JPH0417110A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPH0417110A
JPH0417110A JP2120610A JP12061090A JPH0417110A JP H0417110 A JPH0417110 A JP H0417110A JP 2120610 A JP2120610 A JP 2120610A JP 12061090 A JP12061090 A JP 12061090A JP H0417110 A JPH0417110 A JP H0417110A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、Ｃｏを
主体とした強磁性金属薄膜を蒸着により非磁性基体に支
持させた水平記録型の磁気記録媒体に関する。
〈従来の技術〉 近年磁気記録媒体はますます高密度化しており、中でも
Ｃｏを主体としＮｉ等を添加した強磁性金属薄膜を用い
た磁気記録媒体は、飽和磁束密度が大きくしかも保磁力
が高いので、盛んに研究されている。
この型の磁気記録媒体は種々の方法で製造されるが、特
に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め蒸着法によ
り強磁性金属薄膜を２層以上積層して多層構造とするこ
とが提案されている。　斜め蒸着法においては、強磁性
金属薄膜各層は、蒸着等の気相法により強磁性金属の蒸
気を非磁性基体の表面に特定の角度で差し向け、これに
より強磁性金属の柱状結晶粒を他の強磁性金属薄膜の柱
状結晶粒の成長方向と交差した特定の方向に成長させる
（特公昭５６−２６８９１．５６−４２０５５．６３−
２１２５４および６０−３７５２８、特開昭５４−６０
３．５４−１４７０１０，５６−９４５２０．５７−３
２３３．５７−３０２２８．５７−１３５１９．５７−
１４１０２７．５７−４１０２８．５７−１４１０２９
．５７−１４３７３０．５７−１４３７３１．５７−１
４７１２９．５８−１４３２４．５８−５０６２８．６
０−７６０２５、６１−１１０３３３、６１１８７１２
２　、６３−１０３１５、６３−１０３１５、６３−１
３１１７　、６３−１４３１７．６３−１４３２０およ
び６３−３９１２７号公報等）。　これにより保磁力そ
の他の電磁変換特性、あるいは機械特性が向上するが、
なお不十分であった。
本発明者らは、これらのうちの水平記録用の磁気記録媒
体を種々の点から検討したところ、各強磁性金属薄膜に
おける柱状粒子の成長方向およびそれらの相互関係、厚
さおよびそれらの相互関係の検討が充分でなく、電磁変
換特性および耐久性が不充分であったことを見出した。
このような問題点を解決するために本出願人は柱状粒子
の成長方向が交差する２層のＣｏ−Ｎｉ系強磁性金属薄
膜を有する磁気記録媒体において、上層を薄く下層を厚
（することにより電磁変換特性および耐久性を改善し、
さらに走行性を改善した（特開昭６３−９０１５号公報
）。
しかし、このものは走行性と耐久性は向上するものの、
電磁変換特性の向上が不十分である。
また、他の試みとして、同様な２層型磁気記録媒体にお
いて最小入射角（各強磁性金属薄膜の最終蒸着部分にお
ける金属粒子の入射方向と非磁性基体の法線とのなす角
度）を調整することにより、電磁変換特性と耐久性を向
上させることを提案した（特開昭６３−１０３１４号公
劃。
しか側、上層の最小入射角が比較的大きいことおよび２
層であることにより耐久性とくに高温高温下の耐久性に
劣り、また電磁変換特性が十分でなかった。
さらに、３層以上の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型
の磁気記録媒体では、各強磁性金属薄膜の厚さの検討が
な（また金属粒子の入射角が大きすぎるために充分な電
磁変換特性を得ることができなかったり、あるいは耐湿
耐温度性に劣る問題があり（特開昭５６−１３４３１７
号公報）、各層がほぼ同一の５００〜７００人の厚さを
有すると共に強磁性金属の入射角が各層とも２２〜７２
度と大きい角度を有するために耐食性に劣る問題があっ
たり（特開昭５３６０２０５号公報）、最上層の強磁性
金属薄膜を酸化して酸化物にして耐久性を増すと、酸化
物による電磁変換特性の低下が生じる問題などがある（
特開昭６３−３９１２７号公報、特開昭６３−１０３１
５号公報）。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明はこのような事情からなされたものであり、多層
の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型磁気記録媒体であ
って、高い電磁変換特性と高温高湿下での耐久性を共に
満足する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的は、下記（１）〜（６）の本発明により達成さ
れる。
（１）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
層を有し、この磁性層が少なくとも２層のＣｏを主成分
とする強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体
であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
θｍａｘ　、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着されたこと
を特徴とする磁気記録媒体。
（２）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
