際し、結晶母液に含まれる各
成分の濃度変化を著しく低減させることができ
た。 またＡ液とＢ液とをそれぞれＣ液に添加する
際、Ａ液およびＢ液を定量ポンプ等により流速を
制御しつゝ一定量づゝＣ液に添加してＣ液が常に
一定の成分比率を維持するように調整して母液中
の各成分の濃度変化を低減させる（第１工程）。
その結果、ゲル組成およびゲル粒子の形状の均一
性を改善させることができる。 次に、上記第１工程から得られたゲル混合物を
そのまゝまたは上澄液を分離した後擂潰により結
晶形状を微細化、均一化する（第２工程）。 ゲルの擂潰は超音波撹拌、ボールミルおよび擂
潰により行なうが、擂潰が適当である。ゲルの擂
潰条件の１例を示せば次の如くである。 遠心分離（1500r.p.m.，15分間）上澄液 ―――→ 除去 擂潰15分間→遠心分離上澄液 ―――→ 除去 擂潰15分間→遠心分離上澄液 ―――→ 除去 擂潰30分間 擂潰時間は合計１時間であつた。 次に第２工程からのゲル化混合物（ゲル沈澱と
上澄液とを含む）を150℃ないし190℃、好ましく
は160℃ないし180℃に毎分１ないし３℃の速度で
昇温した後さらに該温度から220℃までは一定速
度または指数函数的速度で昇温して短時間で水熱
合成を行なう（第３工程）。 本発明の第３工程を実施する−水熱合成条件は
次の如くである。 温度：160℃ないし210℃ 時間：２時間50分ないし13時間20分、好ましくは
４時間10分 方法：段階的（指数函数的）または連続的に昇
温、好ましくは連続的に昇温する。 水熱合成の代表的条件 (a) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃４時間10分 ―――――→ 毎時12℃210℃ その他の条件 (b) 室温２時間30分 ―――――→ 160℃ ２時間１時間30分 ―――――→ 190℃ ５時間 (c) 室温１時間30分 ―――――→ 190℃ 10時間 (d) 室温２時間10分 ―――――→ 190℃ ５時間 (e) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ２時間20分 ――→ 190℃ ５時間 (f) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ６時間 (g) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ８時間20分 ――→ 190℃ ５時間 (h) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃６時間40分 ―――――→ 毎時６℃200℃ (i) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃２時間50分 ―――――――→ 指数函数的速度210℃ 上記(g)ないし(i)は特に好ましい方法である。 ゼオライト触媒の製法について本発明方法と従
来法（モービル法および八嶋法）とを比較すれば
次の如くである。 各試薬の混合割合は第１表に示した（第１工
程）。
な高シリカゼオライト触媒の製法に関するもので
ある。通常の高シリカゼオライト触媒の合成に際
し、従来は、例えばモービル社の特許（英国特許
第1042981号）に記載されているようにアルミニ
ウムイオンとシリケートイオンとを反応させてア
ルミノシリケートゲルを生成させる方法として、
アルミニウムイオン源として硫酸アルミニウム、
含窒素有機カチオンとして臭化テトラプロピルア
ンモニウム（TPAB）、イオン調整剤として塩化
ナトリウム水溶液（Ａ液）とケイ酸ソーダ水溶液
（Ｂ液）とを混合してゲルを生成させる方法が採
用された。結晶化の過程において反応混合物は高
速で撹拌し、これによつて物質移動速度をすみや
かにする方法が採用された。 この方法によるとゲル生成の初期の結晶母液組
成と末期の結晶母液組成とが著しく異なる。 その結果、生成するゲルの組成および形状が不
均一になることはさけられない。 上記欠点を補うため八嶋（触媒第23巻、第３
号）等は上記Ａ液中のイオン調整剤（Nacl）を
とり出してｃ液を調整し、Ａ液とＢ液とをＣ液に
添加する方法を採用しているが、この方法におい
てもイオン調整剤（Nacl）以外の液組成につい
てはゲル生成反応の初期と末期では著しい差異が
生ずることはさけがたい。 本発明では、ゲル生成反応にともなつて結晶母
液の各成分に濃度変化が起るのをできるだけ少な
くしてゲル生成の沈澱条件を均一にするため次の