層を有し、この磁性層が少なくとも２層のＣｏを主成分
とする強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体
であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
θｍａｘ　、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたこと
を特徴とする磁気記録媒体。
（３）最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着され
た上記（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘとθｍ
ｉｎとの合計が、最下層蒸着時のθｍａｘとθｍｉｎと
の合計よりも大きい上記（１）ないしく３）のいずれか
に記載の磁気記録媒体。
（５）強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基体の法
線な挾んで交差するように蒸着された２層の強磁性金属
薄膜を有する上記（１）ないしく４）のいずれかに記載
の磁気記録媒体。
（６）最上層蒸着時および最下層蒸着時のθｍｉｎがそ
れぞれ２０〜６０度および１０〜５０度であり、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθｍａｘがそれぞれ
８０〜９０度および３１〜８９度である上記（１）ない
しく５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
〈作用〉 斜め蒸着型の磁気記録媒体の強磁性金属薄膜形成におい
ては、回転する円筒状の冷却ドラム表面に非磁性基体を
添わせて搬送しながら、定置された強磁性金属源に電子
ビーム等を照射して蒸着を行なう。
このとき、強磁性金属が入射する方向と非磁性基体表面
の法線とがなす角度を入射角と呼び、通常、蒸着開始か
ら終了まで入射角が漸減するように蒸着する。　従って
、非磁性基体上に形成された強磁性金属薄膜中の柱状結
晶粒子は、非磁性基体側ではほぼ非磁性基体表面と平行
であり、非磁性基体表面から離れるに従って弧状に成長
している。
蒸着時の入射角の最大値および最小値を、それぞれ最大
入射角θｍａｘおよび最小入射角θｍｉｎと称する。　
なお、θｍａｘは９０度以下であり、蒸着効率はθｍａ
ｘからθｍｉｎにかけて増大する。
磁性層が面内方向に磁化される水平記録型の磁気記録媒
体では、θｍａｘは９０度に設定される。　これは、θ
ｍａｘが大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶
粒子の平均傾きが小さくなり、強磁性金属薄膜面内方向
のＨｃが向上するためである。
しかし、本発明の第１の態様では、最下層、すなわち最
も非磁性基体に近い強磁性金属薄膜が、最上層蒸着時の
θｍａｘよりも小さいθｍａｘにて蒸着される。　すな
わち、最下層はθｍａｘ９０度未満にて蒸着されている
。
この理由は下記のとおりである。
非磁性基体は通常、酸素や水分を含み、これらが基体表
面から強磁性金属薄膜中に侵入する。　このため、強磁
性金属薄膜は非磁性基体側から腐食が進行し易い。
本発明者らは実験を重ねた結果、θｍａｘ　９０度付近
、すなわち非磁性基体表面と平行に強磁性金属が入射し
た部分では蒸着効率が低いため、柱状結晶粒子の径が小
さくなって各粒子間に空隙が生じていることを見いだし
、この空隙から非磁性基体中の酸素や水分が侵入し、腐
食が進行することを知見した。
そこで、本発明は、最下層を上記のようなθｍａｘにて
蒸着することにより前記空隙の発生を抑え、耐食性が極
めて良好な磁気記録媒体を得るものである。　また、空
隙が減少するので薄膜中の強磁性金属の充填率が向上し
、高い飽和磁化が得られる。
しかも、本発明では２層以上の強磁性金属薄膜を蒸着し
ているので、例えばＨｉ−８規格のビデオ記録のように
低域信号（０，７５ＭＨｚの色信号）と高域信号（７，
０ＭＨｚの輝度信号）とが重畳記録される場合、通常、
最下層には主として低域信号が記録されるため、最下層
を小さいθｍａｘにて蒸着してＨｅが低くなった場合で
も、かえって低域信号に関する電磁変換特性は向上する
。
さらに、最上層蒸着時のθｍａｘは最下層蒸着時のθｍ
ａｘより大きくなるので、最上層のＨｃが向上し、高域
信号の電磁変換特性が向上する。　従って、全域におい
て高い電磁変換特性が得られ、しかも高い耐食性が実現
する。
また、本発明の第２の態様では、最上層の強磁性金属薄
膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍｉｎより大
きいθｍｉｎで蒸着されている。
θｍｉｎも柱状結晶粒子の傾きに関与し、θｍｉｎが大
きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さくなるのでＨｃが
向上する。　一方、θｍｉｎが小さいと平均傾きは大き
くなり、また、柱状結晶粒子の大部分が高い効率で蒸着
されるので柱状結晶粒子の径が均一に近くなり、各柱状
結晶粒子間に空隙が生じにくくなって緻密な膜が得られ
る。
このため、本発明では最上層のＨｃを高くでき、さらに
最下層のＨｃを相対的に低くできるため、全域に亙って
電磁変換特性を向上させることができ、しかも最下層の
耐食性を向上させることができる。
さらに、この場合、最下層蒸着時のθｍａｘと最上層蒸
着時のθｍａＸとが上記した関係であれば、電磁変換特
性および耐食性は極めて高いものとなる。