ような方法を試みた。すなわち、アルミニウム
塩、含窒素有機カチオンおよび無機酸を含む水溶
液をＡ液とし、ケイ酸塩水溶液をＢ液とし、イオ
ン調整剤水溶液をＣ液とし、Ａ液およびＢ液をそ
れぞれ一定速度でＣ液に添加混合するに際し、 (1) Ａ液にもイオン調整剤（Nacl）を添加し、 (2) Ｃ液はその容量を２倍にしてイオン調整剤の
みならずＡ液中のTPABの一部および無機酸
（H2CO4）の一部を予じめＣ液に添加し、さら
に水酸化アルカリによりPHを９ないし11に調整
する（第１工程）。 上記方法を採用することによつて第１図に示す
如くゲル生成反応に際し、結晶母液に含まれる各
成分の濃度変化を著しく低減させることができ
た。 またＡ液とＢ液とをそれぞれＣ液に添加する
際、Ａ液およびＢ液を定量ポンプ等により流速を
制御しつゝ一定量づゝＣ液に添加してＣ液が常に
一定の成分比率を維持するように調整して母液中
の各成分の濃度変化を低減させる（第１工程）。
その結果、ゲル組成およびゲル粒子の形状の均一
性を改善させることができる。 次に、上記第１工程から得られたゲル混合物を
そのまゝまたは上澄液を分離した後擂潰により結
晶形状を微細化、均一化する（第２工程）。 ゲルの擂潰は超音波撹拌、ボールミルおよび擂
潰により行なうが、擂潰が適当である。ゲルの擂
潰条件の１例を示せば次の如くである。 遠心分離（1500r.p.m.，15分間）上澄液 ―――→ 除去 擂潰15分間→遠心分離上澄液 ―――→ 除去 擂潰15分間→遠心分離上澄液 ―――→ 除去 擂潰30分間 擂潰時間は合計１時間であつた。 次に第２工程からのゲル化混合物（ゲル沈澱と
上澄液とを含む）を150℃ないし190℃、好ましく
は160℃ないし180℃に毎分１ないし３℃の速度で
昇温した後さらに該温度から220℃までは一定速
度または指数函数的速度で昇温して短時間で水熱
合成を行なう（第３工程）。 本発明の第３工程を実施する−水熱合成条件は
次の如くである。 温度：160℃ないし210℃ 時間：２時間50分ないし13時間20分、好ましくは
４時間10分 方法：段階的（指数函数的）または連続的に昇
温、好ましくは連続的に昇温する。 水熱合成の代表的条件 (a) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃４時間10分 ―――――→ 毎時12℃210℃ その他の条件 (b) 室温２時間30分 ―――――→ 160℃ ２時間１時間30分 ―――――→ 190℃ ５時間 (c) 室温１時間30分 ―――――→ 190℃ 10時間 (d) 室温２時間10分 ―――――→ 190℃ ５時間 (e) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ２時間20分 ――→ 190℃ ５時間 (f) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ６時間 (g) 室温１時間15分 ―――――→ 160℃ ８時間20分 ――→ 190℃ ５時間 (h) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃６時間40分 ―――――→ 毎時６℃200℃ (i) 室温１時間30分 ―――――→ 160℃２時間50分 ―――――――→ 指数函数的速度210℃ 上記(g)ないし(i)は特に好ましい方法である。 ゼオライト触媒の製法について本発明方法と従
来法（モービル法および八嶋法）とを比較すれば
次の如くである。 各試薬の混合割合は第１表に示した（第１工
程）。
【表】
本発明方法と従来法との比較を第２表に示した
（第２工程、第３工程）。
（第２工程、第３工程）。
【表】
本発明方法を実施するに当り、第１工程と第２
工程、第１工程と第３工程、第２工程とをそれぞ
れ組み合せることができる。 上記第１工程について、KS−23とKS−36との
各液の濃度変化を第１図に示した。 また上記の第１工程ないし第３工程の各工程が
ゲル生成に及ぼす影響を明らかにするためゲルの
状態（形状および大きさ）をそれぞれ第２図ない
し第６図に示した。 第２図（SK−20）は従来法によりゲルを調整
し、160℃、20時間水熱合成を行なつたときのゲ
ルの状態を表わした図（写真倍率5000）である。 第３図（KS−23a）は従来法によりゲルを調整
した後室温から160℃まで1.5時間を要して昇温
し、160℃から210℃まで毎分0.2℃の速度で昇温