そして、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθｍａｘとθｍｉｎとの合計が、最下層蒸着時
のθｍａｘとθｍｉｎとの合計よりも大きい場合、より
高い電磁変換特性および耐食性が実現する。
く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。
［非磁性基体］ 本発明で用いる非磁性基体の材質に特に制限はなく、強
磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えば
ポリエチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、特開昭６３−１０３１５号公報に記載の各種材料
が使用可能である。
［磁性層］ 非磁性基体上に形成される磁性層は、Ｃｏを主成分とし
、斜め蒸着法により形成される２層以上の強磁性金属薄
膜から構成される。
本発明の第１の態様では、最下層の強磁性金属薄膜が、
最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθ
ｍａｘにて蒸着されている。
このような構成により耐食性および電磁変換特性が共に
向上する。
この場合、最上層蒸着時のθｍａｘは８０〜９０度、特
に８５〜９０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍａｘは３１〜８９度、特に６０〜８４度であること
が好ましい。
また、本発明の第２の態様では、最上層の強磁性金属薄
膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍｉｎより大
きいθｍｉｎにて蒸着されている。
このような構成によっても耐食性および電磁変換特性が
共に向上する。
この場合、最上層蒸着時のθｍｉｎは２０〜６０度、特
に３１〜６０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍｉｎは１０〜５０度、特に１０〜３０度であること
が好ましい。
なお、第１の態様の構成と第２の態様の構成とを共に備
えていることが好ましい。
また、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｍａｘとθｍｉｎとの合計が、最下層蒸着時の
θｍａｘとθｍｉｎとの合計よりも大きいことが好まし
い。
この場合、最上層のθｍａｘとθｍｉｎとの合計は１０
０〜１５０度、特に１１６〜１５０度であることが好ま
しく、また、最下層のθｍａｘとθｍｉｎとの合計は４
１〜１３９度、特に７０〜１１４度であることが好まし
い。
さらに、本発明では、強磁性金属が入射する方向が前記
非磁性基体の法線な挟んで交差するように蒸着された２
層の強磁性金属薄膜を有することが好ましい。　この場
合、これら２層では、強磁性金属の柱状結晶粒子の成長
方向が、非磁性基体表面の法線を挟んで交差することに
なる。
このような構成とするには、非磁性基体の走行方向を逆
にして斜め蒸着すればよい。
この場合の２層としては、最上層およびその隣接層であ
るか、あるいは最上層および１層挟んで最上層と隣接す
る層であることが好ましい。
このような構成とすることにより、最上層および他の１
層を、それぞれ高域信号記録および低域信号記録に好適
なＨｃとすることができ、全域に亙って電磁変換特性が
向上する。
強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はなく、目的に応じ
て２層、３層あるいは４層以上の構成を選択すればよい
。
３層以上の多層構成とする場合、最上層と最下層との間
に存在する中間層は、記録信号の周波数帯域や各層の厚
さなどの各種条件を考慮して、最適なＨｅや耐食性が得
られるように蒸着時のθｍａｘ　、θｍｉｎ　、厚さ、
柱状結晶粒の成長方向等を適宜設計すればよい。
例えばＨｉ−８規格のように低域信号と高域信号とが重
畳記録される場合、各層に主として記録される信号の周
波数帯域を考慮して上記各条件を決定すればよい。
磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、Ｎｉを含有する
Ｃｏ−Ｎｉ合金であることが好ましく、特にモル比でＣ
ｏを約８０％、Ｎｉを約２０％含有する合金が好適であ
る。
また、必要に応じてＣｒを１０％以下含有していでもよ
く、特開昭６３−１０３１５号公報等に記載されている
各種金属やその他の金属成分を含有していてもよい。
さらに、必要に応じて少量の酸素を表面層に含有させ、
耐食性を向上させることができる。
各強磁性金属薄膜の厚さは、約４００〜１０００人であ
ることが好ましい。　最上層の厚さが４００人より薄く
なると、例えば７．０ＭＨｚ程度の高域信号の記録が十
分にできなくなり出力が低下する。　一方１０００人よ
りも厚くなると雑音が増えて信号対雑音比が低下する。
なお、磁性層全体の厚さは、２０００Å以上であること
が好ましい。　これにより例えば０．７５ＭＨｚ程度の
低域における出力を十分に大きくすることができる。
また、低域および高域の双方で高出力を得るために、最
上層から下層に向けて厚さが増加していることが好まし
い。
各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法により形成さ
れる。　斜め蒸着装置および方法は、前掲した各種の文
献に記載されているのでそれらのうちから任意のものを
採用すればよい。
斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰り出された長
尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却ドラムの表面
に添わせて送りながら、個以上の定置金属源から斜め蒸
着をし、巻き取りロールに巻き取るものである。　この
場合、入射角は蒸着初期のθｍａｘから最終のθｍｉｎ
まで連・続的に変化し、非磁性基体表面にｃｏを主成分
とする強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状に成長させ、整
列させるものである。
磁性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行
なう。
そして、強磁性金属が入射する方向が非磁性基体の法線
な挾んで交差するような２層の強磁性金属薄膜を形成す
る場合、非磁性基体の走行方向を逆にして斜め蒸着を行
なえばよい。
本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁性層の保護お
よび耐食性向上のために公知の種々のトップコート層が
設けられることが好ましい。　また、テープ化したとき
の走行性を確保するために、非磁性基体の磁性層と反対
側には公知の種々のバックコート層が設けられることが
好ましい。
本発明の磁気記録媒体は、高密度記録が必要とされる各
種磁気記録に好適であるが、Ｈｉ　−８規格のビデオ記
録のように高域信号と低域信号とが重畳記録される場合
に特に高い効果を発揮する。
〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
［実施例１コ １０−’ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中で、供給ロールから厚
さ７ｐのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを繰り出して回転する円筒状冷却ドラムの周面に添わ
せて移動させ、２０ａｔ％Ｎｉ−Ｃｏ合金を斜め蒸着し
て強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに巻き取っ
た。
次いで、この巻き取りロールを供給ロールとし、ＰＥＴ
フィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め蒸着時の入射
方向と交差する入射方向にて強磁性金属を斜め蒸着して
、２層構成の磁性層を有する磁気記録媒体を得た。
上層および下層の強磁性金属薄膜の蒸着時のθｍｉｎお
よびθｍａｘを変え、下記表１に示す各サンプルを得た
。　各サンプルの上層の厚さは９００人、下層の厚さは
１１００人とした。
これらのサンプルをスリッタにて裁断してテープ化し、
Ｈｉ−８規格のビデオカセットとした。
各サンプルについて下記の評価を行なった。
結果を表１に示す。
（１）発錆 ６０℃・９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁
性層側の変色度を目視で判定した。
評価基準は下記のとおりとした。
０：変化なし ○：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色 （２）カッピング ６０℃・９０％ＲＨにて１週間保存した後、テープを平
面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定し
た。　評価基準は下記の通りとした。
０：Ｉｈ１＝０ ０：Ｏ＜　　ｈ　　≦０．２＋＋＋＋ｎ△：０．２＜　
　ｈ　　＜０．５ｍｍ ×：　ｈ　２０．５ｍｍ なお、カッピングはテープ幅方向の変形の度合いを示す
指標であり、カッピングが大きいとテープと磁気ヘッド
とのスペーシングが一定に保でな（なり、出力変動を生
じる。
（３）型持（７ＭＨｚでの電磁変換特性）Ｈｉ−８規格
Ｖ　Ｔ　Ｒノ５ＯＮＹ　ＥＶ−３９００を用い、７　Ｍ
Ｈｚの単一信号を記録したときのＲＦ比出力基準テープ
のＲＦ比出力比較し、下記の評価基準により判定した。
Ｑ：　　（ＲＦ比出力　上２゜０ｄＢ Ｏ：ＯｄＢ≦（ＲＦ比出力＜２．０ｄＢΔニー１．０ｄ
Ｂ≦（ＲＦ比出力＜０ｄＢＸ：（ＲＦ比出力＜−１，０
ｄＢ なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動方向は、上層
の柱状結晶粒子の成長方向なＰＥＴフィルム表面に投影
した方向とした。
（４）ΔＢｍ ６０℃・９０％ＲＨにて１週間保存後の最大磁化Ｂｍを
測定し、初期のＢｍに対する増加率を求めた。
（５）Ｄｏ　（ドロップアウト）経時変化５０℃・８０
％ＲＨにて１週間保存後のドロップアウトを測定し、初
期のドロップアウトに対する増加率を求めた。
なお、出力減少１６ｄＢ以上が１５μｓｅＣ以上続いた
ものをドロップアウトと判定した。
（６）走行摩擦経時変化 ５０℃・８０％ＲＨにて１週間保存後の動摩擦係数μを
測定し、初期のμに対する増加率を求めた。
なお、サンプルＮｏ、１０１．１０２および１０５は比
較用のリファレンスサンプルであり、上層と下層との形
成条件を全く同一に設定している。
表１に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。
下層のθｍａｘが上層のθｍａｘより小さい本発明のサ
ンプルＮｏ、　　１では、下層のθｍａｘ以外の全ての
入射角が同じであるサンプルＮｏ、１０１に比べ耐食性
が著しく向上し、また、上層のθｍａｘ以外の全ての入
射角が同じであるサンプルＮｏ、１０５に比べ電磁変換
特性が著しく向上している。
また、上層のθｍｉｎが下層のθｍｉｎより大きいサン