して水熱合成を行なつたときのゲルの状態を表わ
した図（写真倍率5000）である。第４図（KS−
23b）はKS−23のゲルの状態を表わした図（写真
倍率2000）である。 第５図（KS−33）は従来法によりゲルを調整
した後沈澱物を分離し、これを擂潰後沈澱物と上
澄液とを混合後KS−23と同様にして水熱合成を
行なつた。このときの擂潰条件は擂潰を15分間行
なつた後上澄液を除去し、さらに15分間擂潰後再
び上澄液を除去した後30分間擂潰後沈澱物と上澄
液とを混合し、次にKS−23と同様にして水熱合
成を行なつた。この場合のゲルの状態を表わす図
（写真倍率2000）である。 第６図（KS−36）は水熱合成ゲル生成の際マ
イクロフイーダーを使用し濃度変化が起らないよ
うに調整し、その後擂潰、水熱合成はKS−33と
同様に行なつた場合のゲルの状態を表わす図（写
真倍率2000）である。 第２図（KS−20）と第３図（KS−23a）とを
比較すれば、水熱合成における連続昇温による効
果が明らかである。 本発明方法実施に適する高シリカゼオライト触
媒の組成の他の１例を示せば次の如くである。 組成（モル％） 適用範囲 最適範囲 Si／Al 15以上 25−3500 OH-／SiO2 0.30−1.0 0.62−0.8 H2O／SiO2 30−100 42−60 Ｒ／Ｒ＋Ｍ 0.05−0.15 0.10−0.12 NaCl／H2O 0.01−0.06 0.03−0.05 上記式中Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチ
オン、好ましくは第４級プロピルアンモニウムカ
チオンであり、Ｍはナトリウムまたはカリウムイ
オンである。 実施例 本発明方法の各工程の効果を確認するため、第
１工程において従来法の八嶋法（KS−20）を使
用し、第２工程を省略し、これに第２工程の連続
昇温操作を組み合せた場合（KS−23a，ｂ）、第
１工程において従来法の八嶋法を使用し、これに
第２工程の擂潰操作と第３工程の連続昇温操作と
を組み合せた場合（KS−33）、および第１工程の
水熱合成用ゲル生成時の濃度均一化操作と、第２
工程の擂潰操作と第３工程の連続昇温操作とを組
み合せた場合（KS−36）について比較検討を行
なつた。 各試薬の混合割合は第３表に示した。また水熱
合成用ゲル生成時の濃度変化を第４表に示した。 第１表および第２表の方法によつて得られたゼ
オライトゲルは過、水洗、乾燥後400℃ないし
600℃、好ましくは450℃ないし550℃、0.5ないし
５時間、〓焼後触媒として使用した。
工程、第１工程と第３工程、第２工程とをそれぞ
れ組み合せることができる。 上記第１工程について、KS−23とKS−36との
各液の濃度変化を第１図に示した。 また上記の第１工程ないし第３工程の各工程が
ゲル生成に及ぼす影響を明らかにするためゲルの
状態（形状および大きさ）をそれぞれ第２図ない
し第６図に示した。 第２図（SK−20）は従来法によりゲルを調整
し、160℃、20時間水熱合成を行なつたときのゲ
ルの状態を表わした図（写真倍率5000）である。 第３図（KS−23a）は従来法によりゲルを調整
した後室温から160℃まで1.5時間を要して昇温
し、160℃から210℃まで毎分0.2℃の速度で昇温
して水熱合成を行なつたときのゲルの状態を表わ
した図（写真倍率5000）である。第４図（KS−
23b）はKS−23のゲルの状態を表わした図（写真
倍率2000）である。 第５図（KS−33）は従来法によりゲルを調整
した後沈澱物を分離し、これを擂潰後沈澱物と上
澄液とを混合後KS−23と同様にして水熱合成を
行なつた。このときの擂潰条件は擂潰を15分間行
なつた後上澄液を除去し、さらに15分間擂潰後再
び上澄液を除去した後30分間擂潰後沈澱物と上澄
液とを混合し、次にKS−23と同様にして水熱合
成を行なつた。この場合のゲルの状態を表わす図
（写真倍率2000）である。 第６図（KS−36）は水熱合成ゲル生成の際マ
イクロフイーダーを使用し濃度変化が起らないよ
うに調整し、その後擂潰、水熱合成はKS−33と
同様に行なつた場合のゲルの状態を表わす図（写
真倍率2000）である。 第２図（KS−20）と第３図（KS−23a）とを
比較すれば、水熱合成における連続昇温による効
果が明らかである。 本発明方法実施に適する高シリカゼオライト触