プルＮＯ１２では、上層のθｍｉｎ以外の全ての入射角
が同じであるサンプルＮｏ、１０１に比べ電磁変換特性
が著しく向上し、また、下層のθｍｉｎ以外の全ての入
射角が同じであるサンプルＮＯ，１０２に比べ耐食性が
著しく向上している。
そして、これら同条件を満足するサンプルＮｏ、　３で
は、耐食性および電磁変換特性のいずれもが極めて高い
。
［実施例２］ 実施例１に準じて、下記表２に示される３層の強磁性金
属薄膜から構成される磁性層を有する磁気記録媒体サン
プルを作製した。
ただし、上層、中間層および下層の厚さは、それぞれ７
００人、７００人および７００人とした。
また、表２に示す各層の蒸着方向（柱状結晶粒子の成長
方向）は、その方向をテープ表面に投影したときの方向
がテープに対する磁気ヘッドの相対的移動方向と同方向
のとき十と表示し、逆方向のとき−と表示した。
表２に示す各サンプルについて、実施例１と同様な評価
および下記評価を行なった。　結果を表２に示す。
（７）型持（０，７５ＭＨｚでの電磁変換特性）Ｈｉ−
８規格ＶＴＲの５ＯＮＹ　ＥＶ−３９００を用い、０．
７５ＭＨｚの単一信号を記録したときのＲＦ比出力基準
テープのＲＦ比出力比較し、下記の評価基準により判定
した。
Ｑ：　　（ＲＦ比出力≧２．０ｄＢ Ｑ：ＯｄＢ≦（ＲＦ比出力＜２．０ｄＢ△ニー１．０ｄ
Ｂ≦（ＲＦ比出力＜０ｄＢｘ：（ＲＦ比出力＜−１，０
ｄＢ 表２に示される結果から、本発明の効果が明らかである
。
すなわち、３層構成の磁性層においても、本発明の構成
とすれば耐食性が向上する。
また、電磁変換特性は、低域および高域のいずれに関し
ても著しく向上する。
〈発明の効果〉 本発明の磁気記録媒体は耐食性が極めて良好である。　
このため磁気特性の経時変化が極めて少なく、また、こ
のためカッピングの発生が抑えられるので媒体と磁気ヘ
ッドとのスペーシングの経時変化が極めて少ない。　さ
らに、ドロップアウトやテープ化したときの走行性の経
時変化も極めて少な（、耐久性、信頼性に優れる。
しかも、本発明の磁気記録媒体は低域信号から高域信号
の全域に亙って電磁変換特性が極めて良好である。　こ
のため、周波数範囲の広い記録に特に好適である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
    層を有し、この磁性層が少なくとも２層のＣｏを主成分
    とする強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体
    であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
    面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
    θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
    着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着されたこと
    を特徴とする磁気記録媒体。
  2. （２）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
    層を有し、この磁性層が少なくとも２層のＣｏを主成分
    とする強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体
    であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
    面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
    θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
    着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたこと
    を特徴とする磁気記録媒体。
  3. （３）最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属
    薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着され
    た請求項２に記載の磁気記録媒体。
  4. （４）最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘとθｍ
    ｉｎとの合計が、最下層蒸着時のθｍａｘとθｍｉｎと
    の合計よりも大きい請求項１ないし３のいずれかに記載
    の磁気記録媒体。
  5. （５）強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基体の法
    線を挟んで交差するように蒸着された２層の強磁性金属
    薄膜を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気
    記録媒体。
  6. （６）最上層蒸着時および最下層蒸着時の θｍｉｎがそれぞれ２０〜６０度および１０〜５０度で
    あり、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθｍａｘがそれぞれ
    ８０〜９０度および３１〜８９度である請求項１ないし
    ５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
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