媒の組成の他の１例を示せば次の如くである。 組成（モル％） 適用範囲 最適範囲 Si／Al 15以上 25−3500 OH-／SiO2 0.30−1.0 0.62−0.8 H2O／SiO2 30−100 42−60 Ｒ／Ｒ＋Ｍ 0.05−0.15 0.10−0.12 NaCl／H2O 0.01−0.06 0.03−0.05 上記式中Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチ
オン、好ましくは第４級プロピルアンモニウムカ
チオンであり、Ｍはナトリウムまたはカリウムイ
オンである。 実施例 本発明方法の各工程の効果を確認するため、第
１工程において従来法の八嶋法（KS−20）を使
用し、第２工程を省略し、これに第２工程の連続
昇温操作を組み合せた場合（KS−23a，ｂ）、第
１工程において従来法の八嶋法を使用し、これに
第２工程の擂潰操作と第３工程の連続昇温操作と
を組み合せた場合（KS−33）、および第１工程の
水熱合成用ゲル生成時の濃度均一化操作と、第２
工程の擂潰操作と第３工程の連続昇温操作とを組
み合せた場合（KS−36）について比較検討を行
なつた。 各試薬の混合割合は第３表に示した。また水熱
合成用ゲル生成時の濃度変化を第４表に示した。 第１表および第２表の方法によつて得られたゼ
オライトゲルは過、水洗、乾燥後400℃ないし
600℃、好ましくは450℃ないし550℃、0.5ないし
５時間、〓焼後触媒として使用した。
【表】
【表】
各種触媒（KS−23a、ｂ、KS−33、KS−36）
について、メタノールからの炭化水素転化反応を
行ない、その結果を第５表ないし第７表に示し
た。 ゼオライドゲルの結晶化条件：温度160℃から210
℃までの昇温速度 0.2℃／分 反応条件：GHSV1889（hr-1）
について、メタノールからの炭化水素転化反応を
行ない、その結果を第５表ないし第７表に示し
た。 ゼオライドゲルの結晶化条件：温度160℃から210
℃までの昇温速度 0.2℃／分 反応条件：GHSV1889（hr-1）
【表】
【表】
【表】
【表】
上記実験結果から、本発明方法によつて製造さ
れた触媒では反応温度が低温（280℃）の場合従
来法で製造された触媒の場合に比較して炭化水素
特にC5以上の炭化水素および芳香族炭化水素の
生成率が２倍量に達したことがわかつた。 本発明方法の特徴をのべれば次の如くである。 (1) 試薬Ａ、Ｂ、Ｃの各液を混合してゼオライト
ゲルを生成する際混合時の濃度勾配をなくする
ようにＣ液中に含窒素有機カチオン
（TPAB）、無機酸、水酸化アルカリを、Ａ液
中にイオン調整剤を添加して、ゲル生成過程に
おける各液（Ａ〜Ｃ液）の濃度勾配をなくする
ようにした。 (2) 試薬Ａ液およびＢ液の送量をマイクロフイー
ダーを用いて定量化し、生成ゲル中のSi／Al
のモル比の均一化をはかつた。 (3) 生成したゼオライトゲル混合物を傾瀉または
遠心分離により母液と分離し、分離されたゲル
を擂潰により細分化することによつて結晶生成
に際し、結晶の粒径を小さくしかつ均一化す
る。 (4) 水熱合成時の温度の上げ、核形成、結晶五長
反応に適するような温度条件にして水熱合成に
要する時間の短縮化結晶の均一、微細化をはか
つた。
れた触媒では反応温度が低温（280℃）の場合従
来法で製造された触媒の場合に比較して炭化水素
特にC5以上の炭化水素および芳香族炭化水素の
生成率が２倍量に達したことがわかつた。 本発明方法の特徴をのべれば次の如くである。 (1) 試薬Ａ、Ｂ、Ｃの各液を混合してゼオライト
ゲルを生成する際混合時の濃度勾配をなくする
ようにＣ液中に含窒素有機カチオン
（TPAB）、無機酸、水酸化アルカリを、Ａ液
中にイオン調整剤を添加して、ゲル生成過程に
おける各液（Ａ〜Ｃ液）の濃度勾配をなくする
ようにした。 (2) 試薬Ａ液およびＢ液の送量をマイクロフイー
ダーを用いて定量化し、生成ゲル中のSi／Al
のモル比の均一化をはかつた。 (3) 生成したゼオライトゲル混合物を傾瀉または
遠心分離により母液と分離し、分離されたゲル
を擂潰により細分化することによつて結晶生成
に際し、結晶の粒径を小さくしかつ均一化す
る。 (4) 水熱合成時の温度の上げ、核形成、結晶五長
反応に適するような温度条件にして水熱合成に
要する時間の短縮化結晶の均一、微細化をはか
つた。
添附図面第１図はKS−23触媒とKS−36触媒と
について水熱合成用ゲル製造の際におけるＡ、
Ｂ、Ｃの各液の成分の濃度変化を示すグラフ、第
２図ないし第６図は各工程のゼオライトゲル生成
に及ぼす影響を明らかにするためのゲルの状態を
示す図（写真）である。
について水熱合成用ゲル製造の際におけるＡ、
Ｂ、Ｃの各液の成分の濃度変化を示すグラフ、第
２図ないし第６図は各工程のゼオライトゲル生成
に及ぼす影響を明らかにするためのゲルの状態を
示す図（写真）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム塩、含窒素有機カチオンおよび
無機酸を含む水溶液をＡ液とし、ケイ酸塩水溶液
をＢ液とし、イオン調整剤水溶液をＣ液とし、Ａ
液およびＢ液をそれぞれ一定速度でＣ液に添加す
るに際し、Ａ液にはイオン調整剤を添加し、Ｃ液
には含窒素有機カチオン、無機酸および水酸化ア
ルカリを添加して各液組成の濃度変化を少なくす
るようにＡ液およびＢ液の添加速度を調整する第
１工程、および第１工程から得られたゲル混合物
を擂潰、細分化する第２工程、および第２工程か
ら得られたゲル混合物を150℃ないし190℃に毎分
１ないし３℃の速度で昇温した後さらに220℃ま
で一定速度または指数函数的速度で昇温して水熱
合成反応を行なう第３工程を包含することを特徴
とする高シリカゼオライト触媒の製法。 ２ 第２工程は第１工程より得られたゲル混合物
をそのまゝまたは上澄液と分離した後擂潰、細分
化する前記第１項記載の方法。 ３ 第３工程は(a)第２工程から得られたゲル混合
物を150℃ないし190℃、好ましくは160℃ないし
180℃に加熱した後毎分0.05ないし１℃、好まし
くは毎分0.1ないし0.6℃の一定速度で昇温し、
190℃ないし220℃に達した後放冷するかまたは(b)
上記ゲル混合物を150℃ないし190℃、好ましくは
160℃ないし180℃に加熱した後指数函数的に昇温
し、190℃ないし220℃に達した後放冷する前記第
１項記載の方法。 ４ 第３工程は第２工程から得られたゲル混合物
を170℃ないし190℃に加熱した後150℃ないし170
℃に急冷し、次に一定速度または指数函数的速度
で190ないし220℃に昇温後放冷する前記第３項記
載の方法。 ５ 第１工程と第２工程、第１工程と第３工程、
第２工程と第３工程とをそれぞれ組み合せる前記
第１項ないし第４項のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173234A JPS5962349A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 高シリカゼオライト触媒の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173234A JPS5962349A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 高シリカゼオライト触媒の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962349A JPS5962349A (ja) | 1984-04-09 |
| JPH0417095B2 true JPH0417095B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=15956631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173234A Granted JPS5962349A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 高シリカゼオライト触媒の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962349A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8545805B2 (en) * | 2010-11-05 | 2013-10-01 | Chevron U.S.A. Inc. | Method for preparing small crystal SSZ-32 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57173234A patent/JPS5962349A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5962349A (ja) | 1984-04-09 |
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